WO2015137022A1 - 電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents

電子デバイス及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015137022A1
WO2015137022A1 PCT/JP2015/053207 JP2015053207W WO2015137022A1 WO 2015137022 A1 WO2015137022 A1 WO 2015137022A1 JP 2015053207 W JP2015053207 W JP 2015053207W WO 2015137022 A1 WO2015137022 A1 WO 2015137022A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
insulating layer
electrode
region
active layer
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/053207
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
真央 勝原
Original Assignee
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
Priority to US15/123,830 priority Critical patent/US20170018726A1/en
Publication of WO2015137022A1 publication Critical patent/WO2015137022A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions

Definitions

  • the present disclosure relates to an electronic device and a manufacturing method thereof.
  • An organic insulating material is an indispensable material for imparting flexibility to an electronic device because it has insulating properties equivalent to those of an inorganic insulating material and has flexibility (for example, non-patented).
  • Literature Advanced Materials, vol.2, p.592 (1990), F. Garnier et al.).
  • an organic semiconductor material layer made of an organic semiconductor material is indispensable.
  • the organic semiconductor material layer is usually patterned based on dry etching using oxygen gas.
  • the organic insulating film is also etched during patterning of the organic semiconductor material layer.
  • a level difference occurs or the level difference of the level difference portion increases, and various problems such as disconnection, in-plane non-uniformity, and insufficient coverage in the subsequent electronic device manufacturing process.
  • various problems such as non-uniform film thickness are caused, leading to a decrease in reliability of the electronic device, occurrence of defects, restriction of the layout of the electronic device, and the like.
  • the object of the present disclosure is to ensure an etching selectivity between the organic semiconductor material constituting the organic semiconductor material layer and the organic insulating material constituting the insulating layer when patterning the organic semiconductor material layer.
  • An electronic device for achieving the above object is as follows: A control electrode formed on the substrate, An insulating layer made of an organic insulating material covering the control electrode; An active layer formed on an insulating layer, made of an organic semiconductor material and patterned, and A first electrode and a second electrode formed on the active layer; With The chemical composition of the surface of the region A, which is a region of the insulating layer where the active layer is not formed, is different from the chemical composition of the region B, which is a region of the insulating layer located under the active layer.
  • An electronic device for achieving the above object is as follows: A control electrode formed on the substrate, An insulating layer made of an organic insulating material covering the control electrode; A first electrode and a second electrode formed on the insulating layer; and An active layer formed of an organic semiconductor material and patterned on at least a portion of the insulating layer located between the first electrode and the second electrode; With The chemical composition of the surface of the region A, which is the region of the insulating layer in which the first electrode, the second electrode, and the active layer are not formed, is the region of the insulating layer located under the first electrode, the second electrode, and the active layer. Which is different from the chemical composition of region B.
  • An electronic device for achieving the above object is as follows: An insulating layer made of an organic insulating material formed on the substrate; An active layer formed on an insulating layer, made of an organic semiconductor material and patterned; A first electrode and a second electrode formed on a portion of the active layer; An interlayer insulating layer covering the first electrode, the second electrode and the active layer, and A control electrode formed on the interlayer insulating layer and facing the active layer; With The chemical composition of the surface of the region A, which is a region of the insulating layer where the active layer is not formed, is different from the chemical composition of the region B, which is a region of the insulating layer located under the active layer.
  • An electronic device for achieving the above object is as follows: An insulating layer made of an organic insulating material formed on the substrate; A first electrode and a second electrode formed on the insulating layer; An active layer formed on a portion of the insulating layer located between the first electrode and the second electrode, made of an organic semiconductor material, and patterned; An interlayer insulating layer covering the first electrode, the second electrode and the active layer, and A control electrode formed on the interlayer insulating layer and facing the active layer; With The chemical composition of the surface of the region A, which is the region of the insulating layer in which the first electrode, the second electrode, and the active layer are not formed, is the region of the insulating layer located under the first electrode, the second electrode, and the active layer. Which is different from the chemical composition of region B.
  • a method for manufacturing an electronic device includes: After forming the control electrode on the substrate, Formed of an organic insulating material, forming an insulating layer covering the control electrode, then After forming a patterned active layer made of an organic semiconductor material on the insulating layer, Forming a first electrode and a second electrode on the active layer; It has each process, During the patterning of the active layer, the chemical composition of the surface of the region A, which is the region of the insulating layer where the active layer is not formed, is made different from the chemical composition of the region B, which is the region of the insulating layer located under the active layer.
  • a method for manufacturing an electronic device includes: After forming the control electrode on the substrate, Formed of an organic insulating material, forming an insulating layer covering the control electrode, then After forming the first electrode and the second electrode on the insulating layer, Forming a patterned active layer of an organic semiconductor material on at least a portion of the insulating layer located between the first electrode and the second electrode; It has each process, When patterning the active layer, the chemical composition of the surface of the region A, which is the region of the insulating layer where the active layer is not formed, is positioned below the first electrode, the second electrode, and the active layer. Different from the chemical composition of region B which is the region of the insulating layer.
  • a method for manufacturing an electronic device includes: Forming an insulating layer made of an organic insulating material on the substrate; After forming a patterned active layer made of organic semiconductor material on the insulating layer, Forming a first electrode and a second electrode on a portion of the active layer; After forming an interlayer insulating layer covering the first electrode, the second electrode and the active layer, Forming a control electrode facing the active layer on the interlayer insulating layer; It has each process, During the patterning of the active layer, the chemical composition of the surface of the region A, which is the region of the insulating layer where the active layer is not formed, is made different from the chemical composition of the region B, which is the region of the insulating layer located under the active layer.
  • a method for manufacturing an electronic device includes: Forming an insulating layer made of an organic insulating material on the substrate; After forming the first electrode and the second electrode on the insulating layer, Forming a patterned active layer made of an organic semiconductor material on the portion of the insulating layer located between the first electrode and the second electrode; After forming an interlayer insulating layer covering the first electrode, the second electrode and the active layer, Forming a control electrode facing the active layer on the interlayer insulating layer; It has each process, When patterning the active layer, the chemical composition of the surface of the region A, which is the region of the insulating layer where the active layer is not formed, is positioned below the first electrode, the second electrode, and the active layer. Different from the chemical composition of region B which is the region of the insulating layer.
  • the chemical composition of the surface of the region A of the insulating layer is different from the chemical composition of the region B of the insulating layer, or Further, the chemical composition of the surface of the region A of the insulating layer is made different from the chemical composition of the region B of the insulating layer. Therefore, at the time of patterning the organic semiconductor material layer, it is possible to ensure an etching selectivity between the organic semiconductor material constituting the organic semiconductor material layer and the organic insulating material constituting the insulating layer. Note that the effects described in the present specification are merely examples and are not limited, and may have additional effects.
  • FIG. 1A, 1B, and 1C are schematic partial cross-sectional views of a substrate and the like for explaining a method for manufacturing an electronic device of Example 1.
  • FIG. 2A, 2B, and 2C are schematic partial cross-sectional views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the electronic device of Example 1 following FIG. 1C.
  • 3A, 3B, and 3C are schematic partial cross-sectional views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the electronic device of Example 2.
  • FIG. 4A and 4B are schematic partial cross-sectional views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the electronic device of Example 2 following FIG. 3C.
  • FIG. 5A, 5B, and 5C are schematic partial cross-sectional views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the electronic device of Example 3.
  • FIG. 6A, 6B, and 6C are schematic partial cross-sectional views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the electronic device of Example 3 following FIG. 5C.
  • 7A, 7B, and 7C are schematic partial cross-sectional views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the electronic device of Example 4.
  • FIG. 8A and 8B are schematic partial cross-sectional views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the electronic device of Example 4 following FIG. 7C.
  • 9A and 9B are schematic partial cross-sectional views of the electronic device of Example 7.
  • FIG. 10A and 10B are schematic partial cross-sectional views of the electronic device of Example 7.
  • Example 4 (Electronic Device According to the Fourth Aspect of the Present Disclosure and Method for Manufacturing the Same: Top Gate / Bottom Contact Type) 6).
  • Example 5 (Modification of Examples 1 to 4) 7).
  • Example 6 (Modification of Examples 1 to 5) 8).
  • Example 7 (Modification of Examples 1 to 6) 9.
  • Example 8 (two-terminal electronic device), others
  • an insulating film may be formed between the substrate and the control electrode and the insulating layer.
  • an insulating film may be formed between the base and the insulating layer.
  • the organic gas constituting the region A of the insulating layer and the etching gas is formed.
  • the chemical composition of the surface of the region A of the insulating layer can be made different from the chemical composition of the region B of the insulating layer.
  • the surface layer of the region A of the insulating layer is removed, so that the chemical composition of the surface of the region A of the insulating layer is changed to the chemical composition of the region B of the insulating layer. It can be made into the form made different from.
  • the surface layer in the region A of the insulating layer is removed after the patterning of the active layer. It can be.
  • the electronic device according to the first aspect of the present disclosure including the above-described preferable form and the electronic device obtained by the method for manufacturing the electronic device according to the first aspect of the present disclosure including the above-described preferable form are collectively referred to below.
  • the electronic device according to the second aspect of the present disclosure including the above-described preferable form, and the electronic device obtained by the method for manufacturing the electronic device according to the second aspect of the present disclosure including the above-described preferable form are collectively referred to below.
  • an electronic device including the above-described preferred embodiment, an electronic device obtained by the method for manufacturing an electronic device according to the third aspect of the present disclosure including the preferred embodiment, Collectively, it is referred to as “an electronic device or the like according to the third aspect of the present disclosure”.
  • the electronic device according to the fourth aspect of the present disclosure including the above-described preferable form, and the electronic device obtained by the method for manufacturing the electronic device according to the fourth aspect of the present disclosure including the preferable form are collectively referred to below. Thus, it is referred to as “an electronic device or the like according to the fourth aspect of the present disclosure”.
  • a form in which a second insulating layer is formed between the active layer and the region B of the insulating layer It can be.
  • the thickness of the second insulating layer include 1 ⁇ 10 ⁇ 8 m to 5 ⁇ 10 ⁇ 8 m.
  • the level difference be 2 ⁇ 10 ⁇ 7 m or less, preferably 5 ⁇ 10 ⁇ 8 m or less, and more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 8 m or less.
  • the oxygen-containing concentration in the region A of the insulating layer is the oxygen concentration in the region B of the insulating layer.
  • a form higher than the concentration is preferable.
  • the constituent atoms of the insulating layer may include metal atoms.
  • the surface of the region A of the insulating layer can include a metal oxide in which metal atoms constituting the insulating layer and oxygen are combined.
  • the organic insulating material is a silicone resin containing a copolymerized cross-linked polymer and a graft-polymerized cross-linked polymer (metal atoms as constituent atoms of the insulating layer: Si); silicon-containing germanium containing polysilane and polygermane Polymer (metal atoms as constituent atoms of insulating layer: Si, Ge); silsesquioxane (metal atoms as constituent atoms of insulating layer: Si); tin-containing polymer (metal atoms as constituent atoms of insulating layer: Sn) ); A cobalt-containing polymer (metal atom as a constituent atom of the insulating layer: Co); and at least one selected from the group consisting of polymer materials containing a metal atom in the main chain or side chain of the a, b unsaturated carbene Insulating material or any of these materials, polyvinyl phenol resin, polyimide resin, novo
  • the organic insulating material includes metal oxide nanoparticles (including metal insulator nanoparticles).
  • metal oxide nanoparticles include titanium oxide / nanoparticles, silicon oxide / nanoparticles, vanadium oxide / nanoparticles, and aluminum oxide / nanoparticles.
  • the particle size is 4 ⁇ 10 ⁇ 7 m or less. Preferably, 1 ⁇ 10 ⁇ 7 m or less can be exemplified.
  • polymer material examples include polymer materials such as phenol resin, polyvinyl phenol resin, polyimide resin, novolac resin, cinnamate resin, acrylic resin, epoxy resin, styrene resin, polyparaxylylene resin, and fluorine resin, and cyclic materials.
  • Cycloolefin polymer or cyclic cycloolefin copolymer [specifically, TOPAS (manufactured by Topas Advanced Polymers GmbH, registered trademark), ARTON (manufactured by JSR Corporation, registered trademark), ZEONOR (manufactured by ZEON Corporation, registered trademark)] Can be mentioned.
  • a method for forming an insulating layer in which metal oxide nanoparticles are dispersed in a polymer material include various coating methods described later.
  • Chemical composition includes energy dispersive X-ray analysis (Energy Dispersive X-ray spectroscopic, EDX) method, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) method, AES method (Auger electron spectroscopy), UPS method Based on analytical methods such as (ultraviolet photoelectron spectroscopy) and F-SIMS (time-of-flight secondary ion mass spectrometry), the proportion of constituent elements and the state of chemical bonding can be analyzed.
  • energy dispersive X-ray analysis Energy Dispersive X-ray spectroscopic, EDX
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • AES Alger electron spectroscopy
  • UPS Utility-of-flight secondary ion mass spectrometry
  • An image display apparatus including the electronic device according to the present disclosure includes a semiconductor device including the electronic device according to the first to fourth aspects of the present disclosure.
  • the control electrode in the electronic device corresponds to the gate electrode in the semiconductor device
  • the insulating layer or interlayer insulating layer in the electronic device corresponds to the gate insulating layer in the semiconductor device
  • the first electrode and the second electrode in the electronic device correspond to source / drain electrodes in the semiconductor device.
  • the sensor is composed of the electronic device according to the first aspect or the second aspect of the present disclosure.
  • semiconductor materials include polypyrrole and derivatives thereof; polythiophene and derivatives thereof; isothianaphthenes such as polyisothianaphthene; chainylene vinylenes such as polychenylene vinylene; poly (p-phenylene such as poly (p-phenylene vinylene); Polyaniline and derivatives thereof; polyacetylenes; polydiacetylenes; polyazulenes; polypyrenes; polycarbazoles; polyselenophenes; polyfurans; poly (p-phenylene) s; polyindoles; Polyvinylcarbazole, polyphenylene sulfide, polyvinyle Mention may be made of the polymers of the sulfides and polycyclic condensate such.
  • oligomers having the same repeating unit as these polymers can also be mentioned.
  • a thiophene represented by dinaphthothienothiophene (DNTT); a condensed polycyclic compound of a selenophene ring and a benzene ring and derivatives thereof; metal phthalocyanines represented by copper phthalocyanine; tetrathiafulvalene and tetrathiafur Valene derivatives; tetrathiapentalene and its derivatives; naphthalene 1,4,5,8-tetracarboxylic acid diimide, N, N′-bis (4-trifluoromethylbenzyl) naphthalene 1,4,5,8-tetracarboxylic Acid diimide, N, N′-bis (1H, 1H-perfluorooctyl), N, N′-bis (1H, 1H-perfluorobutyl) and N, N′-dioctylnaphthalene 1,4,5,8-tetracarboxylic
  • DNTT
  • a compound selected from the group consisting of a condensed polycyclic aromatic compound, a porphyrin derivative, a phenylvinylidene conjugated oligomer, and a thiophene conjugated oligomer can be used.
  • condensed polycyclic aromatic compounds such as acene-based molecules (pentacene, tetracene, etc.), porphyrin-based molecules, and conjugated oligomers (phenylvinylidene-based and thiophene-based).
