JP2015041642A - 電子デバイス、画像表示装置、及び、画像表示装置を構成する基板 - Google Patents

Abstract

【課題】有機半導体材料から成る能動層を確実に保護することができ、且つ、電子デバイスの全面を覆う絶縁層の高い密着性を確保することができる電子デバイスを提供する。【解決手段】電子デバイスは、基体１０上に離間して形成された第１電極２６及び第２電極２７；有機半導体材料層１３から成り、第１電極２６と第２電極２７との間の基体１０上に形成された能動層２３、及び、能動層２３から延在する能動層延在部２４；少なくとも能動層２３上に形成された保護膜２８；並びに、全面を覆う絶縁層２９を備えており、保護膜２８は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、該２辺が交わる保護膜２８の頂点部分２８Ａは面取りされている。【選択図】 図１

Description

本開示は、電子デバイス、画像表示装置、及び、画像表示装置を構成する基板に関する。

現在、多くの電子機器に用いられている薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor，ＴＦＴ）を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、例えば、支持体上に形成されたゲート電極、ゲート電極上を含む支持体上に形成されたＳｉＯ₂から成るゲート絶縁層、並びに、ゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域及びソース／ドレイン電極から構成されている。そして、このような構造を有する電界効果トランジスタの作製には、通常、非常に高価な半導体製造装置が使用されており、製造コストの低減が強く要望されている。

そうした中、最近、有機半導体材料層を能動層に用いた電子デバイスの開発が精力的に行われており、その中でも、有機トランジスタ等の有機エレクトロニクスデバイス（以下、単に、有機デバイスと略称する場合がある）が注目を浴びている。この有機デバイスの最終的な目標として、低コスト、軽量、可撓性、高性能を挙げることができる。有機半導体材料層を構成する有機半導体材料は、シリコンを中心とする無機材料と比較して、
（１）低温で、簡易なプロセスにて、大面積の有機デバイスを低コストで製造することができる。
（２）可撓性を有する有機デバイスを製造することが可能である。
（３）有機材料を構成する分子を所望の形態に修飾することで、有機デバイスの性能や物性を制御することができる。
といった種々の利点を有している。そして、特に、低温で、簡易なプロセスとして、印刷法等の塗布成膜法の検討が進められている。

ところで、外部から侵入してくる酸素及び水分によって有機半導体材料層が変質し、有機デバイスとしての性能が劣化する虞がある。そのため、高い信頼性を有する有機デバイスを製造するためには、パッシベーション膜等の絶縁層によって有機半導体材料層を外部から遮断する必要がある。然るに、絶縁層を、直接、有機半導体材料層から成る能動層上に形成すると、能動層にダメージが生じ、デバイス特性が劣化する虞がある。

このような問題の発生を回避するための技術が、例えば、特開２０１３−０３０７３０から周知である。この特許公開公報に開示された技術にあっては、フッ素樹脂等から成る保護膜を有機半導体材料層の上に形成した後、その上に絶縁層（パッシベーション膜）を形成する。保護膜は、所望の平面形状にパターニングされている。

特開２０１３−０３０７３０

上記の特許公開公報に開示された技術にあっては、有機半導体材料層を効果的に保護することができるが、保護膜を形成した後、絶縁層を、例えば、スピンコート法にて成膜したとき、パターニングされた保護膜が下地から剥離する虞がある。保護膜をパターニングしなければ、保護膜に剥離は生じ難いものの、今度は、絶縁層と保護膜との間の密着性に問題が生じる場合がある。

従って、本開示の目的は、有機半導体材料層から成る能動層を確実に保護することができ、且つ、電子デバイスの全面を覆う絶縁層に高い密着性を確保することができる構成、構造の電子デバイス、並びに、係る電子デバイスを備えた画像表示装置及び画像表示装置を構成する基板を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る電子デバイスは、所謂ボトムコンタクト型の電子デバイスであり、
基体上に離間して形成された第１電極及び第２電極、
有機半導体材料層から成り、第１電極と第２電極との間の基体上に形成された能動層、及び、能動層から延在する能動層延在部、
少なくとも能動層上に形成された保護膜、並びに、
全面を覆う絶縁層、
を備えており、
保護膜は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、
該２辺が交わる保護膜の頂点部分は面取りされている。

上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る電子デバイスは、所謂トップコンタクト型の電子デバイスであり、
有機半導体材料層から成り、基体上に形成された能動層、及び、能動層から延在する能動層延在部、
能動層延在部上に、離間して、且つ、能動層を挟んで形成された第１電極及び第２電極、
少なくとも能動層上に形成された保護膜、並びに、
全面を覆う絶縁層、
を備えており、
保護膜は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、
該２辺が交わる保護膜の頂点部分は面取りされている。

上記の目的を達成するための本開示の画像表示装置を構成する基板は、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る電子デバイスの複数が、第１の方向及び第２の方向に２次元マトリクス状に配列された基板である。

上記の目的を達成するための本開示の画像表示装置は、本開示の画像表示装置を構成する基板を備えている。

本開示の電子デバイス、本開示の画像表示装置や画像表示装置を構成する基板に備えられた電子デバイスにおいて、保護膜は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、これらの２辺が交わる保護膜の頂点部分は面取りされているので、絶縁層の形成時、保護膜に剥離が生じることが無く、能動層を確実に保護することができる。しかも、保護膜がパターニングされているので、電子デバイスの全面を覆う絶縁層に高い密着性を確保することができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。

図１Ａ、及び、図１Ｂは、実施例１の電子デバイスの模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図２Ａ、及び、図２Ｂは、実施例１の電子デバイスの変形の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図３Ａ、及び、図３Ｂは、実施例１の電子デバイスの別の変形の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図４Ａ、及び、図４Ｂは、実施例１の電子デバイスの更に別の変形の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図５Ａ、及び、図５Ｂは、実施例２の電子デバイスの模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図６Ａ、及び、図６Ｂは、実施例２の電子デバイスの変形の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図７Ａ、及び、図７Ｂは、実施例２の電子デバイスの別の変形の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図８Ａ、及び、図８Ｂは、実施例２の電子デバイスの更に別の変形の変形例の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図９Ａ、及び、図９Ｂは、実施例３の電子デバイスの模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図１０Ａ、及び、図１０Ｂは、実施例３の電子デバイスの変形の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図１１Ａ、及び、図１１Ｂは、実施例３の電子デバイスの別の変形の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図１２Ａ、及び、図１２Ｂは、実施例３の電子デバイスの更に別の変形の変形例の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図１３Ａ、及び、図１３Ｂは、実施例４の電子デバイスの模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図１４Ａ、及び、図１４Ｂは、実施例４の電子デバイスの変形の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図１５Ａ、及び、図１５Ｂは、実施例４の電子デバイスの別の変形の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図１６Ａ、及び、図１６Ｂは、実施例４の電子デバイスの更に別の変形の変形例の模式的な一部断面図、及び、能動層等の配置を示す模式図である。 図１７Ａ、図１７Ｂ及び図１７Ｃは、実施例１の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図１８Ａ、図１８Ｂ及び図１８Ｃは、実施例２の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図１９Ａ、図１９Ｂ及び図１９Ｃは、実施例３の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図２０Ａ、図２０Ｂ及び図２０Ｃは、実施例４の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図２１Ａ及び図２１Ｂは、実施例５の電子デバイスの模式的な一部断面図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様及び第２の態様に係る電子デバイス、画像表示装置、及び、画像表示装置を構成する基板、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る電子デバイス（ボトムコンタクト／ボトムゲート型）、画像表示装置、及び、画像表示装置を構成する基板）
３．実施例２（本開示の第１の態様に係る電子デバイス（ボトムコンタクト／トップゲート型）、画像表示装置、及び、画像表示装置を構成する基板）
４．実施例３（本開示の第２の態様に係る電子デバイス（トップコンタクト／ボトムゲート型）、画像表示装置、及び、画像表示装置を構成する基板）
５．実施例４（本開示の第２の態様に係る電子デバイス（トップコンタクト／トップゲート型）、画像表示装置、及び、画像表示装置を構成する基板）、その他

［本開示の第１の態様及び第２の態様に係る電子デバイス、画像表示装置、及び、画像表示装置を構成する基板、全般に関する説明］
本開示の第１の態様に係る電子デバイス、並びに、本開示の画像表示装置及び画像表示装置を構成する基板における本開示の第１の態様に係る電子デバイスを、総称して、『本開示の第１の態様に係る電子デバイス等』と呼ぶ場合があり、また、本開示の第２の態様に係る電子デバイス、並びに、本開示の画像表示装置及び画像表示装置を構成する基板における本開示の第２の態様に係る電子デバイスを、総称して、『本開示の第２の態様に係る電子デバイス等』と呼ぶ場合がある。

