JP5787038B2 - 透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5787038B2 JP5787038B2 JP2014549228A JP2014549228A JP5787038B2 JP 5787038 B2 JP5787038 B2 JP 5787038B2 JP 2014549228 A JP2014549228 A JP 2014549228A JP 2014549228 A JP2014549228 A JP 2014549228A JP 5787038 B2 JP5787038 B2 JP 5787038B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- electrode
- film transistor
- thin film
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000036647 reaction Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/481—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、有機半導体を用いた透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。
有機半導体を用いる有機エレクトロニクスは、薄型、軽量で、且つフレキシブルなデバイスへの可能性を有した次世代技術として大きく注目されている。例えばすでに製品化された有機電界発光ダイオード(OLED)に加えて、アクティブマトリクス用スイッチング素子を用途とする有機電界効果トランジスタ(OFET)の研究開発が、近年大きく進展している。
これらの有機電界効果トランジスタの性能は、現在ディスプレイに多く使用されているアモルファスシリコン薄膜電界効果トランジスタの特性を凌駕しており、実用化に向けデバイス特性と長期安定性をさらに向上させるため技術開発が行われている。
従来、フレキシブルな有機電界効果トランジスタを可能にする有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層としては、例えば、下記特許文献1に、ゲート電極AlをO2プラズマ処理で酸化して形成したAl2O3からなるゲート絶縁層が報告されている。また、下記非特許文献1には、高分子材料であるポリビニルフェノール(PVP)を有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層に用いることが報告されている。
一方、有機薄膜トランジスタにおいてデバイス駆動の要となる電荷輸送は、有機半導体層とゲート絶縁層との境界に沿った界面で生じる。特に、ゲート絶縁層上の水分子やヒドロキシル基などは電荷輸送のトラップになることが知られている。そのため、ゲート絶縁層上を高撥水性にする必要があり、例えば、下記特許文献2には、無機酸化物からなるゲート絶縁層を自己組織化膜によって高撥水性処理することが報告されている。また、下記非特許文献2には、水に対する接触角が大きいフッ素系ポリマーを有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層に用いることが報告されている。
更に、下記特許文献3には、透明性の高い有機薄膜トランジスタを形成するために、可視領域光の吸光度が小さい有機半導体を用いることが報告されている。透明性の高い有機薄膜トランジスタを提供することによりOLEDなどの発光素子との積層が可能となり、例えば窓ガラス、車のフロントガラスなどに文字や映像など表示できる画像表示素子への応用が期待できる。
Alejandro L. Briseno, Ricky J. Tseng, Mang-Mang Ling, Eduardo H. L. Falcao, Yang Yang, Fred Wudl, and Zhenan Bao 「High-Performance Organic Single-Crystal Transistors on Flexible Substrates」Adv. Mater., 18, p2320-2324 (2006)
W. L. Kalb, T. Mathis, S. Haas, A. F. Stassen, and B. Batlogg「Organic small molecule field-effect transistors with CytopTM gate dielectric: Eliminating gate bias stress effects」APPLIED PHYSICS LETTERS 90, 092104(2007)
しかしながら、上記特許文献1のように、ゲート絶縁層がAl2O3からなる有機薄膜トランジスタでは、Al2O3が可視領域光に対する透過性に乏しく、透明性の高い有機薄膜トランジスタを得ることができないという問題があった。また、上記非特許文献1のように、ゲート絶縁層にポリビニルフェノール(PVP)を用いた有機薄膜トランジスタでは、PVPの膜厚が1500nm程度と厚く、キャパシタンスが低いといった問題があった。
更に、上記特許文献2のように、ゲート絶縁層が無機酸化物からなる有機薄膜トランジスタでは、一般に加熱酸化による無機酸化物の形成温度が500℃以上と高く、また膜厚も200nm程度と厚く、フレキシブルデバイスに適さないという問題があった。
一方、上記非特許文献2のように、ゲート絶縁層にフッ素系ポリマーを用いた有機薄膜トランジスタでは、水に対する接触角が高く界面キャリア輸送の妨げとなる水分子などを排除できるため、デバイス特性が良いという利点はあるが、フッ素系ポリマーとゲート電極上のヒドロキシル基とが反応し密着する機構のため、金など導電性の良い電極材料であっても、不活性金属のために、そのゲート電極として用いることができないという問題があった。他方、ゲート電極にAlなどの活性金属を用いると、そのゲート電極の膜厚を10nm程度に薄く形成しても自然酸化により導電性が得られないため、20nm程度の膜厚が必要になってしまい、透明性の高い有機薄膜トランジスタが作製できないという問題があった。
