JP5598410B2 - 有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子 - Google Patents
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Description
まず、本発明の有機半導体素子の製造方法について説明する。本発明の有機半導体素子の製造方法は、2つの態様に大別することができる。以下、各態様に分けて、本発明の有機半導体素子の製造方法について説明する。
まず、本発明の第1態様の有機半導体素子の製造方法について説明する。本態様の有機半導体素子の製造方法は、ソース電極およびドレイン電極を覆うように有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極間のチャネル領域上に、第一誘電体層を形成する第一誘電体層形成工程と、上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に、第二誘電体層を形成する第二誘電体層形成工程と、を有し、上記第二誘電体層は、上記第一誘電体層の周囲で上記有機半導体層と接触する接触部を有し、上記接触部における上記有機半導体層および上記第二誘電体層の界面に、上記有機半導体層と上記第二誘電体層とが混ざり合った混合層を形成することを特徴とするものである。
以下、本態様の有機半導体素子の製造方法における各工程について説明する。
まず、本態様における有機半導体層形成工程について説明する。本工程は、ソース電極およびドレイン電極を覆うように有機半導体層を形成する工程である。
次に、本態様における第一誘電体層形成工程について説明する。本工程は、上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極間のチャネル領域上に、第一誘電体層を形成する工程である。
一方、後述する第二誘電体層形成工程において、第二誘電体層形成用樹脂を圧着させることにより、第二誘電体層を形成する場合であって、上記第二誘電体層形成用樹脂が熱可塑性樹脂である場合、第一誘電体層の材料は、上述した第一誘電体層の形成方法に関係なく、上記第二誘電体層形成用樹脂の圧着温度に耐えられるものである。通常、上記圧着温度は、上記第二誘電体層形成用樹脂のガラス転移点(Tg)よりも高い温度であり、上記第二誘電体層形成用樹脂の軟化点(Ts)よりも高いことが好ましいことから、上記第一誘電体層の材料のTgは、少なくとも第二誘電体層形成用樹脂のTgよりも高いものであり、第二誘電体層形成用樹脂のTsよりも高い温度であることが好ましい。
次に、本態様における第二誘電体層形成工程について説明する。本工程は、上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に、第二誘電体層を形成する工程である。本工程により形成される第二誘電体層は、上記第一誘電体層の周囲で上記有機半導体層と接触する接触部を有する。また、本工程により第二誘電体層を形成することで、上記接触部における有機半導体層および第二誘電体層の界面に、有機半導体層と第二誘電体層とが混ざり合った混合層を形成する。
また、上記第二誘電体層の材料としては、有機材料であってもよく、無機材料であってもよく、有機・無機ハイブリッド材料であってもよいが、中でも、有機高分子材料であることが好ましい。有機高分子材料はプロセス温度が低く、一般的に高温プロセスに弱い有機半導体材料にダメージを与えにくいからである。また、上記第二誘電体層形成用塗工液に用いられる有機高分子材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等を挙げることができ、中でも、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂が好ましい。これらの材料は、プロセス温度が低く、一般的に高温プロセスに弱い有機半導体材料にダメージを与えにくいからである。
加熱圧着する第二誘電体層形成用樹脂としては、例えば、加熱により粘着性を有する熱可塑性樹脂を挙げることができ、具体的には、ポリスチレンなどの芳香族ビニル系樹脂、ポリアクリロニトリルなどのシアン化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニルなどの塩素系樹脂、ポリメチルメタクリレート等のポリメタアクリル酸エステル系樹脂やポリアクリル酸エステル系樹脂、ポリエチレンやポリプロピレンや環状ポリオレフィン樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ酢酸ビニルなどのポリビニルエステル系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂及びこれらの誘導体樹脂、ポリメタクリル酸系樹脂やポリアクリル酸系樹脂及びこれらの金属塩系樹脂、ポリ共役ジエン系樹脂、マレイン酸やフマル酸及びこれらの誘導体を重合して得られるポリマー、マレイミド系化合物を重合して得られるポリマー、非晶性半芳香族ポリエステルや非晶性全芳香族ポリエステルなどの非晶性ポリエステル系樹脂、結晶性半芳香族ポリエステルや結晶性全芳香族ポリエステルなどの結晶性ポリエステル系樹脂、脂肪族ポリアミドや脂肪族−芳香族ポリアミドや全芳香族ポリアミドなどのポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアルキレンオキシド系樹脂、セルロース系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリフェニレンスルフィド系樹脂、ポリケトン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリエーテルケトン系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂、フェノキシ系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、液晶ポリマー、及びこれら例示されたポリマーのランダム・ブロック・グラフト共重合体、等を挙げることができ、中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリル酸メチル、ポリプロピレン等が好ましい。