JP4605319B2 - 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H—ELECTRICITY
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
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- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
下地層の表面に、前記ソース電極と前記ドレイン電極がそれぞれその表面に形成されるべき2つの下地電極層を形成する工程と、
前記2つの下地電極層を含む前記下地層の表面に、前記2つの下地電極層の前記ソース電極と前記ドレイン電極が形成されるべき領域を囲むように隔壁層を形成する工程と、
前記隔壁層によって囲まれた前記2つの下地電極層の表面に、メッキ法を用いて前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極が形成された後、前記隔壁層によって囲まれた領域に、半導体材料が溶解又は分散された半導体溶液を塗布し、半導体膜を成膜する工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
前記下地層は、基板であることを特徴とする前記1から7の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
前記下地層は、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜であることを特徴とする前記1から7の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
尚、隔壁層BKとソース電極S、ドレイン電極D、及び、基板P又はゲート絶縁膜GIとの接触角の差は、好ましくは10°以上、より好ましくは20°以上である。尚、隔壁層BKとソース電極S、ドレイン電極D、及び基板P又はゲート絶縁膜GIとの接触角の差が大きい場合には、全面に塗布することで塗布方法として、スピンコート法、ディップコート法、スリットコート法等の全面印刷を利用することができる。
トップゲートボトムコンタクト型のTFTアレイの製造方法の実施例1を図3を用いて説明する。図3(a)〜図3(g)は、本実施例におけるトップゲートボトムコンタクト型のTFTアレイ1Aの製造工程を示す模式図である。尚、図3(a)〜図3(g)において、左図は平面模式図、右図は、左図におけるA−A′断面模式図である。尚、わかりやすさのために、一部の構成要素については図示を省略しており、また透視図としている部分がある。
(実施例2−1)
ボトムゲートボトムコンタクト型のTFTアレイの製造方法の実施例2−1を図4を用いて説明する。図4(a)〜図4(h)は、本実施例におけるボトムゲートボトムコンタクト型のTFTアレイ1Aの製造工程を示す模式図である。尚、図4(a)〜図4(h)において、左図は平面模式図、右図は、左図におけるA−A′断面模式図である。尚、わかりやすさのために、一部の構成要素については図示を省略しており、また透視図としている部分がある。
(実施例2−2)
ボトムゲートボトムコンタクト型のTFTアレイの製造方法の実施例2−2を図5を用いて説明する。図5(a)、図5(b)は、本実施例におけるrボトムゲートボトムコンタクト型のTFTアレイ1Aの製造工程の一部を示す模式図である。尚、わかりやすさのために、一部の構成要素については図示を省略しており、また透視図としている部分がある。
1 TFT(薄膜トランジスタ)
BK 隔壁層
D ドレイン電極
E 画素電極
EC 画素電極接続電極
G ゲート電極
GI ゲート絶縁膜
H コンタクトホール
HL(GB) 行選択線(ゲートバス)
P 基板
PV 保護膜
Px 画素
S ソース電極
Sx、Dx 下地電極層
SF 半導体膜
VL(SB) 列選択線(ソースバス)
Claims (11)
- ソース電極とドレイン電極との間のチャネル部に半導体膜を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、
下地層の表面に、前記ソース電極と前記ドレイン電極がそれぞれその表面に形成されるべき2つの下地電極層を形成する工程と、
前記2つの下地電極層を含む前記下地層の表面に、前記2つの下地電極層の前記ソース電極と前記ドレイン電極が形成されるべき領域を囲むように隔壁層を形成する工程と、
前記隔壁層によって囲まれた前記2つの下地電極層の表面に、メッキ法を用いて前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極が形成された後、前記隔壁層によって囲まれた領域に、半導体材料が溶解又は分散された半導体溶液を塗布し、半導体膜を成膜する工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ソース電極および前記ドレイン電極の材料は、Auを含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記2つの下地電極層の材料は、Niを含むことを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体溶液は、有機半導体材料を溶解した溶液であることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体溶液は、インクジェット法を用いて塗布することを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記下地層の材料は、有機材料であることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極ならびに前記チャネル部が占める領域の平面形状は略円形であることを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記薄膜トランジスタは、トップゲートボトムコンタクト構造であり、
前記下地層は、基板であることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記薄膜トランジスタは、ボトムゲートボトムコンタクト構造であり、
前記下地層は、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記半導体溶液は、外部から遮断された密閉環境で塗布されることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1から10の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法を用いて製造されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
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JP2007036259A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
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