CN1897297A - 减少布线数量的显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种减少电线数量的显示装置以及制造这种显示装置的方法。该显示装置包括：多个电连接于数据布线的薄膜晶体管，其中该数据布线包括数据线和数据电极；分隔壁，形成在该薄膜晶体管上，并具有使该数据布线暴露的接触孔；以及通过该接触孔电连接于该数据布线的阴极。

Description

减少布线数量的显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法，尤其涉及一种减少布线数量的显示装置。
背景技术
近来，有机发光二极管(OLED)装置已经在平板显示器产业中引起了人们的高度关注和兴趣。其中一些引起高度关注和兴趣的原因是这样的优点，例如功耗低、重量轻、外形薄、视角宽、响应速度高等。根据驱动模式，OLED通常分为无源矩阵型和有源矩阵型。无源矩阵型可通过相对简单的制作工艺制成，但具有不利方面为能耗随着显示区域和分辨率的增大而急剧增加。基于这些不利，无源矩阵型主要应用于小型显示装置。较大型显示装置通常使用有源矩阵型OLED，有源矩阵型OLED的能耗不会随尺寸而急剧增加。但是有源矩阵型OLED要求复杂的制作工艺。
OLED基板包括多个驱动薄膜晶体管。形成像素的阳极和提供参考电压的阴极形成在薄膜晶体管上。当电压施加于两个电极时，空穴和电子在电极之间的层中组合形成激子。这些激子在位于电极之间的发光层中跃迁至基态时发光。OLED通过控制发光来显示期望的图像。
为了形成像素，典型的OLED包括连接数据线的开关晶体管和连接于电源线的驱动晶体管。此外，OLED可包括用于补偿数据电压或用于施加参考电压的多重补偿晶体管。但是每个附加晶体管要求单独的布线来传送其信号。这种对单独布线的需求增加了布线数量，从而使基板的制作工艺复杂化并降低了开口率。
发明内容
因此，本发明提供一种比传统显示装置具有更少电线的显示装置及其制造方法。
本发明的特征通过以下描述会更加显著，也可通过本发明的实施获悉。
一方面，本发明的显示装置包括：多个电连接于数据布线的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。该显示装置还包括形成在第一薄膜晶体管上的分隔壁，该分隔壁具有使该数据布线暴露的接触孔，该显示装置还包括通过该接触孔电连接于该数据布线的阴极。
又一方面，本发明的显示装置包括：多个信号线，多个连接于该信号线的薄膜晶体管，多个电连接于该薄膜晶体管的像素电极，分隔壁，以及公共电极。其中该分隔壁分隔相邻的像素电极，并具有使该薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管暴露的接触孔。该公共电极通过该接触孔电连接于该薄膜晶体管。
又一方面，本发明的显示装置包括多个薄膜晶体管和公共电极。其中该薄膜晶体管电连接于数据布线。该公共电极的至少一部分接触该数据布线。
本发明的显示装置也可包括多个电连接于数据布线的薄膜晶体管。多个第一电极电连接于该薄膜晶体管。第二电极形成在至少两个该第一电极上，该第二电极连接于该数据布线。
又一方面，本发明的显示装置包括绝缘基板，多个形成在该绝缘基板上并电连接于数据布线的薄膜晶体管，以及形成在该绝缘基板的大致整个表面上并电连接于该数据布线的电极。
又一方面，本发明的显示装置包括：多个电连接于数据布线的薄膜晶体管，形成在该薄膜晶体管上的发光层，以及形成在该发光层上的电极。其中该电极电连接于该数据布线。该发光层能够响应于来自该薄膜晶体管的信号而发光。
又一方面，本发明的显示装置包括：电连接于数据布线的薄膜晶体管阵列，形成在该薄膜晶体管上的分隔壁，以及形成在该分隔壁上的电极。其中该分隔壁将该薄膜晶体管阵列分隔成像素区。该电极电连接于该数据布线。