これらはガラス転移温度がおおよそ60℃〜120℃であるため、有機半導体素子作製後に室温で軟化することなく、また一般的に高温プロセスに弱い有機半導体材料にダメージを与えにくいからである。
加熱圧着する際の圧着温度は、通常、第二誘電体層形成用樹脂のガラス転移点(Tg)よりも高い温度であり、第二誘電体層形成用樹脂の軟化点(Ts)よりも高い温度であることが好ましい。上記圧着温度は、本工程において使用する第二誘電体層形成用樹脂に応じて適宜設定されるものであるが、通常、50℃〜200℃の範囲内とされる。
また、常温圧着する第二誘電体層形成用樹脂としては、例えば、常温で粘着性を有する粘着性樹脂を挙げることができ、具体的には、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系、等の光硬化性樹脂、PU(ポリウレタン)、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン系樹脂、グアナミン樹脂、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル、オリゴエステルアクリレート、ジアリルフタレート、DKF樹脂(レゾルシノール系樹脂の一種)、キシレン樹脂、エポキシ樹脂、フラン樹脂、PI(ポリイミド系)樹脂、PEI(ポリエーテルイミド)樹脂、PAI(ポリアミドイミド)等の熱硬化性樹脂等を挙げることができる。
本態様の有機半導体素子の製造方法は、少なくとも、有機半導体層形成工程と、第一誘電体層形成工程と、第二誘電体層形成工程とを有するものであるが、必要に応じて他の工程を有していてもよいものである。本態様に用いられる他の工程は、特に限定されるものではなく、本態様において製造される有機半導体素子の用途等に応じて、任意の工程を用いることができる。本態様においては、上記他の工程として、上記有機半導体層形成工程の前に、基板と、上記基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように上記基板上に形成されたゲート絶縁層とを有する電極積層体を用い、上記電極積層体の上記ゲート絶縁層上に上記ソース電極および上記ドレイン電極を形成するソース電極およびドレイン電極形成工程を有していてもよい。上記ソース電極およびドレイン電極形成工程を有することにより、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体素子を形成することができる。
また、上記基板の厚みは、上記基板の種類等に応じて適宜決定されるものであるが、通常、1mm以下であることが好ましく、中でも、1μm〜700μmの範囲内であることが好ましい。
また、上記ゲート電極の厚みは、当該ゲート電極を形成するために用いられる導電性材料の種類等に応じて、所望の導電性を達成できる範囲内で適宜決定されるものであるが、通常、10nm〜1μmの範囲内であることが好ましい。
また、上記ゲート絶縁層の厚みは、当該ゲート絶縁層を形成するために用いられる絶縁性材料の種類等に応じて、所望の絶縁性を達成できる範囲内で適宜決定されるものであるが、通常、10nm〜5μmの範囲内であることが好ましい。
なお、上記ゲート電極形成工程において、ゲート電極を形成するために用いられる構成材料、および形成されるゲート電極の厚みについては、上述した内容と同様である。
また、上記ソース電極およびドレイン電極形成工程に用いられる基板、ソース電極およびドレイン電極の厚みおよび形成方法については、上述した内容と同様である。
なお、上記ゲート電極形成工程において、ゲート電極を形成するために用いられる構成材料、および形成されるゲート電極の厚みについては、上述した内容と同様である。
また、上記ソース電極およびドレイン電極形成工程については、上述した内容と同様である。
次に、本発明の第2態様の有機半導体素子の製造方法について説明する。本態様の有機半導体素子の製造方法は、ソース電極およびドレイン電極を覆うように有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、第二誘電体層形成用樹脂上に第一誘電体層を形成してなる誘電体層積層体を用い、上記第一誘電体層が上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極間のチャネル領域上に配置されるように上記誘電体層積層体を圧着させることにより、上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に、第二誘電体層を形成する第一誘電体層および第二誘電体層形成工程と、を有し、上記第二誘電体層は、上記第一誘電体層の周囲で上記有機半導体層と接触する接触部を有し、上記接触部における上記有機半導体層および上記第二誘電体層の界面に、上記有機半導体層と上記第二誘電体層とが混ざり合った混合層を形成することを特徴とするものである。
以下、本態様の有機半導体素子の製造方法における各工程について説明する。
