CN101047200A - 有机电激发光显示元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机电激发光显示元件及其制造方法，该元件至少包括一像素单元，且每一像素单元至少包括一包括控制区和感测区的基板。一开关元件和一驱动元件位于控制区上。一光二极管位于感测区上。一有机电激发光单元位于感测区上，且可照亮光传感器。一电容器耦接到感光二极管和驱动元件，其中藉由感光二极管感应到有机电激发光单元照射到感光二极管的光线，产生一对应到有机电激发光单元的光电流，如此，藉由光电流调整电容器的电压，以控制通过驱动元件的电流，因此，改变有机电激发光单元的照度。

Description

有机电激发光显示元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示元件及其制造方法，特别是涉及有机电激发光显示元件及其制造方法。
背景技术
有机电激发光显示器(organic electroluminescent devices)(又称为有机感光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示器)其发光原理在有机分子材料(依分子量大小可分为小分子材料(small molecule material)及聚合物材料(polymer material))施加一外加电场使其产生发光现象。有机电激发光显示器(organic electroluminescent devices)因其为自发光性(self emission)元件，可阵列式显示(dot matrix type display)，具有轻薄、高对比、低消耗功率、高分辨率、反应时间短(fast response time)、不需背光源及广视角等特性，且其面板尺寸可由4mm微型显示器至100吋的大型户外广告牌显示器，被视为下一世代的平面面板显示器(flat panel display，FPD)。除了显示器的应用外，由于有机电激发光元件更可在轻薄、可挠曲的材质上形成阵列式结构，使其在应用上更加的广泛，尤其是非常适合应用于照明。一般预估有机电激发光元件其发光效率若能提升至100Lm/W以上，有机电激发光显示器装置即有机会取代一般照明光源。
请参照图1，一开关晶体管104控制一有机电激发光单元102，且一驱动晶体管106耦接到一电源线VP。然而，有机电激发光显示器面板存在有像素间均匀性不佳的问题，特别是有机电激发光显示器在长时间操作之后会产生亮度的衰退的问题。
发明内容
因此，为解决上述问题，本发明的一目的为解决有机电激发光显示器面板像素间均匀性不佳，或长时间操作之后产生衰退的相关问题，而使得有机电激发光显示器像素间的特性更为均匀。
本发明提供一种有机电激发光显示元件，其至少包括一像素单元，且每一像素单元至少包括一包括控制区和感测区的基板。一开关元件和一驱动元件位于控制区上。一光二极管位于感测区上。一有机电激发光单元位于感测区上，且可照亮光传感器。一电容器耦接到感光二极管和驱动元件，其中藉由感光二极管感应到有机电激发光单元照射到感光二极管的光线，产生一对应到有机电激发光单元的光电流，如此，藉由光电流调整电容器的电压，以控制通过驱动元件的电流，因此，改变有机电激发光单元的照度。
在本发明的一实施例中，开关元件和驱动元件包括上栅极晶体管，开关元件具有一第一栅极、驱动元件具有一第二栅极，且感光二极管具有一第一电极，另外，开关元件的第一栅极、驱动元件的第二栅极和感光二极管的第一电极由同一层形成。
此外，本发明提供一种有机电激发光显示元件的制造方法，包括下列步骤。首先，提供一包括控制区和感测区的基板，形成一栅极介电层于基板上。其后，形成一导电层于栅极介电层上，图形化导电层，以于控制区形成第一和第二栅极，且于感测区中形成一第一电极层。接下来，形成一第一介电层，至少覆盖第一栅极、第二栅极和第一电极层，图形化第一介电层，以形成一向下延伸至感测区的第一电极的开口。后续，于感测区的开口中形成一接面层，并形成一OLED单元，于部分控制区和感测区上。
附图说明
图1揭示有机电激发光显示器面板存在有像素间均匀性不佳的问题。
图2包括本发明一实施例具有补偿元件的有机电激发光显示器的电路示意图。
图3A～图3O绘示本发明一实施例形成一感测元件补偿有机发光元件的制造工艺中介剖面图。
图4揭示本发明一实施例包括一像素的电子元件的示意图。
附图符号说明
20～像素单元；           30～显示面板；
50～电子元件；           102～有机电激发光单元；
104～开关晶体管；        106～驱动晶体管；
202～显示单元；          204～驱动元件；
206～开关元件；        208～电容器；
210～光传感器；        212～照度；
302～基板；            304～控制区；
306～感测区；          307～电容区；
308～缓冲层；          309～下电极；
