JP2006059936A - 積層構造体及びその製造方法、電子素子、表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 積層構造体は、有機半導体層104と、有機半導体層104に接触する電極層103と、電極層103に接続される配線層102とからなる積層構造体であって、電極層103と配線層102とが異なる材料からなり、かつ、配線層102と有機半導体層104とは積層されないことで、パターニング精度が高く素子性能の安定した積層構造体を形成することができる。
【選択図】 図1
Description
(1)薄膜層を有する基板上にフォトレジスト層を塗布する(レジスト塗布)。
(2)加熱により溶剤を除去する(プリベーク)。
(3)パターンデータに従ってレーザーあるいは電子線を用いて描画されたハードマスクを通して紫外光を照射する(露光)。
(4)アルカリ溶液で露光部のレジストを除去する(現像)。
(5)加熱により未露光部(パターン部)のレジストを硬化する(ポストベーク)。
(6)エッチング液に浸漬またはエッチングガスに暴露し、レジストのない部分の薄膜層を除去する(エッチング)。
(7)アルカリ溶液または酸素ラジカルでレジストを除去する(レジスト剥離)。
各薄膜層を形成後、上記の工程を繰り返すことによって能動素子が完成するが、高価な設備と工程の長さがコストを上昇させる原因となっている。
非特許文献1ではナノパーティクルインクを使ったインクジェット法で幅50μm、ピッチ400μm程度の金属配線を形成する方法が記載されている。
プリンタに使用されるレベルの通常のインクジェットヘッドを用いた場合、解像度30μm、位置合わせ精度±15μm程度であるため、やはり微細なパターン形成は困難である。
(1)ポリイミドプリカーサーを塗布し焼成する(ポリイミド膜形成)。
(2)フォトレジスト層を塗布する(レジスト塗布)。
(3)加熱により溶剤を除去する(プリベーク)。
(4)マスクを通して紫外光を照射する(露光)。
(5)アルカリ溶液で露光部のレジストを除去する(現像)。
(6)加熱により未露光部(パターン部)のレジストを硬化する(ポストベーク)。
(7)酸素プラズマによりレジストのない部分のポリイミド膜を除去する(エッチング)。
(8)溶剤でレジストを除去する(レジスト剥離)。
しかしながら、有機分子膜が非常に薄いこと、親液部においてはこの膜が存在せず基板が露出していることなどから有機分子膜は表面エネルギー制御以外のバルク体としての機能は有しておらず、機能性が低かった。
これにより、電極層のパターニング精度が向上し、素子性能の安定した積層構造体を提供することができる。
これにより、配線層と電極層との電気的接続が確実となり、その結果素子性能の安定した積層構造体を提供できる。
これにより、電極層が導電性有機材料からなるので、有機半導体層へのキャリアの注入が効率的に行われるため、素子性能の良好な積層構造体を提供することができる。
これにより、配線層が金属であるので、配線抵抗が低く、そのため素子性能の良好な積層構造体を提供することができる。
これにより、印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法で、簡便に製造できる微細な導電層パターン及び高移動度の半導体層を有する積層構造体を製造することができる。
これにより、濡れ性変化層の表面エネルギーの影響を受けやすくすることができ、濡れ性変化層の特徴を生かした積層構造体の製造に好適で、材料使用量の少ない製造方法を提供することができる。
これにより、臨界表面張力を変化させるエネルギー付与が、紫外線照射であるので、層内部にダメージを与えることなく、かつ、大気中で操作可能にして、より微細な導電層のパターンを形成することができる。
電極材料を含有する液体が、導電性高分子を分散または溶解した液体であるので、電極部を導電性高分子で形成することができるため、有機半導体層へのキャリアの注入が効率的に行われ、良好な素子性能の積層構造体を提供することができる。
これにより、導電性高分子を分散または溶解した液体が水系であるので、濡れ性変化層の高表面エネルギー部に対する濡れやすさと低表面エネルギー部に対する濡れやすさとの差が大きくなり、良好なパターニングを行うことができる。
これにより、配線材料を含有する液体が、微小な金属微粒子を分散した液体であるので、低抵抗の配線部を形成することができるため、素子性能の良好な積層構造体を提供することができる。
これにより、配線材料を含有する液体を付与する手段がインクジェット方式であるので、濡れ性変化層の表面エネルギーの影響を受けやすくすることができ、濡れ性変化層の特徴を生かした積層構造体の製造に好適で、材料使用量の少ない製造方法を提供することができる。
これにより、材料使用量の少ない製造方法を提供することができる。
これにより、省資源で低コストかつ特性に優れた電子素子を提供することができる。