  • porphyrin 4,4′-biphenyldithiol (BPDT), 4,4′-diisocyanobiphenyl, 4,4′-diisocyano-p-terphenyl, 2,5-bis (5′-thioacetyl) -2'-thiophenyl) thiophene, 2,5-bis (5'-thioacetoxyl-2'-thiophenyl) thiophene, 4,4'-diisocyanophenyl, benzidine (biphenyl-4,4'-diamine), TCNQ (tetracyanoquinodimethane), tetrathiafulvalene (TTF) and its derivatives, tetrathiafulvalene (TTF) -TCNQ complex, bisethylenetetrathiafulvalene (BEDTTTTF) -perchloric acid complex, BEDTTTTF-iodine complex, TCNQ- Charge transfer complex represented by io
  • the organic semiconductor material may contain a polymer as necessary.
  • the polymer may be dissolved in an organic solvent.
  • examples of the polymer include polystyrene, polyalphamethylstyrene, and polyolefin.
  • an additive for example, a so-called doping material such as an n-type impurity or a p-type impurity can be added.
  • Examples of the method for forming the active layer include various physical vapor deposition methods (PVD methods) including resistance heating vapor deposition, sputtering, and vacuum vapor deposition, as well as coating methods.
  • PVD methods physical vapor deposition methods
  • various printing methods such as screen printing method, ink jet printing method, offset printing method, reverse offset printing method, gravure printing method, gravure offset printing method, letterpress printing, flexographic printing, microcontact method, etc.
  • spin coating method Air doctor coater method, blade coater method, rod coater method, knife coater method, squeeze coater method, reverse roll coater method, transfer roll coater method, gravure coater method, kiss coater method, cast coater method, spray coater method, slit coater method , Slit orifice coater method, calender coater method, casting method, capillary coater method, bar coater method, dipping method, various coating methods; spray method; method using dispenser: stun Act like, it can be mentioned a method of applying a liquid material.
  • a dry etching method reactive ion etching method, RIE method
  • oxygen gas oxygen gas
  • Materials constituting the substrate include polymethyl methacrylate (polymethyl methacrylate, PMMA), polyvinyl alcohol (PVA), polyvinyl phenol (PVP), polyethersulfone (PES), polyimide, polyamide, polyacetal, polycarbonate (PC), polyethylene Mention may be made of flexible plastic films, plastic sheets, plastic substrates composed of organic polymers exemplified by terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethyl ether ketone, polyolefins, or alternatively Can be mentioned, mica.
  • PET terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • polyethyl ether ketone polyolefins
  • mica a base made of a flexible organic polymer or polymer material
  • an electronic device can be incorporated or integrated into an image display apparatus or electronic device having a curved shape.
  • various glass substrates various glass substrates having a base insulating film formed on the surface, a quartz substrate, a quartz substrate having a base insulating film formed on the surface, silicon having a base insulating film formed on the surface
  • substrates sapphire substrates, metal substrates made of various alloys such as stainless steel, aluminum, nickel, and various metals, metal foils, and paper.
  • the substrate may be disposed on a support member appropriately selected from the materials described above (or above the support member).
  • Other examples of the support member include conductive substrates (substrates made of metal such as gold or aluminum, substrates made of highly oriented graphite, stainless steel substrates, etc.).
  • a functional film such as a buffer layer for improving adhesion and flatness and a barrier film for improving gas barrier properties may be formed.
  • the material constituting the first electrode and the second electrode copper (Cu), gold (Au), molybdenum (Mo), titanium (Ti), aluminum (Al), nickel (Ni), platinum ( Pt), silver (Ag), palladium (Pd) can be exemplified, and a laminated structure of layers made of any of these materials, or transparent oxide conductive materials such as ITO, IZO, AZO, etc. be able to.
  • gold As a material constituting the control electrode and wiring provided as desired, gold (Au), platinum (Pt), silver (Ag), palladium (Pd), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), Aluminum (Al), chromium (Cr), titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), indium (In), tin (Sn), iron (Fe), cobalt (Co), zinc (Zn), Magnesium (Mg), manganese (Mn), ruthenium (Rh), rubidium (Rb), or an alloy containing these metal elements, conductive particles made of these metals, conductive particles of an alloy containing these metals, A conductive material such as polysilicon containing impurities can be used, and a layered structure of layers containing these elements can also be used. Furthermore, organic materials (conductive polymers) such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid [PEDOT /
  • various chemical vapor deposition methods including various PVD methods, pulse laser deposition methods (PLD), arc discharge methods, MOCVD methods, lift Examples thereof include an off method, a shadow mask method, and the above-described various coating methods using ink or paste.
  • CVD methods chemical vapor deposition methods
  • PVD methods PVD methods
  • PLD pulse laser deposition methods
  • MOCVD methods MOCVD methods
  • lift Examples thereof include an off method, a shadow mask method, and the above-described various coating methods using ink or paste.
  • it may be formed by a plating method such as an electrolytic plating method or an electroless plating method.
  • PVD methods various vacuum deposition methods such as electron beam heating method, resistance heating method, flash vapor deposition, and crucible heating method, (b) plasma vapor deposition method, (c) bipolar sputtering method, DC sputtering Various sputtering methods such as DC method, DC magnetron sputtering method, high frequency sputtering method, magnetron sputtering method, ion beam sputtering method, bias sputtering method, (d) DC (direct current) method, RF method, multi-cathode method, activation reaction method And various ion plating methods such as an electric field evaporation method, a high-frequency ion plating method, and a reactive ion plating method.
  • control electrode, the first electrode, and the second electrode are formed based on an etching method
  • a dry etching method or a wet etching method may be employed.
  • the dry etching method for example, ion milling or reactive ion etching (RIE) is used. Can be mentioned.
  • the control electrode or the like can be formed based on a laser ablation method, a mask vapor deposition method, a laser transfer method, or the like.
  • Examples of the material constituting the insulating film, the second insulating layer, and the interlayer insulating layer include inorganic insulating materials and organic insulating materials.
  • Examples of the inorganic insulating material include silicon oxide materials, silicon nitride (SiN Y ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide, and hafnium oxide HfO 2 .
  • silicon oxide-based material silicon oxide (SiO x ), BPSG, PSG, BSG, AsSG, PbSG, silicon oxynitride (SiON), SOG (spin-on-glass), low dielectric constant SiO 2 -based material (for example, poly Aryl ether, cycloperfluorocarbon polymer and benzocyclobutene, cyclic fluororesin, polytetrafluoroethylene, fluorinated aryl ether, fluorinated polyimide, amorphous carbon, organic SOG).
  • SiO 2 -based material for example, poly Aryl ether, cycloperfluorocarbon polymer and benzocyclobutene, cyclic fluororesin, polytetrafluoroethylene, fluorinated aryl ether, fluorinated polyimide, amorphous carbon, organic SOG).
  • Examples of the method for forming an insulating layer made of an inorganic insulating material include the above-described various coating methods, the above-described various PVD methods, CVD methods, and other vacuum processes, or a solution in which these inorganic insulating materials are dissolved. And a sol-gel method, a lift-off method, an electrodeposition method, and a shadow mask method. Moreover, the combination of either of these formation methods and the patterning technique as needed can also be mentioned.
  • examples of the organic insulating material include polymer materials such as phenol resin, polyvinyl phenol resin, polyimide resin, novolac resin, cinnamate resin, acrylic resin, epoxy resin, styrene resin, polyparaxylene resin, and fluorine resin.
  • cyclic cycloolefin polymers or cyclic cycloolefin copolymers [specifically, TOPAS, ARTON, ZEONOR (manufactured by ZEON CORPORATION, registered trademark)].
  • Examples of a method for forming an insulating layer made of an organic insulating material include the above-described various coating methods, and vacuum processes such as a PVD method and a CVD method can also be used.
  • the insulating film and the interlayer insulating layer may be patterned based on a known method such as a wet etching method, a dry etching method, or a laser ablation method, if necessary.
  • the electronic device of the present disclosure may have a so-called three-terminal structure or a two-terminal structure.
  • An electronic device having a three-terminal structure constitutes, for example, a field effect transistor, more specifically, a thin film transistor (TFT), or a light emitting element. That is, a light emitting element (an organic light emitting element or an organic light emitting transistor) in which the active layer emits light by applying a voltage to the control electrode, the first electrode, and the second electrode can be configured.
  • TFT thin film transistor
  • a light emitting element an organic light emitting element or an organic light emitting transistor
  • the current flowing from the first electrode to the second electrode in the active layer is controlled by the voltage applied to the control electrode.
  • the electronic device functions as a field effect transistor or functions as a light emitting element depends on a voltage application state (bias) to the first electrode and the second electrode.
  • bias a voltage application state
  • a current flows from the first electrode to the second electrode by modulating the control electrode after applying a bias within a range in which electron injection from the second electrode does not occur. This is transistor operation.
  • holes are sufficiently accumulated and the bias to the first electrode and the second electrode is increased, electron injection starts and light emission occurs due to recombination with the holes.
  • a photoelectric conversion element in which a current flows between the first electrode and the second electrode by irradiating light to the active layer can be given.
  • the senor examples include an optical sensor and a photoelectric conversion element (specifically, a solar cell or an image sensor).
  • a dye that absorbs light may be used as the organic semiconductor molecules constituting the active layer of the photosensor.
  • a current flows between the first electrode and the second electrode by irradiation of light (including not only visible light but also ultraviolet rays and infrared rays) to the active layer.
  • a photoelectric conversion element can also be configured from an electronic device having a three-terminal structure. In this case, voltage application to the control electrode may or may not be performed. In the latter case, to the control electrode.
  • the electric resistance value between the first electrode and the second electrode changes, and the gap between the first electrode and the second electrode is utilized.
  • the amount (concentration) of the chemical substance adsorbed on the active layer can be determined by passing an electric current or applying an appropriate voltage between the first electrode and the second electrode and measuring the electric resistance value of the active layer. Mention may also be made of chemical sensors to be measured.
  • a molecular sensor having molecular recognition ability a binding molecule (for example, a biomolecule) is bound and fixed to the surface of the active layer, and a functional molecule (for example, another biomolecule) that interacts with the binding molecule
  • a binding molecule for example, a biomolecule
  • a functional molecule for example, another biomolecule
  • the biosensor produced by adding can also be mentioned. Since the chemical substance is in an adsorption equilibrium state in the active layer, the equilibrium state changes as time passes and the amount (concentration) of the chemical substance in the atmosphere in which the active layer is placed changes. Examples of chemical substances include NO 2 gas, O 2 gas, NH 3 gas, styrene gas, hexane gas, octane gas, decane gas, and trimethylbenzene gas.
  • an image display apparatus can be exemplified.
  • the image display device a so-called desktop personal computer, notebook personal computer, mobile personal computer, tablet terminal including a tablet personal computer, PDA (personal digital assist), car navigation system, mobile phone And smart phones, game machines, electronic books, electronic newspapers such as electronic newspapers, billboards such as signboards, posters, blackboards, photocopiers, rewritable papers for printer paper replacement, calculators, display units for home appliances, card display units such as point cards And various image display devices in electronic advertisements, electronic POPs, etc. (for example, organic electroluminescence display devices, liquid crystal display devices, plasma display devices, electrophoretic display devices, cold cathode field emission display devices, etc.) It can be. Moreover, various illuminating devices can also be mentioned.
  • each electronic device may be cut and individualized and used as a discrete component. Moreover, you may seal an electronic device with resin.
  • Example 1 relates to an electronic device according to the first aspect of the present disclosure, a method for manufacturing the electronic device according to the first aspect of the present disclosure, and further relates to an image display apparatus.
  • the electronic device of Example 1 is a bottom-gate / top-contact type three-terminal type electronic device, specifically, a TFT, and a schematic partial cross-sectional view as shown in FIG.
  • A a control electrode 11 formed on the substrate 10;
  • B an insulating layer 21 made of an organic insulating material covering the control electrode 11,
  • C an active layer 12 formed on the insulating layer 21 and made of an organic semiconductor material and patterned, and
  • D a first electrode 13A and a second electrode 13B formed on the active layer 12, Is an electronic device.
  • the chemical composition of the surface of the region A (21A) which is the region of the insulating layer 21 where the active layer 12 is not formed is the region B (21B) which is the region of the insulating layer 21 located under the active layer 12. Different from the chemical composition.
  • gate electrode 11 is used in place of “control electrode 11”, and “channel forming region 12A and / or channel forming region extension portion” is used instead of “active layer 12”.
  • channel forming region 12A and / or channel forming region extension portion is used instead of “active layer 12”.
  • source / drain electrodes 13A, 13B may be used instead of “first electrode 13A and second electrode 13B”.
  • the substrate 10 is made of a glass substrate.
  • substrate 10 can also be comprised from a plastic substrate.
  • the gate electrode 11 has a laminated structure of aluminum and molybdenum from the substrate side, and the channel forming region 12A and the channel forming region extending portion 12B are more specifically derivatives of perixanthenoxanthene (PXX, 6,12-dioxaanthanthrene). Specifically, it is made of ethylphenyl-PXX, and the first electrode 13A and the second electrode 13B have a laminated structure of aluminum and molybdenum from the substrate side.
  • the constituent atoms of the insulating layer 21 include metal atoms, and the surface of the region A (21A) of the insulating layer 21 has an insulating layer.
  • 21 includes a metal oxide in which a metal atom constituting 21 and oxygen are bonded.
  • the organic insulating material is made of a thermosetting silicone resin (metal atoms as constituent atoms of the insulating layer 21: Si) containing a copolymerized crosslinked polymer and a graft polymerized crosslinked polymer.
  • the insulating layer 21, particularly the region B (21B), which is the region of the insulating layer 21 located under the active layer 12 corresponds to the gate insulating layer.
  • the image display apparatuses according to the first to seventh embodiments each include a semiconductor device including the electronic device according to the first to seventh embodiments.
  • the control electrode in the electronic device corresponds to the gate electrode 11 in the semiconductor device
  • the insulating layer 21 or the interlayer insulating layer 14 in the electronic device corresponds to a gate insulating layer in the semiconductor device
  • the first electrode and the second electrode in the electronic device correspond to the source / drain electrodes 13A and 13B in the semiconductor device.
  • FIG. 1A, FIG. 1B, FIG. 1C, FIG. 2A, FIG. 2B, and FIG. 2C which are schematic partial end views of a substrate and the like, will be described below.
  • a method of manufacturing a top contact type TFT will be described.
  • the patterning of the active layer 12 based on the dry etching method the patterning of the active layer 12 based on the dry etching method, The etching gas and the organic insulating material constituting the region A (21A) of the insulating layer 21 are reacted to change the chemical composition of the surface of the region A (21A) of the insulating layer 21 into the region B of the insulating layer 21. Different from the chemical composition of (21B).
  • the control electrode 11 is formed on the substrate 10. Specifically, the gate electrode 11 and the insulating layer 21 covering the gate electrode 11 are formed on the substrate 10. More specifically, an aluminum (Al) layer (not shown) having a thickness of 50 nm and a molybdenum (Mo) layer having a thickness of 30 nm are sequentially formed on the substrate 10 by a sputtering method.
  • the gate electrode 11 can be obtained by patterning the molybdenum layer and the aluminum layer based on the lithography technique and the etching technique. Although depending on the material used, the gate electrode 11 can be formed on the substrate 10 based on a printing method.
