JP2008277469A - 感光性sam膜の露光方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
感光性sam膜の露光方法および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008277469A JP2008277469A JP2007117955A JP2007117955A JP2008277469A JP 2008277469 A JP2008277469 A JP 2008277469A JP 2007117955 A JP2007117955 A JP 2007117955A JP 2007117955 A JP2007117955 A JP 2007117955A JP 2008277469 A JP2008277469 A JP 2008277469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photosensitive
- exposure
- forming
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 102
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims abstract description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 33
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 27
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 8
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 5
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 208000017983 photosensitivity disease Diseases 0.000 abstract 2
- 231100000434 photosensitization Toxicity 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 67
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- -1 perfluoro group Chemical group 0.000 description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical group [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQAQPCDUOCURKW-UHFFFAOYSA-N butanethiol Chemical compound CCCCS WQAQPCDUOCURKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002896 organic halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 229960004624 perflexane Drugs 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZJIJAJXFLBMLCK-UHFFFAOYSA-N perfluorohexane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ZJIJAJXFLBMLCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000323 polyazulene Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/165—Monolayers, e.g. Langmuir-Blodgett
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/481—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/895—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
- Y10S977/896—Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/901—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing electromagnetic property, e.g. optical, x-ray, electron beamm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 開示した技術は、感光性を有し、感光前は撥液性を示し、感光後は親液性を示す自己組織化単分子膜(感光性SAM膜)を基板上に成膜し、
その基板の前記成膜した面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行うものであり、
露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、
前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする感光性SAM膜の露光方法である。
【選択図】 図20
Description
感光性を有し、感光前は撥液性を示し、感光後は親液性を示す自己組織化単分子膜(感光性SAM膜)を基板上に成膜し、
その基板の前記成膜した面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行うものであり、
露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、
前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする感光性SAM膜の露光方法。
(1)ここで、露光光としては、当該基板を透過する光であればよいが、具体的には、露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であることが望ましい。露光光の波長の数値限定は、基板を透過する光として望ましい波長範囲を特定したものである。
(2)また、前記液体は、感光後、SAMより切断された基が可溶な液体であればよい。より具体的には、芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることが望ましい。
本発明は、印刷技術を用いて当該装置が形成され、下部電極をマスクとして裏面からの露光によるフォトリソグラフィ工程により下部電極直上とその他の部分の水または有機溶剤の接触角の違いを用いることにより上部電極が下部電極と自己整合して配置されている様々な基板に対応した有機薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法を提供する。
シリコンウエハを、感光性自己組織化膜材料(5-methoxy-2-nitro-benzyl 4-(trimethoxysilyl)butanesulfonate)の0.1w%トルエン溶液に20分間浸漬させることによって、シリコンウエハ上に感光性SAM膜を形成した。この時点での、基板表面の水の接触角は95度であった。この基板を3枚用意し。一枚は、大気中で露光を行い、他の2枚はトルエン中・テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38w%水溶液(TMAH)中で図23の露光システムで光源には高圧水銀灯を用いて露光をおこなった。
図1から図8は、基板裏面からの露光によりソース及びドレイン電極を形成する本例の製造工程順に示した装置の平面図及び断面図である。各図において、(a)は上面図、(b)は図の(a)における線AA’での断面図である。以下、本願明細書における製造工程順に示した装置の上面図及び断面図では、各図の(a)を上面図、(b)を断面図で示した。
本例は、実施例2と同様の方法により有機半導体トランジスタを2個(19,20)を形成した例である。図9、図10に本例の上面図及び断面図を示す。各トランジスタの形成方法は前述の実施例1と同様であるが、本例の構成は、各トランジスタの形成後、一方の第1のトランジスタ19のドレイン電極6と他方のトランジスタ20の第2のゲート電極2を配線11により結線している。図9に上面図、図10に図9でのAA’断面での断面図を示す。両トランジスタの性能は、まったく同じであり、性能ばらつきの無いトランジスタが作成できた。