これにより、省資源で低コストかつ特性に優れたトランジスタ構造を有する電子素子を提供することができる。
これにより、省資源で低コストかつ特性に優れたトランジスタ構造を有する電子素子を提供することができる。特に、濡れ性変化層自身がゲート絶縁層を兼ねることができるため、さらに低コストなトランジスタ構造を有する電子素子を提供することができる。
これにより、省資源で低コストかつ表示品質に優れた表示装置を提供することができる。
濡れ性変化層105は低表面エネルギー部と高表面エネルギー部を有している。高表面エネルギー部に電極層103が形成され、濡れ性変化層105の少なくとも低表面エネルギー部に接して半導体層104が設けられている。電極層103は、導電性有機材料を含有する液体を付与することによって得られる層である。電極層は後述するような濡れ性の差を利用してパターニングするので、導電性有機材料を含有する液体は表面張力の大きい水系であることが好ましい。配線層102はAg、Au、Niなどの金属微粒子を有機溶媒や水に分散した液を付与することによって得られる層であり、濡れ性変化層105の高表面エネルギー部に形成しても良いし、低表面エネルギー部に形成しても良い。
上記に述べた疎水性基において、特にメチレン基を有する疎水性基は、C−Hの結合エネルギー(338kJ/mol)がフッ素系材料のC−F結合(552kJ/mol)やシリコーン系材料のSi−C結合(451kJ/mol)に比較し小さい。そのため紫外線照射等のエネルギー付与によって結合の一部を容易に切断することが可能である。
図6に本発明の積層構造体作製プロセスの一例を示す。
まずガラスやポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチック、シリコンウェハ、金属等からなる基板101の上に濡れ性変化層105を形成する(a)。濡れ性変化層105は紫外線の照射によって臨界表面張力が増加し、低表面エネルギー(疎液性)から高表面エネルギー(親液性)へ変化する材料からなる。その好ましい構造については前述した通りであるが、本発明者らの実験によれば、主鎖がポリイミド骨格よりなり側鎖に長鎖アルキル基を有するものが、特に紫外線照射による濡れ性変化が大きかった。このような構造を有するポリマーまたはその前駆体を有機溶媒等に溶解または分散した溶液をスピンコート法、ディップコート法、ワイヤーバーコート法、キャスト法等で基板101上に塗布し、加熱することにより、濡れ性変化層105が形成される。上記溶液の具体例として、液晶表示デバイス用の垂直配向剤(日産化学製SE-1211、JSR製JALS-2021等)が挙げられる。
次に濡れ性変化層105の表面にマスク106を通して紫外線を照射する(c)。
これにより低表面エネルギー部と高表面エネルギー部からなるパターンが形成される。紫外線としては100nmから300nmの比較的短い波長の光が含まれるのが望ましい。
次に上記パターンが形成された濡れ性変化層105の上に導電性有機材料を含有する液体を例えばインクジェット法によって供給すると、高表面エネルギー部のみに電極層103が形成される(d)。
上述したような構造の積層構造体を構成要素の一部とする、ダイオード、トランジスタ、光電変換素子、熱電変換素子等の電子素子を形成することができる。図7に本実施の形態における電子素子の一例を示す。この電子素子110は電界効果型トランジスタ構成のTFTの例を示している。
これらが当該電子素子110において、積層構造体を構成要素として含む部分となる。
さらにその上に絶縁体層111が蒸着法、CVD法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法等により形成される。絶縁体層111としては、無機絶縁体及び有機絶縁体が使用可能であるが、有機半導体層104にダメージを与えない形成方法を採用する必要がある。例えば、高温や高速イオン、活性ラジカル、有機半導体が可溶な溶媒等の使用を伴うものは避けるのが望ましい。そのような観点からは蒸着法によるSiO2、水に可溶なPVA(ポリビニルアルコール)、アルコールに可溶なPVP(ポリビニルフェノール)、フッ素系溶媒に可溶なパーフルオロポリマー等が好適に使用できる。
最後に、絶縁体層111上に電極層112が蒸着法、CVD法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法等により形成される。電極層112としては、各種の導電性薄膜が使用でき、全面に成膜した後に通常のフォトリソグラフィー法やマイクロコンタクトプリンティング法でパターニングしてもよいし、導電性材料を含有する液体をインクジェット法等で供給して直接描画してもよい。
図9から明らかなように、この電子素子120はTFT(薄膜トランジスタ)として機能する。即ち、電極層121はゲート電極G、濡れ性変化層105はゲート絶縁膜、電極層103a、103bはソース電極S及びドレイン電極Dである。電極層103a、103b間のギャップはチャネル長に相当する。濡れ性変化層105がゲート絶縁膜を兼ねるため、図7に示した構成例に比して、工程が簡略化される。