又一方面，本发明的显示装置包括：像素电极，驱动晶体管，参考电压晶体管，分隔壁以及公共电极。其中该驱动晶体管电连接于该像素电极。该参考电压晶体管能够向该驱动晶体管施加参考电压。形成在该参考电压晶体管上的分隔壁具有使该参考电压晶体管的电极暴露的接触孔。该公共电极通过该接触孔电连接于该电极。
又一方面，本发明提供一种制造显示装置的方法。该方法包括：形成多个薄膜晶体管和数据布线，在该薄膜晶体管上形成分隔壁，以及形成阴极。该分隔壁具有使该数据布线暴露的接触孔。该阴极通过该接触孔电连接于该数据布线。
应该理解以上概括描述和以下具体描述都是典型性和解释性的，并试图对本发明的权利要求提供进一步解释。
附图说明
本发明的以上和/或其它方面和益处通过以下典型实施例的描述并结合附图会变得更加显著并更加容易理解，其中：
图1是按照本发明第一实施例的显示装置的剖面图；
图2A-2C描述了按照本发明的第一实施例的显示装置的制造方法；
图3示意性地表示按照本发明第二实施例的显示装置；
图4是沿图3的IV-IV线的剖面图；
图5是沿图3的V-V线的剖面图；
图6是按照本发明的第二实施例的像素的等效电路图。
图7是按照本发明第三实施例的像素的等效电路图。
具体实施方式
下面对本发明的实施例进行详细参考，结合附图阐述其示例，其中相同的参考标号全部表示相同的元件。下面参照附图描述实施例。
图1是按照本发明第一实施例的显示装置的剖面图。图2表示图1的显示装置的制造方法。尽管该实施例的显示装置将被描述为有机发光二极管(OLED)，但这不是对本发明的限制，该发明构思可适用于其它类型的显示装置。
如图所示，该显示装置包括由例如玻璃、石英、陶瓷或塑料的绝缘材料形成的基板10，以及形成在基板10上的第一薄膜晶体管(TFT)200和第二薄膜晶体管(TFT)300。第一薄膜晶体管200具有栅极210、漏极220和源极230。类似地，第二薄膜晶体管300具有栅极310、漏极320和源极330。漏极220、320和源极230、330在这里统称为“数据电极”。第一TFT 200包括使漏极220暴露的分隔壁40以及电连接于暴露的漏极220的阴极800。此外，第二TFT 300包括电连接于源极330的像素电极700以及形成在像素电极700上的发光层50。
这里使用的术语“栅极布线”指金属布线，包括用于施加栅极信号的栅极线(未示出)以及TFT 200的栅极210和TFT 300的栅极310。术语“数据布线”指金属布线，包括与栅极布线绝缘的用于施加数据信号的数据线(未示出)以及TFT 200和TFT 300的数据电极。根据实施例，栅极布线和数据布线还可包括附加元件。
栅极布线可形成在多重层中，每层中的材料补偿另一层中金属/合金的缺陷，从而获得期望的物理特性的结合。例如，栅极布线可构建于两层中：由铝或铝合金形成的下层和由铬、钼、钼钨或钼钨氮化物形成的上层。下层使用具有低电阻率的铝或铝合金，以改善由布线电阻引起的信号电阻。由于铝或铝合金通常不具有强抗化学腐蚀性，因此仅使用铝或其合金的布线可能被氧化和破裂。为了补偿这种缺陷，上层由具有良好抗化学腐蚀性的材料形成，例如铬、钼、钼钨或钼钨氮化物。近来，钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)等已经被广泛用作布线材料。
栅极绝缘膜20形成在栅极210和栅极310上。栅极绝缘膜20由氮化硅(SiNx)等制成，并覆盖栅极210和栅极310。
此外，半导体层240、340形成在具有栅极210和栅极310的栅极绝缘膜20上。欧姆接触层242、342形成在半导体层240、340上。半导体层240、340由氢化非晶硅等制成，欧姆接触层242、342由掺杂有高浓度n型杂质的n+氢化非晶硅制成。这里，各个欧姆接触层242、342被分为两部分，栅极210和栅极310位于它们之间。
