WO2010104005A1 - 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- WO2010104005A1 WO2010104005A1 PCT/JP2010/053644 JP2010053644W WO2010104005A1 WO 2010104005 A1 WO2010104005 A1 WO 2010104005A1 JP 2010053644 W JP2010053644 W JP 2010053644W WO 2010104005 A1 WO2010104005 A1 WO 2010104005A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- thin film
- electrode
- film transistor
- layer
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 126
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 7
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GZEFZLXJPGMRSP-UHFFFAOYSA-N 37,38,39,40-tetrazanonacyclo[28.6.1.13,10.112,19.121,28.04,9.013,18.022,27.031,36]tetraconta-1(37),2,4,6,8,10,12(39),13,15,17,19,21,23,25,27,29,31,33,35-nonadecaene Chemical compound c1ccc2c3cc4[nH]c(cc5nc(cc6[nH]c(cc(n3)c2c1)c1ccccc61)c1ccccc51)c1ccccc41 GZEFZLXJPGMRSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003854 Surface Print Methods 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
Definitions
- Au having low adhesion to the partition layer and an insulating material having relatively high adhesion to the partition layer are arranged side by side. For example, if patterning is performed under a condition that no partition layer remains on the gate insulating film in the channel portion, the partition layer is not formed on the source electrode and the drain electrode, or even if formed, the liquid repellency is not good. It will be enough. On the other hand, when an attempt is made to form a partition layer on the source electrode and the drain electrode with good adhesion, the partition layer material remains in the highly insulating gate insulating film. In this case, the semiconductor layer cannot be formed over the entire channel portion due to the partition wall material remaining in the channel portion.
- the stability may be different.
- the liquid repellency of the surface of the partition layer formed on the source electrode and the drain electrode made of Au may be lowered when left in the atmosphere. For this reason, ink flows over the source electrode and the drain electrode, and the organic semiconductor film may not be formed in a predetermined shape.
- a SiO 2 film having a film thickness of 100 nm is formed by sputtering, and then PC403 (manufactured by JSR) is formed thereon and opened at a position corresponding to the contact hole H formed in the insulating film GI.
- a resist having Subsequently, the SiO 2 film was etched using dry etching to form a gate insulating film GI having a contact hole H (FIG. 3E).
- an ITO nano ink containing ITO nanoparticles was applied using an ink jet method to form a transparent pixel electrode E.
- the pixel electrode connection electrode EC and the pixel electrode E were connected to complete the TFT array 1A (FIG. 3G).
- FIGS. 4A to 4H are schematic views showing the manufacturing process of the bottom gate bottom contact type TFT array 1A in this embodiment. 4A to 4H, the left diagram is a schematic plan view, and the right diagram is a schematic diagram taken along the line AA ′ in the left diagram. For the sake of clarity, some of the components are not shown, and there are portions that are perspective views.
- a phenol resin film was formed using a spin coating method, and then patterned using a photolithography method to form a gate insulating film GI (FIG. 4B).