  • an insulating layer 21 made of an organic insulating material and covering the control electrode 11 is formed.
  • a thermosetting silicone resin solution is applied on the substrate 10 and the gate electrode 11 based on a spin coating method and then heated to form an insulating layer made of silicone resin and having a thickness of 0.4 ⁇ m. Get 21.
  • the structure shown in FIG. 1A can be obtained.
  • a solution of an organic semiconductor material constituting the active layer (more specifically, a solution of ethylphenyl-PXX in which toluene is used as a solvent) is formed on the insulating layer 21 by a spin coating method.
  • the organic semiconductor material layer 12C can be formed on the insulating layer 21 by drying at (see FIG. 1B).
  • the patterned active layer 12 (channel forming region 12A having a thickness of 20 nm and channel forming region extending portion 12B) made of an organic semiconductor material is formed on the insulating layer 21.
  • the resist layer 15 is formed by a well-known method on the region where the channel forming region 12A and the channel forming region extending portion 12B of the organic semiconductor material layer 12C are to be formed (see FIG. 1C).
  • the active layer 12 (the channel formation region 12A and the channel formation region extension portion 12B) is patterned based on a dry etching method (RUE method) using oxygen gas (O 2 gas).
  • RUE method dry etching method
  • O 2 gas oxygen gas
  • the chemical composition of the surface of the region A (21A), which is the region of the insulating layer 21 where the active layer 12 is not formed, is the region of the insulating layer 21 located under the active layer 12. Different from the chemical composition of region B (21B).
  • silicon (Si) atoms in the organic insulating material constituting the exposed insulating layer 21 are By reacting with oxygen atoms constituting the etching gas, an oxide film 22 made of SiO x is formed on the surface region of the insulating layer 21.
  • a metal atom as a constituent atom of the insulating layer is represented by “M”
  • an oxide film made of M X O Y is formed.
  • the step between the surface of the region A (21A) of the insulating layer 21 and the surface of the region B (21B) of the insulating layer 21 is reduced to 2 ⁇ 10 ⁇ 7 m or less, preferably 5 ⁇ 10 ⁇ 8 m or less, more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 8 m or less (specifically, about 10 nm in Example 1).
  • the oxygen-containing region B of the insulating layer 21 because it SiO X is not formed at (21B), area A (21A) of the insulating layer 21
  • the concentration is higher than the oxygen-containing concentration in the region B (21B) of the insulating layer 21.
  • the first electrode 13A and the second electrode 13B are formed on the active layer 12 (specifically, on the channel formation region extending portion 12B). Specifically, after sequentially forming an aluminum layer and a molybdenum layer based on a sputtering method, the molybdenum layer and the aluminum layer are patterned based on a lithography technique and an etching technique, whereby the first electrode 13A and the second electrode 13B are formed. Can be obtained. In this way, the structure shown in FIG. 2C can be obtained.
  • the first electrode 13A and the second electrode 13B are covered by covering part of the channel formation region 12A and the channel formation region extension portion 12B with a hard mask. Can be formed without a photolithography process. Further, the first electrode 13A and the second electrode 13B can be formed based on a printing method. Aluminum has poor adhesion to an organic material and is difficult to finely process, but has high adhesion to the oxide film 22 and can be finely processed. The first electrode 13A and the second electrode 13B have high reliability. Can be granted.
  • the image display unit is formed on or above the TFT, which is an electronic device constituting the control unit (pixel drive circuit) of the image display device thus obtained.
  • an image display device including an organic electroluminescence element, an electrophoretic display element, a semiconductor light emitting element, or the like is formed based on a known method, whereby an image display device can be manufactured.
  • the electronic device constituting the control unit (pixel drive circuit) of the image display device and the electrode (for example, pixel electrode) in the image display unit obtained in this way are connected by a connection unit such as a contact hole or a wiring. Just connect.
  • a passivation film (not shown) is formed on the entire surface.
  • a bottom gate / top contact type electronic device FET, specifically, TFT
  • a passivation film (not shown) may be formed on the entire surface after patterning the channel forming region extending portion 12B. The above steps can also be applied to Examples 2 to 7 described later.
  • Example 1 the chemical composition of the surface of the region A of the insulating layer is different from the chemical composition of the region B of the insulating layer.
  • the chemical composition of the surface of the region A of the insulating layer is changed to that of the region B of the insulating layer. Since it is different from the chemical composition, when etching the organic semiconductor material layer, ensure the etching selectivity between the organic semiconductor material constituting the organic semiconductor material layer and the organic insulating material constituting the insulating layer. Is possible.
  • the organic semiconductor material layer is etched without excessive steps, excessive etching of the insulating layer due to the etching gas can be suppressed, and between the surface of the region A of the insulating layer and the surface of the region B of the insulating layer.
  • the step can be eliminated or reduced. Therefore, for example, various problems such as disconnection, in-plane non-uniformity, insufficient coverage, and non-uniform film thickness do not occur, leakage current can be reduced, and reliability of electronic devices is reduced. There is no occurrence of defects, and there are no restrictions on the layout of electronic devices.
  • the region B of the insulating layer is not exposed to the etching gas, the interface between the active layer and the insulating layer is maintained as it is when the organic semiconductor material layer is formed on the insulating layer, and the performance of the electronic device is maintained. It is possible to avoid the occurrence of a decrease or the like.
  • Example 2 relates to an electronic device according to the second aspect of the present disclosure, a method for manufacturing the electronic device according to the second aspect of the present disclosure, and further relates to an image display apparatus.
  • the electronic device of Example 2 is a bottom gate / bottom contact type three-terminal type electronic device, specifically, a TFT.
  • a TFT As shown in FIG. (A) an insulating layer 21 made of an organic insulating material covering the control electrode 11, (B) the first electrode 13A and the second electrode 13B formed on the insulating layer 21, and (C) an active layer 12 formed on an insulating layer 21 located between at least the first electrode 13A and the second electrode 13B, made of an organic semiconductor material, and patterned; Is an electronic device.
  • region A (21A) which is the area
  • FIG. 3A, FIG. 3B, FIG. 3C, FIG. 4A and FIG. 4B which are schematic partial end views of the substrate and the like, hereinafter, a three-terminal electronic device (bottom gate / bottom contact type) of Example 2 Will be described.
  • Step-200 First, after forming the control electrode 11 on the substrate 10, an insulating layer 21 made of an organic insulating material and covering the control electrode 11 is formed. Specifically, the same steps as [Step-100] to [Step-110] in Example 1 are executed.
  • Step-210 Next, the first electrode 13A and the second electrode 13B are formed on the insulating layer 21 (see FIG. 3A). Specifically, the same step as [Step-140] in the first embodiment is performed.
  • a patterned active layer 12 made of an organic semiconductor material is formed on at least the portion of the insulating layer 21 located between the first electrode 13A and the second electrode 13B. Specifically, the patterned active layer 12 is formed on the portion of the insulating layer 21 located between the first electrode 13A and the second electrode 13B. More specifically, the organic semiconductor material layer 12C is formed on the entire surface in the same manner as in [Step-120] in Example 1 (see FIG. 3B). Next, in the same manner as in [Step-130] of Example 1, the resist layer 15 is formed on the region where the channel forming region 12A and the channel forming region extending portion 12B of the organic semiconductor material layer 12C are to be formed by a well-known method. (See FIG.
  • the active layer 12 (the channel formation region 12A and the channel formation region extension portion 12B) is patterned based on a dry etching method using oxygen gas.
  • 4A shows a schematic partial end view of the substrate after patterning
  • FIG. 4B shows a schematic partial end view of the substrate after the resist layer 15 is removed.
  • the chemical composition of the surface of the region A (21A) which is the region of the insulating layer 21 where the first electrode 13A, the second electrode 13B, and the active layer 12 are not formed, is changed to the first electrode 13A, the second electrode 13B, and the active layer. 12 is different from the chemical composition of the region B (21B), which is the region of the insulating layer 21 located under 12.
  • the TFT may be completed as described above, or an image display device may be manufactured in the same manner as in [Step-150] of the first embodiment.
  • Example 3 relates to an electronic device according to the third aspect of the present disclosure, a method for manufacturing the electronic device according to the third aspect of the present disclosure, and further relates to an image display apparatus.
  • the electronic device of Example 3 is a top-gate / top-contact type three-terminal type electronic device, specifically, a TFT.
  • a TFT a top-gate / top-contact type three-terminal type electronic device
  • An insulating layer 21 made of an organic insulating material, formed on the substrate 10;
  • An active layer 12 formed on the insulating layer 21 and made of an organic semiconductor material and patterned;
  • a first electrode 13A and a second electrode 13B formed on a part of the active layer 12,
  • An interlayer insulating layer 14 covering the first electrode 13A, the second electrode 13B and the active layer 12, and A control electrode 11 formed on the interlayer insulating layer 14 and facing the active layer 12; Is an electronic device.
  • the chemical composition of the surface of the region A (21A) which is the region of the insulating layer 21 where the active layer 12 is not formed is the region B (21B) which is the region of the insulating layer 21 located under the active layer 12.
  • the insulating layer 21 is formed for the purpose of planarization and further improvement of the characteristics of the electronic device.
  • the interlayer insulating layer 14 corresponds to a gate insulating layer.
  • the base 10 is made of a glass substrate, but is not limited to this, and can be made of, for example, a plastic substrate.
  • Step-300 First, an insulating layer 21 made of an organic insulating material is formed on the substrate 10 in the same manner as in [Step-110] in Example 1.
  • the patterned active layer 12 made of an organic semiconductor material is formed on the insulating layer 21. Specifically, the same steps as [Step-120] and [Step-130] in Example 1 are performed. That is, after forming the organic semiconductor material layer 12C on the insulating layer 21 (see FIG. 5A), on the region where the channel formation region 12A and the channel formation region extension portion 12B of the organic semiconductor material layer 12C are to be formed, A resist layer 15 is formed by a known method (see FIG. 5B). Then, the active layer 12 (the channel formation region 12A and the channel formation region extension portion 12B) is patterned based on a dry etching method using oxygen gas. FIG.
  • FIG. 5C shows a schematic partial end view of the substrate and the like during patterning
  • FIG. 6A shows a schematic partial end view of the substrate and the like after the patterning is completed and the resist layer 15 is removed.
  • the first electrode 13A and the second electrode 13B are formed on a part of the active layer 12, specifically on the channel forming region extension part 12B in the same manner as in [Step-140] of the first embodiment. (See FIG. 6B).
  • the control electrode 11 facing the active layer 12 is formed on the interlayer insulating layer 14.
  • an interlayer insulating layer (gate insulating layer) 14 made of cycloperfluorocarbon polymer (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd .: trade name Cytop) is formed on the entire surface.
  • the gate electrode 11 facing the channel formation region 12A is obtained through the interlayer insulating layer (gate insulating layer) 14. In this way, the structure shown in FIG. 6C can be obtained.
  • the TFT may be completed as described above, or an image display device may be manufactured in the same manner as in [Step-150] of the first embodiment.
  • Example 4 relates to an electronic device according to the fourth aspect of the present disclosure, a method for manufacturing the electronic device according to the fourth aspect of the present disclosure, and further relates to an image display apparatus.
  • the electronic device of Example 4 is a top gate / bottom contact type and three-terminal type electronic device, specifically, a TFT.
  • An insulating layer 21 made of an organic insulating material, formed on the substrate 10;
  • An interlayer insulating layer 14 covering the first electrode 13A, the second electrode 13B and the active layer 12, and A control electrode 11 formed on the interlayer insulating layer 14 and facing the active layer 12; Is an electronic device.
  • region A (21A) which is the area
  • FIGS. 7A, 7B, 7C, 8A, and 8B are schematic partial end views of the substrate and the like, the three-terminal electronic device (top gate / bottom contact type) of Example 4 will be described. Will be described.
  • Step-400 First, an insulating layer 21 made of an organic insulating material is formed on the substrate 10 in the same manner as in [Step-110] in Example 1.
  • the first electrode 13A and the second electrode 13B are formed on the insulating layer 21 in the same manner as in [Step-140] in Example 1 (see FIG. 7A).
  • the patterned active layer 12 made of an organic semiconductor material is formed on the insulating layer 21 located between the first electrode 13A and the second electrode 13B. Specifically, the same steps as [Step-120] and [Step-130] in Example 1 are performed. That is, after the organic semiconductor material layer 12C is formed on the entire surface (see FIG. 7B), the resist layer 15 is formed on the region where the channel formation region 12A and the channel formation region extension portion 12B of the organic semiconductor material layer 12C are to be formed. It is formed by a known method (see FIG. 7C). Then, the active layer 12 (the channel formation region 12A and the channel formation region extension portion 12B) is patterned based on a dry etching method using oxygen gas. FIG.
  • FIG 8A shows a schematic partial end view of the substrate and the like after the patterning is completed and the resist layer 15 is removed.
  • the chemical composition of the surface of the first electrode 13A, the second electrode 13B, and the region A (21A) that is the region of the insulating layer 21 where the active layer 12 is not formed is changed to the first electrode 13A, Different from the chemical composition of the region B (21 B), which is the region of the insulating layer 21 located under the second electrode 13 B and the active layer 12.
  • the TFT may be completed as described above, or an image display device may be manufactured in the same manner as in [Step-150] of the first embodiment.
  • Example 5 is a modification of Example 1 to Example 4.
  • a material in which metal atoms are contained in the constituent atoms of the insulating layer 21 was used as the material constituting the insulating layer 21.
  • the organic insulating material is made of a material in which metal oxide nanoparticles (content is, for example, 5% by mass to 30% by mass) are dispersed in a polymer material.
  • the polymer material is made of a thermosetting polyvinyl phenol (PVP) resin, and the metal oxide nanoparticles are made of titanium oxide nanoparticles.
  • the active layer 12 is made of 30 nm-thick dinaphthothienothiophene (DNTT) formed by a vacuum deposition method.
  • DNTT nm-thick dinaphthothienothiophene
  • Example 5 [Step-110] in Example 1, [Step-200] in Example 2, [Step-300] in Example 3, and [Step-400] in Example 4 were used.
  • An insulating layer 21 made of an organic insulating material in which metal oxide nanoparticles are dispersed in a polymer material and having a thickness of 0.4 ⁇ m is formed.
  • [Step-120] to [Step-130] in Example 1, [Step-220] in Example 2, [Step-310] in Example 3, and [Step-420] in Example 4 are the same.
  • the surface layer of the region A (21A) of the insulating layer 21 is removed, and thus the chemical composition of the surface of the region A (21A) of the insulating layer 21 is Different from the chemical composition of the region B (21B) of the insulating layer 21. That is, the active layer 12 made of an organic semiconductor material and patterned is formed.
  • the metal oxide nanoparticles are exposed on the outermost surface of the insulating layer 21.
  • further dry etching of the insulating layer 21 does not proceed.
  • Example 5 even in Example 5, as a result of the metal oxide nanoparticles being exposed on the outermost surface of the insulating layer, the chemical composition of the surface of the region A of the insulating layer is different from the chemical composition of the region B of the insulating layer. Or, because the chemical composition of the surface of the region A of the insulating layer is different from the chemical composition of the region B of the insulating layer, when the organic semiconductor material layer is patterned, the organic semiconductor material constituting the organic semiconductor material layer It is possible to ensure an etching selectivity with the organic insulating material constituting the insulating layer.