310～第一有源层；      312～第二有源层；
314～光致抗蚀剂；      316～沟道注入步骤；
318～光致抗蚀剂；      320～沟道区；
322～N+离子；          324～源极；
326～漏极；            328～栅极介电层；
330～第一栅极；        332～第二栅极；
334～第一电极；        335～上电极；
336～轻掺杂区；        338～光致抗蚀剂；
340～离子注入步骤；    342～沟道区；
344～源极；            346～漏极；
348～第一介电层；      349～开口；
351～第一类型半导体层；
353～第二类型半导体层；
355～第三类型半导体层；
357～导电接触层；      359～第二介电层；
361～开口；            363～导电接触；
365～平坦化层；        367～接触开口；
369～像素电极层；      371～像素定义层；
372～有机发光层；      374～阴极。
具体实施方式
以下将以实施例详细说明做为本发明的参考，且范例伴随着图标说明的。在图示或描述中，相似或相同的部分使用相同的图号。在图示中，实施例的形状或是厚度可扩大，以简化或是方便标示。图标中元件的部分将以描述说明的。可了解的是，未绘示或描述的元件，可以具有各种熟习此技艺的人所知的形式。此外，当叙述一层位于一基板或是另一层上时，此层可直接位于基板或是另一层上，或是其间亦可以有中介层。
在说明书中，有关“于基板上”(overlying the substrate)、“于该层上”(above the layer)或“于膜上”(on the film)等的叙述表示与当层表面的相对位置关系，其忽略中间存在的各层，因此，上述叙述可表示为与当层直接接触或中间有一或更多层相隔的非接触状态。
图2包括本发明一实施例具有补偿元件的有机电激发光显示器的电路示意图。请参照图2，一有机电激发光显示元件包括一像素单元20，且在像素单元20中，一例如开关集成电路(switch IC)或是开关晶体管的开关元件206控制有机电激发光显示单元202。像素单元20亦包括一连接到电源线VP的驱动元件204(亦可称为驱动集成电路)，其中通过驱动元件204的电流可控制有机电激发光单元202的照度212。行数据线220对开关元件206进行控制，在本发明的一实施例中，一电容器208连接到驱动元件204的栅极，其中电容器208亦耦接一光传感器210，在本发明的一实施例中，光传感器210包括一垂直式感光二极管。因此，可对电容器208的电压进行调整，以根据光传感器210所感测到的有机电激发光单元202的照度而控制通过驱动元件204的电流，如此，可改变有机电激发光单元202的照度做为补偿。
图3A～图3O绘示本发明一实施例有机发光单元的的制造工艺中介剖面图。首先，请参照图3A，提供一基板302，基板包括一控制区304、一感测区306和一电容区307。于基板302上形成一缓冲层308，缓冲层308可以是氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅所组成，在本发明的一优选实施例中，缓冲层308包括氧化硅和氮化硅的堆栈层，而其厚度可以为例如氮化硅约为350～650埃，氧化硅约为1000～1600埃。
接下来，形成一导电层(未绘示)于缓冲层308上，导电层可以是一多晶硅所组成，举例来说，导电层可首先以化学气相沉积方法沉积一非晶硅，再以准分子激光退火(Excimer Laser Annealing，以下可简称ELA)将其转换成多晶硅。之后，将导电层以传统的光刻和蚀刻方法定义成一第一有源层310和一第二有源层312于基板302的控制区304上方，并形成一下电极309于基板302的电容区307的上方，而感测区306上并不保留有源层。
其后，如图3B所示，以一光致抗蚀剂314遮住第二有源层312，而对第一有源层310进行一沟道注入步骤316(channel doping)，在本发明的一优选实施例中，此注入步骤316可注入B+，而其掺杂量可为0～1×1013/cm2。
后续，请参照图3C，再形成另一光致抗蚀剂318遮住第一有源层310的沟道区320，并随后注入N+离子322以形成N型晶体管的源极324和漏极326，在本发明的一优选实施例中，此注入步骤322可注入磷，而其掺杂量可为1×1014～1×1016/cm2，并且，经注入后，下电极层309可成为N-掺杂类型。
接者，请参照图3D，移除上述光致抗蚀剂314和318，并毯覆性沉积一栅极介电层328于第一有源层310、第二有源层312、控制区306的缓冲层308和电容区307的下电极309上，栅极介电层328可以为氧化硅-、氮化硅、氮氧化硅、其组合或是其堆栈层，或是其它高介电材料所组成，需注意的是，栅极介电层328在电容区307供作电容介电层。