このように、透明性の高い有機薄膜トランジスタの開発への要請は高いが、そのために必要なゲート電極やゲート絶縁層に関する技術には乏しいのが現状であった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、優れたトランジスタ性能を有し、フレキシブルデバイスへの応用が可能であって、透明性の高い有機薄膜トランジスタを提供することにある。また、その製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の透明有機薄膜トランジスタの1つは、透明支持基板上に形成された不活性金属を用いた第一ゲート電極と、前記第一ゲート電極上に形成された活性金属を用いた第二ゲート電極と、前記第二ゲート電極上に形成されたフッ素系ポリマーを用いた高分子ゲート絶縁層と、前記高分子ゲート絶縁層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された有機半導体層とを備えたことを特徴とする。
また、本発明の透明有機薄膜トランジスタのもう1つは、透明支持基板上に形成された不活性金属を用いた第一ゲート電極と、前記第一ゲート電極上に形成された活性金属を用いた第二ゲート電極と、前記第二ゲート電極上に形成されたフッ素系ポリマーを用いた高分子ゲート絶縁層と、前記高分子ゲート絶縁層上に形成された有機半導体層と、前記有機半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを備えたことを特徴とする。
本発明の透明有機薄膜トランジスタにおいては、前記第一ゲート電極は、Au、Pt、及びAgからなる群から選ばれた1種の材質で構成されたものであり、前記第二ゲート電極は、Al、Ti、Cr、Cu、及びMgAg合金からなる群から選ばれた1種の材質で構成されたものであることが好ましい。
一方、本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法の1つは、透明支持基板上に不活性金属を用いて第一ゲート電極を形成する工程と、前記第一ゲート電極上に活性金属を用いて第二ゲート電極を形成する工程と、前記第二ゲート電極上にフッ素系ポリマーを用いて高分子ゲート絶縁層を形成する工程と、前記高分子ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機半導体層を形成する工程を備えたことを特徴とする。
また、本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法のもう1つは、透明支持基板上に不活性金属を用いて第一ゲート電極を形成する工程と、前記第一ゲート電極上に活性金属を用いて第二ゲート電極を形成する工程と、前記第二ゲート電極上にフッ素系ポリマーを用いて高分子ゲート絶縁層を形成する工程と、前記高分子ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程を備えたことを特徴とする。
本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法においては、前記第一ゲート電極は、Au、Pt、及びAgからなる群から選ばれた1種の材質で構成されたものであり、前記第二ゲート電極は、Al、Ti、Cr、Cu、及びMgAg合金からなる群から選ばれた1種の材質で構成されたものであることが好ましい。
本発明によれば、有機薄膜トランジスタのゲート電極として、透明支持基板上に不活性金属を用いた第一ゲート電極を形成し、これに活性金属を用いた第二ゲート電極を積層するという構成を採用したので、ゲート電極の透明性を確保しつつ、そのゲート電極上にフッ素系ポリマーからなるゲート絶縁層を形成することができる。これにより、優れたトランジスタ性能を有し、フレキシブルデバイスへの応用が可能であって、透明性の高い有機薄膜トランジスタを提供することができる。
以下、図1〜7を参照しつつ、本発明の透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施形態について説明する。
図1に示すように、この実施形態の透明有機薄膜トランジスタは、ボトムコンタクト型のデバイス構造をなしている。すなわち、透明支持基板1上に第一ゲート電極2が形成され、その第一ゲート電極2上に第二ゲート電極3が形成され、それら第一ゲート電極2及び第二ゲート電極3を覆うように高分子ゲート絶縁層4が形成されている。そして、高分子ゲート絶縁層4上にはソース電極5及びドレイン電極6が形成され、それら電極同士は所定距離のチャネル長を構成するように所定間隔を隔てて形成されている。更に、それらソース電極5及びドレイン電極6を覆うように有機半導体層7が形成されている。
透明支持基板1としては、透明性を有し、後述するような製膜プロセスに対する耐久性を有するものであればよく、例えば、ガラス基板、PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム、PEN(ポリエチレンナフタレート)フィルム、PC(ポリカーボネート)フィルム、PES(ポリエーテルスルホン)フィルムなどの各種フィルム基板などが挙げられる。
第一ゲート電極2の材料としては、不活性金属を使用する。すなわち、例えば金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)などの導電性に優れた電極材料を使用することができる。なお、本明細書において不活性金属とは標準電極電位E゜が0.6V以上の金属をいう。ここで標準電極電位とは、電池の片方が下記式(1)の半電池反応で表される水素電極であり、もう片方が測定対象の電極であり、その電池の構成成分すべてが標準状態にあるとき、その水素電極に対してはかった電池の起電力が、測定対象の電極の半電池反応の標準電極電位と定義される。
H++e-=1/2H2 …(1)
例えば、化学便覧(改訂5版、平成16年発行、発行所;丸善株式会社)によれば、Auは1.83V、Ptは1.188V、Agは0.7991VのE゜値をとる。
H++e-=1/2H2 …(1)
例えば、化学便覧(改訂5版、平成16年発行、発行所;丸善株式会社)によれば、Auは1.83V、Ptは1.188V、Agは0.7991VのE゜値をとる。
第一ゲート電極2の厚さは、透明性を有するために薄いことが好ましい。例えば、5〜20nmが好ましく、5〜10nmがより好ましい。20nmを超えると、透明性が低くなる傾向にある。5nm未満であると、電極として十分な導電性が得られない傾向にある。