なお、本態様における有機半導体層形成工程については、上記「1.第1態様」の「(1)有機半導体層形成工程」の項において説明した工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
まず、本態様における第一誘電体層および第二誘電体層形成工程について説明する。本工程は、第二誘電体層形成用樹脂上に第一誘電体層を形成してなる誘電体層積層体を用い、上記第一誘電体層が上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極間のチャネル領域上に配置されるように上記誘電体層積層体を圧着させることにより、上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に、第二誘電体層を形成する工程である。本工程により形成される第二誘電体層は、上記第一誘電体層の周囲で上記有機半導体層と接触する接触部を有する。また、本工程により第二誘電体層を形成することで、上記接触部における有機半導体層および第二誘電体層の界面に、有機半導体層と第二誘電体層とが混ざり合った混合層を形成する。
本態様の有機半導体素子の製造方法は、少なくとも、有機半導体層形成工程と、第一誘電体層および第二誘電体層形成工程とを有するものであるが、必要に応じて他の工程を有していてもよいものである。本態様に用いられる他の工程は、特に限定されるものではなく、本態様において製造される有機半導体素子の用途等に応じて、任意の工程を用いることができる。本態様においては、上記他の工程として、上記有機半導体層形成工程の前に、基板と、上記基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように上記基板上に形成されたゲート絶縁層とを有する電極積層体を用い、上記電極積層体の上記ゲート絶縁層上に上記ソース電極および上記ドレイン電極を形成するソース電極およびドレイン電極形成工程を有していてもよい。上記ソース電極およびドレイン電極形成工程を有することにより、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体素子を形成することができる。
次に、本発明の有機半導体素子について説明する。本発明の有機半導体素子は、ソース電極およびドレイン電極と、上記ソース電極および上記ドレイン電極を覆うように形成された有機半導体層と、上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極間のチャネル領域上に形成された第一誘電体層と、上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に形成された第二誘電体層と、を有し、上記第二誘電体層は、上記第一誘電体層の周囲で上記有機半導体層と接触する接触部を有し、上記接触部における上記有機半導体層および上記第二誘電体層の界面に、上記有機半導体層と上記第二誘電体層とが混ざり合った混合層が形成されていることを特徴とするものである。
以下、本発明の有機半導体素子における各構成について説明する。
まず、本発明における有機半導体層について説明する。本発明における有機半導体層は、ソース電極およびドレイン電極を覆うように形成されるものである。上記有機半導体層は、通常、有機半導体材料からなるものである。なお、本発明に用いられる有機半導体材料については、上記「A.有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。また、上記有機半導体層の厚み等についても、上記「A.有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様である。
次に、本発明における第二誘電体層について説明する。本発明における第二誘電体層は、第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に形成されるものである。また、上記第二誘電体層は、上記第一誘電体層の周囲で上記有機半導体層と接触する接触部を有するものである。上記第二誘電体層の材料および厚み等、ならびに上記接触部については、上記「A.有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
次に、本発明における混合層について説明する。本発明における混合層は、上記接触部における上記有機半導体層および上記第二誘電体層の界面に、上記有機半導体層と上記第二誘電体層とが混ざり合ったものである。上記混合層が形成されていることを判断する方法、および上記混合層の詳細については、上記「A.有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
次に、本発明における第一誘電体層について説明する。本発明における第一誘電体層は、上記有機半導体層上の少なくともソース電極およびドレイン電極間のチャネル領域上に形成されるものである。上記第一誘電体層の材料および厚み等については、上記「A.有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様であるので、ここでの記載は省略する。
次に、本発明におけるソース電極およびドレイン電極について説明する。本発明におけるソース電極およびドレイン電極は、互いに一定の間隔をもって対向するように形成されるものである。また、ソース電極およびドレイン電極間に設けられた間隔は、チャネル領域となるものである。上記ソース電極および上記ドレイン電極については、上記「A.有機半導体素子の製造方法」の項において記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