后续，请参照图3E，沉积一栅极导电层(未绘示)于栅极介电层328上，栅极导电层可以为掺杂的多晶硅或是金属，在本发明的一优选实施例中，栅极导电层可以为厚度约为1500～2500埃的Mo。
接着，以传统的光刻和蚀刻方法对栅极导电层进行图形化，在第一有源层310上方形成第一栅极330(N型晶体管栅极)，在第二有源层312上方形成第二栅极332(P型晶体管栅极)，在感测区306的栅极介电层328上形成一第一电极334，且于电容区307上形成一上电极335，如此，下电极309、栅极介电层328和上电极335构成如图2所示的电容器208。
在本发明的一优选实施例中，在形成上述栅极330、332和334之后，可进行一轻掺杂步骤，以例如离子注入的方法，于N型晶体管206第一有源层310沟道区320两侧形成轻掺杂区336(light doped drain，以下可简称LDD)，如此，在控制区形成图2所示的N型的开关元件206和P型的驱动元件204，在本发明的一实施例中，开关元件206和驱动元件204包括上栅极晶体管。
后续，请参照图3F，形成一光致抗蚀剂338遮住第一有源层310，感测区306的第一电极334和电容区307的上电极335。之后，进行一离子注入步骤340(如注入P型掺杂物)，以在P型晶体管栅极332下方的沟道区342两侧形成P型晶体管的源极344和漏极346。
接着，请参照图3G，移除上述的光致抗蚀剂338，并毯覆性的沉积一第一介电层348于控制区304的栅极介电层328、N型晶体管栅极330、P型晶体管栅极332、感测区306的第一电极334，及电容区307的上电极335上。
一般来说，第一介电层348可依照产品的需求或制造工艺要求而决定其组成和厚度，举例来说，第一介电层348可由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氟硅玻璃FSG、旋转玻璃(SOG)、多晶氟化碳、其组合或其堆栈层所组成或其它材料所组成，在本发明的优选实施例中，第一介电层348包括氧化硅和氮化硅的堆栈层，更佳为氮化硅/氧化硅/氮化硅的堆栈结构，其中下层氮化硅的厚度约为2500～3500埃，氧化硅的厚度约为2500～3500埃，上层氮化硅的厚度约为500～1500埃。
接着，请参照图3H，以一般的光刻和蚀刻技术图形化第一介电层348，以形成一暴露位于感测区306上第一电极334的开口349。
请参照图3I，形成一接面层于第一介电层348和第一电极334上，接面层可依序包括第一类型半导体层351、第二类型半导体层353和第三类型半导体层355。之后，形成一导电接触层357于第三类型半导体层355上，并以一般的光刻和蚀刻技术图形化第一类型半导体层351、第二类型半导体层353、第三类型半导体层355和导电接触层357，以移除感测区306外的部分。
在本发明的一实施例中，第一类型半导体层351可以是N+类型非晶硅、第二类型半导体层353可以是本征类型非晶硅、第三类型半导体层355可以是P+类型非晶硅，而构成P-I-N层，并且导电接触层357可以是例如Mo的金属所组成。
另外，可以采用以下的方法形成第一、第二和第三类型半导体层351、353、355：首先，藉由化学气相沉积法于感测区306的第一介电层348和第一电极334上沉积N+类型非晶硅层351，之后，藉由化学气相沉积法于N+类型非晶硅层351上沉积本征类型非晶硅层353。后续，对本征类型非晶硅层353注入硼，以形成P+类型非晶硅层355，如此，第一、第二和第三类型半导体层351、353、355构成如图2所示的P-I-N二极管的光传感器210。
在本发明的一优选实施例中，第一类型半导体层351的厚度可介于400埃～600埃，第二类型半导体层353的厚度可介于4000埃～6000埃，第三类型半导体层355的厚度可介于400埃～600埃，且导电接触层357的厚度可介于400埃～600埃，然而，本发明不限于此，图2的二极管210可以是包括第一类型半导体层和第二类型半导体层的PN二极管，其中第一类型半导体层和第二类型半导体层具有相反的掺杂类型。
更甚者，第一、第二和第三类型半导体层可以任何类型的接面层取代的。
请参照图3J，形成一例如氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅的第二介电层359于第一介电层348和导电接触层357上。之后，以一般的光刻和蚀刻技术图形化第一介电层348和第二介电层359，以形成多个开口361，分别暴露N类型晶体管310的源极324、栅极330和漏极326，P类型晶体管312的源极344、栅极332和漏极346，和位于感测区306上的导电接触层357。
之后，请参照图3K，毯覆性的沉积一金属层(未绘示)，且之后一般的光刻和蚀刻技术图形化金属层，以于上述开口中形成导电接触363，特别是，在蚀刻制造工艺中，可部份移除导电层或是全部同时移除导电层，以形成导电接触363。