第二ゲート電極3の材料としては、活性金属を使用する。すなわち、例えばアルミニウム(Al)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、銅(Cu)、MgAg合金などの導電性の良好な電極材料を使用することができる。なお、本明細書において活性金属とは標準電極電位E゜が0.6V未満の金属をいう。例えば、化学便覧(改訂5版、平成16年発行、発行所;丸善株式会社)によれば、Alは−1.676V、Tiは−1.63V、Cuは0.52V、Crは−0.9VのE゜値をとる。
第二ゲート電極3の厚さは透明性を有するために薄いことが好ましい。たとえば、1〜10nmが好ましく、1〜5nmがより好ましい。10nmを超えると、透明性が低くなる傾向にある。1nm未満であると、電極として十分な導電性が得られない傾向にある。
第二ゲート電極3に活性金属を用いる理由としては、自然酸化膜を形成することにある。すなわち、後述するように高分子ゲート絶縁層4の材料であるフッ素系ポリマーがゲート電極上のヒドロキシル基と反応して密着する機構のため、下地には金属の自然酸化膜が必要となる。この場合、積極的に活性金属を酸素プラズマなどの処理によって酸化させる方法もあるが、その分工程が増えてしまうため、好ましくない。
高分子ゲート絶縁層4の材料としては、十分な絶縁性を有し、ポリマー主鎖もしくは側鎖にフッ素を含有してなるフッ素系ポリマーを使用する。フッ素系ポリマーは水に対する接触角が大きいので(高撥水性であるので)、ゲート絶縁層上の水分子やヒドロキシル基などが電荷輸送のトラップになることを防ぎ、それによりトランジスタ性能が向上する。その接触角としては、80°以上であることが好ましく、100°以上であることがより好ましい。
なお、水に対する接触角とは、水平な材料表面に水滴を静的に置いたとき、水滴が材料表面と接している部分で水滴表面による接線がなす角度を意味し、材料の撥水性をあらわすひとつの指標となる。その測定は、従来公知のθ/2法、接線法、カーブフィッティング法などの測定手法に基づき、市販の接触角計などを用いて行なうことができる。
フッ素系ポリマーとしては、例えばアモルファスフッ素樹脂を使用することができる。アモルファスフッ素樹脂は一般に透明性に優れているので、本発明に好適に用いられる。例えば、旭硝子株式会社から市販されている「Cytop」(商品名、水に対する接触角:115°)、デュポン株式会社から市販されている「テフロン(登録商標)AF」(商品名、水に対する接触角:105°)などを用いることができる。
高分子ゲート絶縁層4の膜厚は、10〜200nmが好ましく、20〜100nmがより好ましい。膜厚が薄いと平坦な膜形成が難しくなる傾向にあり、膜厚が厚すぎると静電容量が小さくなり、後述する有機半導体層7に注入されるキャリア量が少なくなる傾向にある。
ソース電極5及びドレイン電極6の電極材料としては、電極として十分な導電性を有するものであればよく、特に制限はない。金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)などの各種金属材料を使用できる。
ソース電極5及びドレイン電極6の厚さは、用途により適宜調整できる。例えば、20〜100nmが好ましく、20〜50nmがより好ましい。100nmを超えると、製膜に時間を要し、プロセス時間が嵩む傾向にある。20nm未満であると、配線抵抗が大きくなる傾向にある。
ソース電極5とドレイン電極6との間の距離(チャネル長)Lは、例えば、100μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましい。チャネル長を短くすることで、高速応答性や、素子の高集積化などが可能となる。ただし、一般的にチャネル長を短くする作製プロセスは困難となる傾向にある。
有機半導体層7の有機半導体材料としては、従来公知のものを用いることができる。例えば、ペンタセン、ルブレンなどのP型低分子有機半導体材料、ポリ−3−ヘキシルチオフェン(P3HT)などのP型高分子有機半導体材料などを用いることができる。
有機半導体層7の膜厚は、例えば10〜100nmが好ましく、10〜60nmがより好ましく、20〜40nmが最も好ましい。100nmを超えると、製膜に時間を要し、プロセス時間が嵩む傾向にあり、透明性も低くなる傾向にある。10nm未満であると、有機半導体材料がアイランド状となり膜形成ができない場合があり、また、特性が悪くなる可能性がある。
図2には、本発明の透明有機薄膜トランジスタの別の実施形態を示す。この実施形態では、図1に示した実施形態の透明有機薄膜トランジスタの構造において、その高分子ゲート絶縁層4上にソース電極やドレイン電極を介さずに直接有機半導体層7が形成され、更にその有機半導体層7上にソース電極5及びドレイン電極6が形成されている。本発明はこのようなトップコンタクト構造のデバイスにも適用される。
次に、本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法の一実施形態について、図3〜7を参照しつつ説明する。
まず、図3に示すように、透明支持基板1上に第一ゲート電極2を形成する(第一ゲート電極形成工程)。第一ゲート電極2の形成は、従来公知の方法に準じて行えばよく、例えば、上述した電極材料を用いて、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などの方法により行なうことができる。
次に、図4に示すように、透明支持基板1上に形成された第一ゲート電極2上に第二ゲート電極3を積層して形成する(第二ゲート電極形成工程)。第二ゲート電極3の形成は、従来公知の方法に準じて行えばよく、例えば、上述した電極材料を用いて、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などの方法により行なうことができる。
次に、図5に示すように、透明支持基板1上の第一ゲート電極2及び第二ゲート電極3が形成された側の面に、第一ゲート電極2及び第二ゲート電極3を覆うように高分子ゲート絶縁層4を形成する(ゲート絶縁層形成工程)。高分子ゲート絶縁層4の形成は、従来公知の方法に準じて行えばよく、例えば、上述したフッ素系ポリマーを用いて、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法などの各種塗布方法により行なうことができる。第二ゲート電極上は自然酸化膜により親水状態となっているため、フッ素系ポリマー(ポリマー末端がシラノール基やカルボキシル基)と第二ゲート電極3表面(ヒドロキシル基が表面にある状態)とが反応することができ、水素結合や共有結合により膜形成が可能となる。一方、不活性金属を用いたゲート電極表面では親水状態ではないため、フッ素系ポリマーがゲート電極上ではじかれてしまい膜形成が難しい。