本発明の有機半導体素子は、少なくとも、上記ソース電極および上記ドレイン電極、上記有機半導体層、上記第一誘電体層、上記第二誘電体層、および混合層を有するものであり、必要に応じて他の構成を有していてもよいものである。本発明に用いられる他の構成としては、特に限定されるものではなく、本発明の有機半導体素子の用途や、本発明の有機半導体素子の製造方法等に応じて、所望の機能を有するものを適宜選択して用いることができる。本発明においては、上記他の構成として、通常、基板、ゲート電極、およびゲート絶縁層が用いられる。なお、基板、ゲート電極、およびゲート絶縁層については、上記「A.有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
(電極積層体の作製)
<基板、ゲート電極およびゲート絶縁層>
基板としては、厚さ約3000Å(300nm)の酸化ケイ素層が付した厚さ0.6mmのn−ヘビードープシリコンウエハを用いた。これは、n−ヘビードープシリコン部がゲート電極として機能する一方、酸化ケイ素層はゲート絶縁層として働くものであり、その静電容量は約11nF/cm2(ナノファラッド/平方センチメートル)であった。
上記電極積層体の上記ゲート絶縁層上に、厚さ30nmのAuを、W(幅)=1000μm、L(長さ)=50μmにてシャドウマスクを通して真空蒸着し、ソース電極およびドレイン電極とした。
上記ソース電極および上記ドレイン電極を覆うように上記ゲート絶縁層上に、有機半導体材料である6,13‐ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン(TIPSペンタセン)を1wt%でキシレンに溶解させた有機半導体層形成用塗工液を厚さ40nmとなるように、スピンコート(1000rpm、30秒)し、100℃で1分間乾燥することにより、有機半導体層を形成した。
上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極間のチャネル領域上に、Teflon AF(三井・デュポンフルオロケミカル株式会社製)を6wt%でフロリナートFC−40(住友スリーエム株式会社製)に溶解させた第一誘電体層形成用塗工液をスクリーン印刷法にて塗布し、100℃で20分間乾燥することにより、厚さ1μmの第一誘電体層を形成した。
上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)を5wt%でPEGMEAに溶解させた第二誘電体層形成用塗工液をスピンコート法にて塗布し、100℃で10分間乾燥することにより、厚さ0.5μmの第二誘電体層を形成することで、有機半導体素子を作製した。
上記第二誘電体層形成工程を行わなかったこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
上記第一誘電体層形成工程および上記第二誘電体層形成工程の代わりに、下記の第一誘電体層および第二誘電体層形成工程を行ったこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
第二誘電体層形成用樹脂である厚さ100μmのパウチフィルム(株式会社明光商会製)上に、Teflon AF(三井・デュポンフルオロケミカル株式会社製)を6wt%でフロリナートFC−40(住友スリーエム株式会社製)に溶解させた第一誘電体層形成用塗工液をスクリーン印刷法にて塗布し、100℃で10分間乾燥することにより、厚さ1μmの第一誘電体層を形成することで、誘電体層積層体を形成した。上記誘電体層積層体を用い、上記第一誘電体層が上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極間のチャネル領域上に配置されるように上記誘電体層積層体をラミネータ(GLM350R6:日本GBC株式会社製)にて100℃で加熱圧着させることにより、上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に第二誘電体層を形成することで、有機半導体素子を作製した。
上記第一誘電体層および第二誘電体層形成工程を行わなかったこと以外は、実施例2と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
上記第二誘電体層形成工程の代わりに、下記の第二誘電体層形成工程を行ったこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に、第二誘電体層形成用樹脂である厚さ100μmのパウチフィルム(株式会社明光商会製)をラミネータ(GLM350R6:日本GBC株式会社製)にて100℃で加熱圧着させることにより、第二誘電体層を形成することで、有機半導体素子を作製した。
上記第二誘電体層形成工程を行わなかったこと以外は、実施例3と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
(有機半導体素子の観察)
上記実施例および比較例において作製した有機半導体素子について、角度分解型微小領域X線光電子分光装置(Theta Probe:Thermofisherscientific社製)を用いて測定した。測定は、実施例1においては有機半導体素子上面から、実施例2、実施例3においてはパウチフィルムを剥がした後、上面から行った。その結果、実施例1〜3において、第一誘電体層が形成されていない部分で、有機半導体層および第二誘電体層に由来するピークが観測されており、第一誘電体層が形成されていない部分で、有機半導体層と第二誘電体層との混合層が形成されていることが確認された。