漏极220、320和源极230、330即数据电极形成在欧姆接触层242、342上。类似于栅极布线，包括这些数据电极的数据布线可形成在多重层中，其中一层用于补偿另一层的缺陷。在数据布线具有多层结构的典型情况下，其形成为三层：钼(Mo)、铝(Al)和钼(Mo)。这里，欧姆接触层242、342用于降低半导体层240、340以及源极230、330和漏极220、320的接触电阻。
保护膜30形成在包括TFT 200和TFT 300的数据布线上。保护膜30具有使第一TFT 200的漏极220暴露的接触孔250和使第二TFT 300的源极330暴露的接触孔350。保护膜30由含氮化硅(SiNx)的材料形成。接触孔250和接触孔350优选地形成在作为数据布线一部分的数据电极上，但不限于形成在上述漏极220或源极330上。也就是说，根据是否通过源极或漏极施加驱动TFT的驱动电压，接触孔可形成在不同位置。在该实施例中，接触孔250和接触孔350形成在将数据电压施加于像素电极700的源极330中，并形成在接收负电压的漏极220中。
像素电极700通过形成在保护膜30中的接触孔350连接于第二TFT 300的源极330。像素电极700用作阳极，向发光层50提供带正电的空穴。
第二TFT 300为驱动晶体管，向像素电极700施加数据电压。也就是说，第二TFT 300通过漏极320接收数据电压，漏极320是数据布线(未示出)的分支。当栅极310接通时，所接收的数据电压通过半导体层340被传输至源极330，最终被传输至像素电极700，从而施加于发光层50。
由有机材料制成的分隔壁40形成在TFT 200和TFT 300上。分隔壁40分隔相邻的像素电极700，以避免在像素电极700之间发生短路。分隔壁40还分隔各个像素区域。与连接于像素电极700的第二TFT 300的漏极320不同，第一TFT 200的漏极220不被分隔壁40完全覆盖。通过移除保护膜30和分隔壁40的一部分而形成的接触孔250位于漏极220上。接触孔250将第一TFT 200的漏极220与阴极800直接相连，以便使漏极220接收施加于阴极800的电压。
阴极800位于发光层50上，并基本上在基板10的整个表面上方形成。阴极800通常为不透明材料，例如铝(Al)或银(Ag)。阴极800由具有低功函的金属材料形成，使电子平滑地注入发光层50，但在某些实施例中，可由透明导电材料形成(如同在像素电极700中)。在透明材料用于阴极800的场合，可在基板10中双向地发光。在阴极800由不透明材料形成的场合，主要朝向基板10发光。
第一TFT 200从阴极800接收TFT驱动电压，而不是从在基板10上形成的单独的布线接收TFT驱动电压。这种结构消除了对单独的布线的需求，在传统显示装置中，单独的布线用于驱动第一TFT 200。公共电压，又称参考电压，施加于阴极800，一般作为零伏参考点或负电压。OLED装置需要许多TFT，以利用施加于发光层50的电压产生图像，或者施加期望电平的参考电压。无论何时形成附加TFT，都需要附加布线以向TFT传输驱动信号。此外，存在特殊的TFT，其需要施加于阴极800的公共电压，还需要形成单独的公共电压布线。
在按照本发明的显示装置中，施加于阴极800的电压可用作公共电压。这样，无须在基板10上形成单独的公共电压布线。从阴极800接收的电压不一定必须是公共电压，并且只要阴极800可操作地连接于TFT的数据电极，从阴极800接收的电压可用作另一类型的电压。
尽管没有说明，但OLED可进一步包括用于保护阴极800的保护膜和用于避免湿气和空气进入发光层50的包封构件。
下面参照图2A至图2C解释按照本发明第一实施例的制造显示装置的方法。