次に、図6に示すように、高分子ゲート絶縁層4上にソース電極5及びドレイン電極6を形成する(ソース・ドレイン電極形成工程)。ソース電極5及びドレイン電極6の形成は、従来公知の方法に準じて行えばよく、例えば、上述した電極材料を用いて、マスク蒸着法(抵抗加熱蒸着法)、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、インクジェット法、スクリーン印刷、スピンコート法などにより行なうことができる。インクジェット法、スクリーン印刷、スピンコート法などの塗布法の場合には、銀インクなどの金属ナノ粒子インクを用いることができる。また、フォトリソ法で形成してもよい。
次に、図7に示すように、高分子ゲート絶縁層4上のソース電極5及びドレイン電極6が形成された側の面に、ソース電極5及びドレイン電極6を覆うように有機半導体層7を形成する(有機半導体層形成工程)。有機半導体層7の形成は、従来公知の方法に準じて行えばよく、例えば、上述した有機半導体材料を用いて、抵抗加熱蒸着法、インクジェット法などにより行うことができる。あるいは、PVT法(フィジカル・ベーパー・トランスポート法)で単結晶薄膜を形成し、それを高分子ゲート絶縁層4のソース電極5及びドレイン電極6が形成された側の面に配設して、有機半導体層7としてもよい。
このようにして、本発明の透明有機薄膜トランジスタを製造できる。なお、以上には、ボトムコンタクト構造のデバイス(図1参照)を例に説明したが、ソース・ドレイン電極形成工程と、有機半導体層形成工程との工程順を入れかえることにより、トップコンタクト構造のデバイス(図2参照)とすることができる。
以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、これらの実施例は本発明の範囲を限定するものではない。
<実施例1>
以下の工程により、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを製造した。
以下の工程により、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを製造した。
透明支持基板としては、10mm×10mm×0.7mm厚の石英ガラスを用いた。この石英ガラスを抵抗加熱蒸着装置に装着し、Auをマスク蒸着して膜厚10nmの第一ゲート電極を形成した。
次に、上記第一ゲート電極上に、同じく抵抗加熱蒸着装置により、Alを3nm蒸着して第二ゲート電極を形成した。
次に、透明支持基板上の、上記第一及び第二ゲート電極を形成した側の面に、高分子絶縁材料としてフッ素系ポリマー(商品名「Cytop」、旭硝子株式会社製)を用い、スピンコート法により膜厚50nmのゲート絶縁層を形成した。なお、この時プロセス温度は120℃で行った。
次に、上記ゲート絶縁層を形成した透明支持基板を抵抗加熱蒸着装置に装着し、ゲート絶縁層の上面に膜厚20nm、チャネル長50μmのAuをマスク蒸着して、ソース電極及びドレイン電極を形成した。
次に、別途PVT法で形成した、ペンタセン(シグマ アルドリッチ ジャパン株式会社製:昇華精製を二回実施)の単結晶(膜厚:60nm)を、ゲート絶縁層上に形成したソース電極及びドレイン電極の上から配設し、有機半導体層を形成した。
次に、上記第一ゲート電極上に、同じく抵抗加熱蒸着装置により、Alを3nm蒸着して第二ゲート電極を形成した。
次に、透明支持基板上の、上記第一及び第二ゲート電極を形成した側の面に、高分子絶縁材料としてフッ素系ポリマー(商品名「Cytop」、旭硝子株式会社製)を用い、スピンコート法により膜厚50nmのゲート絶縁層を形成した。なお、この時プロセス温度は120℃で行った。
次に、上記ゲート絶縁層を形成した透明支持基板を抵抗加熱蒸着装置に装着し、ゲート絶縁層の上面に膜厚20nm、チャネル長50μmのAuをマスク蒸着して、ソース電極及びドレイン電極を形成した。
次に、別途PVT法で形成した、ペンタセン(シグマ アルドリッチ ジャパン株式会社製:昇華精製を二回実施)の単結晶(膜厚:60nm)を、ゲート絶縁層上に形成したソース電極及びドレイン電極の上から配設し、有機半導体層を形成した。
<実施例2>
実施例1において、AuをAgに変更した以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
実施例1において、AuをAgに変更した以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
<実施例3>
実施例1において、AlをCrに変更した以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
実施例1において、AlをCrに変更した以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
<実施例4>
実施例1において、AlをCuに変更した以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
実施例1において、AlをCuに変更した以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
<実施例5>
実施例1において、AuをAgに変更し、AlをCrに変更した以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
実施例1において、AuをAgに変更し、AlをCrに変更した以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
<実施例6>
実施例1において、AuをAgに変更し、AlをCuに変更した以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
実施例1において、AuをAgに変更し、AlをCuに変更した以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
<実施例7>
実施例1において、透明支持基板をPENフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、耐熱性150℃)で行った以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