上記実施例および比較例において作製した有機半導体素子について、トランジスタ特性評価した。トランジスタ特性評価は、KEITHLEY製 237HIGH VOLTAGE SOURCE MEASUREMENT UNITで行った。キャリヤ移動度(μ)は、飽和領域(ゲート電圧VG<ソース・ドレイン電圧VSD)におけるデータより、下記式に従って計算した。式中、IDは飽和領域におけるドレイン電流であり、WとLはそれぞれ半導体チャネルの幅と長さであり、Ciはゲート電極の単位面積当たりの静電容量であり、VGおよびVTはそれぞれ、ゲート電圧および閾電圧である。この装置のVTは、飽和領域におけるIDの平方根と、測定データからID=0を外挿して求めた装置のVGとの関係から求めた。
ID=Ciμ(W/2L)(VG−VT)2
2 … ドレイン電極
3 … 有機半導体層
4 … 第一誘電体層
5 … 第二誘電体層
5’ … 第二誘電体層形成用樹脂
6 … 混合層
7 … 誘電体層積層体
10 … 有機半導体素子
11 … 基板
12 … ゲート電極
13 … ゲート絶縁層
14 … 電極積層体
C … チャネル領域
X … 接触部
Claims (7)
- ソース電極およびドレイン電極を覆うように有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、
前記有機半導体層上の少なくとも前記ソース電極および前記ドレイン電極間のチャネル領域上に、第一誘電体層を形成する第一誘電体層形成工程と、
前記第一誘電体層を覆うように前記有機半導体層上に、第二誘電体層を形成する第二誘電体層形成工程と、
を有し、
前記第二誘電体層は、前記第一誘電体層の周囲で前記有機半導体層と接触する接触部を有し、前記接触部における前記有機半導体層および前記第二誘電体層の界面から前記有機半導体層内に、前記有機半導体層と前記第二誘電体層とが混ざり合った混合層を形成するものであり、
前記第一誘電体層で保護された前記有機半導体層の部分では、前記有機半導体層および前記第一誘電体層の界面に前記混合層が形成されていないことを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 - 前記第二誘電体層形成工程において、第二誘電体層形成用塗工液を塗布することにより、前記第二誘電体層を形成することを特徴とする請求項1に記載の有機半導体素子の製造方法。
- 前記第二誘電体層形成工程において、第二誘電体層形成用樹脂を圧着させることにより、前記第二誘電体層を形成することを特徴とする請求項1に記載の有機半導体素子の製造方法。
- ソース電極およびドレイン電極を覆うように有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、
第二誘電体層形成用樹脂上に第一誘電体層を形成してなる誘電体層積層体を用い、前記第一誘電体層が前記有機半導体層上の少なくとも前記ソース電極および前記ドレイン電極間のチャネル領域上に配置されるように前記誘電体層積層体を圧着させることにより、前記第一誘電体層を覆うように前記有機半導体層上に、第二誘電体層を形成する第一誘電体層および第二誘電体層形成工程と、
を有し、
前記第二誘電体層は、前記第一誘電体層の周囲で前記有機半導体層と接触する接触部を有し、前記接触部における前記有機半導体層および前記第二誘電体層の界面から前記有機半導体層内に、前記有機半導体層と前記第二誘電体層とが混ざり合った混合層を形成するものであり、
前記第一誘電体層で保護された前記有機半導体層の部分では、前記有機半導体層および前記第一誘電体層の界面に前記混合層が形成されていないことを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 - 前記有機半導体層形成工程の前に、基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように前記基板上に形成されたゲート絶縁層とを有する電極積層体を用い、前記電極積層体の前記ゲート絶縁層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成するソース電極およびドレイン電極形成工程を有することを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載の有機半導体素子の製造方法。
- ソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように形成された有機半導体層と、
前記有機半導体層上の少なくとも前記ソース電極および前記ドレイン電極間のチャネル領域上に形成された第一誘電体層と、
前記第一誘電体層を覆うように前記有機半導体層上に形成された第二誘電体層と、
を有し、
前記第二誘電体層は、前記第一誘電体層の周囲で前記有機半導体層と接触する接触部を有し、前記接触部における前記有機半導体層および前記第二誘電体層の界面から前記有機半導体層内に、前記有機半導体層と前記第二誘電体層とが混ざり合った混合層が形成されており、
前記第一誘電体層で保護された前記有機半導体層の部分では、前記有機半導体層および前記第一誘電体層の界面に前記混合層が形成されていないことを特徴とする有機半導体素子。 - 前記ソース電極および前記ドレイン電極が、基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように前記基板上に形成されたゲート絶縁層とを有する電極積層体の前記ゲート絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の有機半導体素子。
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