図9に本実施の形態の電子素子アレイの一例を示し、(a)は断面図、(b)は電極等の配置関係を示す平面図である。ここでは、図8に示したタイプの電子素子120を利用した例を示している。
図10の断面図に上述したような電子素子アレイ130を利用した本実施の形態の表示装置140の一例を示す。
有機EL素子は自発光型であるため鮮やかなフルカラー表示を行うことができる。また、EL層は非常に薄い有機薄膜であるので、柔軟性に富み、特にフレキシブルな基板上に形成するのに適している。
[実施例1]
本実施例は電子素子の作製に関するものである。ここでは、図7に示したような構造の電子素子(TFT)110を作製した。
まず、ガラス基板101上に濡れ性変化層105として、式(6)および式(7)で表される構造体となる前駆体を溶解した混合溶液を、スピンコート法にて塗布し、280℃で焼成した。
次に、開口幅が40μm、開口部間のスペースが5μmのパターンを施したマスクを濡れ性変化層105に圧着し、上記紫外線を9J/cm2照射した。
最後に、インクジェット法を用いて、PEDOT/PSSからなるゲート電極層112を形成した。
実施例1において、配線層102aおよび102bも電極層103a、103bと同じ導電性高分子であるPEDOT/PSSの水溶液を使って形成した。その他は実施例1と同じである。
このように作成されたTFTの移動度は1.0×10-3cm2/Vs、On/Off比は100であり、実施例1に比べて特性が劣っていた。これは、配線抵抗が高いため、On電流が大きくならず、その結果、移動度とOn/Off比が小さくなったものと考えられる。
本実施例は電子素子の作製に関するものである。ここでは、図8に示したような構造の電子素子(TFT)120を作製した。
まず、ガラス基板101上に膜厚60nmのAlを真空蒸着し、フォトリソエッチングにより40μmの幅に加工し、ゲート電極121を形成した。
次に、ゲート絶縁膜を兼ねる濡れ性変化層105を実施例1と同様にして作製し、開口幅が40μm、開口部間のスペースが5μmのパターンを施したマスクを濡れ性変化層105に圧着し、実施例1と同様にして紫外線を9J/cm2照射した。
最後に、下記化学式に示すようなスキームより合成した有機半導体なる重合体1をトルエンに溶解した溶液をスピンコート法にて塗布し、乾燥させて有機半導体層104を形成した。
このように作製されたTFT(電子素子120)の移動度は8.5×10-4cm2/Vs、On/Off比は550であり、ソース電極層103a、ドレイン電極層103bおよび配線層102a、102bを、Auの蒸着膜をリフトオフすることにより形成した場合と比べて遜色はなかったものである。
実施例2において、配線層102aおよび102bを電極層103a、103bと同じ導電性高分子であるPEDOT/PSSの水溶液を用いて形成した。それ以外は実施例2と同じである。
このように作製されたTFTの移動度は7.5×10-4cm2/Vs、On/Off比は450であり、実施例2と比較して特性が劣っていた。これは、配線抵抗が高いため、On電流が大きくならず、その結果、移動度とOn/Off比が小さくなったものと考えられる。
本実施例は図9に示すような電子素子アレイ130の作製に関するものである。
まず、ゲート電極121及びゲート絶縁膜を兼ねる濡れ性変化層105は実施例2と同様にして作製した。配線層102aおよび102bはAgの金属微粒子をテトラデカンに分散した液体を用いて、またソース電極層103a及びドレイン電極層103bは導電性高分子であるPANIの水溶液を用い、実施例2と同様にして形成した。
最後に上記重合体1をトルエンに溶解した溶液を用いて、マイクロコンタクトプリンティング法で有機半導体層104を島状に形成した。
本実施例は図13に示すような電子素子アレイ130を用いた表示装置140の作製に関するものである。
まず、酸化チタン粒子145とオイルブルーで着色したアイソパー146を内包するマイクロカプセル144を表示素子143としてPVA水溶液に混合して、ITOからなる透明電極141を形成したポリカーボネート基板142上に塗布して、マイクロカプセル144とPVAバインダー147からなる層を形成した。この基板と、実施例3で作製したTFTアレイ(電子素子アレイ130)が形成された基板101とを接着した。
ゲート電極121に繋がるバスラインに走査信号用のドライバーICを、ソース電極103aに繋がる配線層102a(バスライン)にデータ信号用のドライバーICを各々接続した。0.5秒毎に画面切替えを行ったところ、良好な静止画表示を行うことができた。
実施例4において、ソース電極103aおよびドレイン電極103bに接続する配線層102aおよび102bを、ソース、ドレイン電極と同じ導電性高分子PANIで形成した。それ以外は実施例4と同じである。