これらの有機高分子化合物を絶縁膜として使用する場合は、感光性自己組織化膜を形成するために、絶縁膜表面に、シロキサン化合物膜やシラザン化合物膜を形成する必要があり、コスト、工程が若干増加する。
(実施例4)
本実施例では、下部電極の少なくとも一部をなすm本のゲート電極配線と、上部電極の少なくとも一部をなすn本の信号配線の交差部に形成されたm×n個の薄膜トランジスタからなる、m行n列アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ基板およびその製法を、図11から図14を用いて説明する。基本的な作成手順は実施例3と同じである。まず、隣接配置された開口を有するリング状のn個の矩形が互いに少なくとも1ヶ所以上の接続部17(本例では2ヶ所)で接続されたm本のゲート配線/電極2が、間隙18を介して互いに近接配置される(上面図:図11(a)、断面図:図11(b))。特に、間隙18の幅bと、個々の接続部17の幅aを、リング状の開口を有する矩形同士の間隙c以下にすると、この間隙cに導電性材料溶液を塗布焼成して、信号配線/ドレイン電極として機能するn本の上部電極23を、接続部17上の親水領域を乗り越えて下部電極に連続して自己整合した直線形状に形成できる。間隙18に導電性材料溶液が浸透して、上部電極23同士がショートすることもない。
(実施例5)
スルーホール27加工のみを行ったプリント基板1(エポキシ樹脂製)(上面図:図15(a)、断面図:図15(b))を用意して、配線部分の作成を行った。Poly(methyl silsesquioxane)の2w%メチルイソブチルケトン溶液を回転塗布により基板上に塗布し、150℃で20分間熱処理を行った(上面図:図16(a)、断面図:図16(b))。その後、感光性自己組織化膜材料(5-methoxy-2-nitro-benzyl 4-(trimethoxysilyl)butanesulfonate)の0.1w%トルエン溶液に基板を10分間ディップし、トルエンでリンス、乾燥後、110℃で10分間焼成し感光性自己組織化膜4を形成した(上面図:図17(a)、断面図:図17(b))。パタン描画機能を持つレーザー露光機を用い、355nmの波長により、スルーホール間の露光を行った。その後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38w%水溶液に基板を1分間浸し、水により洗浄を行った(上面図:図18(a)、断面図:図18(b))。露光部に、インクジェット法で銅ナノ微粒子をトルエン溶液に分散させたものをインクとしてパタンを描き、180℃10分間焼成してスルーホール間に配線28を形成した(上面図:図19(a)、断面図:図19(b))。市販されている配線基板と差異無く使用できた。
1…基板、2…下部電極、ゲート配線/電極、3…ゲート絶縁膜、4…感光性自己組織化膜、5…露光光、6…感光後有機アルカリ処理し水の接触角が小さくなった自己組織化膜、7…上部電極、ソース及びドレイン電極、8…配線、9…配線、10…有機半導体、11…配線、17…ゲート配線の接続部、18…隣接するゲート配線/電極間の間隙、21…信号端子形成用下部電極、22…信号端子、23…ソース電極、24…ドレイン電極、25…スルーホール、26…保護膜、27…スルーホール、28…配線、29…露光用容器、30…感光性SAMまで形成した基板、31…アルカリ水溶液または有機溶剤、32…露光光源、33…レンズ系、34…ミラー系、35…露光光。
Claims (13)
- 感光性を有し、感光前は撥液性を示し、感光後は親液性を示す自己組織化単分子膜(感光性SAM膜)を基板上に成膜し、
その基板の前記成膜した面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行うものであり、
露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、
前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする感光性SAM膜の露光方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、前記基板上および前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に導電性材料の溶液状態を原料とし、塗布法により感光性SAM膜を形成し、
前記SAM膜を形成した状態の基板の前記SAM膜を有する面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行い、
前記SAM膜のうち、感光した部分を除去し、除去して露出した前記ゲート絶縁膜上の一対のソース電極およびドレイン電極を形成するものであり、
露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、
前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記基板と前記絶縁膜を構成する材料は露光光の波長に対して透光性であり、前記ゲート電極を構成する材料は露光光の波長に対して不透光性であり、
前記ソース及びドレイン電極の材料は金属ナノ微粒子溶液又は導電性高分子溶液を原料とし、前記基板裏面からの露光により、前記1対のソース及びドレイン両電極が形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜、前記ゲート電極、前記ソース及びドレイン電極が印刷法により形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記感光性自己組織化単分子膜(感光性SAM)は、露光工程前と後とで、前記基板と、水または有機溶剤との接触角の値が変化することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記感光性自己組織化単分子膜を露光する際の前記液体が、アルカリ水溶液又は有機溶剤であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記1対のソース及びドレイン両電極を形成するための前記露光工程は、
透光性基板上部に不透光性のゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を少なくとも覆ってゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を少なくとも覆って感光性自己組織化膜(感光性SAM)を形成する工程と、
前記透光性基板を有機アルカリ水溶液もしくは有機溶剤中に浸して前記基板裏面側より露光し電極を作成する工程と、
前記露光後、水により洗浄を行う工程と、
前記露光部に、導電性材料溶液によりソース及びドレイン電極を形成する工程と、
チャネル部を形成する為の有機半導体層を形成する工程を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記1対のソース及びドレイン両電極を形成するための前記露光工程は、
透光性基板上部に不透光性のゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を少なくとも覆ってゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を少なくとも覆って感光性自己組織化膜(感光性SAM)を形成する工程と、
前記透光性基板を有機アルカリ水溶液もしくは有機溶剤に基板表面を接触させて前記基板裏面側より露光し電極を作成する工程と、
前記露光後、水により洗浄を行う工程と、
前記露光部に、導電性材料溶液によりソース及びドレイン電極を形成する工程と、
チャネル部を形成する為の有機半導体層を形成する工程を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記有機半導体膜を形成する工程が、前記電極材料層を形成する工程後になされることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板が、フレキシブルな基板であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板が珪素化合物又は有機化合物からなることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記透光性基板裏面からの露光光が、当該感光性自己組織化膜(感光性SAM)の光吸収波長であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記塗布法が、インクジェット法、マイクロディスペンス法、キャスト法、ディッピング法又は転写法の群のうち少なくとも1種類を使用することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007117955A JP2008277469A (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 感光性sam膜の露光方法および半導体装置の製造方法 |