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
下地層の表面に、前記ソース電極と前記ドレイン電極がそれぞれその表面に形成されるべき2つの下地電極層を形成する工程と、
前記2つの下地電極層を含む前記下地層の表面に、前記2つの下地電極層の前記ソース電極と前記ドレイン電極が形成されるべき領域を囲むように隔壁層を形成する工程と、
前記隔壁層によって囲まれた前記2つの下地電極層の表面に、メッキ法を用いて前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極が形成された後、前記隔壁層によって囲まれた領域に、半導体材料が溶解又は分散された半導体溶液を塗布し、半導体膜を成膜する工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
前記下地層は、基板であることを特徴とする前記1から7の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
前記下地層は、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜であることを特徴とする前記1から7の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
尚、隔壁層BKとソース電極S、ドレイン電極D、及び、基板P又はゲート絶縁膜GIとの接触角の差は、好ましくは10°以上、より好ましくは20°以上である。尚、隔壁層BKとソース電極S、ドレイン電極D、及び基板P又はゲート絶縁膜GIとの接触角の差が大きい場合には、全面に塗布することで塗布方法として、スピンコート法、ディップコート法、スリットコート法等の全面印刷を利用することができる。
トップゲートボトムコンタクト型のTFTアレイの製造方法の実施例1を図3を用いて説明する。図3(a)~図3(g)は、本実施例におけるトップゲートボトムコンタクト型のTFTアレイ1Aの製造工程を示す模式図である。尚、図3(a)~図3(g)において、左図は平面模式図、右図は、左図におけるA-A′断面模式図である。尚、わかりやすさのために、一部の構成要素については図示を省略しており、また透視図としている部分がある。
(実施例2-1)
ボトムゲートボトムコンタクト型のTFTアレイの製造方法の実施例2-1を図4を用いて説明する。図4(a)~図4(h)は、本実施例におけるボトムゲートボトムコンタクト型のTFTアレイ1Aの製造工程を示す模式図である。尚、図4(a)~図4(h)において、左図は平面模式図、右図は、左図におけるA-A′断面模式図である。尚、わかりやすさのために、一部の構成要素については図示を省略しており、また透視図としている部分がある。
(実施例2-2)
ボトムゲートボトムコンタクト型のTFTアレイの製造方法の実施例2-2を図5を用いて説明する。図5(a)、図5(b)は、本実施例におけるrボトムゲートボトムコンタクト型のTFTアレイ1Aの製造工程の一部を示す模式図である。尚、わかりやすさのために、一部の構成要素については図示を省略しており、また透視図としている部分がある。
1 TFT(薄膜トランジスタ)
BK 隔壁層
D ドレイン電極
E 画素電極
EC 画素電極接続電極
G ゲート電極
GI ゲート絶縁膜
H コンタクトホール
HL(GB) 行選択線(ゲートバス)
P 基板
PV 保護膜
Px 画素
S ソース電極
Sx、Dx 下地電極層
SF 半導体膜
VL(SB) 列選択線(ソースバス)
Claims (11)
- ソース電極とドレイン電極との間のチャネル部に半導体膜を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、
下地層の表面に、前記ソース電極と前記ドレイン電極がそれぞれその表面に形成されるべき2つの下地電極層を形成する工程と、
前記2つの下地電極層を含む前記下地層の表面に、前記2つの下地電極層の前記ソース電極と前記ドレイン電極が形成されるべき領域を囲むように隔壁層を形成する工程と、
前記隔壁層によって囲まれた前記2つの下地電極層の表面に、メッキ法を用いて前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極が形成された後、前記隔壁層によって囲まれた領域に、半導体材料が溶解又は分散された半導体溶液を塗布し、半導体膜を成膜する工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ソース電極および前記ドレイン電極の材料は、Auを含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記2つの下地電極層の材料は、Niを含むことを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体溶液は、有機半導体材料を溶解した溶液であることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体溶液は、インクジェット法を用いて塗布することを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記下地層の材料は、有機材料であることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極ならびに前記チャネル部が占める領域の平面形状は略円形であることを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記薄膜トランジスタは、トップゲートボトムコンタクト構造であり、
前記下地層は、基板であることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記薄膜トランジスタは、ボトムゲートボトムコンタクト構造であり、
前記下地層は、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記半導体溶液は、外部から遮断された密閉環境で塗布されることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1から10の何れか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法を用いて製造されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/256,214 US8653527B2 (en) | 2009-03-13 | 2010-03-05 | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
JP2010525949A JP4605319B2 (ja) | 2009-03-13 | 2010-03-05 | 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009061064 | 2009-03-13 | ||
JP2009-061064 | 2009-03-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2010104005A1 true WO2010104005A1 (ja) | 2010-09-16 |
Family
ID=42728294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2010/053644 WO2010104005A1 (ja) | 2009-03-13 | 2010-03-05 | 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8653527B2 (ja) |
JP (1) | JP4605319B2 (ja) |
WO (1) | WO2010104005A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074504A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
WO2013073084A1 (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-23 | パナソニック株式会社 | 表示パネルの製造方法および表示パネル |
JP2020031100A (ja) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 凸版印刷株式会社 | 有機薄膜トランジスタとその製造方法および電子装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006114862A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
JP2007036259A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2009010332A (ja) * | 2007-05-25 | 2009-01-15 | Panasonic Corp | 有機トランジスタとその製造方法、およびそれを備える有機elディスプレイ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100530758C (zh) | 1998-03-17 | 2009-08-19 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
US6821811B2 (en) * | 2002-08-02 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, and semiconductor device having the organic thin film transistor |