请参照图3L，形成一例如有机物或是氧化物所组成的平坦化层365于导电接触层357和第二介电层359上，平坦化层365的厚度可约介于10000埃～50000埃，之后，以一般的光刻和蚀刻技术图形化平坦化层365，以形成对应到部分导电接触363的接触开口367。在本发明的一实施例中，接触开口367暴露连接于P型晶体管漏极346的导电接触363。
请参照图3M，形成一例如铟锡氧化物的像素电极层369(供作阳极)于平坦化层365上，且电性连接导电接触363。后续，请参照图3N，形成一例如有机物或是氧化物的像素定义层371于部分的平坦化层365和像素电极层369上，特别是，像素定义层371暴露部分或是全部的光传感器。
请参照图3O，形成一有机发光层372于像素电极层369和像素定义层371上。在本发明的一实施例中，位于像素电极层369(亦可称为阳极或是第一OLED电极)上的有机发光层372依序包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光材料层、电子传输层和电子注入层。当施加电压于OLED层372上时，电子和空穴穿过电子传输层和空穴传输层，而分别进入有机发光材料层，进一步结合而释放能量，以回到基础状态，特别是，随着有机发光材料的不同，释放的能量可表现出不同的颜色，例如红色、绿色或是蓝色。
之后，于有机发光层372上形成一阴极374(亦可称为第二OLED电极)，阴极374可以是例如铝、银或是其它具有高反射系数适合材料的反射层，如此，像素电极层369、有机发光层372和阴极374构成图2所示的有机发光单元(OLED单元)202，而形成一向下发光的有机电激发光元件。
如图2和图3O所示，在本发明的优选实施例中，第一电极334、第一类型半导体层351、第二类型半导体层353、第三类型半导体层355和导电接触层357构成垂直式感光二极管传感器210。P类型晶体管可供作一驱动元件204，且N类型晶体管可供作一开关元件206。光传感器210产生光电流，而光电流的大小由OLED单元202的亮度而决定，因此，可调整耦接到驱动元件的电容器208的电压，以根据感光二极管传感器210所侦测到的有机发光单元202的照度，控制穿过驱动元件204的电流，因此，可改变有机发光单元202的照度以做为补偿，如此，在有机电机发光元件运作一段长时间后，可以上述的内部补偿机制改进有机发光单元的亮度均匀性。
图4显示图2或是图3O的像素单元可并入一显示面板中(其在此，以显示面板30标示)，而其可以是OLED面板，面板可以为各种类型电子元件的一部分(其在此，以电子元件50标示)。一般来说，电子元件包括OLED面板和输入单元，更甚者，输入单元操作性的耦接到OLED面板，且提供输入讯号(例如画面讯号)至面板以产生影像。电子元件可以是例如手机、数字相机、个人数字助理(personal digital asistant，PDA)、笔记型计算机、桌上型计算机、电视机、车用显示器或是影音播放器。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (17)

1.一种有机电激发光显示元件，包括：
像素单元，包括：
基板，包括控制区和感测区；
开关元件和驱动元件，位于该控制区上；
光二极管，位于该感测区上；
有机电激发光单元，位于该感测区中，且可照亮该光传感器；及
电容器，耦接到该感光二极管和该驱动元件，
其中藉由该感光二极管感应到该有机电激发光单元照射到该感光二极管的光线，产生对应到该有机电激发光单元的光电流，如此，藉由该光电流调整该电容器的电压，以控制通过该驱动元件的电流，因此，改变该有机电激发光单元的照度。
2.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该开关元件和该驱动元件包括上栅极晶体管。
3.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该感光二极管包括垂直式二极管。
4.如权利要求3所述的有机电激发光显示元件，其中该垂直式二极管包括：
第一类型半导体层；
第三类型半导体层，设置于该第一类型半导体层上方；
第二类型半导体层，设置于该第一类型半导体层和该第三类型半导体层间，其中该第三类型半导体层和该第一类型半导体层具有相反的类型。
5.如权利要求4所述的有机电激发光显示元件，其中该第一类型半导体层包括N+类型非晶硅、该第二类型半导体层包括本征类型非晶硅，且该第三类型半导体层包括P+类型非晶硅。
6.如权利要求3所述的有机电激发光显示元件，其中该垂直式二极管包括：
第一类型半导体层；和
第二类型半导体层，设置于该第一类型半导体层上方，其中该第二类型半导体层和该第一类型半导体层具有相反的类型。
7.如权利要求4所述的有机电激发光显示元件，其中该开关元件具有第一栅极、该驱动元件具有第二栅极，且该感光二极管具有连接至该第一类型半导体层的第一电极，其中该开关元件的第一栅极、该驱动元件的第二栅极和感光二极管的第一电极由同一层形成。
8.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，更包括：