  • the organic semiconductor material layer is etched without excessive steps, excessive etching of the insulating layer due to the etching gas can be suppressed, and between the surface of the region A of the insulating layer and the surface of the region B of the insulating layer.
  • the step can be eliminated or reduced. Therefore, for example, various problems such as disconnection, in-plane non-uniformity, insufficient coverage, and non-uniform film thickness do not occur, leakage current can be reduced, and reliability of electronic devices is reduced. There is no occurrence of defects, and there are no restrictions on the layout of electronic devices.
  • the region B of the insulating layer is not exposed to the etching gas, the interface between the active layer and the insulating layer is maintained as it is when the organic semiconductor material layer is formed on the insulating layer, and the performance of the electronic device is maintained. It is possible to avoid the occurrence of a decrease or the like.
  • the configuration and structure of the electronic device of Example 5 and the method of manufacturing the electronic device of Example 5 are the same as the configuration and structure of the electronic device described in Examples 1 to 4. Since it can be the same as the manufacturing method of the electronic device of Example 4, detailed description is abbreviate
  • the sixth embodiment is a modification of the first to fifth embodiments.
  • Example 6 after patterning the active layer 12, the surface layer of the region A (21A) of the insulating layer 21 having a chemical composition different from the chemical composition of the region B (21B) of the insulating layer 21 is removed.
  • the surface layer of the region A (21A) of the insulating layer 21 it is possible to prevent a problem from occurring when forming, for example, an electrode or the like on the region A (21A) of the insulating layer 21. be able to.
  • the active layer 12 is formed.
  • the oxide film 22 may be removed by wet etching or dry etching, and then the resist layer 15 may be removed.
  • Example 7 is a modification of Example 1 to Example 6.
  • the second insulating layer 23 is formed between the active layer 12 and the region B (21B) of the insulating layer 21.
  • the interface with the active layer is further increased.
  • a desired state can be obtained.
  • a second insulating layer made of an organic insulating film for example, polyalphamethylstyrene or TOPAS
  • TOPAS polyalphamethylstyrene
  • FIG. 9A, FIG. 9B, FIG. 10A, and FIG. 10B show schematic partial cross-sectional views of electronic devices when the seventh embodiment is applied to the various electronic devices described in the first to fourth embodiments. .
  • Example 8 relates to the sensor of the present disclosure.
  • the sensor of Example 8 is composed of a bottom gate / top contact type or a bottom gate / bottom contact type electronic device among the electronic devices described in Examples 1 to 2, and Examples 5 to 7.
  • a light emitting element is constituted by the sensor of the eighth embodiment. That is, a light emitting element (an organic light emitting element or an organic light emitting transistor) in which the active layer 12 emits light by applying a voltage to the control electrode 11, the first electrode 13A, and the second electrode 13B is configured. The current applied to the active layer 12 from the first electrode 13A toward the second electrode 13B is controlled by the voltage applied to the control electrode 11.
  • the holes are sufficiently accumulated and the bias to the first electrode 13A and the second electrode 13B is increased, electron injection starts and light emission occurs due to recombination with the holes.
  • an optical sensor can be configured by using a dye that absorbs light (including not only visible light but also ultraviolet rays and infrared rays) as an organic semiconductor molecule, and active.
  • a photoelectric conversion element (specifically, a solar cell or an image) in which a current flows between the first electrode 13A and the second electrode 13B by irradiation of the layer 12 with light (including not only visible light but also ultraviolet rays and infrared rays). Sensor). It is possible to modulate the flowing current by applying a voltage to the control electrode 11.
  • the chemical substance to be detected is adsorbed on the active layer 12
  • the electric resistance value between the first electrode 13A and the second electrode 13B changes, and the first electrode 13A and the second electrode 13B are changed.
  • a chemical substance adsorbed on the active layer 12 by passing an electric current between them or by applying an appropriate voltage between the first electrode 13A and the second electrode 13B and measuring the electric resistance value of the active layer 12 A chemical substance sensor that measures the amount (concentration) of can also be mentioned.
  • the present disclosure has been described based on the preferred embodiments, the present disclosure is not limited to these embodiments.
  • the configuration, structure, formation conditions, and manufacturing conditions of the electronic device, the image display apparatus, the sensor, and the electronic device manufacturing method described in the embodiments are examples, and can be changed as appropriate.
  • a monolithic integrated circuit in which a large number of electronic devices are integrated on a base body, a support, or a support member may be used.
  • Each electronic device may be cut and individualized and used as a discrete component.
  • an insulating film may be formed between the substrate and the control electrode and the insulating layer.
  • a resist layer covering the region B (21B) of the insulating layer 21 is formed between [Step-110] and [Step-120].
  • 21 is etched using oxygen gas to form the region A (21A) of the insulating layer 21 and the oxide film 22, and then the resist layer is removed, and then the active layer 12 in [Step-120] is removed. Patterning may be performed.
  • a resist layer covering the region B (21B) of the insulating layer 21 may be formed between [Step-210] and [Step-220].
  • the insulating layer 21 is etched using oxygen gas to form the region A (21A) of the insulating layer 21 and the oxide film 22, and then the resist layer is removed, and then the active in [Step-220] is performed.
  • the layer 12 may be patterned.
  • a resist layer covering the region B (21B) of the insulating layer 21 is formed between [Step-300] and [Step-310].
  • the insulating layer 21 is etched using oxygen gas to form the region A (21A) of the insulating layer 21 and the oxide film 22, and then the resist layer is removed, and then the active layer in [Step-310] Twelve patterning may be performed.
  • a resist layer covering the region B (21B) of the insulating layer 21 is formed between [Step-410] and [Step-420].
  • the insulating layer 21 is etched using oxygen gas to form the region A (21A) of the insulating layer 21 and the oxide film 22, and then the resist layer is removed, and then the active layer in [Step-420] Twelve patterning may be performed.
  • Example 5 the same steps as described above may be adopted.
  • this indication can also take the following structures.
  • ⁇ Electronic Device: First Aspect ... Bottom Gate / Top Contact Type >> A control electrode formed on the substrate, An insulating layer made of an organic insulating material covering the control electrode; An active layer formed on an insulating layer, made of an organic semiconductor material and patterned, and A first electrode and a second electrode formed on the active layer; With An electronic device in which the chemical composition of the surface of the region A, which is a region of the insulating layer where the active layer is not formed, is different from the chemical composition of the region B, which is a region of the insulating layer located under the active layer.
  • Second Aspect Second Aspect ...
  • Bottom Gate / Bottom Contact Type A control electrode formed on the substrate, An insulating layer made of an organic insulating material covering the control electrode; A first electrode and a second electrode formed on the insulating layer; and An active layer formed of an organic semiconductor material and patterned on at least a portion of the insulating layer located between the first electrode and the second electrode; With The chemical composition of the surface of the region A, which is the region of the insulating layer in which the first electrode, the second electrode, and the active layer are not formed, is the region of the insulating layer located under the first electrode, the second electrode, and the active layer. An electronic device different from the chemical composition of region B.
  • An electronic device different from the chemical composition of region B [A06] The electronic device according to [A04] or [A05], in which an insulating film is formed between the substrate and the insulating layer. [A07] The electronic device according to any one of [A01] to [A05], in which a second insulating layer is formed between the active layer and the region B of the insulating layer. [A08] The electronic device according to any one of [A01] to [A07], wherein a step between the surface of the region A of the insulating layer and the surface of the region B of the insulating layer is 2 ⁇ 10 ⁇ 7 m or less. .
  • [A09] The electronic device according to [A08], in which a step between the surface of the region A of the insulating layer and the surface of the region B of the insulating layer is 5 ⁇ 10 ⁇ 8 m or less.
  • [A10] The electronic device according to any one of [A01] to [A09], wherein the oxygen-containing concentration in the region A of the insulating layer is higher than the oxygen-containing concentration in the region B of the insulating layer.
  • [A11] The electronic device according to any one of [A01] to [A10], wherein the constituent atoms of the insulating layer include a metal atom.
  • the electronic device wherein the surface of the region A of the insulating layer includes a metal oxide in which metal atoms and oxygen constituting the insulating layer are combined.
  • the organic insulating material includes a silicone resin containing a copolymerized crosslinked polymer and a graft polymerized crosslinked polymer, a silicon-containing germanium polymer containing polysilane and polygermane, a silsesquioxane, a tin-containing polymer, a cobalt-containing polymer, and a , B at least one insulating material selected from the group consisting of polymer materials containing metal atoms in the main chain or side chain of unsaturated carbene, or any of these materials and polyvinylphenol resin, polyimide resin, novolac resin,
  • Bottom Gate / Top Contact Type After forming the control electrode on the substrate, Formed of an organic insulating material, forming an insulating layer covering the control electrode, then After forming a patterned active layer made of an organic semiconductor material on the insulating layer, Forming a first electrode and a second electrode on the active layer; It has each process, When patterning the active layer, electrons that make the chemical composition of the surface of the region A, which is the region of the insulating layer where the active layer is not formed, different from the chemical composition of the region B, which is the region of the insulating layer located under the active layer Device manufacturing method. [B02] ⁇ Electronic Device Manufacturing Method: Second Aspect ...
  • Bottom Gate / Bottom Contact Type After forming the control electrode on the substrate, Formed of an organic insulating material, forming an insulating layer covering the control electrode, then After forming the first electrode and the second electrode on the insulating layer, Forming a patterned active layer of an organic semiconductor material on at least a portion of the insulating layer located between the first electrode and the second electrode; It has each process, When patterning the active layer, the chemical composition of the surface of the region A, which is the region of the insulating layer where the active layer is not formed, is positioned below the first electrode, the second electrode, and the active layer. A method for manufacturing an electronic device, which is different from the chemical composition of region B which is a region of an insulating layer.
  • a method for manufacturing an electronic device which is different from the chemical composition of region B which is a region of an insulating layer.
  • the etching gas reacts with the organic insulating material constituting the region A of the insulating layer, whereby the chemical composition of the surface of the region A of the insulating layer is changed.
  • the method for manufacturing an electronic device according to any one of [B01] to [B04], which is different from the chemical composition of the region B of the insulating layer.
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

電子デバイスは、基体１０上に形成された制御電極１１、制御電極１１を覆う、有機絶縁材料から成る絶縁層２１、絶縁層２１上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層１２、並びに、能動層１２上に形成された第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂを備えており、能動層１２が形成されていない絶縁層２１の領域である領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成は、能動層１２の下に位置する絶縁層２１の領域である領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異なる。

Description

電子デバイス及びその製造方法
　本開示は、電子デバイス及びその製造方法に関する。
　有機薄膜トランジスタといった電子デバイスを作製する場合、有機薄膜トランジスタの柔軟性を生かすために、屡々、有機絶縁材料から成る有機絶縁膜と組み合わされた構造が採用される。有機絶縁材料は、無機絶縁材料と同等の絶縁特性を有し、しかも、柔軟性を有する材料であるため、電子デバイスに柔軟性を付与するためには欠かせない材料である（例えば、非特許文献：Advanded Materials vol.2, p.592 (1990), F. Garnier et al.）。
Advanded Materials vol.2, p.592 (1990), F. Garnier et al.
　一方で、単一の素子としての電子デバイスを作製するためには、有機半導体材料から成る有機半導体材料層のパターニングが必要不可欠である。有機半導体材料層は、通常、酸素ガスを用いたドライエッチングに基づきパターニングされる。然るに、通常、有機半導体材料層を構成する有機半導体材料と、有機絶縁膜を構成する有機絶縁材料との間に、エッチング選択比を確保することは困難である。その結果、有機半導体材料層のパターニング時、有機絶縁膜もエッチングされてしまう。そして、このような現象が発生すると、段差が発生し、あるいは又、段差部の段差が増加し、その後の電子デバイスの製造工程において種々の問題、例えば、断線や面内不均一性、カバレッジ不足、膜厚不均一といった種々の問題を引き起こすし、電子デバイスの信頼性の低下、不良の発生、電子デバイスのレイアウトの制限等に繋がる。
　従って、本開示の目的は、有機半導体材料層のパターニング時、有機半導体材料層を構成する有機半導体材料と、絶縁層を構成する有機絶縁材料との間に、エッチング選択比を確保することを可能とする構造、構成を有する電子デバイス、及び、係る電子デバイスの製造方法を提供することにある。
　上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る電子デバイスは、
　基体上に形成された制御電極、
　制御電極を覆う、有機絶縁材料から成る絶縁層、
　絶縁層上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、並びに、
　能動層上に形成された第１電極及び第２電極、
を備えており、
　能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる。
　上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る電子デバイスは、
　基体上に形成された制御電極、
　制御電極を覆う、有機絶縁材料から成る絶縁層、
　絶縁層上に形成された第１電極及び第２電極、並びに、
　少なくとも第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、
を備えており、
　第１電極、第２電極及び能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる。
　上記の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る電子デバイスは、
　基体上に形成された、有機絶縁材料から成る絶縁層、
　絶縁層の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、
　能動層の一部の上に形成された第１電極及び第２電極、
　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層、並びに、
　層間絶縁層上に形成され、能動層と対向した制御電極、
を備えており、
　能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる。
　上記の目的を達成するための本開示の第４の態様に係る電子デバイスは、
　基体上に形成された、有機絶縁材料から成る絶縁層、
　絶縁層の上に形成された第１電極及び第２電極、
　第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、
　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層、並びに、
　層間絶縁層上に形成され、能動層と対向した制御電極、
を備えており、
　第１電極、第２電極及び能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる。
　上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法は、
　基体上に制御電極を形成した後、
　有機絶縁材料から成り、制御電極を覆う絶縁層を形成し、次いで、
　絶縁層上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成した後、
　能動層上に第１電極及び第２電極を形成する、
各工程を備えており、
　能動層のパターニング時、能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる。
　上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る電子デバイスの製造方法は、
　基体上に制御電極を形成した後、
　有機絶縁材料から成り、制御電極を覆う絶縁層を形成し、次いで、
　絶縁層上に第１電極及び第２電極を形成した後、
　少なくとも第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成する、
各工程を備えており、
　能動層のパターニング時、第１電極、第２電極及び能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる。
　上記の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る電子デバイスの製造方法は、
　基体上に、有機絶縁材料から成る絶縁層を形成し、次いで、
　絶縁層の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成した後、
　能動層の一部の上に第１電極及び第２電極を形成し、次いで、
　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層を形成した後、
　層間絶縁層上に、能動層と対向した制御電極を形成する、
各工程を備えており、
　能動層のパターニング時、能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる。
　上記の目的を達成するための本開示の第４の態様に係る電子デバイスの製造方法は、
　基体上に、有機絶縁材料から成る絶縁層を形成し、次いで、
　絶縁層の上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
　第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成し、次いで、
　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層を形成した後、
　層間絶縁層上に、能動層と対向した制御電極を形成する、
各工程を備えており、
　能動層のパターニング時、第１電極、第２電極及び能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる。
　本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイスあるいはその製造方法にあっては、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成は絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異なり、あるいは又、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成を絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異ならせる。それ故、有機半導体材料層のパターニング時、有機半導体材料層を構成する有機半導体材料と、絶縁層を構成する有機絶縁材料との間に、エッチング選択比を確実に確保することが可能となる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。
図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃは、実施例１の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃは、図１Ｃに引き続き、実施例１の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは、実施例２の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図４Ａ及び図４Ｂは、図３Ｃに引き続き、実施例２の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃは、実施例３の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃは、図５Ｃに引き続き、実施例３の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃは、実施例４の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図８Ａ及び図８Ｂは、図７Ｃに引き続き、実施例４の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図９Ａ及び図９Ｂは、実施例７の電子デバイスの模式的な一部断面図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂは、実施例７の電子デバイスの模式的な一部断面図である。
　以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイス、本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイスの製造方法、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る電子デバイス及びその製造方法：ボトムゲート／トップコンタクト型）
３．実施例２（本開示の第２の態様に係る電子デバイス及びその製造方法：ボトムゲート／ボトムコンタクト型）
４．実施例３（本開示の第３の態様に係る電子デバイス及びその製造方法：トップゲート／トップコンタクト型）
５．実施例４（本開示の第４の態様に係る電子デバイス及びその製造方法：トップゲート／ボトムコンタクト型）
６．実施例５（実施例１～実施例４の変形）
７．実施例６（実施例１～実施例５の変形）
８．実施例７（実施例１～実施例６の変形）
９．実施例８（２端子型の電子デバイス）、その他
［本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイス、本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイスの製造方法、全般に関する説明］
　本開示の第１の態様～第２の態様に係る電子デバイス等において、基体及び制御電極と絶縁層との間には絶縁膜が形成されている形態とすることができる。また、本開示の第３の態様～第４の態様に係る電子デバイス等において、基体と絶縁層との間には絶縁膜が形成されている形態とすることができる。
　また、本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイスの製造方法にあっては、ドライエッチング法に基づく能動層のパターニング時、エッチング用ガスと絶縁層の領域Ａを構成する有機絶縁材料とを反応させ、以て、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成を、絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異ならせる形態とすることができる。あるいは又、ドライエッチング法に基づく能動層のパターニング時、絶縁層の領域Ａの表層を除去し、以て、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成を、絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異ならせる形態とすることができる。更には、これらの好ましい形態を含む本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイスの製造方法にあっては、能動層のパターニング後、絶縁層の領域Ａの表層を除去する形態とすることができる。
　上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る電子デバイス、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法によって得られる電子デバイスを、以下、総称して、『本開示の第１の態様に係る電子デバイス等』と呼ぶ。また、上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る電子デバイス、上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る電子デバイスの製造方法によって得られる電子デバイスを、以下、総称して、『本開示の第２の態様に係る電子デバイス等』と呼ぶ。更には、上記の好ましい形態を含む本開示の第３の態様に係る電子デバイス、上記の好ましい形態を含む本開示の第３の態様に係る電子デバイスの製造方法によって得られる電子デバイスを、以下、総称して、『本開示の第３の態様に係る電子デバイス等』と呼ぶ。また、上記の好ましい形態を含む本開示の第４の態様に係る電子デバイス、上記の好ましい形態を含む本開示の第４の態様に係る電子デバイスの製造方法によって得られる電子デバイスを、以下、総称して、『本開示の第４の態様に係る電子デバイス等』と呼ぶ。
　上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイス等において、能動層と絶縁層の領域Ｂとの間には、第２の絶縁層が形成されている形態とすることができる。第２の絶縁層の厚さとして、１×１０-8ｍ乃至５×１０-8ｍを例示することができる。
　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイス等において、絶縁層の領域Ａの表面と絶縁層の領域Ｂの表面との間の段差は、２×１０-7ｍ以下、好ましくは５×１０-8ｍ以下、一層好ましくは１×１０-8ｍ以下である形態とすることが望ましい。
　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイス等において、絶縁層の領域Ａの酸素含有濃度は、絶縁層の領域Ｂの酸素含有濃度よりも高い形態であることが好ましい。
　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイス等において、絶縁層の構成原子には金属原子が含まれる構成とすることができる。そして、この場合、絶縁層の領域Ａの表面には、絶縁層を構成する金属原子と酸素が結合した金属酸化物が含まれる構成とすることができる。更には、これらの構成において、有機絶縁材料は、共重合架橋ポリマー及びグラフト重合架橋ポリマーを含むシリコーン樹脂（絶縁層の構成原子としての金属原子：Ｓｉ）；ポリシラン及びポリゲルマンを含む含シリコン・ゲルマニウムポリマー（絶縁層の構成原子としての金属原子：Ｓｉ，Ｇｅ）；シルセスキオキサン（絶縁層の構成原子としての金属原子：Ｓｉ）；含スズポリマー（絶縁層の構成原子としての金属原子：Ｓｎ）；含コバルトポリマー（絶縁層の構成原子としての金属原子：Ｃｏ）；及び、ａ，ｂ不飽和カルベンの主鎖若しくは側鎖に金属原子を含むポリマー材料から成る群から選択された少なくとも１種類の絶縁材料、又は、これらの材料のいずれかと、ポリビニルフェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂及びポリパラキシリレン樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂との混合物から成る構成とすることが好ましい。有機絶縁材料から成る絶縁層の形成方法として、後述する各種塗布法を挙げることができる。
　あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイス等において、有機絶縁材料は、金属酸化物ナノ粒子（金属絶縁物ナノ粒子を包含する。以下の説明においても同様である）をポリマー材料中に分散させた材料から成る構成とすることができる。ここで、金属酸化物ナノ粒子として、酸化チタン・ナノ粒子、酸化ケイ素・ナノ粒子、酸化バナジウム・ナノ粒子、酸化アルミニウム・ナノ粒子を挙げることができ、粒径として、４×１０-7ｍ以下、好ましくは、１×１０-7ｍ以下を例示することができる。ポリマー材料として、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、ポリパラキシリレン樹脂、フッ素樹脂等の高分子材料を挙げることができるし、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマー［具体的には、ＴＯＰＡＳ（Topas Advanced Polymers GmbH 社製、登録商標）、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ株式会社製、登録商標）、ＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン株式会社製、登録商標）］を挙げることができる。金属酸化物ナノ粒子をポリマー材料中に分散させた絶縁層の形成方法として、後述する各種塗布法を挙げることができる。
　化学的組成は、エネルギー分散型Ｘ線分析（Energy Dispersive X-ray spectrometry，ＥＤＸ)法や、Ｘ線光電子分光（X-ray Photoelectron Spectroscopy，ＸＰＳ）法、ＡＥＳ法（オージェ電子分光法）、ＵＰＳ法（紫外線光電子分光法）、Ｆ－ＳＩＭＳ法（飛行時間型２次イオン質量分析法）等の分析法に基づき、構成元素の割合や化学結合の状態を分析することができる。
　本開示の電子デバイスを備えた画像表示装置は、本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイスから成る半導体装置を備えており、
　電子デバイスにおける制御電極が、半導体装置におけるゲート電極に相当し、
　電子デバイスにおける絶縁層あるいは層間絶縁層が、半導体装置におけるゲート絶縁層に相当し、
　電子デバイスにおける第１電極及び第２電極が、半導体装置におけるソース／ドレイン電極に相当する。
　また、センサーは、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る電子デバイスから成る。
　本開示の第１の態様～第４の態様に係る電子デバイス等（以下、これらを総称して、単に、『本開示の電子デバイス等』と呼ぶ場合がある）において、能動層を構成する有機半導体材料として、ポリピロール及びその誘導体；ポリチオフェン及びその誘導体；ポリイソチアナフテン等のイソチアナフテン類；ポリチェニレンビニレン等のチェニレンビニレン類；ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）等のポリ（ｐ－フェニレンビニレン）類；ポリアニリン及びその誘導体；ポリアセチレン類；ポリジアセチレン類；ポリアズレン類；ポリピレン類；ポリカルバゾール類；ポリセレノフェン類；ポリフラン類；ポリ（ｐ－フェニレン）類；ポリインドール類；ポリピリダジン類；ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド等のポリマー及び多環縮合体等を挙げることができる。あるいは又、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー類を挙げることもできる。あるいは又、ナフタセン、ペンタセン［２，３，６，７－ジベンゾアントラセン］及びその誘導体、アントラジチオフェン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン等のアセン類及びアセン類の炭素の一部をＮ、Ｓ、Ｏ等の原子、カルボニル基等の官能基で置換した誘導体（ペリキサンテノキサンテン及びその誘導体を含むジオキサアンタントレン系化合物、トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン－６，１５－キノン、ペリキサンテノキサンテン［ＰＸＸ，6,12-dioxaanthanthrene］等）、及び、これらの水素を他の官能基で置換した誘導体を挙げることができる。あるいは又、あるいは又、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）に代表されるチオフェン；セレノフェン環とベンゼン環の縮合多環系化合物及びその誘導体；銅フタロシアニンで代表される金属フタロシアニン類；テトラチアフルバレン及びテトラチアフルバレン誘導体；テトラチアペンタレン及びその誘導体；ナフタレン１，４，５，８－テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’－ビス（４－トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８－テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’－ビス（１Ｈ，１Ｈ－ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’－ビス（１Ｈ，１Ｈ－ペルフルオロブチル）及びＮ，Ｎ’－ジオクチルナフタレン１，４，５，８－テトラカルボン酸ジイミド等のテトラカルボン酸ジイミド類；ナフタレン２，３，６，７テトラカルボン酸ジイミド等のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類；アントラセン２，３，６，７－テトラカルボン酸ジイミド等のアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類等の縮合環テトラカルボン酸ジイミド類；Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン類及びこれらの誘導体；ＳＷＮＴ等のカーボンナノチューブ；メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類等の色素とこれらの誘導体等を挙げることもできる。あるいは又、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ－３－ヘキシルチオフェン［Ｐ３ＨＴ］、ポリアントラセン、トリフェニレン、ポリテルロフェン、ポリナフタレン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］、キナクリドンを挙げることができる。あるいは又、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマー、及び、チオフェン系の共役系オリゴマーから成る群から選択された化合物を挙げることができる。具体的には、例えば、アセン系分子（ペンタセン、テトラセン等）といった縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系分子、共役系オリゴマー（フェニルビニリデン系やチオフェン系）を挙げることができる。あるいは又、例えば、ポルフィリン、４，４’－ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’－ジイソシアノビフェニル、４，４’－ジイソシアノ－ｐ－テルフェニル、２，５－ビス（５’－チオアセチル－２’－チオフェニル）チオフェン、２，５－ビス（５’－チオアセトキシル－２’－チオフェニル）チオフェン、４，４’－ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル－４，４’－ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）及びその誘導体、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）－ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）－過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ－ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ－ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル－４，４’－ジカルボン酸、１，４－ジ（４－チオフェニルアセチリニル）－２－エチルベンゼン、１，４－ジ（４－イソシアノフェニルアセチリニル）－２－エチルベンゼン、デンドリマー、１，４－ジ（４－チオフェニルエチニル）－２－エチルベンゼン、２，２”－ジヒドロキシ－１，１’：４’，１”－テルフェニル、４，４’－ビフェニルジエタナール、４，４’－ビフェニルジオール、４，４’－ビフェニルジイソシアネート、１，４－ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル－４，４’－ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２－ｃ；３，４－ｃ’；５，６－ｃ”］トリス［１，２］ジチオール－１，４，７－トリチオン、α－セキシチオフェン、テトラチアテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３－アルキルチオフェン）、ポリ（３－チオフェン－β－エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ－アルキルピロール）ポリ（３－アルキルピロール）、ポリ（３，４－ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’－チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を挙げることができる。
　有機半導体材料には、必要に応じてポリマーが含まれていてもよい。ポリマーは有機溶剤に溶解すればよい。具体的には、ポリマー（有機結合剤、バインダー）として、ポリスチレン、ポリアルファメチルスチレン、ポリオレフィンを例示することができる。更には、場合によっては、添加物（例えば、ｎ型不純物やｐ型不純物といった、所謂ドーピング材料）を加えることもできる。