首先，如图2A所示，TFT 200和TFT 300形成在基板10上。TFT 200和TFT 300可通过任意合适的公知技术进行制造，它们的沟道由非晶硅形成。此后，保护膜30形成在TFT 200和TFT 300上。在保护膜30由氮化硅形成的情况下，保护膜30可通过化学气相沉积工艺形成。然后，保护膜30通过光刻工艺刻蚀以形成使第二TFT 300的源极330和第一TFT 200的漏极220暴露的接触孔350、250。形成接触孔350后，像素电极700形成并连接于源极350。像素电极700可通过这样的方式形成，即铟锡氧化物(ITO)通过溅射技术产生气相沉积并形成图形。像素电极700向发光层提供正电荷空穴，因此像素电极700也称阳极。
此后，如图2B所示，有机材料气相沉积在TFT 200和TFT 300上，以形成分隔壁40。然后，分隔壁40通过光刻工艺刻蚀以形成使第一TFT 200的漏极220暴露的接触孔250。漏极220上的接触孔250通过两道刻蚀工艺形成的，例如，一道形成保护膜30，另一道形成分隔壁40。阴极800形成之后，接触孔250使漏极220连接于阴极800。分隔壁40的形成使其横截面面积随着与基板10的距离而减小，并被放置来与像素电极700分离。
然后，如图2C所示，发光层50形成在像素电极700的未被分隔壁40覆盖的区域上。发光层50包括能发出红光、蓝光、绿光等的有机材料，且发出彩色光的发光层50的部分顺序形成在像素电极700的阵列上，从而每个像素具有一种颜色。
有机材料包括高分子量和低分子量材料，不同技术用于形成不同材料。在高分子量材料的情况下，发光层50可使用喷墨法，其中液体通过喷嘴流出，或者使用喷嘴涂覆或旋转涂覆技术，其中利用溶于溶剂的墨水。在低分子量材料的情况下，可使用掩膜蒸发各个颜色。
为了促进正电荷空穴的移动，空穴注入层或空穴传输层可进一步形成在像素电极700和发光层50之间。电子注入层或电子传输层可进一步形成在发光层50上。
此后，阴极800形成在发光层50上，从而得到图1的显示装置。
下面参照图3至图6解释本发明的第二实施例。图3表示按照本发明第二实施例的薄膜晶体管基板的排列。图4和图5分别是沿图3的IV-IV线和V-V线的剖视图。图6是像素的等效电路图。
如图所示，该实施例的显示装置包括栅极布线(下面所述的元件110、120、125、410、510和610)、数据布线(下面所述的元件130、140、420、520、620、430、530和630)、开关晶体管、驱动晶体管、恢复晶体管以及像素电极700。栅极布线、数据布线以及形成像素电极700和桥电极155、455和665的透明材料层位于不同层中。为了清楚地理解本发明，同一层中形成的元件用相同粗细的线表示。在下层中形成的某些元件尽管不出现在实际基板上，但如果必要，也被显示出来。
栅极布线110、120、125、410、510和610包括在第一方向上延伸的栅极线110，与栅极线110平行的用于施加恢复接通(recovery-on)电压的恢复线120，用于向电源线130施加驱动电压的驱动电压施加线125，以及各个晶体管的栅极410、510和610。恢复线120在沿第一方向上彼此相邻的像素电极700之间成对排列，并向恢复薄膜晶体管的栅极610施加恢复接通电压。
在该实施例中，数据布线包括与栅极线110交叉的电源线130、接收数据电压的数据线140以及各个晶体管的漏极420、520、620和源极430、530、630。
电源线130和数据线140相互平行地形成并与栅极线交叉以形成矩形像素区。每个像素区中具有像素电极700，电源线130和数据线140交替排列在两个像素电极700之间。因此，在像素A、B、C、D、E排列在第一方向上时，电源线130位于像素A、B之间和像素C、D之间。数据线140位于像素B、C之间和像素D、E之间。
通常，一个像素电极700连接于一条电源线和一条数据线。然而，在本发明的该实施例中，单条的电源线130由两个像素电极700共用。也就是说，在电源线130两侧上的两个像素电极700通过单条的电源线130接收其驱动电压。这种减少的线结构简化了制作工艺，且施加电压的区域减小从而减轻了电磁干扰。此外，由于减少的线结构增大了像素电极700的面积，从而改善了开口率。