第一有源层，位于该开关元件中；
第二有源层，位于该驱动元件中；
栅极介电层位于该第一和第二有源层和该感测区上；
第一和第二栅极，设置于该控制区的栅极介电层上，其中该第一栅极位于该开关元件中，且该第二栅极位于该驱动元件中；
第一电极，设置于感测区上的栅极介电层上，其中该第一栅极、该第二栅极和该第一电极包括同一层；
第一介电层，至少覆盖该第一和第二栅极，及该第一电极，其中该第一介电层具有接触开口，暴露部分该第一电极；
P-I-N层，设置于该感测区的第一电极和第一介电层上；及
导电接触层，设置于该P-I-N层上。
9.如权利要求8所述的有机电激发光显示元件，其中该第一介电层包括多个开口，暴露该第一和第二栅极和部分该第一和第二有源层，且该些开口填满导电接触。
10.如权利要求9所述的有机电激发光显示元件，更包括：
平坦化层，位于该导电接触、该第二介电层和该导电接触层上；
第一OLED电极，位于该平坦化层上；
有机发光层，位于该第一OLED电极上；
第二OLED电极，位于该有机发光层上，其中该第一电极，该有机发光层和该第二电极构成该OLED单元。
11.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，更包括：
显示面板，其中该像素单元以该显示面板的像素单元阵列排列。
12.如权利要求11所述的有机电激发光显示元件，更包括电子元件，其中该电子元件包括：
该显示面板；
输入单元，耦接至该显示面板，且该输入单元操作以提供输入至该显示面板，以使该显示面板显示画面。
13.如权利要求12所述的有机电激发光显示元件，其中该电子元件包括手机、数字相机、个人数字助理、笔记型计算机、桌上型计算机、电视机、车用显示器或是影音播放器。
14.一种有机电激发光显示元件，包括：
基板，包括控制区和感测区；
开关元件和驱动元件，位于该控制区上；
感光二极管，位于该感测区上；
有机电激发光单元，位于该感测区上，且可照亮该光传感器；及
电容器，耦接到该感光二极管和该驱动元件，
其中藉由该感光二极管感应到该有机电激发光单元照射到该感光二极管的光线，产生对应到该有机电激发光单元的光电流，如此，藉由该光电流调整该电容器的电压，以控制通过该驱动元件的电流，因此，改变该有机电激发光单元的照度；
其中该开关元件和该驱动元件包括上栅极晶体管；
其中该开关元件具有第一栅极、该驱动元件具有第二栅极，且该感光二极管具有第一电极；
其中该开关元件的第一栅极、该驱动元件的第二栅极和感光二极管的第一电极由同一层形成。
15.一种有机电激发光显示元件的制造方法，包括：
提供基板，包括控制区和感测区；
形成栅极介电层于该基板上；
形成导电层于该栅极介电层上；
图形化该导电层，以于该控制区形成第一和第二栅极，且于该感测区中形成第一电极层；
形成第一介电层，至少覆盖该第一栅极、该第二栅极和该第一电极层；
图形化该第一介电层，以形成向下延伸至该感测区的第一电极的开口；
于该感测区的开口中形成接面层；及
形成OLED单元，于部分该控制区和该感测区上。
16.如权利要求15所述的有机电激发光显示元件的制造方法，其中该接面层包括：
第一类型半导体层；
第三类型半导体层，设置于该第一类型半导体层上方；
第二类型半导体层，设置于该第一类型半导体层和该第三类型半导体层间，其中该第三类型半导体层和该第一类型半导体层具有相反的类型。
17.如权利要求16所述的有机电激发光显示元件的制造方法，其中该第一类型半导体层包括N+类型非晶硅、该第二类型半导体层包括本征类型非晶硅，且该第三类型半导体层包括P+类型非晶硅。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681494A (zh) * 2012-09-25 2014-03-26 上海天马微电子有限公司 一种薄膜晶体管像素单元及其制造方法
CN105609043A (zh) * 2014-11-25 2016-05-25 联想(北京)有限公司 一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法
CN109545835A (zh) * 2018-12-13 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2021170006A1 (zh) * 2020-02-24 2021-09-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113903300A (zh) * 2021-10-12 2022-01-07 维沃移动通信有限公司 显示面板、校准方法、校准装置和电子设备

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7397065B2 (en) * 2006-05-02 2008-07-08 Tpo Displays Corp. Organic electroluminescent device and fabrication methods thereof