US12/031,783 US7585713B2 (en) | 2007-04-27 | 2008-02-15 | Method for exposing photo-sensitive SAM film and method for manufacturing semiconductor device |
CN2008100055600A CN101295139B (zh) | 2007-04-27 | 2008-02-15 | 感光性sam膜的曝光方法及半导体器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007117955A JP2008277469A (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 感光性sam膜の露光方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277469A true JP2008277469A (ja) | 2008-11-13 |
JP2008277469A5 JP2008277469A5 (ja) | 2010-04-15 |
Family
ID=39887468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007117955A Pending JP2008277469A (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 感光性sam膜の露光方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7585713B2 (ja) |
JP (1) | JP2008277469A (ja) |
CN (1) | CN101295139B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6809645B1 (ja) * | 2019-02-21 | 2021-01-06 | 東レ株式会社 | 電界効果型トランジスタ、その製造方法およびそれを用いた無線通信装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101004734B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2011-01-04 | 한국전자통신연구원 | 표면 에너지 제어를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조방법 |
JP2010039166A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Hitachi Ltd | 露光装置およびそれを用いたデバイスの製造方法 |
GB0913456D0 (en) * | 2009-08-03 | 2009-09-16 | Cambridge Entpr Ltd | Printed electronic device |
CN102213919B (zh) * | 2010-04-08 | 2012-08-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种悬架结构光刻胶的涂胶方法 |
CN102881828A (zh) * | 2012-10-10 | 2013-01-16 | 上海交通大学 | 一种短沟道有机薄膜晶体管的制备方法 |
JP6142386B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2017-06-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスクの製造方法 |
US10411150B2 (en) * | 2016-12-30 | 2019-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral P-N junctions |
TWI625881B (zh) * | 2017-04-07 | 2018-06-01 | 元太科技工業股份有限公司 | 有機薄膜電晶體及其製作方法 |
CN108695434B (zh) * | 2017-04-07 | 2021-10-26 | 元太科技工业股份有限公司 | 有机薄膜晶体管及其制作方法 |
CN107603341A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-01-19 | 上海幂方电子科技有限公司 | 用于制备晶体管介电层的墨水、墨水膜层及其制备方法和应用 |
US11567407B2 (en) * | 2018-09-28 | 2023-01-31 | Tokyo Electron Limited | Method for globally adjusting spacer critical dimension using photo-active self-assembled monolayer |
US10818517B2 (en) * | 2019-02-25 | 2020-10-27 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package structure and a method of manufacturing the same |
US20220045274A1 (en) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | Facebook Technologies Llc | Ofets having organic semiconductor layer with high carrier mobility and in situ isolation |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2003149831A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-21 | Seiko Epson Corp | 単分子層のパターン形成方法、パターン化単分子層を利用した導電膜パターンの形成方法、及び電気光学装置 |
JP2005252239A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-15 | Air Products & Chemicals Inc | 液浸リソグラフィ流体 |
JP2005303283A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-10-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パターン形成方法、薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置 |
JP2006041531A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Asml Netherlands Bv | アラインメント方法、前側から裏側へのアラインメントエラーを測定する方法、非直交性を検出する方法、校正方法、およびリソグラフィ装置 |
JP2006041127A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2006104155A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | Uv分解性分子およびこの分子から形成される光パターニング可能な単分子膜、並びに膜パターン形成方法 |
JP2006278639A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 半導体素子の製造方法および半導体装置 |
JP2007109741A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3970583B2 (ja) | 2001-11-22 | 2007-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4014142B2 (ja) | 2002-05-02 | 2007-11-28 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 光分解性シランカップリング剤 |