本開示の第１の態様に係る電子デバイス等あるいは本開示の第２の態様に係る電子デバイス等にあっては、辺が鋭角にて交わる保護膜の全ての頂点部分は面取りされている形態とすることができる。

上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る電子デバイス等にあっては、
能動層延在部の外形は閉曲線から構成されており、
保護膜は、能動層及び能動層延在部を覆っており、又は、能動層延在部の一部の上及び能動層の上に形成されており、又は、能動層の上に形成されている形態とすることができる。

あるいは又、有機半導体材料層から成り、不活性処理が施された不活性領域が、能動層延在部から延在している形態とすることができる。そして、この場合、保護膜は、能動層及び能動層延在部を覆っており、又は、能動層延在部の一部の上及び能動層の上に形成されており、又は、能動層の上に形成されている形態とすることができる。

本開示の第１の態様に係る電子デバイス等は、所謂２端子型電子デバイスとすることができるし、制御電極を更に備えている形態とすることもできる。即ち、後者の形態の電子デバイスは、所謂３端子型電子デバイスである。

即ち、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る電子デバイス等において、
基体は、電子デバイス製造用基板上に形成された制御電極、及び、制御電極を覆う層間絶縁層から成り、
制御電極は、層間絶縁層を介して能動層に対向している構成とすることができる。具体的には、
薄膜トランジスタから成り、
制御電極は、ゲート電極に相当し、
層間絶縁層は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極及び第２電極は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層は、チャネル形成領域に相当する構成とすることができる。

あるいは又、絶縁層を介して能動層に対向した制御電極を更に備えている構成とすることができる。具体的には、
薄膜トランジスタから成り、
制御電極は、ゲート電極に相当し、
絶縁層は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極及び第２電極は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層は、チャネル形成領域に相当する構成とすることができる。

上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る電子デバイス等にあっては、
能動層延在部の外形は閉曲線から構成されており、
保護膜は、能動層及び能動層延在部を覆っており、又は、能動層延在部の一部の上及び能動層の上に形成されており、又は、能動層の上に形成されている形態とすることができる。

あるいは又、有機半導体材料層から成り、不活性処理が施された不活性領域が、能動層延在部から延在している形態とすることができる。

本開示の第２の態様に係る電子デバイス等は、所謂２端子型電子デバイスとすることができるし、制御電極を更に備えている形態とすることもできる。即ち、後者の形態の電子デバイスは、所謂３端子型電子デバイスである。

即ち、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る電子デバイス等において、
基体は、電子デバイス製造用基板上に形成された制御電極、及び、制御電極を覆う層間絶縁層から成り、
制御電極は、層間絶縁層を介して能動層に対向している構成とすることができる。具体的には、
薄膜トランジスタから成り、
制御電極は、ゲート電極に相当し、
層間絶縁層は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極及び第２電極は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層は、チャネル形成領域に相当する構成とすることができる。

あるいは又、絶縁層を介して能動層に対向した制御電極を更に備えている構成とすることができる。具体的には、
薄膜トランジスタから成り、
制御電極は、ゲート電極に相当し、
絶縁層は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極及び第２電極は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層は、チャネル形成領域に相当する構成とすることができる。

以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る電子デバイス等及び本開示の第２の態様に係る電子デバイス等を総称して、以下、単に、『本開示の電子デバイス等』と呼ぶ場合がある。

複数の本開示の電子デバイス等を備えた本開示の画像表示装置を構成する基板（バックプレーン）にあっては、
第１の方向に沿って配列された複数の電子デバイスにおける制御電極は、第１の方向に沿って延びるゲート配線に接続されており、
第２の方向に沿って配列された複数の電子デバイスにおける第１電極あるいは第２電極は、第２の方向に沿って延びる信号配線に接続されている形態とすることができる。

本開示の電子デバイス等における面取り部分の形状として、弧、滑らかな曲線の一部分、１本の線分、複数本の線分の組合せ、線分と曲線の一部分の組合せを挙げることができる。また、上述したとおり、辺が鋭角にて交わる保護膜の全ての頂点部分が面取りされていることが好ましいが、場合によっては、複数の頂点部分の一部のみが面取りされていてもよく、この場合、各電子デバイスにおいて、電子デバイス製造用基板（あるいはバックプレーン）の中心に近い側の頂点部分を面取りすることが好ましい。能動層延在部の外形が閉曲線から構成されている場合、閉曲線、具体的には、単純閉曲線（ジョルダン閉曲線とも呼ばれる）には、線分の組合せ、曲線と線分の組合せが包含される。

本開示の電子デバイス等における保護膜を構成する材料は、保護層の形成時、有機半導体材料層を劣化させない材料であればよく、保護膜を構成する材料として、例えば、フッ素化ポリオレフィン、含フッ素アクリル樹脂や含フッ素ポリイミド樹脂等の縮合系含フッ素ポリマー、含フッ素エーテルポリマー、含フッ素環状エーテルポリマー、及び、これらを含む共重合体、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、パリレン樹脂等を挙げることができる。保護膜の形成方法として、蒸着法や、以下に述べる塗布法を挙げることができる。保護膜のパターニングは、保護膜を構成する材料にも依るが、各種のエッチング法を挙げることができるし、塗布法に依っては、パターニングすること無しに、所望の外形形状を有する保護膜を形成することができる。保護膜の最も単純な外形形状は矩形であるが、これに限定するものではなく、電子デバイスに要求される仕様に基づき外形形状を決定すればよい。

塗布法として、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷、フレキソ印刷、マイクロコンタクト法といった各種印刷法；スピンコート法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットコーター法、スリットオリフィスコーター法、キャップコート法、カレンダーコーター法、キャスティング法、キャピラリーコーター法、バーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スプレー法；ディスペンサーを用いる方法：スタンプ法といった、液状材料を塗布する方法を挙げることができる。

また、本開示の電子デバイス等において、絶縁層は、単層であってもよいし、多層であってもよい。絶縁層を構成する材料として、有機絶縁材料を挙げることができる。具体的には、有機絶縁材料として、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン、ポリ弗化ビニリデン、シアノエチルプルラン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスチレン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＥＡＰＴＭＳ）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＴＭＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等のシラノール誘導体（シランカップリング剤）、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂や、これらの樹脂のポリマーアロイや共重合体に例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。絶縁層の形成方法として、上述した各種の塗布法を挙げることができる。また、可視光や紫外線、電子線等の電磁波によって硬化する可視光硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、あるいは、熱によって硬化する熱硬化性樹脂を用いることもできる。絶縁層のパターニングは、絶縁層を構成する材料にも依るが、各種のエッチング法を挙げることができるし、塗布法に依っては、パターニングすること無しに、所望の外形形状を有する絶縁層を形成することができる。絶縁層の最も単純な外形形状は矩形であるが、これに限定するものではなく、電子デバイスに要求される仕様に基づき外形形状を決定すればよい。ボトムゲート型の電子デバイスにおいては、絶縁層は無機絶縁膜材料（例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、チタン酸ストロンチウム等）から構成することもでき、ＰＶＤ法やＣＶＤ法によって形成することができる。

照射条件を最適化したレーザ照射によって、有機半導体材料層の結晶性を低下させることで、不活性領域を得ることができる。あるいは又、有機半導体材料層の結晶構造、化学構造を変化させるプラズマ処理や、有機半導体材料層の化学構造を変化させる酸化剤処理等によって不活性領域を得ることもできる。ここで、不活性領域とは、能動層として機能しない領域を意味する。

本開示の電子デバイス等において、制御電極、第１電極、第２電極、ゲート電極やソース／ドレイン電極（以下、これらを総称して、『制御電極等』と呼ぶ場合がある）を構成する材料として、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ルテニウム（Ｒｈ）、ルビジウム（Ｒｂ）等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、ＩＴＯ、不純物を含有したポリシリコン等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造（例えば、ＭｏＯ_x／Ａｕ、ＣｕＯ／Ａｕ）とすることもできる。更には、制御電極等を構成する材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］やＴＴＦ−ＴＣＮＱ、ポリアニリンといった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。制御電極、第１電極、第２電極、ゲート電極やソース／ドレイン電極を構成する材料は、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