JP6238588B2 (ja) * 2012-06-29 2017-11-29 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ハプティック表示装置
KR102160417B1 (ko) * 2014-02-28 2020-10-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102154501B1 (ko) 2014-04-16 2020-09-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
CN104022129B (zh) * 2014-06-18 2018-01-26 上海和辉光电有限公司 显示器件的阵列基板及其制备方法
CN105449127B (zh) * 2016-01-04 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
CN105679245B (zh) * 2016-03-31 2018-06-08 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素补偿电路及像素结构

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0535207A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Fuji Xerox Co Ltd Ｅｌ駆動装置
JP3887826B2 (ja) * 1997-03-12 2007-02-28 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
EP1129446A1 (en) * 1999-09-11 2001-09-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display device
US6392617B1 (en) * 1999-10-27 2002-05-21 Agilent Technologies, Inc. Active matrix light emitting diode display
JP4151263B2 (ja) * 2001-12-05 2008-09-17 ソニー株式会社 表示装置
GB0219771D0 (en) * 2002-08-24 2002-10-02 Koninkl Philips Electronics Nv Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuit elements
GB0406107D0 (en) * 2004-03-17 2004-04-21 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681494A (zh) * 2012-09-25 2014-03-26 上海天马微电子有限公司 一种薄膜晶体管像素单元及其制造方法
CN105609043A (zh) * 2014-11-25 2016-05-25 联想(北京)有限公司 一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法
CN105609043B (zh) * 2014-11-25 2018-08-10 联想(北京)有限公司 一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法
CN109545835A (zh) * 2018-12-13 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US10770532B2 (en) 2018-12-13 2020-09-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and method for preparing the same, and display device
CN109545835B (zh) * 2018-12-13 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2021170006A1 (zh) * 2020-02-24 2021-09-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113903300A (zh) * 2021-10-12 2022-01-07 维沃移动通信有限公司 显示面板、校准方法、校准装置和电子设备

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