驱动电压施加线125和驱动电压施加线130通过第一桥电极155相互电连接，第一桥电极155将分别使驱动电压施加线125和驱动电压施加线130暴露的接触孔150a、150c和接触孔150b相互连接。第一桥电极155以及第二桥电极455、第三桥电极665(下面进行说明)一般地由透明导电材料形成，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、无定形铟锡氧化物(a-ITO)、无定形铟锌氧化物(a-IZO)等。
数据线140a和140b在相邻的像素电极700之间成对排列。数据线140a和140b间接连接于其各自相邻的像素电极700以提供数据电压。数据线140a和140b的排列不限于该实施例。例如，各个单独的数据线可在相邻的像素电极700之间一个接一个地排列，而不是成对排列。然而，不管采取何种具体的排列，连接于数据线140a和140b的开关晶体管和连接于电源线130的驱动晶体管相互电连接。
开关晶体管包括构成栅极线110的一部分的栅极410、从数据线140a和140b分出的漏极420、与漏极420分离的源极430、形成在漏极420和源极430之间的半导体层440。接触孔450a和450b形成在开关晶体管的源极430和驱动晶体管的栅极510上，它们通过第二桥电极455相互电连接。
驱动晶体管由栅极510、漏极520、源极530和半导体层540组成，其中栅极510形成在电源线130下的层上，漏极520形成在栅极510上并构成电源线130的一部分，源极530与漏极520分离并延伸至像素区，半导体层540形成在漏极520和源极530之间。半导体层540在与电源线130相同的方向上延伸。源极530具有与像素电极700相连的接触孔550。
如图5的放大图所示，恢复晶体管包括栅极610、漏极620和源极630和半导体层640，其中栅极610形成恢复线120的一部分，漏极620和源极630组成数据布线，半导体层640形成在漏极620和源极630之间。单个的漏极620在两个恢复线120上方延伸，接触孔650形成在漏极620上。
图4是沿图3的IV-IV线横向截取的漏极620的剖面图。如图4所示，栅极绝缘膜20形成在基板10上，构成数据布线的漏极620形成而无栅极布线。栅极绝缘膜20和漏极620的一部分由保护膜30和分隔壁40覆盖。使漏极620暴露的接触孔650形成在漏极620上。接触孔650通过移除部分保护膜30和分隔壁40而形成。通过该接触孔650，漏极620物理连接并电连接于阴极800。通常，为了向漏极620施加负电压，负电压施加线单独地位于恢复线120之间。这样，布线变复杂，且开口率减小。通过消除对单独的负电压施加线的需求，本发明的实施例避免了这些问题。在该实施例中，漏极620通过阴极800接收负电压。这简化了显示装置的制造过程，同时可有效地应用阴极800。
图5是沿图3的V-V线垂直截取的恢复薄膜晶体管的剖面图。源极630和漏极620彼此跨过栅极610而形成。这里，栅极610形成恢复线120的一部分。两个恢复薄膜晶体管共用一个漏极620，该漏极620提供有接触孔650。如图4所示，漏极620直接连接于阴极800。
像素电极700形成在像素区的保护膜30上。像素电极700经通过接触孔550的连接从源极530接收图像信号。接触孔710(见图3)被提供给电容器Cst，并将像素电极700与驱动晶体管的栅极510电连接。电容器Cst存储对应于数据电压和驱动电压之间的差值的电压，并在一帧期间维持恒定的电压。
图6是按照本发明的第二实施例的像素的等效电路图。下面参照图6解释晶体管之间的信号传输。
首先，施加于栅极线110的栅极接通电压被传输至开关晶体管的栅极410。随着栅极410接通，来自数据线140a和140b的数据电压从漏极420流向源极430。开关晶体管的源极430通过接触孔450a、450b和第二桥电极455电连接于驱动晶体管的栅极510。