制御電極等の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、上述した各種の塗布法、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）、アーク放電法、ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、リフト・オフ法、シャドウマスク法、及び、電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができるし、インクやペーストを用いた各種塗布法を挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着、ルツボを加熱する方法等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。パターニングのためにレジストパターンを形成する場合、例えば、レジスト材料を塗布してレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ技術、レーザ描画技術、電子線描画技術あるいはＸ線描画技術等を用いてレジスト層をパターニングする。レジスト転写法等を用いてレジストパターンを形成してもよい。制御電極等をエッチング方法に基づき形成する場合、ドライエッチング法やウェットエッチング法を採用すればよく、ドライエッチング法として、例えば、イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を挙げることができる。また、制御電極等を、レーザアブレーション法、マスク蒸着法、レーザ転写法等に基づき形成することもできる。

本開示の電子デバイス等において、層間絶縁層あるいはゲート絶縁層（以下、これらを総称して、単に、『層間絶縁層等』と呼ぶ場合がある）は、単層であってもよいし、多層であってもよい。層間絶縁層等を構成する材料として、無機絶縁材料及び有機絶縁材料を挙げることができる。無機絶縁材料として、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮ_Y）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）や、酸化チタン、ＨｆＯ₂等の金属酸化物高誘電絶縁材料を挙げることができる。また、有機絶縁材料として、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスチレン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＥＡＰＴＭＳ）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＴＭＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等のシラノール誘導体（シランカップリング剤）、オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端にゲート電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料（有機ポリマー）にて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。ここで、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯ_X）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ₂系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。また、層間絶縁層等の形成方法として、上述した塗布法以外にも、上述した各種のＰＶＤ法やＣＶＤ法、ゾル−ゲル法、リフト・オフ法、シャドウマスク法、及び、電着法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができるし、レーザアブレーション法に基づきパターニングを行ってもよいし、感光性材料を用いて、露光・現像を行うことでパターニングを行ってもよい。

本開示の電子デバイス等において、有機半導体材料層を構成する有機半導体材料として、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ−３−ヘキシルチオフェン［Ｐ３ＨＴ］、ペンタセン［２，３，６，７−ジベンゾアントラセン］、ペンタセンの誘導体［ＴＩＰＳ（triisopropylsilylethynyl）−ペンタセン等］、６，１２−ジオキサアンタントレン（所謂、ペリキサンテノキサンテン，6,12-dioxaanthanthreneであり、『ＰＸＸ』と略称する場合がある）等を含むジオキサアンタントレン系化合物、ポリアントラセン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、トリフェニレン、ポリピロール及びその誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリアセチレン類、ポリジアセチレン類、ポリアズレン類、ポリフェニレン、ポリフラン類、ポリインドール、ポリビニルカルバゾール、ポリセレノフェン類、ポリテルロフェン、ポリイソチアナフテン等のイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン等のチェニレンビニレン類、ポリカルバゾール類、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリチエニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリピレン類、ポリアズレン、銅フタロシアニンで代表されるフタロシアニン、メロシアニン、ヘミシアニン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ピリダジン、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］、キナクリドンを例示することができる。あるいは又、有機半導体材料として、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマー、及び、チオフェン系の共役系オリゴマーから成る群から選択された化合物を挙げることができる。具体的には、例えば、アセン系分子（ペンタセン、テトラセン等）といった縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系分子、共役系オリゴマー（フェニルビニリデン系やチオフェン系）を挙げることができる。

あるいは又、有機半導体材料として、例えば、ポルフィリン、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、デンドリマー、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、アルファ−セキシチオフェン、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を例示することができる。

有機半導体材料には、必要に応じてポリマーが含まれていてもよい。ポリマーは有機溶剤に溶解すればよい。具体的には、ポリマー（有機結合剤、バインダー）として、ポリスチレン、ポリアルファメチルスチレン、ポリオレフィンを例示することができる。更には、場合によっては、添加物（例えば、ｎ型不純物やｐ型不純物といった、所謂ドーピング材料）を加えることもできる。

有機半導体材料溶液を調製するための溶媒として、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、デカリン等の炭化水素類等を例示することができる。なかでも、メシチレン、テトラリン、デカリン等の沸点が比較的高い溶媒を用いることが、トランジスタ特性の観点から、また、有機半導体材料層の形成時に有機半導体材料が急激に乾燥することを防止するといった観点から、好ましい。

有機半導体材料層の形成方法として、塗布法を挙げることができる。ここで、塗布法は、一般的な塗布法をいずれも問題なく使用することができ、具体的には、例えば、上述した各種の塗布法を挙げることができる。場合によっては、上述した各種のＰＶＤ法やＣＶＤ法等を用いることもできる。有機半導体材料層は、必要に応じて、例えば、レーザアブレーション法や、ドライエッチング法、ウェットエッチング法によってパターニングすればよい。

レーザアブレーション法に基づき有機半導体材料層をパターニングするために有機半導体材料層に照射するレーザ光として、例えば、ＫｒＦエキシマレーザから出射された波長２４８ｎｍのレーザ光や、ＹＡＧレーザから出射された波長１０６４ｎｍのレーザ光の第４高調波（２６６ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザから出射された波長３０８ｎｍのレーザ光を挙げることができる。有機半導体材料層に照射すべきレーザ光の照射エネルギーや照射時間は、各種の試験を行い、適宜、決定すればよい。レーザ光の照射方法として、有機半導体材料層の上方に配設されたレーザ光遮蔽マスクを介してレーザ光を一括して有機半導体材料層に照射する方法、あるいは又、例えば、有機半導体材料層等のパターンに合わせてレーザ光を、順次、有機半導体材料層に照射する方法を例示することができる。これらの方法を採用することで、レーザ光に照射される有機半導体材料層の領域を、適切に選択することができる。尚、前者の方法におけるレーザ光遮蔽マスクとして、例えば、ガラス板や石英板、プラスチック・フィルム、プラスチック板、金属板等にレーザ光を透過する領域とレーザ光を遮蔽する領域が形成されたマスクを用いればよい。レーザ光を遮蔽する領域には、例えばクロム（Ｃｒ）等の金属膜を形成すればよい。また、後者の方法として、具体的には、レーザ光ビームを、順次、ステップ移動させながら有機半導体材料層に照射する方法（より具体的には、電子デバイス製造用基板を載置したステージが所定の距離の移動と停止を繰り返し、所謂ラスタ走査方式あるいは所謂ベクタ走査方式と組み合わせて２次元的走査によってレーザ光ビームを有機半導体材料層に照射する方法）を挙げることができる。

電子デバイス製造用基板として、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチルエーテルケトン、ポリオレフィン、セルローストリアセテート、シクロオレフィンポリマー、ポリ塩化ビニル、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂に例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板を挙げることができ、あるいは又、雲母を挙げることができる。このような可撓性を有する有機ポリマー、高分子材料から構成された材料を使用すれば、例えば曲面形状を有する画像表示装置や電子機器への電子デバイスや半導体装置（ＴＦＴ）の組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは又、電子デバイス製造用基板として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、シリコン基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル等の各種合金や各種金属から成る金属基板、金属箔、紙を挙げることができる。電子デバイス製造用基板として、その他、導電性基板（金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板、ステンレス鋼基板等）を挙げることができる。これらの電子デバイス製造用基板の上に、密着性や平坦性を改善するためのバッファー層やガスバリア性を向上させるためのバリア膜等の機能性膜を形成してもよい。これらの電子デバイス製造用基板の中には加工に用いるレーザ光を吸収するものもあり、レーザ光の吸収による発熱が問題となる場合、電子デバイス製造用基板上にレーザ光を吸収しない層（レーザ光非吸収層）あるいは吸収し難い層（レーザ光難吸収層）を設けることで、このような問題の発生を回避することができる。尚、レーザ光非吸収層やレーザ光難吸収層を構成する材料として、例えば、シリコンの酸化物ＳｉＯ_x、窒化物ＳｉＮ_Y、酸窒化物ＳｉＯ_XＮ_Y、酸化アルミニウムＡｌＯ_x、ポリエチレン、ポリプロピレン、ＰＭＭＡやフッ素系樹脂等を挙げることができる。

電子デバイスを支持、保持する支持部材として、上記の電子デバイス製造用基板を挙げることができるし、導電性基板（金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板、ステンレス鋼基板等といった各種合金や各種金属から成る基板）を挙げることができる。また、支持部材上に設けられた絶縁膜を構成する材料として、ゲート絶縁層を構成する材料を挙げることもできるし、公知の絶縁膜を広く用いることができる。

本開示の電子デバイスは、所謂３端子構造を有していてもよいし、２端子構造を有していてもよい。３端子構造を有する電子デバイスによって、例えば、前述したように、電界効果トランジスタ、より具体的には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。あるいは又、３端子構造を有する電子デバイスによって、例えば、発光素子が構成される。即ち、制御電極、第１電極及び第２電極への電圧の印加によって能動層が発光する発光素子（有機発光素子、有機発光トランジスタ）を構成することができる。これらの電子デバイスにおいては、制御電極に印加される電圧によって、第１電極から第２電極に向かって能動層に流れる電流が制御される。電子デバイスが、電界効果トランジスタとしての機能を発揮するか、発光素子として機能するかは、第１電極及び第２電極への電圧印加状態（バイアス）に依存する。先ず、第２電極からの電子注入が起こらない範囲のバイアスを加えた上で制御電極を変調することにより、第１電極から第２電極へ電流が流れる。これがトランジスタ動作である。一方、正孔が十分に蓄積された上で第１電極及び第２電極へのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。また、２端子構造を有する電子デバイスとして、能動層への光の照射によって第１電極と第２電極との間に電流が流れる光電変換素子を挙げることができる。

本開示の電子デバイスをセンサーとして用いることもできる。センサーとして、光センサーや、光電変換素子（具体的には、太陽電池やイメージセンサー）を挙げることができる。具体的には、光センサーの能動層を構成する有機半導体分子として、光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）に対して吸収性のある色素を使用すればよい。また、光電変換素子にあっては、能動層への光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）の照射によって第１電極と第２電極との間に電流が流れる。尚、３端子構造を有する電子デバイスからも光電変換素子を構成することができ、この場合、制御電極への電圧の印加は行わなくともよいし、行ってもよく、後者の場合、制御電極への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。

本開示の電子デバイスを組み込む装置の一例として、限定するものではないが、画像表示装置を例示することができる。本開示の画像表示装置として、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、電気泳動表示素子を備えた電気泳動表示装置、冷陰極電界放出表示装置、発光ダイオード等の半導体発光素子を備えた表示装置等を例示することができる。また、画像表示装置は、例えば、所謂デスクトップ型のパーソナルコンピュータ、ノートブック型パーソナルコンピュータ、モバイル型パーソナルコンピュータ、タブレット型パーソナルコンピュータを含むタブレット端末、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスト）、カーナビゲーションシステム、携帯電話やスマートフォン、ゲーム機、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、コピー機、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、電卓、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰ等における各種画像表示装置（例えば、上記の各種画像表示装置）を挙げることができる。また、各種照明装置を挙げることもできる。

本開示の電子デバイスを、画像表示装置や、電子ペーパー、ＲＦＩＤｓ（Radio Frequency Identification Card）等を含む各種の電子機器に適用、使用する場合、支持部材に多数の電子デバイスを集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスを切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。また、電子デバイスを樹脂にて封止してもよい。

実施例１は、本開示の第１の態様に係る電子デバイス、具体的には、ボトムコンタクト／ボトムゲート型の電子デバイス（より具体的には、半導体装置である薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）、本開示の画像表示装置を構成する基板、及び、本開示の画像表示装置に関する。実施例１の電子デバイスの模式的な一部断面図を図１Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図１Ｂに示す。尚、図１Ａの模式的な一部断面図は、図１Ｂの矢印Ａ−Ａに沿った一部断面図である。また、後述する図２Ａ、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、図１３Ａ、図１４Ａ、図１５Ａ及び図１６Ａに示す電子デバイスの模式的な一部断面図は、図１Ｂの矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の一部断面図である。

実施例１あるいは後述する実施例２の電子デバイスは、ボトムコンタクト型の電子デバイスであり、
基体１０上に離間して形成された第１電極２６，３６及び第２電極２７，３７、
有機半導体材料層１３から成り、第１電極２６，３６と第２電極２７，３７との間の基体１０上に形成された能動層２３，３３、及び、能動層２３，３３から延在する能動層延在部２４，３４、
少なくとも能動層２３，３３上に形成された保護膜２８，３８、並びに、
全面を覆う絶縁層２９，３２、
を備えている。そして、保護膜２８，３８は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、これらの２辺が交わる保護膜２８，３８の頂点部分２８Ａ，３８Ａは面取りされている。尚、実施例１あるいは後述する実施例２の電子デバイスにあっては、辺が鋭角にて交わる保護膜２８，３８の全ての頂点部分２８Ａ，３８Ａは面取りされている。具体的には、保護膜２８，３８の平面形状は矩形であり、保護膜２８，３８の頂点部分（コーナー部）２８Ａ，３８Ａの全てが面取りされている。面取り部分の形状は弧（１／４円弧）である。

また、実施例１の画像表示装置を構成する基板（バックプレーン）は、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４の電子デバイスの複数が、第１の方向及び第２の方向に２次元マトリクス状に配列された基板である。更には、実施例１の画像表示装置は、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４の画像表示装置を構成する基板を備えている。

そして、実施例１の電子デバイスにあっては、上述したとおり、能動層２３の周囲には、有機半導体材料層１３から成り、能動層２３から延在する能動層延在部２４が形成されており、能動層延在部２４の外形は閉曲線から構成されている。具体的には、能動層延在部２４の外形は矩形である。能動層延在部２４は、第１電極２６及び第２電極２７の一部の上に形成されている。保護膜２８は、能動層２３及び能動層延在部２４を覆っている（図１Ｂ参照）。

ここで、実施例１の電子デバイスは、３端子型電子デバイスであり、
基体１０は、電子デバイス製造用基板１１上に形成された制御電極２１、及び、制御電極２１を覆う層間絶縁層２２から成り、
制御電極２１は、層間絶縁層２２を介して能動層２３に対向している。具体的には、実施例１の電子デバイスは、ボトムコンタクト／ボトムゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から成り、
制御電極２１は、ゲート電極に相当し、
層間絶縁層２２は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極２６及び第２電極２７は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層２３は、チャネル形成領域に相当する。

尚、以下の説明において、制御電極の代わりにゲート電極という用語を用い、層間絶縁層の代わりにゲート絶縁層という用語を用いる場合がある。

実施例１〜実施例４の画像表示装置を構成する基板（バックプレーン）は、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４の電子デバイス（ＴＦＴ）の複数が、第１の方向及び第２の方向に２次元マトリクス状に配列されており、
第１の方向に沿って配列された複数の電子デバイスにおける制御電極２１，３１，４１，５１（ゲート電極）は、第１の方向に沿って延びるゲート配線に接続されており、
第２の方向に沿って配列された複数の電子デバイスにおける第１電極２６，３６，４６，５６（一方のソース／ドレイン電極）は、第２の方向に沿って延びる信号配線に接続されている。

更には、実施例１〜実施例４の画像表示装置は、実施例１の画像表示装置を構成する基板（バックプレーン）を備えている。

ここで、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４において、基体１０は、例えば、ガラス基板から成る電子デバイス製造用基板１１、及び、電子デバイス製造用基板１１の表面に形成されたＳｉＯ₂から成る絶縁膜１２から構成されている。実施例１あるいは後述する実施例３にあっては、基体１０は、更に、制御電極（ゲート電極）２１，４１、及び、層間絶縁層（ゲート絶縁層）２２，４２から構成されている。制御電極（ゲート電極）２１，３１，４１，５１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や、ＡｌとＴｉの積層構造から成る。能動層２３，３３，４３，５３や能動層延在部２４，３４，４４，５４、不活性領域２５，３５，４５，５５を構成する有機半導体材料層１３は、例えば、ペンタセンやＴＩＰＳ−ペンタセン、ペリキサンテノキサンテン（ＰＸＸ）の誘導体（より具体的には、例えば、エチルフェニル−ＰＸＸ）から成る。第１電極２６，３６，４６，５６及び第２電極２７，３７，４７，５７（一対のソース／ドレイン電極）は、例えば、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）から成る。保護膜２８，３８，４８，５８は、フッ素系樹脂から成る。

また、実施例１あるいは後述する実施例３において、ゲート絶縁層２２は、例えば、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）から成る。また、絶縁層（パッシベーション膜）２９は、 含フッ素エーテルポリマーから成る。

図１Ｂ、図２Ｂ、図３Ｂ、図４Ｂに示すように、チャネル長に沿った、第２電極２７と対向する第１電極２６の端面から保護膜２８の縁部までの距離Ｌ₀、第１電極２６と対向する第２電極２７の端面から保護膜２８の縁部までの距離Ｌ₀は、例えば、１μｍ以上であることが好ましく、具体的には、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４にあっては、例えば、１０μｍとした。

以下、図１７Ａ、図１７Ｂ及び図１７Ｃの基体等の模式的な一部断面図を参照して、実施例１の電子デバイスの製造方法を説明する。尚、これらの模式的な一部断面図は、図１Ｂの矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の一部断面図である。