実施例1において、透明支持基板をPENフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、耐熱性150℃)で行った以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
<実施例8>
以下の工程により、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタを製造した。
以下の工程により、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタを製造した。
透明支持基板としては、10mm×10mm×0.7mm厚の石英ガラスを用いた。この石英ガラスを抵抗加熱蒸着装置に装着し、Auをマスク蒸着して膜厚10nmの第一ゲート電極を形成した。
次に、上記第一ゲート電極上に、同じく抵抗加熱蒸着装置により、Alを3nm蒸着して第二ゲート電極を形成した。
次に、透明支持基板上の、上記第一及び第二ゲート電極を形成した側の面に、高分子絶縁材料としてフッ素系ポリマー(商品名「Cytop」、旭硝子株式会社製)を用い、スピンコート法により膜厚50nmのゲート絶縁層を形成した。なお、この時プロセス温度は120℃で行った。
次に、別途PVT法で形成した、ペンタセン(シグマ アルドリッチ ジャパン株式会社製:昇華精製を二回実施)の単結晶(膜厚:60nm)を、ゲート絶縁層上に配設して、有機半導体層を形成した。
次に、上記有機半導体を形成した透明支持基板を抵抗加熱蒸着装置に装着し、有機半導体層の上面に膜厚20nm、チャネル長50μmのAuをマスク蒸着して、ソース電極及びドレイン電極を形成した。
次に、上記第一ゲート電極上に、同じく抵抗加熱蒸着装置により、Alを3nm蒸着して第二ゲート電極を形成した。
次に、透明支持基板上の、上記第一及び第二ゲート電極を形成した側の面に、高分子絶縁材料としてフッ素系ポリマー(商品名「Cytop」、旭硝子株式会社製)を用い、スピンコート法により膜厚50nmのゲート絶縁層を形成した。なお、この時プロセス温度は120℃で行った。
次に、別途PVT法で形成した、ペンタセン(シグマ アルドリッチ ジャパン株式会社製:昇華精製を二回実施)の単結晶(膜厚:60nm)を、ゲート絶縁層上に配設して、有機半導体層を形成した。
次に、上記有機半導体を形成した透明支持基板を抵抗加熱蒸着装置に装着し、有機半導体層の上面に膜厚20nm、チャネル長50μmのAuをマスク蒸着して、ソース電極及びドレイン電極を形成した。
<比較例1>
実施例1において、ゲート電極としてAlを20nm蒸着したこと以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
実施例1において、ゲート電極としてAlを20nm蒸着したこと以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
<比較例2>
実施例1において、ゲート電極としてAuを20nm蒸着したこと以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
実施例1において、ゲート電極としてAuを20nm蒸着したこと以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。
実施例1〜8、比較例1,2の有機薄膜トランジスタについて、移動度を測定した。なお、移動度は半導体パラメータ測定装置(Agilent社製)で測定されたゲート電圧−ドレイン電流特性より求めた。
結果を表1にまとめて記す。
その結果、実施例1〜8の有機薄膜トランジスタは、フレキシブルな透明デバイスであって、そのトランジスタ性能も非常に良好であった。
一方、ゲート電極として活性金属であるAlのみを用いた場合、可視光透過率が20%以下と低く、透明な有機薄膜トランジスタを製造することができなかった(比較例1)。
また、ゲート電極として不活性金属であるAuのみを用いた場合、ゲート電極とゲート絶縁層であるフッ素系ポリマーとが反応できず膜形成ができなかった(比較例2)。
1:透明支持基板
2:第一ゲート電極
3:第二ゲート電極
4:高分子ゲート絶縁層
5:ソース電極
6:ドレイン電極
7:有機半導体層
2:第一ゲート電極
3:第二ゲート電極
4:高分子ゲート絶縁層
5:ソース電極
6:ドレイン電極
7:有機半導体層
Claims (6)
- 透明支持基板上に形成された不活性金属を用いた、厚さが5〜20nmである第一ゲート電極と、前記第一ゲート電極上に形成された活性金属を用いた、厚さが1〜10nmである第二ゲート電極と、前記第二ゲート電極上に形成されたフッ素系ポリマーを用いた高分子ゲート絶縁層と、前記高分子ゲート絶縁層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された有機半導体層とを備えたことを特徴とする透明有機薄膜トランジスタ。
- 透明支持基板上に形成された不活性金属を用いた、厚さが5〜20nmである第一ゲート電極と、前記第一ゲート電極上に形成された活性金属を用いた、厚さが1〜10nmである第二ゲート電極と、前記第二ゲート電極上に形成されたフッ素系ポリマーを用いた高分子ゲート絶縁層と、前記高分子ゲート絶縁層上に形成された有機半導体層と、前記有機半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを備えたことを特徴とする透明有機薄膜トランジスタ。
- 前記第一ゲート電極は、Au、Pt、及びAgからなる群から選ばれた1種の材質で構成されたものであり、前記第二ゲート電極は、Al、Ti、Cr、Cu、及びMgAg合金からなる群から選ばれた1種の材質で構成されたものである、請求項1又は2記載の透明有機薄膜トランジスタ。
- 透明支持基板上に不活性金属を用いて、厚さが5〜20nmである第一ゲート電極を形成する工程と、前記第一ゲート電極上に活性金属を用いて、厚さが1〜10nmである第二ゲート電極を形成する工程と、前記第二ゲート電極上にフッ素系ポリマーを用いて高分子ゲート絶縁層を形成する工程と、前記高分子ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機半導体層を形成する工程を備えたことを特徴とする透明有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 透明支持基板上に不活性金属を用いて、厚さが5〜20nmである第一ゲート電極を形成する工程と、前記第一ゲート電極上に活性金属を用いて、厚さが1〜10nmである第二ゲート電極を形成する工程と、前記第二ゲート電極上にフッ素系ポリマーを用いて高分子ゲート絶縁層を形成する工程と、前記高分子ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程を備えたことを特徴とする透明有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第一ゲート電極は、Au、Pt、及びAgからなる群から選ばれた1種の材質で構成されたものであり、前記第二ゲート電極は、Al、Ti、Cr、Cu、及びMgAg合金からなる群から選ばれた1種の材質で構成されたものである、請求項4又は5記載の透明有機薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014549228A JP5787038B2 (ja) | 2013-01-07 | 2013-12-25 | 透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013000466 | 2013-01-07 | ||
JP2013000466 | 2013-01-07 | ||
PCT/JP2013/084619 WO2014106938A1 (ja) | 2013-01-07 | 2013-12-25 | 透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2014549228A JP5787038B2 (ja) | 2013-01-07 | 2013-12-25 | 透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5787038B2 true JP5787038B2 (ja) | 2015-09-30 |
JPWO2014106938A1 JPWO2014106938A1 (ja) | 2017-01-19 |
Family
ID=51062258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014549228A Expired - Fee Related JP5787038B2 (ja) | 2013-01-07 | 2013-12-25 | 透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150318502A1 (ja) |
JP (1) | JP5787038B2 (ja) |
WO (1) | WO2014106938A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9853230B2 (en) * | 2015-02-17 | 2017-12-26 | Xerox Corporation | Printable nanoparticle conductor ink with improved charge injection |
WO2017159613A1 (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
US10418622B2 (en) * | 2017-10-26 | 2019-09-17 | GM Global Technology Operations LLC | Battery state estimation control logic and architectures for electric storage systems |
CN109004006B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示基板及其制作方法、显示装置 |
US11302996B2 (en) | 2019-08-19 | 2022-04-12 | GM Global Technology Operations LLC | Battery modules with integrated interconnect board assemblies having cell tab comb features |
US11207982B2 (en) | 2019-12-11 | 2021-12-28 | GM Global Technology Operations LLC | Electronic power module assemblies and control logic with direct-cooling heat pipe systems |
US11375642B2 (en) | 2019-12-23 | 2022-06-28 | GM Global Technology Operations LLC | Electronic power module assemblies and control logic with direct-cooling vapor chamber systems |
US11801574B2 (en) | 2020-03-06 | 2023-10-31 | GM Global Technology Operations LLC | Welding systems and methods with knurled weld interfaces for metallic workpieces |
US11387525B2 (en) | 2020-03-09 | 2022-07-12 | GM Global Technology Operations LLC | Two-stage plunger press systems and methods for forming battery cell tabs |
US11600842B2 (en) | 2020-03-16 | 2023-03-07 | GM Global Technology Operations LLC | Multistage plunger press systems and methods with interlocking fingers for forming battery cell tabs |
US11804639B2 (en) | 2020-07-23 | 2023-10-31 | GM Global Technology Operations LLC | Multistage plunger systems and methods for forming battery cell tabs |
US11799149B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-10-24 | GM Global Technology Operations LLC | Energy storage assembly |
US11581618B2 (en) | 2020-11-18 | 2023-02-14 | GM Global Technology Operations LLC | Thermomechanical fuses for heat propagation mitigation of electrochemical devices |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6365917B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US6259138B1 (en) * | 1998-12-18 | 2001-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having multilayered gate electrode and impurity regions overlapping therewith |
JP4152665B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2008-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
KR100915231B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2009-09-02 | 삼성전자주식회사 | 저유전율 절연막의 증착방법, 이를 이용한 박막트랜지스터및 그 제조방법 |
JP4831954B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP2006005041A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Toshiba Corp | 有機半導体素子とその製造方法 |
JP2006073908A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Sony Corp | 薄膜型電界効果トランジスタ、薄膜型電界効果トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス回路および液晶表示装置 |
US20090026443A1 (en) * | 2005-03-15 | 2009-01-29 | Pioneer Corporation | Organic thin-film transistor and method of manufacture thereof |
KR20060104092A (ko) * | 2005-03-29 | 2006-10-09 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
EP1830422A3 (en) * | 2006-03-03 | 2012-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
JP5540517B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2014-07-02 | 凸版印刷株式会社 | 画像表示装置 |
JP2009212389A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 透明有機薄膜トランジスタ |
JP2009224689A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009238968A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Brother Ind Ltd | 有機薄膜トランジスタの製造方法、およびそれを用いた有機薄膜トランジスタ |
JP2010056303A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Epson Imaging Devices Corp | 光センサ及びこの光センサを使用した液晶表示装置 |
WO2010101224A1 (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | 国立大学法人九州工業大学 | 有機半導体材料および有機薄膜トランジスタ |
JP2011012001A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Sony Corp | アンタントレン系化合物及び半導体装置 |
KR101716471B1 (ko) * | 2010-06-07 | 2017-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9368737B2 (en) * | 2010-10-07 | 2016-06-14 | Georgia Tech Research Corporation | Multi-layer gate dielectric field-effect transistor and manufacturing process thereof |
TWM406254U (en) * | 2010-12-09 | 2011-06-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Thin film transistor having schottky barrier |
JP2012169419A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機薄膜トランジスタ |
WO2013024409A1 (en) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | Basf Se | Carbazolocarbazol-bis(dicarboximides) and their use as semiconductors |