驱动晶体管利用接收数据电压的栅极510调整漏极520和源极530之间的电流。通过源极530施加于像素电极700的电压对应于数据电压和驱动电压之间的差值。漏极520将该电压差施加于像素电极700。
电容器Cst存储对应于数据电压和驱动电压之差的电压，以便施加于驱动晶体管的栅极510的数据电压和施加于像素电极700的电流在一帧期间保持恒定。
为了避免剩余电流累积在驱动晶体管中，恢复晶体管向驱动晶体管施加反向电压。恒定的驱动电压施加于驱动晶体管的漏极520，这可能导致剩余电流的累积。这种累积会干扰图像信号正确地传输到像素电极700。为了避免这种问题，反向电压施加于驱动晶体管，以释放所累积的电流。换句话说，反向偏置电压施加于流经驱动晶体管的电流。
栅极接通电压施加于栅极线110之后，恢复接通电压施加于恢复线120。当恢复晶体管通过恢复接通电压被接通时，从阴极800施加的反向电压通过漏极620和源极630被传输至驱动晶体管的栅极510。通常，约为零(0)伏的公共电压施加于阴极800。但是按照本发明的该实施例，负电压(即反向电压)施加于阴极800。如果公共电压为负电压，则数据电压和公共电压之间的电压差增大。这种电压差的增大是有益的，因为它允许表达更多的色彩。
图7是按照本发明第三实施例的像素的等效电路图。如图7所示，开关晶体管和驱动晶体管的电路的设置与图6的实施例的方式基本相同。但是在该实施例中，像素不具有用于向像素电极700施加负电压的恢复晶体管。为了将稳定的数据电压施加于发光层，该实施例的像素包括连接于驱动晶体管的源极530的参考电压晶体管。
参考电压晶体管在施加数据电压之前将期望的参考电压施加于驱动晶体管的源极530。当作为参考电压的驱动电压Vdd恒定时，数据电压以稳定的方式施加于发光层。然而，当数据电压增大时，驱动电压也会增大。当这种情况发生时，数据电压不会正确地施加于发光层。提供参考电压的参考电压晶体管的存在避免了驱动电压和数据电压一起增大，并使恒定电压维持在发光层的端子中。在这种情况下，零(0)伏的参考电压或不变的参考电压施加于参考电压晶体管。在该实施例中，阴极800连接于参考电压晶体管并应用施加于阴极800的公共电压。阴极800电连接于基板上的薄膜晶体管而无须用于施加参考电压的单独布线。
如上所述，本发明提供了一种显示装置及其制造方法，其中可减少要在基板上形成的布线。
尽管已经示出并描述了本发明的一些典型实施例，但本领域普通技术人员应该理解，可以对这些实施例进行改变而不偏离本发明的原则和精神，其范围被限定在权利要求及其等同特征之中。

Claims (25)

1、一种显示装置，包括：
多个电连接于数据布线的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述数据布线包括数据线和数据电极；
分隔壁，形成在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的至少部分上，并具有使所述数据布线暴露的接触孔；以及
通过所述接触孔电连接于所述数据布线的阴极。
2、如权利要求1所提出的显示装置，进一步包括：
电连接于所述第二薄膜晶体管的像素电极；以及
形成在所述像素电极上的发光层，响应于施加在所述像素电极上的信号而发光。
3、如权利要求1所提出的显示装置，其中所述分隔壁分隔相邻的像素电极。
4、一种显示装置，包括：
多条信号线；
多个连接于所述信号线的薄膜晶体管；
多个电连接于所述薄膜晶体管的像素电极；
分隔壁，分隔相邻的像素电极并具有使所述薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管暴露的接触孔；以及
通过所述接触孔电连接于所述薄膜晶体管的公共电极。
5、如权利要求4所提出的显示装置，其中负电压施加于所述公共电极。