［工程−１００］
先ず、電子デバイス製造用基板１１上にゲート電極２１を形成する。具体的には、電子デバイス製造用基板１１の上に形成された絶縁膜１２の一部をハードマスクで覆った状態で、ゲート電極２１を真空蒸着法によって形成する。こうして、ゲート電極２１をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。但し、ゲート電極２１の形成方法はこれに限定するものではなく、ゲート電極２１を構成する導電材料層の成膜技術及びエッチング技術の組合せに基づき形成してもよいし、所謂リフト・オフ法に基づき形成してもよいし、印刷法に基づき形成してもよい。

［工程−１１０］
次に、絶縁膜１２及びゲート電極２１上にゲート絶縁層２２を形成する。具体的には、スピンコート法に基づき、全面にゲート絶縁層２２を形成する。より具体的には、絶縁膜１２及び制御電極２１の上に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）及び架橋剤を含むポリビニルフェノール（ＰＶＰ）溶液を塗布した後、１５０゜Ｃに加熱することで、ポリビニルフェノールから成るゲート絶縁層２２を得ることができる。こうして、電子デバイス製造用基板１１上に形成された制御電極２１、及び、制御電極２１を覆う層間絶縁層２２から成る基体１０を得ることができる。

［工程−１２０］
その後、基体１０の上に、第１電極２６及び第２電極２７（一対のソース／ドレイン電極）を形成する。即ち、第１電極２６及び第２電極２７を構成する導電材料層の成膜技術及びエッチング技術の組合せに基づき、第１電極２６及び第２電極２７を形成することができる。但し、第１電極２６及び第２電極２７の形成方法はこれに限定するものではなく、第１電極２６及び第２電極２７を形成すべき領域以外の領域をハードマスクで覆った状態で、第１電極２６及び第２電極２７を真空蒸着法によって形成してもよいし、所謂リフト・オフ法に基づき形成してもよいし、印刷法に基づき形成してもよい。こうして、図１７Ａに示す構造を得ることができる。

［工程−１３０］
次に、有機半導体材料層１３から成る能動層２３及び能動層延在部２４を形成する。具体的には、ゲート絶縁層２２、第１電極２６及び第２電極２７の上に有機半導体材料層１３を、例えば、スピンコート法に基づき形成する。スピンコート法においては、溶剤に有機半導体材料を溶解した有機半導体材料溶液、具体的には、エチルフェニル−ＰＸＸをトルエンに溶かした有機半導体材料溶液を使用した。次いで、有機半導体材料層１３をパターニングする。具体的には、レーザアブレーション法によって有機半導体材料層１３をパターニングする。より具体的には、有機半導体材料層１３の所望の領域に、ＫｒＦエキシマレーザから出射された波長２４８ｎｍのレーザ光を照射することで、有機半導体材料層１３の不要な領域を除去し、有機半導体材料層１３のパターニングを行う。こうして、図１７Ｂに示す能動層２３及び能動層延在部２４を得ることができる。

［工程−１４０］
その後、能動層２３及び能動層延在部２４を覆う保護膜２８を形成する。具体的には、スピンコート法に基づき、フッ素系樹脂から成る保護膜を全面に成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき、保護膜をパターニングすることで、平面形状が矩形であり、４つの頂点部分（コーナー部）２８Ａが面取りされた保護膜２８を得ることができる（図１７Ｃ、図１Ｂ参照）。

［工程−１５０］
次に、全面に絶縁層（パッシベーション膜）２９を、スピンコート法に基づき形成する。こうして、図１Ａに示した構造の実施例１の電子デバイス（ボトムコンタクト／ボトムゲート型の薄膜トランジスタ）を得ることができる。あるいは又、実施例１の電子デバイス（ＴＦＴ）を備えた、画像表示装置を構成する基板、画像表示装置を得ることができる。

ところで、絶縁層（パッシベーション膜）２９の成膜時、通常、電子デバイス製造用基板１１の中心に、絶縁層２９を成膜するための溶液（以下、便宜上、『絶縁層用溶液』と呼ぶ）を滴下し、電子デバイス製造用基板１１を回転させる。このとき、絶縁層用溶液は、電子デバイス製造用基板１１の中心から周縁部に向かって広がっていく。保護膜２８の頂点部分（コーナー部）２８Ａが面取りされていない場合、保護膜２８の頂点部分２８Ａと下地（例えば、ゲート絶縁層２２）との間に絶縁層用溶液が浸入し、保護膜２８が下地から剥離する虞がある。然るに、保護膜２８の頂点部分２８Ａが面取りされているので、保護膜２８の頂点部分２８Ａと下地との間に絶縁層用溶液が浸入することを確実に防止することができ、保護膜２８が下地から剥離することが無く、高い信頼性を有する電子デバイスを得ることができる。

［工程−１６０］
例えば、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、こうして得られた、画像表示装置の制御部（画素駆動回路）を構成する電子デバイスであるＴＦＴの上あるいは上方に、画像表示部（具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいは電気泳動表示素子、半導体発光素子等から成る画像表示部）を、周知の方法に基づき形成することで、画像表示装置を製造することができる。ここで、こうして得られた、画像表示装置の制御部（画素駆動回路）を構成する電子デバイスと、画像表示部における電極（例えば、画素電極）とを、例えば、コンタクトホールや配線といった接続部で接続すればよい。以下の実施例２〜実施例４においても同様である。

実施例１の電子デバイスにあっては、保護膜は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、これらの２辺が交わる保護膜の頂点部分は面取りされているので、絶縁層（パッシベーション膜）を形成する際、保護膜が能動層や能動層延在部から剥離すること無く、能動層を確実に保護することができる。しかも、保護膜がパターニングされているので、電子デバイスの全面を覆う絶縁層と第１電極、第２電極、ゲート絶縁層との間に高い密着性を確保することができ、絶縁層（パッシベーション膜）が剥離するといった問題が生じることも無い。また、保護膜の頂面と絶縁層（パッシベーション膜）との間の密着性向上のために、保護膜の頂面に種々の処理（例えば、表面親水化のための処理）を施す作業も不要であり、電子デバイス製造工程の簡素化を図ることができるし、能動層へのダメージ発生を回避することもできる。尚、複数の頂点部分の一部のみが面取りされていてもよく、この場合、各電子デバイスにおいて、電子デバイス製造用基板（あるいはバックプレーン）の中心に近い側の頂点部分を面取りすることが好ましい。

実施例１の電子デバイスの変形例の模式的な一部断面図を図２Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図２Ｂに示す。この変形例にあっては、保護膜２８は、能動層延在部２４の一部の上及び能動層２３の上に形成されている。尚、保護膜２８を、能動層２３の上に形成してもよい。

あるいは又、実施例１の電子デバイスの変形例の模式的な一部断面図を図３Ａ、図４Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図３Ｂ、図４Ｂに示す。これらの変形例にあっては、有機半導体材料層１３から成り、不活性処理が施された不活性領域２５が、能動層延在部２４から延在している。図３Ｂ、図４Ｂにおいては、不活性領域２５を明示するために、不活性領域２５に斜線を付した。ここで、図３Ａ、図３Ｂに示す例では、保護膜２８は、能動層延在部２４の一部の上及び能動層２３の上に形成されており、図４Ａ、図４Ｂに示す例では、保護膜２８は、能動層２３及び能動層延在部２４を覆っている。尚、保護膜２８を、能動層２３の上に形成してもよい。照射条件を最適化したレーザ照射によって、不活性領域２５を得ることができる。以下の実施例においても同様である。尚、図３Ｂ、図７Ｂ、図１１Ｂ、図１５Ｂにおいて実線１４で示す境界が能動層延在部２４と不活性領域２５の境界であり、図４Ｂ、図８Ｂ、図１２Ｂ、図１６Ｂにおいて一点鎖線１４で示す境界が能動層延在部２４と不活性領域２５の境界である。

実施例２は、実施例１の変形であり、ボトムコンタクト／トップゲート型の電子デバイスに関する。実施例２の電子デバイスの、図１Ａの矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部断面図を図５Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図５Ｂに示すが、実施例２の電子デバイスにあっては、絶縁層３２を介して能動層３３に対向した制御電極３１を更に備えている。具体的には、実施例２の電子デバイスは、ボトムコンタクト／トップゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から成り、
制御電極３１は、ゲート電極に相当し、
絶縁層３２は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極３６及び第２電極３７は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層３３は、チャネル形成領域に相当する。

そして、実施例２の電子デバイスにあっても、上述したとおり、能動層３３の周囲には、有機半導体材料層１３から成り、能動層３３から延在する能動層延在部３４が形成されており、能動層延在部３４の外形は閉曲線から構成されている。具体的には、能動層延在部３４の外形は矩形である。能動層延在部３４は、第１電極３６及び第２電極３７の一部の上に形成されている。保護膜３８は、能動層３３及び能動層延在部３４を覆っている（図５Ｂ参照）。

実施例２あるいは後述する実施例４において、絶縁層（ゲート絶縁層）３２は、例えば、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）から成る。また、パッシベーション膜３８は、含フッ素エーテルポリマーから成る。

以下、図１８Ａ、図１８Ｂ及び図１８Ｃの基体等の模式的な一部断面図を参照して、実施例２の電子デバイスの製造方法を説明する。尚、これらの模式的な一部断面図は、図１Ｂの矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の一部断面図である。

［工程−２００］
先ず、電子デバイス製造用基板１１の上に形成された絶縁膜１２の上に、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、第１電極３６及び第２電極３７（一対のソース／ドレイン電極）を形成する。こうして、図１８Ａに示す構造を得ることができる。

［工程−２１０］
次に、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、第１電極３６、第２電極３７、絶縁膜１２の上に、有機半導体材料層１３から成る能動層３３及び能動層延在部３４を形成する。

［工程−２２０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、能動層３３及び能動層延在部３４を覆う保護膜３８を形成する。こうして、図１８Ｂに示す構造を得ることができる。

［工程−２３０］
次に、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、保護膜３８、第１電極３６、第２電極３７、絶縁膜１２上に絶縁層（ゲート絶縁層）３２を形成する。こうして、図１８Ｃに示す構造を得ることができる。

ところで、絶縁層３２の成膜時、通常、電子デバイス製造用基板１１の中心に、絶縁層３２を成膜するための溶液（絶縁層用溶液）を滴下し、電子デバイス製造用基板１１を回転させる。このとき、絶縁層用溶液は、電子デバイス製造用基板１１の中心から周縁部に向かって広がっていく。保護膜３８の頂点部分（コーナー部）３８Ａが面取りされていない場合、保護膜３８の頂点部分３８Ａと下地（例えば、絶縁膜１２）との間に絶縁層用溶液が浸入し、保護膜３８が下地から剥離する虞がある。然るに、保護膜３８の頂点部分３８Ａが面取りされているので、保護膜３８の頂点部分３８Ａと下地との間に絶縁層用溶液が浸入することを確実に防止することができ、保護膜３８が下地から剥離することが無く、高い信頼性を有する電子デバイスを得ることができる。

［工程−２４０］
その後、実施例１の［工程−１００］と同様にして、絶縁層（ゲート絶縁層）３２上にゲート電極３１を形成する。

［工程−２５０］
次に、全面に、パッシベーション膜３８をスピンコート法に基づき形成する。こうして、図５Ａに示した構造の実施例２の電子デバイス（ボトムコンタクト／トップゲート型の薄膜トランジスタ）を得ることができる。あるいは又、実施例２の電子デバイス（ＴＦＴ）を備えた、画像表示装置を構成する基板、画像表示装置を得ることができる。

［工程−２６０］
例えば、画像表示装置の製造にあっては、更に、実施例１の［工程−１６０］と同様にして、画像表示装置を製造することができる。

実施例２の電子デバイスの変形例の模式的な一部断面図を図６Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図６Ｂに示す。この変形例にあっては、保護膜３８は、能動層延在部３４の一部の上及び能動層３３の上に形成されている。尚、保護膜３８を、能動層３３の上に形成してもよい。

あるいは又、実施例２の電子デバイスの変形例の模式的な一部断面図を図７Ａ、図８Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図７Ｂ、図８Ｂに示す。これらの変形例にあっては、有機半導体材料層１３から成り、不活性処理が施された不活性領域３５が、能動層延在部３４から延在している。図７Ｂ、図８Ｂにおいては、不活性領域３５を明示するために、不活性領域３５に斜線を付した。ここで、図７Ａ、図７Ｂに示す例では、保護膜３８は、能動層延在部３４の一部の上及び能動層３３の上に形成されており、図８Ａ、図８Ｂに示す例では、保護膜３８は、能動層３３及び能動層延在部３４を覆っている。尚、保護膜３８を、能動層３３の上に形成してもよい。

実施例３は、本開示の第２の態様に係る電子デバイス、具体的には、トップコンタクト／ボトムゲート型の電子デバイス（より具体的には、半導体装置である薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）、本開示の画像表示装置を構成する基板、及び、本開示の画像表示装置に関する。実施例３の電子デバイスの模式的な一部断面図を図９Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図９Ｂに示す。

実施例３あるいは後述する実施例４の電子デバイスは、トップコンタクト型の電子デバイスであり、
有機半導体材料層１３から成り、基体１０上に形成された能動層４３，５３、及び、能動層４３，５３から延在する能動層延在部４４，５４、
能動層延在部４４，５４上に、離間して、且つ、能動層４３，５３を挟んで形成された第１電極４６，５６及び第２電極４７，５７、
少なくとも能動層４３，５３上に形成された保護膜４８，５８、並びに、
全面を覆う絶縁層４９，５２、
を備えている。そして、保護膜４８，５８は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、これらの２辺が交わる保護膜４８，５８の頂点部分４８Ａ，５８Ａは面取りされている。尚、実施例３あるいは後述する実施例４の電子デバイスにあっては、辺が鋭角にて交わる保護膜４８，５８の全ての頂点部分４８Ａ，５８Ａは面取りされている。具体的には、保護膜４８，５８の平面形状は矩形であり、保護膜４８，５８の頂点部分（コーナー部）４８Ａ，５８Ａの全てが面取りされている。面取り部分の形状は弧（１／４円弧）である。

そして、実施例３の電子デバイスにあっては、能動層延在部４４の外形は閉曲線から構成されている。具体的には、能動層延在部４４の外形は矩形である。能動層延在部４４は、第１電極４６及び第２電極４７の一部の上に形成されている。保護膜４８は、能動層４３及び能動層延在部４４を覆っている（図９Ｂ参照）。

ここで、実施例３の電子デバイスは、３端子型電子デバイスであり、
基体１０は、電子デバイス製造用基板１１上に形成された制御電極４１、及び、制御電極４１を覆う層間絶縁層４２から成り、
制御電極４１は、層間絶縁層４２を介して能動層４３に対向している。具体的には、実施例３の電子デバイスは、トップコンタクト／ボトムゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から成り、
制御電極４１は、ゲート電極に相当し、
層間絶縁層４２は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極４６及び第２電極４７は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層４３は、チャネル形成領域に相当する。

以下、図１９Ａ、図１９Ｂ及び図１９Ｃの基体等の模式的な一部断面図を参照して、実施例３の電子デバイスの製造方法を説明する。尚、これらの模式的な一部断面図は、図１Ｂの矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の一部断面図である。

［工程−３００］
先ず、実施例１の［工程−１００］、［工程−１１０］と同様にして、電子デバイス製造用基板１１上に設けられた絶縁膜１２の上にゲート電極４１を形成し、更に、絶縁膜１２及びゲート電極４１上にゲート絶縁層４２を形成する。

［工程−３１０］
その後、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、ゲート絶縁層４２上に有機半導体材料層１３から成る能動層４３及び能動層延在部４４を形成する（図１９Ａ参照）。

［工程−３２０］
次に、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、能動層４３及びゲート絶縁層４２の上に、第１電極４６、第２電極４７を形成する（図１９Ｂ参照）。

［工程−３３０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、能動層４３及び能動層延在部４４を覆う保護膜４８を形成する。こうして、図１９Ｃに示す構造を得ることができる。

［工程−３４０］
次に、全面に絶縁層（パッシベーション膜）４９を、スピンコート法に基づき形成する。こうして、図９Ａに示した構造の実施例３の電子デバイス（トップコンタクト／ボトムゲート型の薄膜トランジスタ）を得ることができる。あるいは又、実施例３の電子デバイス（ＴＦＴ）を備えた、画像表示装置を構成する基板、画像表示装置を得ることができる。

ところで、絶縁層（パッシベーション膜）４９の成膜時、通常、電子デバイス製造用基板１１の中心に、絶縁層４９を成膜するための溶液（絶縁層用溶液と呼ぶ）を滴下し、電子デバイス製造用基板１１を回転させる。このとき、絶縁層用溶液は、電子デバイス製造用基板１１の中心から周縁部に向かって広がっていく。保護膜４８の頂点部分（コーナー部）４８Ａが面取りされていない場合、保護膜４８の頂点部分４８Ａと下地（例えば、ゲート絶縁層４２）との間に絶縁層用溶液が浸入し、保護膜４８が下地から剥離する虞がある。然るに、保護膜４８の頂点部分４８Ａが面取りされているので、保護膜４８の頂点部分４８Ａと下地との間に絶縁層用溶液が浸入することを確実に防止することができ、保護膜４８が下地から剥離することが無く、高い信頼性を有する電子デバイスを得ることができる。

［工程−３５０］
例えば、画像表示装置の製造にあっては、更に、実施例１の［工程−１６０］と同様にして、画像表示装置を製造することができる。

実施例３の電子デバイスの変形例の模式的な一部断面図を図１０Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図１０Ｂに示す。この変形例にあっては、保護膜４８は、能動層延在部４４の一部の上及び能動層４３の上に形成されている。尚、保護膜４８を、能動層４３の上に形成してもよい。

あるいは又、実施例３の電子デバイスの変形例の模式的な一部断面図を図１１Ａ、図１２Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図１１Ｂ、図１２Ｂに示す。これらの変形例にあっては、有機半導体材料層１３から成り、不活性処理が施された不活性領域４５が、能動層延在部４４から延在している。図１１Ｂ、図１２Ｂにおいては、不活性領域４５を明示するために、不活性領域４５に斜線を付した。ここで、図１１Ａ、図１１Ｂに示す例では、保護膜４８は、能動層延在部４４の一部の上及び能動層４３の上に形成されており、図１２Ａ、図１２Ｂに示す例では、保護膜４８は、能動層４３及び能動層延在部４４を覆っている。尚、保護膜４８を、能動層４３の上に形成してもよい。

実施例４は、実施例３の変形であり、トップコンタクト／トップゲート型の電子デバイスに関する。実施例４の電子デバイスの、図１Ａの矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部断面図を図１３Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図１３Ｂに示すが、実施例４の電子デバイスにあっては、絶縁層５２を介して能動層５３に対向した制御電極５１を更に備えている。具体的には、実施例４の電子デバイスは、トップコンタクト／トップゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から成り、
制御電極５１は、ゲート電極に相当し、
絶縁層５２は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極５６及び第２電極５７は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層５３は、チャネル形成領域に相当する。

そして、実施例４の電子デバイスにあっては、能動層延在部５４の外形は閉曲線から構成されている。具体的には、能動層延在部５４の外形は矩形である。能動層延在部５４は、第１電極５６及び第２電極５７の一部の上に形成されている。保護膜５８は、能動層５３及び能動層延在部５４を覆っている（図１３Ｂ参照）。

以下、図２０Ａ、図２０Ｂ及び図２０Ｃの基体等の模式的な一部断面図を参照して、実施例４の電子デバイスの製造方法を説明する。尚、これらの模式的な一部断面図は、図１Ｂの矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の一部断面図である。

［工程−４００］
先ず、電子デバイス製造用基板１１の上に形成された絶縁膜１２の上に、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、有機半導体材料層１３から成る能動層５３及び能動層延在部５４を形成する（図２０Ａ参照）。

［工程−４１０］
次に、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、能動層延在部５４及び絶縁膜１２の上に、第１電極５６及び第２電極５７（一対のソース／ドレイン電極）を形成する。

［工程−４２０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、能動層５３、能動層延在部５４、第１電極５６及び第２電極５７を覆う保護膜５８を形成する。こうして、図２０Ｂに示す構造を得ることができる。

［工程−４３０］
次に、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、保護膜５８、第１電極５６、第２電極５７、絶縁膜１２上に絶縁層（ゲート絶縁層）５２を形成する。

ところで、絶縁層５２の成膜時、通常、電子デバイス製造用基板１１の中心に、絶縁層５２を成膜するための溶液（絶縁層用溶液）を滴下し、電子デバイス製造用基板１１を回転させる。このとき、絶縁層用溶液は、電子デバイス製造用基板１１の中心から周縁部に向かって広がっていく。保護膜５８の頂点部分（コーナー部）５８Ａが面取りされていない場合、保護膜５８の頂点部分５８Ａと下地（例えば、絶縁膜１２）との間に絶縁層用溶液が浸入し、保護膜５８が下地から剥離する虞がある。然るに、保護膜５８の頂点部分５８Ａが面取りされているので、保護膜５８の頂点部分５８Ａと下地との間に絶縁層用溶液が浸入することを確実に防止することができ、保護膜５８が下地から剥離することが無く、高い信頼性を有する電子デバイスを得ることができる。

［工程−４４０］
その後、実施例１の［工程−１００］と同様にして、絶縁層（ゲート絶縁層）５２上にゲート電極５１を形成する。こうして、図２０Ｃに示す構造を得ることができる。

［工程−４５０］
次に、全面に、パッシベーション膜５８をスピンコート法に基づき形成する。こうして、図１３Ａに示した構造の実施例４の電子デバイス（トップコンタクト／トップゲート型の薄膜トランジスタ）を得ることができる。あるいは又、実施例４の電子デバイス（ＴＦＴ）を備えた、画像表示装置を構成する基板、画像表示装置を得ることができる。

［工程−４６０］
例えば、画像表示装置の製造にあっては、更に、実施例１の［工程−１６０］と同様にして、画像表示装置を製造することができる。

実施例４の電子デバイスの変形例の模式的な一部断面図を図１４Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図１４Ｂに示す。この変形例にあっては、保護膜５８は、能動層延在部５４の一部の上及び能動層５３の上に形成されている。尚、保護膜５８を、能動層５３の上に形成してもよい。

あるいは又、実施例４の電子デバイスの変形例の模式的な一部断面図を図１５Ａ、図１６Ａに示し、能動層等の配置を示す模式図を図１５Ｂ、図１６Ｂに示す。これらの変形例にあっては、有機半導体材料層１３から成り、不活性処理が施された不活性領域５５が、能動層延在部５４から延在している。図１５Ｂ、図１６Ｂにおいては、不活性領域５５を明示するために、不活性領域５５に斜線を付した。ここで、図１５Ａ、図１５Ｂに示す例では、保護膜５８は、能動層延在部５４の一部の上及び能動層５３の上に形成されており、図１６Ａ、図１６Ｂに示す例では、保護膜５８は、能動層５３及び能動層延在部５４を覆っている。尚、保護膜５８を、能動層５３の上に形成してもよい。

実施例１〜実施例４においては、専ら、３端子型の電子デバイスを例に取り、本開示の電子デバイスの説明を行ったが、２端子型の電子デバイスとすることもできる。２端子型の電子デバイスは、模式的な一部断面図を図２１Ａに示すように、
基体１０上に離間して形成された第１電極２６及び第２電極２７、
有機半導体材料層１３から成り、第１電極２６と第２電極２７との間の基体１０上に形成された能動層２３、及び、能動層２３から延在する能動層延在部２４、
少なくとも能動層２３上に形成された保護膜２８、並びに、
全面を覆う絶縁層２９、
を備えている。あるいは又、模式的な一部断面図を図２１Ｂに示すように、
有機半導体材料層１３から成り、基体１０上に形成された能動層４３、及び、能動層４３から延在する能動層延在部４４、
能動層延在部４４上に、離間して、且つ、能動層４３を挟んで形成された第１電極４６及び第２電極４７、
少なくとも能動層４３上に形成された保護膜４８、並びに、
全面を覆う絶縁層４９、
を備えている。そして、保護膜２８，４８は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、これらの２辺が交わる保護膜２８，４８の頂点部分は面取りされている。

有機半導体材料層１３や電子デバイス製造用基板１１、電極６６，６７を構成する材料を適切に選択することで、この２端子型の電子デバイスを、光センサーや光電変換素子（具体的には、太陽電池やイメージセンサー）、発光素子として機能させることができるし、センサーとして機能させることもできる。

具体的には、有機半導体材料層１３を構成する有機半導体分子として光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）に対して吸収性のある色素の使用により光センサーを構成することができるし、有機半導体材料層１３への光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）の照射によって第１電極６６と第２電極６７との間に電流が流れる光電変換素子（具体的には、太陽電池やイメージセンサー）を構成することができる。

以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。電子デバイス、画像表示装置、画像表示装置を構成する基板の構造や構成、形状、形成条件、製造条件は例示であり、適宜変更することができる。本開示の電子デバイスを、例えば、表示装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、基体や支持部材に多数の電子デバイスを集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスを切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。

実施例１〜実施例４において説明した電子デバイスからセンサーを構成することもできる。例えば、具体的には、電子デバイスから発光素子が構成される。即ち、制御電極、第１電極及び第２電極への電圧の印加によって有機半導体材料層が発光する発光素子（有機発光素子、有機発光トランジスタ）を構成する。そして、制御電極に印加される電圧によって、第１電極から第２電極に向かって有機半導体材料層に流れる電流が制御される。正孔が十分に蓄積された上で第１電極及び第２電極へのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《電子デバイス・・・第１の態様》
基体上に離間して形成された第１電極及び第２電極、
有機半導体材料層から成り、第１電極と第２電極との間の基体上に形成された能動層、及び、能動層から延在する能動層延在部、
少なくとも能動層上に形成された保護膜、並びに、
全面を覆う絶縁層、
を備えており、
保護膜は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、
該２辺が交わる保護膜の頂点部分は面取りされている電子デバイス。
［Ａ０２］辺が鋭角にて交わる保護膜の全ての頂点部分は面取りされている［Ａ０１］に記載の電子デバイス。
［Ａ０３］能動層延在部の外形は閉曲線から構成されており、
保護膜は、能動層及び能動層延在部を覆っており、又は、能動層延在部の一部の上及び能動層の上に形成されており、又は、能動層の上に形成されている［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の電子デバイス。
［Ａ０４］有機半導体材料層から成り、不活性処理が施された不活性領域が、能動層延在部から延在している［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の電子デバイス。
［Ａ０５］照射条件を最適化したレーザ照射によって、不活性領域を得る［Ａ０４］に記載の電子デバイス。
［Ａ０６］保護膜は、能動層及び能動層延在部を覆っており、又は、能動層延在部の一部の上及び能動層の上に形成されており、又は、能動層の上に形成されている［Ａ０４］又は［Ａ０５］に記載の電子デバイス。
［Ａ０７］基体は、電子デバイス製造用基板上に形成された制御電極、及び、制御電極を覆う層間絶縁層から成り、
制御電極は、層間絶縁層を介して能動層に対向している［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ａ０８］薄膜トランジスタから成り、
制御電極は、ゲート電極に相当し、
層間絶縁層は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極及び第２電極は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層は、チャネル形成領域に相当する［Ａ０７］に記載の電子デバイス。
［Ａ０９］絶縁層を介して能動層に対向した制御電極を更に備えている［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ａ１０］薄膜トランジスタから成り、
制御電極は、ゲート電極に相当し、
絶縁層は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極及び第２電極は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層は、チャネル形成領域に相当する［Ａ０９］に記載の電子デバイス。
［Ｂ０１］《電子デバイス・・・第２の態様》
有機半導体材料層から成り、基体上に形成された能動層、及び、能動層から延在する能動層延在部、
能動層延在部上に、離間して、且つ、能動層を挟んで形成された第１電極及び第２電極、
少なくとも能動層上に形成された保護膜、並びに、
全面を覆う絶縁層、
を備えており、
保護膜は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、
該２辺が交わる保護膜の頂点部分は面取りされている電子デバイス。
［Ｂ０２］ 辺が鋭角にて交わる保護膜の全ての頂点部分は面取りされている［Ｂ０１］に記載の電子デバイス。
［Ｂ０３］能動層延在部の外形は閉曲線から構成されており、
保護膜は、能動層及び能動層延在部を覆っており、又は、能動層延在部の一部の上及び能動層の上に形成されており、又は、能動層の上に形成されている［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の電子デバイス。
［Ｂ０４］有機半導体材料層から成り、不活性処理が施された不活性領域が、能動層延在部から延在している［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ｂ０５］照射条件を最適化したレーザ照射によって、不活性領域を得る［Ｂ０４］に記載の電子デバイス。
［Ｂ０６］基体は、電子デバイス製造用基板上に形成された制御電極、及び、制御電極を覆う層間絶縁層から成り、
制御電極は、層間絶縁層を介して能動層に対向している［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ｂ０７］薄膜トランジスタから成り、
制御電極は、ゲート電極に相当し、
層間絶縁層は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極及び第２電極は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層は、チャネル形成領域に相当する［Ｂ０６］に記載の電子デバイス。
［Ｂ０８］絶縁層を介して能動層に対向した制御電極を更に備えている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ｂ０９］薄膜トランジスタから成り、
制御電極は、ゲート電極に相当し、
絶縁層は、ゲート絶縁層に相当し、
第１電極及び第２電極は、ソース／ドレイン電極に相当し、
能動層は、チャネル形成領域に相当する［Ｂ０８］に記載の電子デバイス。
［Ｃ０１］《画像表示装置を構成する基板》
［Ａ０１］乃至［Ｂ０９］のいずれか１項に記載の電子デバイスの複数が、第１の方向及び第２の方向に２次元マトリクス状に配列された、画像表示装置を構成する基板。
［Ｃ０２］第１の方向に沿って配列された複数の電子デバイスにおける制御電極は、第１の方向に沿って延びるゲート配線に接続されており、
第２の方向に沿って配列された複数の電子デバイスにおける第１電極あるいは第２電極は、第２の方向に沿って延びる信号配線に接続されている［Ｃ０１］に記載の画像表示装置を構成する基板。
［Ｄ０１］《画像表示装置》
［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の画像表示装置を構成する基板を備えた画像表示装置。

１０・・・基体、１１・・・電子デバイス製造用基板、１２・・・絶縁膜、１３・・・有機半導体材料層、１４・・・能動層延在部と不活性領域の境界、２１，３１，４１，５１・・・制御電極（ゲート電極）、２２，４２・・・層間絶縁層（ゲート絶縁層）、３２，５２・・・絶縁層（ゲート絶縁層）、２３，３３，４３，５３・・・能動層、２４，３４，４４，５４・・・能動層延在部、２５，３５，４５，５５・・・不活性領域、２６，３６，４６，５６・・・第１電極（ソース／ドレイン電極）、２７，３７，４７，５７・・・第２電極（ソース／ドレイン電極）、２８，３８，４８，５８・・・保護膜、２８Ａ，３８Ａ，４８Ａ，５８Ａ・・・保護膜の頂点部分（コーナー部）、２９，４９・・・絶縁層（パッシベーション膜）

Claims (15)

1. 基体上に離間して形成された第１電極及び第２電極、
   有機半導体材料層から成り、第１電極と第２電極との間の基体上に形成された能動層、及び、能動層から延在する能動層延在部、
   少なくとも能動層上に形成された保護膜、並びに、
   全面を覆う絶縁層、
   を備えており、
   保護膜は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、
   該２辺が交わる保護膜の頂点部分は面取りされている電子デバイス。
2. 辺が鋭角にて交わる保護膜の全ての頂点部分は面取りされている請求項１に記載の電子デバイス。
3. 能動層延在部の外形は閉曲線から構成されており、
   保護膜は、能動層及び能動層延在部を覆っており、又は、能動層延在部の一部の上及び能動層の上に形成されており、又は、能動層の上に形成されている請求項１に記載の電子デバイス。
4. 有機半導体材料層から成り、不活性処理が施された不活性領域が、能動層延在部から延在している請求項１に記載の電子デバイス。
5. 保護膜は、能動層及び能動層延在部を覆っており、又は、能動層延在部の一部の上及び能動層の上に形成されており、又は、能動層の上に形成されている請求項４に記載の電子デバイス。
6. 基体は、電子デバイス製造用基板上に形成された制御電極、及び、制御電極を覆う層間絶縁層から成り、
   制御電極は、層間絶縁層を介して能動層に対向している請求項１に記載の電子デバイス。
7. 絶縁層を介して能動層に対向した制御電極を更に備えている請求項１に記載の電子デバイス。
8. 有機半導体材料層から成り、基体上に形成された能動層、及び、能動層から延在する能動層延在部、
   能動層延在部上に、離間して、且つ、能動層を挟んで形成された第１電極及び第２電極、
   少なくとも能動層上に形成された保護膜、並びに、
   全面を覆う絶縁層、
   を備えており、
   保護膜は、少なくとも鋭角にて交わる２辺を有するようにパターニングされており、
   該２辺が交わる保護膜の頂点部分は面取りされている電子デバイス。
9. 辺が鋭角にて交わる保護膜の全ての頂点部分は面取りされている請求項８に記載の電子デバイス。
10. 能動層延在部の外形は閉曲線から構成されており、
    保護膜は、能動層及び能動層延在部を覆っており、又は、能動層延在部の一部の上及び能動層の上に形成されており、又は、能動層の上に形成されている請求項８に記載の電子デバイス。
11. 有機半導体材料層から成り、不活性処理が施された不活性領域が、能動層延在部から延在している請求項８に記載の電子デバイス。
12. 基体は、電子デバイス製造用基板上に形成された制御電極、及び、制御電極を覆う層間絶縁層から成り、
    制御電極は、層間絶縁層を介して能動層に対向している請求項８に記載の電子デバイス。
13. 絶縁層を介して能動層に対向した制御電極を更に備えている請求項８に記載の電子デバイス。
14. 請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の電子デバイスの複数が、第１の方向及び第２の方向に２次元マトリクス状に配列された、画像表示装置を構成する基板。
15. 請求項１４に記載の画像表示装置を構成する基板を備えた画像表示装置。

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