US6821811B2 (en) | 2002-08-02 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, and semiconductor device having the organic thin film transistor |
JP4618990B2 (ja) | 2002-08-02 | 2011-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置 |
US7479362B2 (en) * | 2004-04-29 | 2009-01-20 | Seiko Epson Corporation | UV decomposable molecules and a photopatternable monomolecular film formed therefrom |
KR101102152B1 (ko) * | 2005-06-28 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된유기박막 트랜지스터 |
-
2007
- 2007-04-27 JP JP2007117955A patent/JP2008277469A/ja active Pending
-
2008
- 2008-02-15 US US12/031,783 patent/US7585713B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-15 CN CN2008100055600A patent/CN101295139B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2003149831A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-21 | Seiko Epson Corp | 単分子層のパターン形成方法、パターン化単分子層を利用した導電膜パターンの形成方法、及び電気光学装置 |
JP2005252239A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-15 | Air Products & Chemicals Inc | 液浸リソグラフィ流体 |
JP2005303283A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-10-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パターン形成方法、薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置 |
JP2006041127A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2006041531A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Asml Netherlands Bv | アラインメント方法、前側から裏側へのアラインメントエラーを測定する方法、非直交性を検出する方法、校正方法、およびリソグラフィ装置 |
JP2006104155A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | Uv分解性分子およびこの分子から形成される光パターニング可能な単分子膜、並びに膜パターン形成方法 |
JP2006278639A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 半導体素子の製造方法および半導体装置 |
JP2007109741A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6809645B1 (ja) * | 2019-02-21 | 2021-01-06 | 東レ株式会社 | 電界効果型トランジスタ、その製造方法およびそれを用いた無線通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080268582A1 (en) | 2008-10-30 |
US7585713B2 (en) | 2009-09-08 |
CN101295139A (zh) | 2008-10-29 |
CN101295139B (zh) | 2012-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5036219B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法 | |
JP2008277469A (ja) | 感光性sam膜の露光方法および半導体装置の製造方法 | |
US7575952B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device having organic semiconductor film | |
JP2006269709A (ja) | 有機薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法 | |
US7700403B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
US20100127271A1 (en) | Electronic circuit structure and method for forming same | |
US20050181533A1 (en) | Method for manufacturing an electro-optical device board, optical device, electro-optical device and electronic equipment | |
US20160359115A1 (en) | Wiring pattern production method and transistor production method | |
JP4678574B2 (ja) | 積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、電子素子アレイ及び表示装置 | |
JPWO2005098927A1 (ja) | Tftシートおよびその製造方法 | |
JP2006060113A5 (ja) | ||
JP4656262B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2006021491A (ja) | 積層構造体、積層構造体を用いた光学素子、表示素子、演算素子及びこれらの製造方法 | |
JP4691545B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009026899A (ja) | 積層構造体、電子素子、電子素子アレイ及び表示装置 | |
JP5066848B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2010016280A (ja) | 有機tftの製造方法、及び有機tft | |
WO2019163529A1 (ja) | 半導体素子の製造方法、電子デバイスの製造方法、半導体素子、および、電子デバイス | |
JP2010039166A (ja) | 露光装置およびそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP5729540B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
JP5458296B2 (ja) | 微細加工構造及びその加工方法並びに電子デバイス及びその製造方法 | |
US8202771B2 (en) | Manufacturing method of organic semiconductor device | |
JP2010157532A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2008084940A (ja) | 有機半導体素子の製造方法 | |
JP2006059936A (ja) | 積層構造体及びその製造方法、電子素子、表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100225 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121106 |