このように作製された表示装置を動作させたところ、画像を正しく表示することができなかった。これは、配線部の電気抵抗が高いため、画素に印加される電圧が低下したことが原因と考えられる。
102 配線層
103 電極層
104 有機半導体層
Claims (17)
- 有機半導体層と、前記有機半導体層に接触する電極層と、前記電極層に接続される配線層からなる積層構造体であって、
前記電極層と前記配線層とが異なる材料からなり、
かつ、配線層と前記有機半導体層とは積層されないことを特徴とする積層構造体。 - 前記配線層は、前記電極層の少なくとも一部と積層されていることを特徴とする請求項1記載の積層構造体。
- 前記電極層が導電性有機材料からなることを特徴とする請求項1または2記載の積層構造体。
- 前記配線層が金属であることを特徴とする請求項1または2記載の積層構造体。
- エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料からなる濡れ性変化層を形成する工程と、
配線層を形成する工程と、
前記濡れ性変化層の一部分にエネルギーを付与することによって臨界表面張力の小さい低表面エネルギー部と、より臨界表面張力の大きい高表面エネルギー部とからなる臨界表面張力を異ならせたパターンを形成する工程と、
電極材料を含有する液体を前記パターンが形成された濡れ性変化層表面に付与することで、高表面エネルギー部に電極層を形成する工程と、
電極層を含む濡れ性変化層上に有機半導体層を形成する工程とからなることを特徴とする積層構造体の製造方法。 - エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料からなる濡れ性変化層を形成する工程と、
前記濡れ性変化層の一部分にエネルギーを付与することによって臨界表面張力の小さい低表面エネルギー部と、より臨界表面張力の大きい高表面エネルギー部とからなる臨界表面張力を異ならせたパターンを形成する工程と、
配線材料を含有する液体を前記パターンが形成された濡れ性変化層表面に付与することで、高表面エネルギー部のうち有機半導体層を形成しない部分に配線層を形成する工程と、
電極材料を含有する液体を前記パターンが形成された濡れ性変化層表面に付与することで、少なくとも高表面エネルギー部に電極層を形成する工程と、
電極層を含む濡れ性変化層上に有機半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする積層構造体の製造方法。 - 前記配線層を形成する工程は、インクジェット法を用いることを特徴とする請求項5記載の積層構造体の製造方法。
- 臨界表面張力を変化させるエネルギー付与が、紫外線照射であることを特徴とする請求項5または6記載の積層構造体の製造方法。
- 前記電極材料を含有する液体が、導電性高分子を分散または溶解した液体であることを特徴とする請求項5または6記載の積層構造体の製造方法。
- 前記導電性高分子を分散または溶解した液体が水系であることを特徴とする請求項9記載の積層構造体の製造方法。
- 前記配線材料を含有する液体が、微小な金属微粒子を分散した液体であることを特徴とする請求項6記載の積層構造体の製造方法。
- 前記配線材料を含有する液体をインクジェット方式で付与することを特徴とする請求項6記載の積層構造体の製造方法。
- 前記電極材料が含有された液体を付与する手段がインクジェット方式であることを特徴とする請求項5または6記載の積層構造体の製造方法。
- 請求項1から13のいずれか1項に記載の積層構造体の製造方法によって製造された積層構造体を構成要素とすることを特徴とする電子素子。
- 濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層上に形成された有機半導体層と、
前記有機半導体層に接して設けられた第1の電極層、第2の電極層と、
前記第1、第2の電極層の少なくとも一方には前記第1、第2の電極層に接続される配線層を有し、
少なくとも前記有機半導体層に接して設けられた絶縁体層と、
前記絶縁体層に接して設けられた第3の電極層とを有することを特徴とする請求項14記載の電子素子。 - 前記第3の電極層と、前記第3の電極層上に設けられた前記濡れ性変化層と、
前記濡れ性変化層上に形成された前記有機半導体層と、
前記有機半導体層に接して設けられた前記第1、第2の電極層と、
前記第1、第2の電極層の少なくとも一方に該第1、第2の電極層に接続される前記配線層を有することを特徴とする請求項14記載の電子素子。 - 請求項14から16のいずれか1項に記載の電子素子が基板上に複数設けられた電子素子アレイを備えたことを特徴とする表示装置。
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