JP4795634B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2011-10-19 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
US8497494B2 (en) * | 2006-11-24 | 2013-07-30 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor and array substrate for liquid crystal display device comprising organic insulating material |
US8017940B2 (en) * | 2007-05-25 | 2011-09-13 | Panasonic Corporation | Organic transistor, method of forming organic transistor and organic EL display with organic transistor |
GB0724774D0 (en) * | 2007-12-19 | 2008-01-30 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic thin film transistors, active matrix organic optical devices and methods of making the same |
JP2010040897A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Sony Corp | 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器 |
-
2010
- 2010-03-05 WO PCT/JP2010/053644 patent/WO2010104005A1/ja active Application Filing
- 2010-03-05 JP JP2010525949A patent/JP4605319B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-05 US US13/256,214 patent/US8653527B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006114862A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
JP2007036259A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2009010332A (ja) * | 2007-05-25 | 2009-01-15 | Panasonic Corp | 有機トランジスタとその製造方法、およびそれを備える有機elディスプレイ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074504A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
WO2013073084A1 (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-23 | パナソニック株式会社 | 表示パネルの製造方法および表示パネル |
US9312283B2 (en) | 2011-11-16 | 2016-04-12 | Joled Inc. | Method for producing display panel, and display panel |
JP2020031100A (ja) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 凸版印刷株式会社 | 有機薄膜トランジスタとその製造方法および電子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120007092A1 (en) | 2012-01-12 |
JPWO2010104005A1 (ja) | 2012-09-13 |
JP4605319B2 (ja) | 2011-01-05 |
US8653527B2 (en) | 2014-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4384623B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、その製造方法、及びそれを具備した平板表示装置 | |
US7919778B2 (en) | Making organic thin film transistor array panels | |
US8445901B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
US20070024766A1 (en) | Organic thin film transistor display panel | |
US8999776B2 (en) | Semiconductor device and electronic unit | |
JP4638840B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
JP2009224542A (ja) | 半導体装置および表示装置 | |
JP5054680B2 (ja) | 半導体デバイス | |
US20080038867A1 (en) | Method for manufacturing a thin film transistor array panel | |
JP4605319B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ | |
KR20090010699A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 | |
KR20080026957A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
US7759676B2 (en) | Thin film transistor array panel having groups of proximately located thin film transistors and manufacturing method thereof | |
US9293719B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
JP2010212326A (ja) | 半導体装置 | |
JP4656262B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
KR20080029279A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
US8981348B2 (en) | Semiconducting element, organic light emitting display including the same, and method of manufacturing the semiconducting element | |
KR100751360B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 | |
JP2005260192A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器 | |
KR100749502B1 (ko) | 박막 트랜지스터의 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 박막트랜지스터 및 이 박막 트랜지스터를 구비한 표시 장치 | |
JPWO2016170770A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ形成基板、画像表示装置用基板および薄膜トランジスタアレイ形成基板の製造方法 | |
JP5509629B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイの製造方法、及び薄膜トランジスタアレイ | |
KR100730188B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이로부터 제조된유기 박막 트랜지스터 | |
KR100730189B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2010525949 Country of ref document: JP |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10750759 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 13256214 Country of ref document: US |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 10750759 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |