KR100730189B1 - 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 - Google Patents

유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100730189B1
KR100730189B1 KR1020050124377A KR20050124377A KR100730189B1 KR 100730189 B1 KR100730189 B1 KR 100730189B1 KR 1020050124377 A KR1020050124377 A KR 1020050124377A KR 20050124377 A KR20050124377 A KR 20050124377A KR 100730189 B1 KR100730189 B1 KR 100730189B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
film transistor
organic
semiconductor layer
organic thin
Prior art date
Application number
KR1020050124377A
Other languages
English (en)
Inventor
안택
서민철
박진성
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050124377A priority Critical patent/KR100730189B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100730189B1 publication Critical patent/KR100730189B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/162—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using laser ablation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 상부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인 전극을 덮도록 유기 반도체층을 형성하는 단계; 상기 유기 반도체층을 덮도록 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 절연층 하부의 상기 유기 반도체층에 그루브를 형성하는 단계; 및 상기 소스 및 드레인 전극에 대응되도록 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 빔이 조사되는 영역에 산소 기체를 분사하여 상기 그루브의 형성을 촉진하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이로부터 제조된 유기 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 레이저 빔의 에너지를 잘 흡수하지 않는 유기 절연체에 대해서도 우수한 효율로 그루브를 형성할 수 있는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공할 수 있다.

Description

유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치{Method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor manufactured by the method, and a flat panel display comprising the same}
도 1은 레이저를 이용하여 물체의 표면을 식각하는 과정을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 본 발명에 따른 제조방법에 의해서 제조된 유기 박막 트랜지스터에 대한 단면도이고,
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따라서 제조된 평판 표시 장치에 대한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11 : 기판 12 : 게이트 전극
13 : 절연층 14a, 14b : 소스 및 드레인 전극
15 : 유기 반도체층
본 발명은 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기 박막 트랜지스터의 절연층 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 절연층 하부의 유기 반도체층에 그루브를 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 빔이 조사되는 영역에 산소 기체를 분사하여 상기 그루브의 형성을 촉진하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이로부터 제조된 유기 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치 또는 무기 발광 표시 장치 등 평판 표시 장치에 사용되는 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor: 이하, TFT라 함)는 각 픽셀의 동작을 제어하는 스위칭 소자 및 픽셀을 구동시키는 구동 소자로 사용된다.
이러한 TFT는 고농도의 불순물로 도핑된 소스 및 드레인 영역과, 소스 및 드레인 영역의 사이에 형성된 채널 영역을 갖는 반도체층을 가지며, 반도체층과 절연되어 상기 채널 영역에 대응되는 영역에 위치하는 게이트 전극과, 상기 소스 및 드레인 영역에 각각 접촉되는 소스 및 드레인 전극을 갖는다.
종래에는, 이러한 박막 트랜지스터의 제조를 위한 패터닝에 있어서, 소정의 패턴으로 물체의 표면을 식각하거나 요홈부를 형성하는 포토리소그래피법이 주로 이용되었다. 그러나, 이러한 포토리소그래피법에는 상술한 바와 같이 복잡한 단계들을 거쳐야 하는 등의 문제점이 있었다.
따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 레이저 어블레이션 기술을 이용하여 물체 (1)의 표면에 요홈부(7)를 형성하는 방법이 알려져 있으며, 도 1을 참조하면, 요홈부를 형성하고자 하는 물체 (1)의 상부에 레이저 (3)를 위치시키고, 상기 레이저 (3)에서 방출된 레이저빔 (5)이 상기 물체 (1)의 표면에 도달하도록 하여, 그 표면을 식각한다. 이와 같은 상황 하에서 상기 레이저 (3)를 소정의 위치로 움직임으로써, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 물체 (1)의 표면에 요홈부 (7)가 형성되도록 하는 것이다.
그러나, 레이저 어블레이션 기술 (Laser ablation technic: LAT)을 이용하여 절연층 상에 레이저 빔을 조사함으로써, 절연층 하부의 유기 반도체층에 그루브를 형성하는 기술에 있어서, 자외선 영역에 해당되는 레이저 빔의 에너지를 잘 흡수하지 않는 절연체의 경우, 어블레이션 또는 패터닝이 수행되지 않는다는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 레이저 어블레이션 기술 (Laser ablation technic: LAT)을 이용하여 절연층 상에 레이저 빔을 조사함으로써, 상기 절연층 하부의 유기 반도체층에 그루브를 형성하는 기술에 있어서, 레이저 빔의 에너지를 잘 흡수하지 않는 절연체에 대한 그루브 형성을 가능하게 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 그 일 태양에서,
기판 상부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
상기 소스 및 드레인 전극을 덮도록 유기 반도체층을 형성하는 단계;
상기 유기 반도체층을 덮도록 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 절연층 하부의 상기 유기 반도체층에 그루브를 형성하는 단계; 및
상기 소스 및 드레인 전극에 대응되도록 게이트 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 빔이 조사되는 영역에 산소 기체를 분사하여 상기 그루브의 형성을 촉진하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 그 다른 태양에서,
상기 방법에 의해서 제조된 유기 박막 트랜지스터를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 또 다른 태양에서,
상기 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 표시 장치를 제공한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명은 유기 박막 트랜지스터의 절연층 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 절연층 하부의 유기 반도체층에 그루브를 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 빔이 조사되는 영역에 산소 기체를 분사하여 상기 그루브의 형성을 촉진하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이로부터 제조된 유기 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 레이저 빔의 에너지를 잘 흡수하지 않는 유기 절연체에 대해서도 우수한 효율로 그루브를 형성할 수 있는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 유기 박막 트랜지스터 제조방법에 대한 일 태양에 따르면, 기판 상부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인 전극을 덮도록 유기 반도체층을 형성하는 단계; 상기 유기 반도체층을 덮도록 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 절연층 하부의 상기 유기 반도체층에 그루브를 형성하는 단계; 및 상기 소스 및 드레인 전극에 대응되도록 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 빔이 조사되는 영역에 산소 기체를 분사하여 상기 그루브의 형성을 촉진하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법이 제공된다.
도 2는 상기 방법에 따라서 제조된 유기 박막 트랜지스터 (10)를 도시한 단면도이다.
도 2 중, 기판 (11)으로서 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 메탈 기판이 사용될 수 있다.
상기 유리 기판은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등으로 이루어질 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 절연성 유기물로 이루어질 수 있는데, 예를 들면, 폴리에테르술폰 (PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트 (PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드 (PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트 (PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드 (PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드 (polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트 (polyallylate), 폴리이미드 (polyimide), 폴리카보네이트 (PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트 (TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 (cellulose acetate propinonate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 기판은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸 (SUS), Invar 합금, ZInconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 기판은 금속 포일일 수 있다. 이 중, 유연성 특성을 얻기 위하여, 플라스틱 기판 또는 금속 기판을 사용할 수 있다.
기판 (11)의 일면 또는 양면에는 버퍼층이나, 배리어층, 또는 불순 원소의 확산방지층 등이 형성될 수 있다. 특히, 상기 기판 (11)이 금속 기판을 포함하는 경우, 상기 기판 상부에 절연층 (미도시)이 더 구비될 수 있다.
상기 기판 (11) 상에는 소스 및 드레인 전극 (14a, 14b)이 각각 형성되어 있다. 상기 소스 및 드레인 전극 (14a, 14b)으로는 통상적으로 유기 반도체층 (15)을 이루는 물질과의 일함수를 고려하여 5.0eV 이상의 일함수를 갖는 귀금속 (noble metal) 등을 사용할 수 있다. 이를 고려하여, 상기 소스 및 드레인 전극을 이루는 물질의 비제한적인 예로서, Au, Pd, Pt, Ni, Rh, Ru, Ir, Os 외에도, Al, Mo, Al:Nd 합금, MoW 합금 등과 같은 2 종 이상의 금속으로 이루어진 합금을 사용할 수 있으며, 금속의 산화물로서는 ITO, IZO, NiO, Ag2O, In2O3-Ag2O, CuAlO2, SrCu2O2 및 Zr으로 도핑된 ZnO 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 전술한 바와 같은 금속 또는 금속 산화물 중 2 이상을 조합하여 사용할 수 있음은 물론이다. 또한, 상기 소스 및 드레인 전극 (14a, 14b)은 일정 부분 게이트 전극 (12)과 중첩되도록 할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 소스 및 드레인 전극 (14a, 14b)의 상부로는 유기 반도체층 (15)이 형성된다. 상기 유기 반도체층 (15)을 형성하는 유기반도체 물질로는, 펜타센 (pentacene), 테트라센 (tetracene), 안트라센 (anthracene), 나프탈렌 (naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌 (perylene) 및 그 유도체, 루브렌 (rubrene) 및 그 유도체, 코로넨 (coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드 (perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드 (perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체 등이 사용될 수 있다.
이어서, 상기 유기 반도체층 (15)의 상부로는 소스 및 드레인 전극 (14a, 14b)을 덮도록 절연층 (13)이 구비되어 있다. 상기 절연층 (13)은 금속 산화물 또는 금속 질화물과 같은 무기물로 이루어지거나, 절연성 유기 고분자와 같은 유기물 로 이루어질 수 있다.
상기 절연층 (13)이 유기물로 이루어진 경우, 스티렌계 고분자, 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 아미드계 고분자, 이미드계 고분자, 알킬 에테르계 고분자, 아릴 에테르계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 비닐계 고분자, 파릴렌계 고분자, 셀룰로오스계 고분자, 폴리케톤류, 폴리에스테르류, 폴리노보르넨류 및 불소계 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
보다 구체적으로, 상기 절연층 (13)이 유기물로 이루어진 경우, 폴리스티렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 폴리비닐페놀, 폴리페놀, 폴리아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴아미드, 지방족 폴리아미드, 지방족-방향족 폴리아미드, 방향족 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리아세탈, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 에폭시 수지, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리비닐알콜, 폴리비닐리덴, 벤조사이클로부텐, 파릴렌, 시아노셀룰로오스, 폴리(에테르 에테르)케톤, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리디히드록시메틸시클로헥실 테레프탈레이트, 셀룰로오스 에스테르, 폴리카보네이트, 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌/퍼플루오로(알킬 비닐에테르)공중합체, 테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌 공중합체, 퍼플루오로페닐렌, 퍼플루오로비페닐렌 및 퍼플루오로나프타닐렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기물을 포함할 수 있다.
이와 같이 절연층 (13)을 형성한 후, 상기 절연층 (13) 상에 레이저 빔을 조 사함으로써, 상기 절연층 (13) 하부의 유기 반도체층 (15)에 그루브를 형성한다. 유기 반도체층 (15)에는 게이트 전극 (12)에 인가된 신호에 따라 채널이 형성되며, 이 채널을 통해 소스 전극 및 드레인 전극 (14a, 14b) 사이에 전기적 신호가 소통된다. 이 경우 인접한 박막 트랜지스터들 간에 크로스 토크가 발생할 수 있으며, 따라서 이를 방지하기 위한 수단이 필요한데, 이를 위해 유기 반도체층 (15)에 그루브를 형성시키는 것이다. 이러한 그루브는 게이트 전극 (12)에 신호가 인가되어 반도체층 (15)에 채널이 형성될 시, 적어도 그 채널을 인근 박막 트랜지스터와 구별시키는 패터닝 효과를 가져오는 역할을 한다.
본 발명에서는, 이러한 유기 반도체층 (15) 상에 레이저 빔을 이용하여 그루브를 형성하는 경우에, 상기 유기 반도체층 상부에 위치하는 절연층 (13)이 자외선 영역의 레이저 빔 에너지를 잘 흡수하지 않아서 어블레이션 또는 패터닝이 잘 수행되지 않는 문제점을 개선하기 위한 것이다.
이를 위하여, 본 발명은 상기 레이저 빔이 조사되는 절연층 (13) 영역에 산소 기체를 분사하여 유기 반도체층 (15) 상의 그루브 형성을 촉진하는 방법을 사용하는데, 이와 같은 방법에 의해서 그루브 형성이 촉진되는 이유는, 분사된 산소 기체가 레이저 빔의 자외선과 반응하여 오존을 형성하고, 이러한 오존이 재차 자외선에 의해서 절연층에 대해서 활성을 갖는 물질로 변화되기 때문이다. 따라서, 본 발명에 따를 경우, 원칙적으로 레이저 빔의 흡수가 전혀 이루어지지 않아서, 어블레이션 또는 패터닝이 이루어지지 않는 절연층 물질에 대해서도 유기 박막 트랜지스터의 제조가 가능하다는 장점이 있다.
본 발명에 있어서, 바람직하게는 상기 분사되는 산소 기체의 압력은 0.1 kg/cm2 내지 5 kg/cm2인 것이 바람직하다.
또한, 상기 레이저 빔은 바람직하게는, 절연층 물질의 종류에 따라서 50 내지 500 mJ/cm2의 조사 에너지로, 펄스 수 1회 내지 300회 범위에서 최적의 조건을 사용하여 조사된다.
상기와 같이 유기 반도체층 (15) 상에 그루브를 형성한 뒤에는, 소정 패턴의 게이트 전극 (12)을 형성한다. 상기 게이트 전극 (12)은 예를 들면, Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, 또는 Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 금속 또는 금속의 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전술한 바와 같은 구조의 유기 박막 트랜지스터는 LCD 또는 유기 발광 표시 장치와 같은 평판 표시 장치에 구비될 수 있다. 도 3은 평판 표시 장치의 일 구현예인 유기 발광 표시 장치에 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 적용한 것을 나타낸 것이다.
도 3은 유기 전계 발광 표시 장치의 하나의 부화소를 도시한 것으로, 이러한 각 부화소에는 자발광 소자로서 유기 발광 소자 (Organic Light Emitting Device : OLED)가 구비되어 있고, 박막 트랜지스터가 적어도 하나 이상 구비되어 있다. 이러한 유기 발광 표시장치는 EL소자 (OLED)의 발광 색상에 따라 다양한 화소패턴을 갖는 데, 바람직하게는 적, 녹, 청색의 화소를 구비한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 기판 (21) 상에는 소정 패턴의 게이트 전극 (22) 이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극 (22)을 덮도록 절연층 (23)이 형성되어 있다. 상기 절연층 (23) 상부에는 소스 및 드레인 전극 (24a, 24b) 및 유기 반도체층 (25)이 각각 형성된다. 상기 기판 (21), 게이트 전극 (22), 절연층 (23), 소스 및 드레인 전극 (24a, 24b) 및 유기 반도체층 (25)을 이루는 물질은 전술한 바를 참조한다.
유기 반도체층 (25)이 형성된 후에는 상기 박막 트랜지스터 (20)를 덮도록 패시베이션층 (27)을 형성한다. 상기 패시베이션층 (27)은 단층 또는 복수층의 구조로 형성되어 있고, 유기물, 무기물, 또는 유/무기 복합물로 형성될 수 있다. 상기 패시베이션층 (27)의 상부에는 화소정의막 (28)에 따라, 유기 발광 소자 (30)의 유기 발광막 (32)을 형성한다.
상기 유기 발광 소자 (30)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 박막 트랜지스터 (20)의 소스 및 드레인 전극 (24a, 24b) 중 어느 한 전극에 연결된 화소 전극 (31)과, 전체 화소를 덮도록 구비된 대향 전극 (33), 및 이들 화소 전극 (31)과 대향 전극 (33)의 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광막 (32)으로 구성된다. 본 발명은 반드시 상기와 같은 구조로 한정되는 것은 아니며, 다양한 유기 발광 표시 장치의 구조가 그대로 적용될 수 있음은 물론이다.
상기 유기 발광막 (32)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있는 데, 저분자 유기막을 사용할 경우 홀 주입층 (HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층 (HTL: Hole Transport Layer), 발광층 (EML: Emission Layer), 전자 수송층 (ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층 (EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌 (CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄 (tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성된다.
고분자 유기막의 경우에는 대개 홀 수송층 (HTL) 및 발광층 (EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV (Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌 (Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다. 상기와 같은 유기막은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.
상기 화소 전극 (31)은 애노드 전극의 기능을 하고, 상기 대향 전극 (33)은 캐소드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극 (31)과 대향 전극 (33)의 극성은 반대로 되어도 무방하다. 액정 표시 장치의 경우, 이와는 달리, 상기 화소전극 (31)을 덮는 하부배향막 (미도시)을 형성함으로써, 액정 표시 장치의 하부기판의 제조를 완성한다.
이렇게 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 도 3에서와 같이 각 부화소에 탑재될 수도 있고, 화상이 구현되지 않는 드라이버 회로 (미도시)에도 탑재 가능하 다. 그리고, 유기 발광 표시장치는, 기판 (21)으로서 유연성 플라스틱 기판을 사용하기에 적합하다.
이하, 실시예를 이용하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
실시예
기판 상에 Au를 100nm의 두께로 증착하고, 소스 및 드레인 전극을 형성한 다음, 펜타센(70nm)을 증착하여 유기 반도체층을 형성하였다. 이어서, 폴리비닐 알콜로 (200nm의 두께) 이루어진 절연층을 형성한 다음, 레이저 빔이 조사되는 영역에 산소 기체를 0.1 kg/cm2의 압력으로 분사하며 200 mJ/cm2 내지 300 mJ/cm2의 에너지로 100 펄스 수의 레이저 빔을 조사함으로써, 컨택트 홀 (contact hole)을 형성하였다. 상기 절연층 상에 MoW (100nm의 두께)로 이루어진 게이트 전극을 형성함으로써, 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터를 제조하였다.
본 발명에 따르면, 레이저 빔의 에너지를 잘 흡수하지 않는 유기 절연체에 대해서도 우수한 효율로 그루브를 형성할 수 있는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 기판 상부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 소스 및 드레인 전극을 덮도록 유기 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 유기 반도체층을 덮도록 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 절연층 하부의 상기 유기 반도체층에 그루브를 형성하는 단계; 및
    상기 소스 및 드레인 전극에 대응되도록 게이트 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 빔이 조사되는 영역에 산소 기체를 분사하여 상기 그루브의 형성을 촉진하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레이저 빔은 50 내지 500 mJ/cm2의 조사 에너지로, 펄스 수 1회 내지 300회 범위에서 조사되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산소 기체는 0.1 kg/cm2 내지 5 kg/cm2의 압력으로 분사되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 따른 방법에 의해서 제조되고,
    기판;
    소스 및 드레인 전극;
    상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 그루브가 형성된 유기 반도체층;
    상기 소스 및 드레인 전극과 상기 유기 반도체층과 절연된 게이트 전극; 및
    상기 게이트 전극을 소스 및 드레인 전극과 상기 유기 반도체층과 절연시키는 절연층;
    을 구비한 유기 박막 트랜지스터.
  5. 제4항에 따른 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 표시 장치.
KR1020050124377A 2005-12-16 2005-12-16 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 KR100730189B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050124377A KR100730189B1 (ko) 2005-12-16 2005-12-16 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050124377A KR100730189B1 (ko) 2005-12-16 2005-12-16 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100730189B1 true KR100730189B1 (ko) 2007-06-19

Family

ID=38372813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050124377A KR100730189B1 (ko) 2005-12-16 2005-12-16 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100730189B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040103373A (ko) * 2003-05-30 2004-12-08 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막 패턴의 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040103373A (ko) * 2003-05-30 2004-12-08 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막 패턴의 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100829743B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 이를 구비한평판 디스플레이 장치
KR100603349B1 (ko) 박막 트랜지스터, 이를 제조한 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치
JP4384623B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、その製造方法、及びそれを具備した平板表示装置
KR100768199B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
KR100659061B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치
US20060091785A1 (en) Organic thin film transistor and organic electroluminescent device using the same
US20060108581A1 (en) Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device with the organic thin film transistor
KR100659103B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
KR20060055762A (ko) 박막 트랜지스터 및 이를 채용한 평판표시장치
KR100626082B1 (ko) 평판표시장치
KR100751360B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
KR100670407B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치
KR100858812B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 유기 박막 트랜지스터및 유기 발광 디스플레이 장치
JP2006270093A (ja) 有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、及び有機薄膜トランジスタの製造方法
KR100730157B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광디스플레이 장치
KR100670349B1 (ko) 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100730189B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
KR100730188B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이로부터 제조된유기 박막 트랜지스터
KR100730185B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 유기 박막 트랜지스터및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치
KR100670376B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한평판 디스플레이 장치
KR100637250B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR100730193B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법
KR100696489B1 (ko) 박막 트랜지스터, 이를 제조하는 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치
KR100592277B1 (ko) 박막 트랜지스터, 이를 제조한 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치
KR101117713B1 (ko) 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 유기 박막트랜지스터를 구비한 평판표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130530

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150601

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee