JP6191235B2 - 有機トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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以下の工程により、有機トランジスタを製造した。
実施例1において、有機半導体層の有機半導体材料をペンタセンからP3HTに変更し、ソース・ドレイン電極を形成した支持基板上にスピンコート法により膜厚100nmに膜形成した以外は実施例1と同様にして、有機トランジスタを製造した。
固体ゲート絶縁層の形成までは実施例1と同様にした。別な石英ガラスを抵抗加熱蒸着装置に装着し、膜厚30nmのAuをマスク蒸着して、ゲート電極を形成した。
実施例1において、固体ゲート絶縁層を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、有機トランジスタを製造した。
実施例1において、イオンゲルからなるゲート絶縁層を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、有機トランジスタを製造した。
実施例2において、固体ゲート絶縁層を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、有機トランジスタを製造した。
実施例1〜3、比較例1〜3の有機薄膜トランジスタについて、移動度を測定した。なお、移動度は半導体パラメータ測定装置(Agilent社製)で測定されたゲート電圧−ドレイン電流特性より求めた。ON電流はゲート電圧をかけたときのソース・ドレイン電流、OFF電流は0Vのゲート電圧時のソース・ドレイン電流である。結果を表1にまとめて記す。
2:ソース電極
3:ドレイン電極
4:有機半導体層
5:固体ゲート絶縁層
6:イオンゲルからなるゲート絶縁層
7:ゲート電極
Claims (4)
- 支持基板上に所定の間隔を隔てて形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された有機半導体層と、前記有機半導体層上に形成された比誘電率が4以下である固体ゲート絶縁層と、前記固体ゲート絶縁層上に形成されたイオンゲルからなるゲート絶縁層と、前記イオンゲルからなるゲート絶縁層上にゲート電極を備えていることを特徴とする有機トランジスタ。
- 支持基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたイオンゲルからなるゲート絶縁層と、別の支持基板上に所定の間隔を隔てて形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された有機半導体層と、前記有機半導体層上に形成された比誘電率が4以下である固体ゲート絶縁層とを備え、前記イオンゲルからなるゲート絶縁層と前記固体ゲート絶縁層とが対向に張り合わされて形成されていることを特徴とする有機トランジスタ。
- 支持基板上に所定の間隔を隔ててソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層上に比誘電率が4以下である固体ゲート絶縁層を形成する工程と、前記固体ゲート絶縁層上にイオンゲルからなるゲート絶縁層を形成する工程と、前記イオンゲルからなるゲート絶縁層上にゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とする有機トランジスタの製造方法。
- 支持基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上にイオンゲルからなるゲート絶縁層を形成する工程と、別の支持基板上に所定の間隔を隔ててソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層上に比誘電率が4以下である固体ゲート絶縁層を形成する工程と、前記イオンゲルからなるゲート絶縁層と前記固体ゲート絶縁層とを対向に張り合わせる工程を含むことを特徴とする有機トランジスタの製造方法。
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