　能動層の形成方法として、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、真空蒸着法を含む各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）の他、塗布法を挙げることができる。ここで、塗布法として、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷、フレキソ印刷、マイクロコンタクト法といった各種印刷法；スピンコート法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、キャスティング法、キャピラリーコーター法、バーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スプレー法；ディスペンサーを用いる方法：スタンプ法といった、液状材料を塗布する方法を挙げることができる。
　また、能動層のパターニング方法として、酸素ガス（Ｏ2ガス）を用いたドライエッチング法（反応性イオンエッチング法，ＲＩＥ法）を挙げることができる。酸素ガスを用いたドライエッチング法による能動層を構成する有機半導体材料のエッチング速度をＥＲ1、同じ条件の酸素ガスを用いたドライエッチング法による絶縁層のエッチング速度をＥＲ2としたとき、
ＥＲ1／ＥＲ2≧１０
を満足することが好ましい。
　基体を構成する材料として、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチルエーテルケトン、ポリオレフィンに例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板を挙げることができ、あるいは又、雲母を挙げることができる。このような可撓性を有する有機ポリマー、高分子材料から構成された基体を使用すれば、例えば曲面形状を有する画像表示装置や電子機器への電子デバイスの組込みあるいは一体化が可能となる。場合によっては、基体として、各種ガラス基板や、表面に下地絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に下地絶縁膜が形成された石英基板、表面に下地絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル等の各種合金や各種金属から成る金属基板、金属箔、紙を挙げることができる。基体を、以上に述べた材料から適宜選択された支持部材上に（あるいは支持部材の上方に）配すればよい。支持部材として、その他、導電性基板（金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板、ステンレス鋼基板等）を挙げることができる。これらの基体の上に、密着性や平坦性を改善するためのバッファー層やガスバリア性を向上させるためのバリア膜等の機能性膜を形成してもよい。
　第１電極及び第２電極を構成する材料として、具体的には、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）を例示することができるし、これらの材料のいずれかから成る層の積層構造、あるいは又、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ等の透明酸化物導電材料を挙げることができる。
　制御電極や所望に応じて設ける配線を構成する材料として、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、 タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、 モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ルテニウム（Ｒｈ）、ルビジウム（Ｒｂ）、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、不純物を含有したポリシリコン等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。更には、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］やＴＴＦ－ＴＣＮＱ、ポリアニリンといった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。
　制御電極や第１電極、第２電極等の形成方法として、各種ＰＶＤ法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）、アーク放電法、ＭＯＣＶＤ法を含む各種化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、リフト・オフ法、シャドウマスク法、インクやペーストを用いた上述の各種塗布法を挙げることができる。また、電解メッキ法や無電解メッキ法等のメッキ法により形成してもよい。更には、必要に応じてパターニング技術と組み合わせてもよい。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着、ルツボを加熱する方法等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。制御電極、第１電極及び第２電極をエッチング方法に基づき形成する場合、ドライエッチング法やウェットエッチング法を採用すればよく、ドライエッチング法として、例えば、イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を挙げることができる。また、制御電極等を、レーザアブレーション法、マスク蒸着法、レーザ転写法等に基づき形成することもできる。
　絶縁膜や第２の絶縁層、層間絶縁層を構成する材料として、無機絶縁材料及び有機絶縁材料を挙げることができる。無機絶縁材料として、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮY）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化チタン、酸化ハフニウムＨｆＯ2等の材料を挙げることができる。ここで、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ2系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。無機絶縁材料から成る絶縁層の形成方法として、上述の各種塗布法、上述の各種ＰＶＤ法やＣＶＤ法等の真空プロセスを挙げることができるし、あるいは又、これらの無機絶縁材料を溶解させた溶液を用いたゾル・ゲル法、リフト・オフ法、電着法、シャドウマスク法を挙げることができる。また、これらの形成方法のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることもできる。一方、有機絶縁材料として、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、ポリパラキシリレン樹脂、フッ素樹脂等の高分子材料を挙げることができるし、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマー［具体的には、ＴＯＰＡＳ、ＡＲＴＯＮ、ＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン株式会社製、登録商標）］を挙げることができる。有機絶縁材料から成る絶縁層の形成方法として、上述の各種塗布法を挙げることができるし、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等の真空プロセスを用いることもできる。
　絶縁膜や層間絶縁層は、必要に応じて、例えば、ウェットエッチング法やドライエッチング法、レーザアブレーション法等の周知の方法に基づきパターニングしてもよい。
　本開示の電子デバイスは、所謂３端子構造を有していてもよいし、２端子構造を有していてもよい。３端子構造を有する電子デバイスによって、例えば、電界効果トランジスタ、より具体的には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成され、あるいは又、発光素子が構成される。即ち、制御電極、第１電極及び第２電極への電圧の印加によって能動層が発光する発光素子（有機発光素子、有機発光トランジスタ）を構成することができる。これらの電子デバイスにおいては、制御電極に印加される電圧によって、第１電極から第２電極に向かって能動層に流れる電流が制御される。電子デバイスが、電界効果トランジスタとしての機能を発揮するか、発光素子として機能するかは、第１電極及び第２電極への電圧印加状態（バイアス）に依存する。先ず、第２電極からの電子注入が起こらない範囲のバイアスを加えた上で制御電極を変調することにより、第１電極から第２電極へ電流が流れる。これがトランジスタ動作である。一方、正孔が十分に蓄積された上で第１電極及び第２電極へのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。また、２端子構造を有する電子デバイスとして、能動層への光の照射によって第１電極と第２電極との間に電流が流れる光電変換素子を挙げることができる。
　センサーとして、光センサーや、光電変換素子（具体的には、太陽電池やイメージセンサー）を挙げることができる。具体的には、光センサーの能動層を構成する有機半導体分子として、光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）に対して吸収性のある色素を使用すればよい。また、光電変換素子にあっては、能動層への光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）の照射によって第１電極と第２電極との間に電流が流れる。尚、３端子構造を有する電子デバイスからも光電変換素子を構成することができ、この場合、制御電極への電圧の印加は行わなくともよいし、行ってもよく、後者の場合、制御電極への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。また、センサーとして、検出すべき化学物質が能動層に吸着すると、第１電極と第２電極との間の電気抵抗値が変化することを利用し、第１電極と第２電極との間に電流を流し、あるいは又、第１電極と第２電極との間に適切な電圧を印加し、能動層の電気抵抗値を測定することで、能動層に吸着した化学物質の量（濃度）を測定する化学物質センサーを挙げることもできる。あるいは又、分子認識能を有する分子センサー、能動層の表面に結合分子（例えば、生体分子）を結合、固定し、更に、結合分子と相互作用する機能性分子（例えば、別の生体分子）を添加することで作製されたバイオセンサーを挙げることもできる。尚、化学物質は能動層において吸着平衡状態となるので、時間が経過し、能動層が置かれた雰囲気における化学物質の量（濃度）が変化すると、平衡状態も変化する。化学物質として、例えば、ＮＯ2ガス、Ｏ2ガス、ＮＨ3ガス、スチレンガス、ヘキサンガス、オクタンガス、デカンガス、トリメチルベンゼンガスを例示することができる。
　本開示の電子デバイスを組み込む装置の一例として、限定するものではないが、画像表示装置を例示することができる。ここで、画像表示装置として、所謂デスクトップ型のパーソナルコンピュータ、ノートブック型パーソナルコンピュータ、モバイル型パーソナルコンピュータ、タブレット型パーソナルコンピュータを含むタブレット端末、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスト）、カーナビゲーションシステム、携帯電話やスマートフォン、ゲーム機、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、コピー機、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、電卓、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰ等における各種画像表示装置（例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置、電気泳動表示装置、冷陰極電界放出表示装置等）を挙げることができる。また、各種照明装置を挙げることもできる。
　本開示の電子デバイスを、画像表示装置や、電子ペーパー、ＲＦＩＤｓ（Radio Frequency Identification Card）等を含む各種の電子機器に適用、使用する場合、支持部材に多数の電子デバイスを集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスを切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。また、電子デバイスを樹脂にて封止してもよい。
　実施例１は、本開示の第１の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法に関し、更には、画像表示装置に関する。
　実施例１の電子デバイスは、ボトムゲート／トップコンタクト型であって３端子型の電子デバイス、具体的には、ＴＦＴであり、模式的な一部断面図を図２Ｃに示すように、
　（ａ）基体１０上に形成された制御電極１１、
　（ｂ）制御電極１１を覆う、有機絶縁材料から成る絶縁層２１、
　（ｃ）絶縁層２１上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層１２、並びに、
　（ｄ）能動層１２上に形成された第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂ、
を備えた電子デバイスである。そして、能動層１２が形成されていない絶縁層２１の領域である領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成は、能動層１２の下に位置する絶縁層２１の領域である領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異なる。
　尚、以下においては、「制御電極１１」の代わりに「ゲート電極１１」という用語を用いて説明を行い、「能動層１２」の代わりに「チャネル形成領域１２Ａ及び／又はチャネル形成領域延在部１２Ｂ」という用語を用いて説明を行い、「第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂ」の代わりに「ソース／ドレイン電極１３Ａ，１３Ｂ」という用語を用いて説明を行う場合がある。
　具体的には、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例８において、基体１０は、ガラス基板から構成されている。尚、基体１０をプラスチック基板から構成することもできる。また、ゲート電極１１は、基体側からアルミニウム及びモリブデンの積層構造から成り、チャネル形成領域１２Ａ及びチャネル形成領域延在部１２Ｂはペリキサンテノキサンテン（ＰＸＸ，6,12-dioxaanthanthrene）の誘導体、より具体的には、エチルフェニル－ＰＸＸから成り、第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂは、基体側からアルミニウム及びモリブデンの積層構造から成る。
　また、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例４にあっては、絶縁層２１の構成原子には金属原子が含まれ、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）の表面には、絶縁層２１を構成する金属原子と酸素が結合した金属酸化物が含まれる。そして、有機絶縁材料は、共重合架橋ポリマー及びグラフト重合架橋ポリマーを含む熱硬化型のシリコーン樹脂（絶縁層２１の構成原子としての金属原子：Ｓｉ）から成る。尚、実施例１～実施例２にあっては、絶縁層２１、特に、能動層１２の下に位置する絶縁層２１の領域である領域Ｂ（２１Ｂ）が、ゲート絶縁層に相当する。
　実施例１～実施例７の画像表示装置は、実施例１～実施例７の電子デバイスから成る半導体装置を備えており、
　電子デバイスにおける制御電極が、半導体装置におけるゲート電極１１に相当し、
　電子デバイスにおける絶縁層２１あるいは層間絶縁層１４が、半導体装置におけるゲート絶縁層に相当し、
　電子デバイスにおける第１電極及び第２電極が、半導体装置におけるソース／ドレイン電極１３Ａ，１３Ｂに相当する。
　以下、基体等の模式的な一部端面図である図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃを参照して、実施例１の３端子型の電子デバイス（ボトムゲート／トップコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明するが、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例４の電子デバイスの製造方法にあっては、ドライエッチング法に基づく能動層１２のパターニング時、エッチング用ガスと絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）を構成する有機絶縁材料とを反応させ、以て、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成を、絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異ならせる。
　　［工程－１００］
　先ず、基体１０上に制御電極１１を形成する。具体的には、基体１０上に、ゲート電極１１、及び、ゲート電極１１を覆う絶縁層２１を形成する。より具体的には、基体１０上に、厚さ５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）層（図示せず）、及び、厚さ３０ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）層を、順次、スパッタリング法にて成膜する。そして、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきモリブデン層及びアルミニウム層をパターニングすることで、ゲート電極１１を得ることができる。尚、基体１０上に、使用する材料にも依るが、印刷法に基づきゲート電極１１を形成することもできる。
　　［工程－１１０］
　その後、有機絶縁材料から成り、制御電極１１を覆う絶縁層２１を形成する。具体的には、基体１０及びゲート電極１１の上に、熱硬化型のシリコーン樹脂溶液をスピンコート法に基づき塗布した後、加熱することで、シリコーン樹脂から成り、厚さ０．４μｍの絶縁層２１を得る。こうして、図１Ａに示す構造を得ることができる。
　　［工程－１２０］
　次に、絶縁層２１上に、能動層を構成する有機半導体材料の溶液（より具体的には、トルエンを溶剤としたエチルフェニル－ＰＸＸの溶液）をスピンコート法により成膜し、１４０゜Ｃにて乾燥することで、絶縁層２１の上に有機半導体材料層１２Ｃを形成することができる（図１Ｂ参照）。
　　［工程－１３０］
　その後、絶縁層２１上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層１２（厚さ２０ｎｍのチャネル形成領域１２Ａ、及び、チャネル形成領域延在部１２Ｂ）を形成する。具体的には、有機半導体材料層１２Ｃのチャネル形成領域１２Ａ及びチャネル形成領域延在部１２Ｂを形成すべき領域の上に、レジスト層１５を周知の方法で形成する（図１Ｃ参照）。そして、酸素ガス（Ｏ2ガス）を用いたドライエッチング法（ＲＵＥ法）に基づき、能動層１２（チャネル形成領域１２Ａ及びチャネル形成領域延在部１２Ｂ）をパターニングする。パターニング中の基体等の模式的な一部端面図を図２Ａに示し、パターニングが終了し、レジスト層１５を除去した後の基体等の模式的な一部端面図を図２Ｂに示す。こうして、能動層１２のパターニング時、能動層１２が形成されない絶縁層２１の領域である領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成を、能動層１２の下に位置する絶縁層２１の領域である領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異ならせる。
　ここで、有機半導体材料層１２Ｃがドライエッチングされ、有機半導体材料層１２Ｃの下の絶縁層２１が露出し始めると、露出した絶縁層２１を構成する有機絶縁材料中のシリコン（Ｓｉ）原子が、エッチングガスを構成する酸素原子と反応して、絶縁層２１の表面領域にはＳｉＯXから成る酸化物膜２２が形成される。尚、絶縁層の構成原子としての金属原子を「Ｍ」で表す場合、ＭXＯYから成る酸化物膜が形成される。酸化物膜２２は一種のエッチングストッパとして機能する結果、酸素ガスによる絶縁層２１の更なるエッチングは停止する。以上の結果として、絶縁層２１の過剰なエッチングを抑制することができ、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）の表面と絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）の表面との間の段差を、２×１０-7ｍ以下、好ましくは５×１０-8ｍ以下、一層好ましくは１×１０-8ｍ以下（実施例１にあっては、具体的には、約１０ｎｍ）に納めることができる。尚、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）においてはＳｉＯXが形成され、絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）においてはＳｉＯXが形成されないが故に、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）の酸素含有濃度は、絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）の酸素含有濃度よりも高い。後述する実施例２～実施例４においても同様である。
　　［工程－１４０］
　その後、能動層１２上（具体的には、チャネル形成領域延在部１２Ｂ上）に、第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂを形成する。具体的には、アルミニウム層及びモリブデン層をスパッタリング法に基づき、順次、形成した後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、モリブデン層及びアルミニウム層をパターニングすることで、第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂを得ることができる。こうして、図２Ｃに示す構造を得ることができる。尚、第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂの成膜を行う際、チャネル形成領域１２Ａ及びチャネル形成領域延在部１２Ｂの一部をハードマスクで覆うことによって、第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂをフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。また、印刷法に基づき第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂを形成することもできる。アルミニウムは、有機材料に対する密着性に乏しく、微細加工が困難であるが、酸化物膜２２に対する密着性が高く、微細加工が可能であり、第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂに高い信頼性を付与することができる。
　　［工程－１５０］
　例えば、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、こうして得られた、画像表示装置の制御部（画素駆動回路）を構成する電子デバイスであるＴＦＴの上あるいは上方に、画像表示部（具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいは電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子等から成る画像表示部）を、周知の方法に基づき形成することで、画像表示装置を製造することができる。ここで、こうして得られた、画像表示装置の制御部（画素駆動回路）を構成する電子デバイスと、画像表示部における電極（例えば、画素電極）とを、例えば、コンタクトホールや配線といった接続部で接続すればよい。あるいは又、全面にパッシベーション膜（図示せず）を形成する。こうして、ボトムゲート／トップコンタクト型の電子デバイス（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）を得ることができる。あるいは又、チャネル形成領域延在部１２Ｂをパターニングした後、全面にパッシベーション膜（図示せず）を形成してもよい。以上の工程は、後述する実施例２～実施例７にも適用することができる。
　実施例１において、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成は絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異なり、あるいは又、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成を絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異ならせるので、有機半導体材料層のパターニング時、有機半導体材料層を構成する有機半導体材料と、絶縁層を構成する有機絶縁材料との間に、エッチング選択比を確実に確保することが可能となる。また、余分な工程無しに、有機半導体材料層のエッチング時、エッチングガスによる絶縁層の過剰なエッチングを抑制することができ、絶縁層の領域Ａの表面と絶縁層の領域Ｂの表面との間の段差を無くす、あるいは、少なくすることができる。それ故、例えば、断線や面内不均一性、カバレッジ不足、膜厚不均一といった種々の問題が生じることが無いし、リーク電流の低減を図ることができるし、電子デバイスの信頼性の低下、不良の発生が発生することも無く、また、電子デバイスのレイアウトの制限等も無い。しかも、絶縁層の領域Ｂはエッチングガスに晒されることが無いので、能動層と絶縁層との界面は、絶縁層上に有機半導体材料層を形成したときのままに保持され、電子デバイスの性能低下等が発生することを回避することができる。
　実施例２は、本開示の第２の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第２の態様に係る電子デバイスの製造方法に関し、更には、画像表示装置に関する。
　実施例２の電子デバイスは、ボトムゲート／ボトムコンタクト型であって３端子型の電子デバイス、具体的には、ＴＦＴであり、模式的な一部断面図を図４Ｂに示すように、
　（ａ）制御電極１１を覆う、有機絶縁材料から成る絶縁層２１、
　（ｂ）絶縁層２１上に形成された第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂ、並びに、
　（ｃ）少なくとも第１電極１３Ａと第２電極１３Ｂとの間に位置する絶縁層２１の部分の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層１２、
を備えた電子デバイスである。そして、第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２が形成されていない絶縁層２１の領域である領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成は、第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２の下に位置する絶縁層２１の領域である領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異なる。
　以下、基体等の模式的な一部端面図である図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図４Ａ及び図４Ｂを参照して、実施例２の３端子型の電子デバイス（ボトムゲート／ボトムコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。
　　［工程－２００］
　先ず、基体１０上に制御電極１１を形成した後、有機絶縁材料から成り、制御電極１１を覆う絶縁層２１を形成する。具体的には、実施例１の［工程－１００］～［工程－１１０］と同様の工程を実行する。
　　［工程－２１０］
　次に、絶縁層２１上に第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂを形成する（図３Ａ参照）。具体的には、実施例１の［工程－１４０］と同様の工程を実行する。
　　［工程－２２０］
　その後、少なくとも第１電極１３Ａと第２電極１３Ｂとの間に位置する絶縁層２１の部分の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層１２を形成する。具体的には、第１電極１３Ａと第２電極１３Ｂとの間に位置する絶縁層２１の部分の上に、パターニングされた能動層１２を形成する。より具体的には、実施例１の［工程－１２０］と同様にして、全面に、有機半導体材料層１２Ｃを形成する（図３Ｂ参照）。次いで、実施例１の［工程－１３０］と同様にして、有機半導体材料層１２Ｃのチャネル形成領域１２Ａ及びチャネル形成領域延在部１２Ｂを形成すべき領域の上に、レジスト層１５を周知の方法で形成する（図３Ｃ参照）。そして、酸素ガスを用いたドライエッチング法に基づき、能動層１２（チャネル形成領域１２Ａ及びチャネル形成領域延在部１２Ｂ）をパターニングする。パターニングした後の基体等の模式的な一部端面図を図４Ａに示し、レジスト層１５を除去した後の基体等の模式的な一部端面図を図４Ｂに示す。こうして、第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２が形成されない絶縁層２１の領域である領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成を、第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２の下に位置する絶縁層２１の領域である領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異ならせる。
　以上によってＴＦＴを完成させてもよいし、更には、実施例１の［工程－１５０］と同様にして画像表示装置を製造してもよい。
　実施例３は、本開示の第３の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第３の態様に係る電子デバイスの製造方法に関し、更には、画像表示装置に関する。
　実施例３の電子デバイスは、トップゲート／トップコンタクト型であって３端子型の電子デバイス、具体的には、ＴＦＴであり、模式的な一部断面図を図６Ｃに示すように、
　基体１０上に形成された、有機絶縁材料から成る絶縁層２１、
　絶縁層２１の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層１２、
　能動層１２の一部の上に形成された第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂ、
　第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２を覆う層間絶縁層１４、並びに、
　層間絶縁層１４上に形成され、能動層１２と対向した制御電極１１、
を備えた電子デバイスである。そして、能動層１２が形成されていない絶縁層２１の領域である領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成は、能動層１２の下に位置する絶縁層２１の領域である領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異なる。尚、絶縁層２１は、平坦化、電子デバイスの特性の一層の向上を目的として形成されている。また、実施例３～実施例４にあっては、層間絶縁層１４がゲート絶縁層に相当する。
　以下、基体等の模式的な一部端面図である図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃを参照して、実施例３の３端子型の電子デバイス（トップゲート／トップコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。尚、実施例３あるいは後述する実施例４にあっても、基体１０はガラス基板から構成されているが、これに限定するものではなく、例えば、プラスチック基板から構成することもできる。
　　［工程－３００］
　先ず、基体１０上に、実施例１の［工程－１１０］と同様にして、有機絶縁材料から成る絶縁層２１を形成する。
　　［工程－３１０］
　次いで、絶縁層２１の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層１２を形成する。具体的には、実施例１の［工程－１２０］及び［工程－１３０］と同様の工程を実行する。即ち、絶縁層２１の上に有機半導体材料層１２Ｃを形成した後（図５Ａ参照）、有機半導体材料層１２Ｃのチャネル形成領域１２Ａ及びチャネル形成領域延在部１２Ｂを形成すべき領域の上に、レジスト層１５を周知の方法で形成する（図５Ｂ参照）。そして、酸素ガスを用いたドライエッチング法に基づき、能動層１２（チャネル形成領域１２Ａ及びチャネル形成領域延在部１２Ｂ）をパターニングする。パターニング中の基体等の模式的な一部端面図を図５Ｃに示し、パターニングが終了し、レジスト層１５を除去した後の基体等の模式的な一部端面図を図６Ａに示す。こうして、能動層１２のパターニング時、能動層１２が形成されない絶縁層２１の領域である領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成を、能動層１２の下に位置する絶縁層２１の領域である領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異ならせる。
　　［工程－３２０］
　その後、能動層１２の一部の上に、具体的には、チャネル形成領域延在部１２Ｂ上に、実施例１の［工程－１４０］と同様にして、第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂを形成する（図６Ｂ参照）。
　　［工程－３３０］
　次に、第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２を覆う層間絶縁層１４を形成した後、層間絶縁層１４上に、能動層１２と対向した制御電極１１を形成する。具体的には、シクロパーフルオロカーボンポリマー（旭硝子株式会社製：商品名サイトップ）から成る層間絶縁層（ゲート絶縁層）１４を全面に形成する。その後、実施例１の［工程－１００］と同様にして、層間絶縁層（ゲート絶縁層）１４を介してチャネル形成領域１２Ａと対向したゲート電極１１を得る。こうして、図６Ｃに示す構造を得ることができる。
　以上によってＴＦＴを完成させてもよいし、更には、実施例１の［工程－１５０］と同様にして画像表示装置を製造してもよい。
　実施例４は、本開示の第４の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第４の態様に係る電子デバイスの製造方法に関し、更には、画像表示装置に関する。
　実施例４の電子デバイスは、トップゲート／ボトムコンタクト型であって３端子型の電子デバイス、具体的には、ＴＦＴであり、模式的な一部断面図を図８Ｂに示すように、
　基体１０上に形成された、有機絶縁材料から成る絶縁層２１、
　絶縁層２１の上に形成された第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂ、
　第１電極１３Ａと第２電極１３Ｂとの間に位置する絶縁層２１の部分の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層１２、
　第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２を覆う層間絶縁層１４、並びに、
　層間絶縁層１４上に形成され、能動層１２と対向した制御電極１１、
を備えた電子デバイスである。そして、第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２が形成されていない絶縁層２１の領域である領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成は、第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２の下に位置する絶縁層２１の領域である領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異なる。
　以下、基体等の模式的な一部端面図である図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図８Ａ及び図８Ｂを参照して、実施例４の３端子型の電子デバイス（トップゲート／ボトムコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。
　　［工程－４００］
　先ず、基体１０上に、実施例１の［工程－１１０］と同様にして、有機絶縁材料から成る絶縁層２１を形成する。
　　［工程－４１０］
　次いで、絶縁層２１の上に、実施例１の［工程－１４０］と同様にして、第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂを形成する（図７Ａ参照）。
　　［工程－４２０］
　その後、第１電極１３Ａと第２電極１３Ｂとの間に位置する絶縁層２１の部分の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層１２を形成する。具体的には、実施例１の［工程－１２０］及び［工程－１３０］と同様の工程を実行する。即ち、全面に有機半導体材料層１２Ｃを形成した後（図７Ｂ参照）、有機半導体材料層１２Ｃのチャネル形成領域１２Ａ及びチャネル形成領域延在部１２Ｂを形成すべき領域の上に、レジスト層１５を周知の方法で形成する（図７Ｃ参照）。そして、酸素ガスを用いたドライエッチング法に基づき、能動層１２（チャネル形成領域１２Ａ及びチャネル形成領域延在部１２Ｂ）をパターニングする。パターニングが終了し、レジスト層１５を除去した後の基体等の模式的な一部端面図を図８Ａに示す。こうして、能動層１２のパターニング時、第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２が形成されない絶縁層２１の領域である領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成を、第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２の下に位置する絶縁層２１の領域である領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異ならせる。
　　［工程－４３０］
　その後、実施例３の［工程－３３０］と同様にして、第１電極１３Ａ、第２電極１３Ｂ及び能動層１２を覆う層間絶縁層１４を形成した後、層間絶縁層１４上に、能動層１２と対向した制御電極１１を形成する。こうして、図８Ｂに示す構造を得ることができる。
　以上によってＴＦＴを完成させてもよいし、更には、実施例１の［工程－１５０］と同様にして画像表示装置を製造してもよい。
　実施例５は、実施例１～実施例４の変形である。実施例１～実施例４にあっては、絶縁層２１を構成する材料として、絶縁層２１の構成原子に金属原子が含まれる材料を使用した。一方、実施例５にあっては、有機絶縁材料は、金属酸化物ナノ粒子（含有率は、例えば、５質量％乃至３０質量％）をポリマー材料中に分散させた材料から成る。ここで、ポリマー材料は、熱硬化型のポリビニルフェノール（ＰＶＰ）樹脂から成り、金属酸化物ナノ粒子は酸化チタン・ナノ粒子から成る。また、能動層１２は、真空蒸着法によって成膜された厚さ３０ｎｍのジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）から成る。
　実施例５においては、実施例１の［工程－１１０］、実施例２の［工程－２００］、実施例３の［工程－３００］、実施例４の［工程－４００］と同様の工程において、金属酸化物ナノ粒子をポリマー材料中に分散させた有機絶縁材料から成り、厚さ０．４μｍの絶縁層２１を形成する。そして、実施例１の［工程－１２０］～［工程－１３０］、実施例２の［工程－２２０］、実施例３の［工程－３１０］、実施例４の［工程－４２０］と同様の工程において、ドライエッチング法に基づく能動層１２のパターニング時、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）の表層を除去し、以て、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）の表面の化学的組成を、絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異ならせる。即ち、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層１２を形成するが、このとき、絶縁層２１のエッチングが始まると、直ちに、絶縁層２１の最表面に金属酸化物ナノ粒子が露出する。そして、絶縁層２１の最表面に偏在した金属酸化物ナノ粒子が一種のエッチングストッパとして機能する結果、絶縁層２１のそれ以上のドライエッチングは進行しなくなる。
　このように、実施例５にあっても、絶縁層の最表面に金属酸化物ナノ粒子が露出する結果、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成は絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異なり、あるいは又、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成を絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異ならせるので、有機半導体材料層のパターニング時、有機半導体材料層を構成する有機半導体材料と、絶縁層を構成する有機絶縁材料との間に、エッチング選択比を確実に確保することが可能となる。また、余分な工程無しに、有機半導体材料層のエッチング時、エッチングガスによる絶縁層の過剰なエッチングを抑制することができ、絶縁層の領域Ａの表面と絶縁層の領域Ｂの表面との間の段差を無くす、あるいは、少なくすることができる。それ故、例えば、断線や面内不均一性、カバレッジ不足、膜厚不均一といった種々の問題が生じることが無いし、リーク電流の低減を図ることができるし、電子デバイスの信頼性の低下、不良の発生が発生することも無く、また、電子デバイスのレイアウトの制限等も無い。しかも、絶縁層の領域Ｂはエッチングガスに晒されることが無いので、能動層と絶縁層との界面は、絶縁層上に有機半導体材料層を形成したときのままに保持され、電子デバイスの性能低下等が発生することを回避することができる。
　以上の点を除き、実施例５の電子デバイスの構成、構造、実施例５の電子デバイスの製造方法は、実施例１～実施例４において説明した電子デバイスの構成、構造、実施例１～実施例４の電子デバイスの製造方法と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　実施例６は、実施例１～実施例５の変形である。実施例６にあっては、能動層１２のパターニング後、絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）の化学的組成と異なる化学的組成を有する絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）の表層を除去する。このように、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）の表層を除去することで、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）の上に、例えば電極等を形成する際に問題が発生することを防止することができる。
　具体的には、実施例１の［工程－１３０］、実施例２の［工程－２２０］、実施例３の［工程－３１０］、実施例４の［工程－４２０］において、能動層１２をパターニングした後、酸化物膜２２をウェットエッチングあるいはドライエッチングによって除去し、その後、レジスト層１５を除去すればよい。
　実施例７は、実施例１～実施例６の変形である。実施例７にあっては、能動層１２と絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）との間には、第２の絶縁層２３が形成されている。このように、第２の絶縁層２３を形成し、第２の絶縁層２３（上層）と絶縁層２１（下層）との２層構造とすることで、能動層との界面を、より一層、所望の状態とすることができる。ここで、具体的には、絶縁層２１の形成後、絶縁層２１上に、有機絶縁膜（例えば、ポリアルファメチルスチレンやＴＯＰＡＳ）から成る第２の絶縁層を形成すればよい。絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）上の第２の絶縁層２３の部分は、能動層１２のパターニング時、エッチングされ、除去される。例えば、実施例１～実施例４において説明した各種の電子デバイスに実施例７を適用したときの電子デバイスの模式的な一部断面図を、図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ、図１０Ｂに示す。
　実施例８は、本開示のセンサーに関する。実施例８のセンサーは、実施例１～実施例２、実施例５～実施例７において説明した電子デバイスの内のボトムゲート／トップコンタクト型あるいはボトムゲート／ボトムコンタクト型の電子デバイスから成る。この実施例８のセンサーから、例えば、発光素子が構成される。即ち、制御電極１１、第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂへの電圧の印加によって能動層１２が発光する発光素子（有機発光素子、有機発光トランジスタ）を構成する。そして、制御電極１１に印加される電圧によって、第１電極１３Ａから第２電極１３Ｂに向かって能動層１２に流れる電流が制御される。正孔が十分に蓄積された上で第１電極１３Ａ及び第２電極１３Ｂへのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。
　あるいは又、実施例８のセンサーとして、有機半導体分子として光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）に対して吸収性のある色素の使用により光センサーを構成することができるし、能動層１２への光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）の照射によって第１電極１３Ａと第２電極１３Ｂとの間に電流が流れる光電変換素子（具体的には、太陽電池やイメージセンサー）を構成することができる。尚、制御電極１１への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。
　また、検出すべき化学物質が能動層１２に吸着すると、第１電極１３Ａと第２電極１３Ｂとの間の電気抵抗値が変化することを利用し、第１電極１３Ａと第２電極１３Ｂとの間に電流を流し、あるいは又、第１電極１３Ａと第２電極１３Ｂとの間に適切な電圧を印加し、能動層１２の電気抵抗値を測定することで、能動層１２に吸着した化学物質の量（濃度）を測定する化学物質センサーを挙げることもできる。
　以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した電子デバイス、画像表示装置、センサー、電子デバイスの製造方法の構成、構造、形成条件、製造条件は、例示であり、適宜、変更することができる。本開示によって得られた電子デバイスを、例えば、画像表示装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、基体や支持体、支持部材に多数の電子デバイスを集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスを切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。
　実施例１～実施例２において説明した電子デバイスにおいて、基体及び制御電極と絶縁層との間に絶縁膜を形成してもよい。
　実施例１の電子デバイスの製造方法において、場合によっては、［工程－１１０］と［工程－１２０］との間において、絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）を覆うレジスト層を形成し、絶縁層２１を酸素ガスを用いたエッチングを行うことで、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）、酸化物膜２２を形成した後、レジスト層を除去し、次いで、［工程－１２０］における能動層１２のパターニングを行ってもよい。同様に、実施例２の電子デバイスの製造方法において、場合によっては、［工程－２１０］と［工程－２２０］との間において、絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）を覆うレジスト層を形成し、絶縁層２１を酸素ガスを用いたエッチングを行うことで、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）、酸化物膜２２を形成した後、レジスト層を除去し、次いで、［工程－２２０］における能動層１２のパターニングを行ってもよい。また、実施例３の電子デバイスの製造方法において、場合によっては、［工程－３００］と［工程－３１０］との間において、絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）を覆うレジスト層を形成し、絶縁層２１を酸素ガスを用いたエッチングを行うことで、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）、酸化物膜２２を形成した後、レジスト層を除去し、次いで、［工程－３１０］における能動層１２のパターニングを行ってもよい。また、実施例４の電子デバイスの製造方法において、場合によっては、［工程－４１０］と［工程－４２０］との間において、絶縁層２１の領域Ｂ（２１Ｂ）を覆うレジスト層を形成し、絶縁層２１を酸素ガスを用いたエッチングを行うことで、絶縁層２１の領域Ａ（２１Ａ）、酸化物膜２２を形成した後、レジスト層を除去し、次いで、［工程－４２０］における能動層１２のパターニングを行ってもよい。実施例５においても、以上に説明したと同様の工程を採用してもよい。
　尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《電子デバイス：第１の態様・・・ボトムゲート／トップコンタクト型》
　基体上に形成された制御電極、
　制御電極を覆う、有機絶縁材料から成る絶縁層、
　絶縁層上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、並びに、
　能動層上に形成された第１電極及び第２電極、
を備えており、
　能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる電子デバイス。
［Ａ０２］《電子デバイス：第２の態様・・・ボトムゲート／ボトムコンタクト型》
　基体上に形成された制御電極、
　制御電極を覆う、有機絶縁材料から成る絶縁層、
　絶縁層上に形成された第１電極及び第２電極、並びに、
　少なくとも第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、
を備えており、
　第１電極、第２電極及び能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる電子デバイス。
［Ａ０３］基体及び制御電極と絶縁層との間には絶縁膜が形成されている［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の電子デバイス。
［Ａ０４］《電子デバイス：第３の態様・・・トップゲート／トップコンタクト型》
　基体上に形成された、有機絶縁材料から成る絶縁層、
　絶縁層の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、
　能動層の一部の上に形成された第１電極及び第２電極、
　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層、並びに、
　層間絶縁層上に形成され、能動層と対向した制御電極、
を備えており、
　能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる電子デバイス。
［Ａ０５］《電子デバイス：第４の態様・・・トップゲート／ボトムコンタクト型》
　基体上に形成された、有機絶縁材料から成る絶縁層、
　絶縁層の上に形成された第１電極及び第２電極、
　第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、
　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層、並びに、
　層間絶縁層上に形成され、能動層と対向した制御電極、
を備えており、
　第１電極、第２電極及び能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる電子デバイス。
［Ａ０６］基体と絶縁層との間には絶縁膜が形成されている［Ａ０４］又は［Ａ０５］に記載の電子デバイス。
［Ａ０７］能動層と絶縁層の領域Ｂとの間には、第２の絶縁層が形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ａ０８］絶縁層の領域Ａの表面と絶縁層の領域Ｂの表面との間の段差は２×１０-7ｍ以下である［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ａ０９］絶縁層の領域Ａの表面と絶縁層の領域Ｂの表面との間の段差は５×１０-8ｍ以下である［Ａ０８］に記載の電子デバイス。
［Ａ１０］絶縁層の領域Ａの酸素含有濃度は、絶縁層の領域Ｂの酸素含有濃度よりも高い［Ａ０１］乃至［Ａ０９］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ａ１１］絶縁層の構成原子には金属原子が含まれる［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ａ１２］絶縁層の領域Ａの表面には、絶縁層を構成する金属原子と酸素が結合した金属酸化物が含まれる［Ａ１１］に記載の電子デバイス。
［Ａ１３］有機絶縁材料は、共重合架橋ポリマー及びグラフト重合架橋ポリマーを含むシリコーン樹脂、ポリシラン及びポリゲルマンを含む含シリコン・ゲルマニウムポリマー、シルセスキオキサン、含スズポリマー、含コバルトポリマー、及び、ａ，ｂ不飽和カルベンの主鎖若しくは側鎖に金属原子を含むポリマー材料から成る群から選択された少なくとも１種類の絶縁材料、又は、これらの材料のいずれかとポリビニルフェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂及びポリパラキシリレン樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂との混合物から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ａ１４］有機絶縁材料は、金属酸化物ナノ粒子をポリマー材料中に分散させた材料から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［Ｂ０１《電子デバイスの製造方法：第１の態様・・・ボトムゲート／トップコンタクト型》
　基体上に制御電極を形成した後、
　有機絶縁材料から成り、制御電極を覆う絶縁層を形成し、次いで、
　絶縁層上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成した後、
　能動層上に第１電極及び第２電極を形成する、
各工程を備えており、
　能動層のパターニング時、能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる電子デバイスの製造方法。
［Ｂ０２］《電子デバイスの製造方法：第２の態様・・・ボトムゲート／ボトムコンタクト型》
　基体上に制御電極を形成した後、
　有機絶縁材料から成り、制御電極を覆う絶縁層を形成し、次いで、
　絶縁層上に第１電極及び第２電極を形成した後、
　少なくとも第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成する、
各工程を備えており、
　能動層のパターニング時、第１電極、第２電極及び能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる電子デバイスの製造方法。
［Ｂ０３］《電子デバイスの製造方法：第３の態様・・・トップゲート／トップコンタクト型》
　基体上に、有機絶縁材料から成る絶縁層を形成し、次いで、
　絶縁層の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成した後、
　能動層の一部の上に第１電極及び第２電極を形成し、次いで、
　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層を形成した後、
　層間絶縁層上に、能動層と対向した制御電極を形成する、
各工程を備えており、
　能動層のパターニング時、能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる電子デバイスの製造方法。
［Ｂ０４］《電子デバイスの製造方法：第４の態様・・・トップゲート／ボトムコンタクト型》
　基体上に、有機絶縁材料から成る絶縁層を形成し、次いで、
　絶縁層の上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
　第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成し、次いで、
　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層を形成した後、
　層間絶縁層上に、能動層と対向した制御電極を形成する、
各工程を備えており、
　能動層のパターニング時、第１電極、第２電極及び能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる電子デバイスの製造方法。
［Ｂ０５］ドライエッチング法に基づく能動層のパターニング時、エッチング用ガスと絶縁層の領域Ａを構成する有機絶縁材料とを反応させ、以て、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成を、絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異ならせる［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
［Ｂ０６］ドライエッチング法に基づく能動層のパターニング時、絶縁層の領域Ａの表層を除去し、以て、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成を、絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異ならせる［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
［Ｂ０７］能動層のパターニング後、絶縁層の領域Ａの表層を除去する［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
１０・・・基体、１１・・・制御電極（ゲート電極）、１２・・・能動層、１２Ａ・・・チャネル形成領域、１２Ｂ・・・チャネル形成領域延在部、１２Ｃ・・・有機半導体材料層、１３，１３Ａ，１３Ｂ・・・第１電極及び第２電極（ソース／ドレイン電極）、１４・・・層間絶縁層、１５・・・レジスト層、２１・・・絶縁層、２１Ａ・・・能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａ、２１Ｂ・・・能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂ、２２・・・酸化物膜、２３・・・第２の絶縁層

Claims (19)

  1. 　基体上に形成された制御電極、
    　制御電極を覆う、有機絶縁材料から成る絶縁層、
    　絶縁層上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、並びに、
    　能動層上に形成された第１電極及び第２電極、
    を備えており、
    　能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる電子デバイス。
  2. 　基体上に形成された制御電極、
    　制御電極を覆う、有機絶縁材料から成る絶縁層、
    　絶縁層上に形成された第１電極及び第２電極、並びに、
    　少なくとも第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、
    を備えており、
    　第１電極、第２電極及び能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる電子デバイス。
  3. 　基体上に形成された、有機絶縁材料から成る絶縁層、
    　絶縁層の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、
    　能動層の一部の上に形成された第１電極及び第２電極、
    　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層、並びに、
    　層間絶縁層上に形成され、能動層と対向した制御電極、
    を備えており、
    　能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる電子デバイス。
  4. 　基体上に形成された、有機絶縁材料から成る絶縁層、
    　絶縁層の上に形成された第１電極及び第２電極、
    　第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層、
    　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層、並びに、
    　層間絶縁層上に形成され、能動層と対向した制御電極、
    を備えており、
    　第１電極、第２電極及び能動層が形成されていない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成は、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異なる電子デバイス。
  5. 　能動層と絶縁層の領域Ｂとの間には、第２の絶縁層が形成されている請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  6. 　絶縁層の領域Ａの表面と絶縁層の領域Ｂの表面との間の段差は２×１０-7ｍ以下である請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  7. 　絶縁層の領域Ａの表面と絶縁層の領域Ｂの表面との間の段差は５×１０-8ｍ以下である請求項６に記載の電子デバイス。
  8. 　絶縁層の領域Ａの酸素含有濃度は、絶縁層の領域Ｂの酸素含有濃度よりも高い請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  9. 　絶縁層の構成原子には金属原子が含まれる請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  10. 　絶縁層の領域Ａの表面には、絶縁層を構成する金属原子と酸素が結合した金属酸化物が含まれる請求項９に記載の電子デバイス。
  11. 　有機絶縁材料は、共重合架橋ポリマー及びグラフト重合架橋ポリマーを含むシリコーン樹脂、ポリシラン及びポリゲルマンを含む含シリコン・ゲルマニウムポリマー、シルセスキオキサン、含スズポリマー、含コバルトポリマー、及び、ａ，ｂ不飽和カルベンの主鎖若しくは側鎖に金属原子を含むポリマー材料から成る群から選択された少なくとも１種類の絶縁材料、又は、これらの材料のいずれかとポリビニルフェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂及びポリパラキシリレン樹脂から成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂との混合物から成る請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  12. 　有機絶縁材料は、金属酸化物ナノ粒子をポリマー材料中に分散させた材料から成る請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  13. 　基体上に制御電極を形成した後、
    　有機絶縁材料から成り、制御電極を覆う絶縁層を形成し、次いで、
    　絶縁層上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成した後、
    　能動層上に第１電極及び第２電極を形成する、
    各工程を備えており、
    　能動層のパターニング時、能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる電子デバイスの製造方法。
  14. 　基体上に制御電極を形成した後、
    　有機絶縁材料から成り、制御電極を覆う絶縁層を形成し、次いで、
    　絶縁層上に第１電極及び第２電極を形成した後、
    　少なくとも第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成する、
    各工程を備えており、
    　能動層のパターニング時、第１電極、第２電極及び能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる電子デバイスの製造方法。
  15. 　基体上に、有機絶縁材料から成る絶縁層を形成し、次いで、
    　絶縁層の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成した後、
    　能動層の一部の上に第１電極及び第２電極を形成し、次いで、
    　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層を形成した後、
    　層間絶縁層上に、能動層と対向した制御電極を形成する、
    各工程を備えており、
    　能動層のパターニング時、能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる電子デバイスの製造方法。
  16. 　基体上に、有機絶縁材料から成る絶縁層を形成し、次いで、
    　絶縁層の上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
    　第１電極と第２電極との間に位置する絶縁層の部分の上に、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層を形成し、次いで、
    　第１電極、第２電極及び能動層を覆う層間絶縁層を形成した後、
    　層間絶縁層上に、能動層と対向した制御電極を形成する、
    各工程を備えており、
    　能動層のパターニング時、第１電極、第２電極及び能動層が形成されない絶縁層の領域である領域Ａの表面の化学的組成を、第１電極、第２電極及び能動層の下に位置する絶縁層の領域である領域Ｂの化学的組成と異ならせる電子デバイスの製造方法。
  17. 　ドライエッチング法に基づく能動層のパターニング時、エッチング用ガスと絶縁層の領域Ａを構成する有機絶縁材料とを反応させ、以て、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成を、絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異ならせる請求項１３乃至請求項１６のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
  18. 　ドライエッチング法に基づく能動層のパターニング時、絶縁層の領域Ａの表層を除去し、以て、絶縁層の領域Ａの表面の化学的組成を、絶縁層の領域Ｂの化学的組成と異ならせる請求項１３乃至請求項１６のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
  19. 　能動層のパターニング後、絶縁層の領域Ａの表層を除去する請求項１３乃至請求項１６のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
PCT/JP2015/053207 2014-03-14 2015-02-05 電子デバイス及びその製造方法 WO2015137022A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/123,830 US20170018726A1 (en) 2014-03-14 2015-02-05 Electronic device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-051079 2014-03-14
JP2014051079 2014-03-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015137022A1 true WO2015137022A1 (ja) 2015-09-17

Family

ID=54071474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/053207 WO2015137022A1 (ja) 2014-03-14 2015-02-05 電子デバイス及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20170018726A1 (ja)
WO (1) WO2015137022A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022265103A1 (ja) * 2021-06-18 2022-12-22 三菱マテリアル株式会社 センサ及び生体物質検出方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107994035A (zh) * 2017-12-14 2018-05-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002237596A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2004349678A (ja) * 2003-05-20 2004-12-09 Toppoly Optoelectronics Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2006332606A (ja) * 2005-04-28 2006-12-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタの作製方法、その薄膜トランジスタを用いた表示装置及びその表示装置が組み込まれた電子機器
WO2009044659A1 (ja) * 2007-10-05 2009-04-09 Konica Minolta Holdings, Inc. パターン形成方法
JP2010135772A (ja) * 2008-11-07 2010-06-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法
JP2014042051A (ja) * 2007-06-12 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090159891A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 Palo Alto Research Center Incorporated Modifying a surface in a printed transistor process
JP5811640B2 (ja) * 2011-07-04 2015-11-11 ソニー株式会社 電子デバイス及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002237596A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2004349678A (ja) * 2003-05-20 2004-12-09 Toppoly Optoelectronics Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2006332606A (ja) * 2005-04-28 2006-12-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタの作製方法、その薄膜トランジスタを用いた表示装置及びその表示装置が組み込まれた電子機器
JP2014042051A (ja) * 2007-06-12 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
WO2009044659A1 (ja) * 2007-10-05 2009-04-09 Konica Minolta Holdings, Inc. パターン形成方法
JP2010135772A (ja) * 2008-11-07 2010-06-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022265103A1 (ja) * 2021-06-18 2022-12-22 三菱マテリアル株式会社 センサ及び生体物質検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170018726A1 (en) 2017-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5811640B2 (ja) 電子デバイス及び半導体装置の製造方法
US8350255B2 (en) Thin film transistor and method for manufacturing thin film transistor
US8450142B2 (en) Organic thin film transistors
US10134812B2 (en) Electronic device, image display device, and sensor to improve charge injection efficiency
US9246008B2 (en) Thin-film device, method of manufacturing the same, and method of manufacturing image display apparatus
US20130009161A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same, and method of manufacturing image display device
US20120288685A1 (en) Thin-film element assembly
WO2015137022A1 (ja) 電子デバイス及びその製造方法
CN104425624B (zh) 电子器件、图像显示装置和用于构成图像显示装置的基板
WO2014038132A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and electronic apparatus
WO2014041744A1 (en) Thin film transistor, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
WO2015004847A1 (en) Electronic device and manufacturing method therefor and image display apparatus and substrate for constituting image display apparatus
WO2013153998A1 (ja) 電子デバイス及びその製造方法並びに画像表示装置
JP2014056876A (ja) 電子デバイス、画像表示装置及びセンサー、並びに、電子デバイスの製造方法
JP2013197229A (ja) 積層構造体及びその形成方法、並びに、電子デバイス及びその製造方法
JP2013016612A (ja) 半導体装置及びその製造方法、画像表示装置、並びに、画像表示装置を構成する基板

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15761705

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15123830

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15761705

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1