6、如权利要求4所提出的显示装置，进一步包括形成在所述像素电极上的发光层，所述发光层能够响应于施加到所述像素电极上的信号而发光。
7、如权利要求4所提出的显示装置，其中所述薄膜晶体管为恢复晶体管，用于将反向电压施加于所述像素电极，并且所述接触孔形成在所述恢复晶体管的电极上。
8、如权利要求7所提出的显示装置，其中所述电极包括源极和漏极中的一个。
9、如权利要求7所提出的显示装置，进一步包括恢复线，用于将恢复接通电压施加于所述恢复晶体管。
10、如权利要求4所提出的显示装置，其中所述信号线包括：
栅极线，施加栅极接通电压；
数据线，施加数据电压并基本上垂直于所述栅极线延伸；以及
电源线，用于向所述像素电极施加驱动电压。
11、如权利要求10所提出的显示装置，其中所述电源线基本上平行于所述数据线延伸。
12、如权利要求10所提出的显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：
开关晶体管，位于所述栅极线和所述数据线的交叉点；
驱动晶体管，用于驱动所述像素电极。
13、如权利要求9所提出的显示装置，进一步包括施加栅极接通电压的栅极线，其中所述恢复线与所述栅极线位于同一层上。
14、如权利要求4所提出的显示装置，其中所述发光层包括聚合物。
15、一种显示装置，包括：
多个电连接于数据布线的薄膜晶体管，其中所述数据布线包括数据线和数据电极；以及
公共电极，其中所述公共电极的至少一部分接触所述数据布线。
16、一种显示装置，包括：
多个电连接于数据布线的薄膜晶体管，其中所述数据布线包括数据线和数据电极；
多个电连接于所述薄膜晶体管的第一电极；以及
形成在至少两个所述第一电极上的第二电极，所述第二电极连接于所述数据布线。
17、一种显示装置，包括：
绝缘基板；
多个形成在所述绝缘基板上并电连接于数据布线的薄膜晶体管，其中所述数据布线包括数据线和数据电极；以及
形成在该绝缘基板的大致整个表面上并电连接于所述数据布线的电极。
18、一种显示装置，包括：
多个电连接于数据布线的薄膜晶体管，其中所述数据布线包括数据线和数据电极；
形成在所述薄膜晶体管上的发光层，所述发光层能够响应于来自所述薄膜晶体管的信号而发光；以及
形成在所述发光层上并电连接于所述数据布线的电极。
19、一种显示装置，包括：
电连接于数据布线的薄膜晶体管阵列，其中所述数据布线包括数据线和数据电极；
形成在所述薄膜晶体管上的分隔壁，其中所述分隔壁将所述薄膜晶体管阵列分隔成像素区；以及
形成在所述分隔壁上并电连接于所述数据布线的电极。
20、一种显示装置，包括：
像素电极；
电连接于所述像素电极的驱动晶体管；
用于向所述驱动晶体管施加参考电压的参考电压晶体管；
分隔壁，形成在所述参考电压晶体管上并具有使所述参考电压晶体管的电极暴露的接触孔；以及
通过所述接触孔电连接于所述电极的公共电极。
21、如权利要求20所提出的显示装置，其中所述电极包括源极和漏极的其中一个。
22、如权利要求20所提出的显示装置，进一步包括形成在所述像素电极上的发光层。
23、如权利要求22所提出的显示装置，其中所述发光层包括聚合物。
24、一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
形成多个薄膜晶体管和数据布线；
在所述薄膜晶体管上形成分隔壁，所述分隔壁具有使所述数据布线暴露的接触孔；以及
通过所述接触孔形成电连接于所述数据布线的阴极。
25、如权利要求24所提出的方法，进一步包括：
形成所述薄膜晶体管之后，形成电连接于所述薄膜晶体管的像素电极；以及
在所述像素电极上形成发光层。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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