US8912535B2 (en) * | 2012-04-13 | 2014-12-16 | Georgia Tech Research Corporation | Naphthalene-diimide-heterocycle-naphthalene diimide oligomers as organic semiconductors and transistors therefrom |
KR101938761B1 (ko) * | 2012-05-23 | 2019-01-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140010306A (ko) * | 2012-07-16 | 2014-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-12-25 WO PCT/JP2013/084619 patent/WO2014106938A1/ja active Application Filing
- 2013-12-25 US US14/651,003 patent/US20150318502A1/en not_active Abandoned
- 2013-12-25 JP JP2014549228A patent/JP5787038B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014106938A1 (ja) | 2014-07-10 |
US20150318502A1 (en) | 2015-11-05 |
JPWO2014106938A1 (ja) | 2017-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5787038B2 (ja) | 透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP5499422B2 (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
CN103403903B (zh) | 场效应晶体管及其制造方法 | |
CN100593869C (zh) | 平板显示器和平板显示器的制造方法 | |
Xu et al. | Selective conversion from p-type to n-type of printed bottom-gate carbon nanotube thin-film transistors and application in complementary metal–oxide–semiconductor inverters | |
JP4844767B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器 | |
WO2016115824A1 (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法 | |
JP2007150156A (ja) | トランジスタおよびその製造方法 | |
TW200843118A (en) | Ambipolar transistor design | |
JP5066846B2 (ja) | 有機トランジスタおよびその製造方法 | |
KR102450399B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 그 제조 방법, 그리고 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자 장치 | |
JP2009176828A (ja) | 薄膜トランジスタ、マトリクス基板、電気泳動表示装置および電子機器 | |
JP4826074B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
JP5447996B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器 | |
JP5729055B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム | |
US7872258B2 (en) | Organic thin-film transistors | |
US20170200889A1 (en) | Method for manufacturing transistor according to selective printing of dopant | |
JP6191235B2 (ja) | 有機トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2010118445A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2012068573A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置並びに薄膜トランジスタアレイの製造方法 | |
JP2010258126A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP6369098B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2013168601A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2008300546A (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
JP2007110007A (ja) | 有機電界効果トランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150630 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150713 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5787038 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |