JP4691545B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4691545B2 JP4691545B2 JP2007328167A JP2007328167A JP4691545B2 JP 4691545 B2 JP4691545 B2 JP 4691545B2 JP 2007328167 A JP2007328167 A JP 2007328167A JP 2007328167 A JP2007328167 A JP 2007328167A JP 4691545 B2 JP4691545 B2 JP 4691545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- manufacturing
- substrate
- wiring
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
前記塗布印刷法は、インクジェット法、マイクロディスペンス法、転写法、スクリーン塗布・印刷法、スリットコート法、スプレーコート法、キャピラリコート法、ディップ法、回転塗布法などが代表的な例である。本発明の目的に、諸部分の形成に、これらの内の少なくとも一つを用いるのが、実際的である。
中心金属核の代表例としては、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムなどが上げられる。核としては、これらの金属の一種類、もしくは複数種類が混合していても良い。金属核と有機化合物の結合部は、窒素、硫黄、酸素原子が代表例となる。有機化合物の部分は、直鎖状の炭化水素もしくは環状炭化水素であり、置換基を有しても良い。これらの金属ナノ微粒子は溶媒中に分散して液体材料を形成でき、印刷可能なインクとなる。
<処理ガスについて>実施例1におけるヨウ素ガスを、塩素ガスにし、同様に1分間処理したところ、処理後の抵抗値は1.8x102Ωcmとなった。同様に、フッ素ガスを用いたところ処理後の抵抗値は2.0x102Ωcm、臭素ガスを用いたところ1.9x102Ωcm、塩化水素ガスを用いたところ2.1x102Ωcm、臭化水素ガスを用いたところ2.0x102Ωcm、ヨウ化水素ガスを用いたところ2.1x102Ωcmとなった。
<ガス処理後のリンス溶液について>ヨウ素ガス処理後のリンス溶液をトルエンから、アセトンに変えたところ、1.9x102Ωcmとまったく同じ値となった。テトラヒドロフラン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38w%水溶液リンスとそれに続く水洗でも、抵抗値の変化は見られなかった。
これらの有機高分子化合物を絶縁膜として使用する場合は、感光性自己組織化膜を形成するために、絶縁膜表面に、シロキサン化合物膜やシラザン化合物膜を形成する必要があり、コスト、工程が若干増加する。
(比較例1)
ヨウ素ガス処理を、水素ガス処理に変えた以外は実施例1と同様な方法で有機半導体を用いたTFT作成を行った。ガス処理に続く、トルエンリンスにおいて、印刷した電極パタンが全て剥がれてしまった。これは、金属ナノ微粒子が保護膜に包まれたままの状態であり、金属に変化しなかったためであると考えられる。
(比較例2)
ヨウ素ガス処理を、200℃20分間の熱処理に変えた以外は実施例1と同様な方法で有機半導体を用いたTFT作成を行った。熱処理により、基板が反ってしまい、これに続く部材の印刷が困難な状態となってしまった。
その後、感光性自己組織化膜材料(5-methoxy-2-nitro-benzyl 4-(trimethoxysilyl) butanesulfonate)の0.1w%トルエン溶液に基板を10分間ディップし、トルエンでリンス、乾燥後、110℃で10分間焼成し感光性自己組織化膜4を形成した(上面図:図17A、断面図:図17B)。パターン描画機能を持つレーザー露光機を用い、355nmの波長により、スルーホール間の露光を行った。その後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38w%水溶液に基板を1分間浸し、水により洗浄を行った(上面図:図18A、断面図:図18B)。露光部に、インクジェット法で銀ナノ微粒子をトルエン溶液に分散させたものをインクとしてパターンを描き、ヨウ素ガス雰囲気中に1分間放置し、その後トルエンリンスし乾燥し、スルーホール間に配線28を形成した(上面図:図19A、断面図:図19B)。市販されている配線基板と差異無く使用できた。
Claims (5)
- プラスチック基板または、金属表面を絶縁処理した基板上に、金属ナノ微粒子溶液を所望の形状に塗布・印刷し、前記基板を、ハロゲンを含有するガス雰囲気中に暴露し、
前記金属ナノ微粒子は、該微粒子の中心核部分が金属であり、その中心核部分を取り囲む外周部分が有機化合物の保護膜であり、
前記ハロゲンを含有するガスの電子親和力が、前記金属ナノ微粒子の金属と前記保護膜の有機化合物との結合エネルギーより大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ハロゲンを含有するガスは、アスタチンを除くハロゲンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属ナノ微粒子の中心核部分は、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケルのうち一種類もしくは複数種類の金属からなる混合物であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属ナノ微粒子の中心核部分と前記保護膜である有機化合物とを化学的に結合する結合部分が、硫黄、窒素、酸素のうちの一種類もしくは複数種類であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記塗布・印刷法が、インクジェット法、マイクロディスペンス法、転写法、スクリーン塗布・印刷法、スリットコート法、スプレーコート法、キャピラリコート法、ディップ法、回転塗布法のうち1種類、もしくは複数種類を使用することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007328167A JP4691545B2 (ja) | 2007-12-20 | 2007-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007328167A JP4691545B2 (ja) | 2007-12-20 | 2007-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009152335A JP2009152335A (ja) | 2009-07-09 |
JP4691545B2 true JP4691545B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=40921152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007328167A Expired - Fee Related JP4691545B2 (ja) | 2007-12-20 | 2007-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4691545B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6009182B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN113272942A (zh) | 2019-02-21 | 2021-08-17 | 东丽株式会社 | 场效应晶体管、其制造方法及使用其的无线通信装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004097915A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 液滴吐出装置、パターンの形成方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2007305839A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Hitachi Ltd | 配線および有機トランジスタとその製法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08337668A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-24 | Sekisui Chem Co Ltd | 積層体の製造方法 |
-
2007
- 2007-12-20 JP JP2007328167A patent/JP4691545B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004097915A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 液滴吐出装置、パターンの形成方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2007305839A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Hitachi Ltd | 配線および有機トランジスタとその製法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009152335A (ja) | 2009-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5036219B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法 | |
US7700403B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
US7575952B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device having organic semiconductor film | |
US7799618B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, display device, and electronic instrument | |
KR100707775B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 배선 기판, 표시 장치, 전자 기기 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
US7585713B2 (en) | Method for exposing photo-sensitive SAM film and method for manufacturing semiconductor device | |
US8748242B2 (en) | Electronic circuit structure and method for forming same | |
US7816672B2 (en) | Wiring pattern, electronic device, organic semiconductor device, layered wiring pattern, and layered wiring substrate using the wiring pattern | |
US20060216872A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having an organic thin film transistor | |
US20050181533A1 (en) | Method for manufacturing an electro-optical device board, optical device, electro-optical device and electronic equipment | |
US20120070945A1 (en) | Organic semiconductor device, manufacturing method of same, organic transistor array, and display | |
JP4691545B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009295670A (ja) | 薄膜トランジスタおよびそれを用いた装置 | |
JP2006060113A (ja) | 積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置 | |
JP2006060113A5 (ja) | ||
JP5066848B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP4605319B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ | |
JP2010157532A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
KR20080044436A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
JP2010114182A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ | |
JP2006059936A (ja) | 積層構造体及びその製造方法、電子素子、表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |