JP2014056876A - 電子デバイス、画像表示装置及びセンサー、並びに、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高い均一性を有する有機半導体材料から成る能動層を、有機半導体材料に依存することなく形成し得る電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスの製造方法は、ボトムゲート／トップコンタクトの電子デバイスの製造方法であって、基体１０上に、制御電極１１、及び、制御電極１１を覆う絶縁層１２を形成した後、絶縁層１２上に、点在した島状領域２０を形成し、次いで、有機半導体材料から成る能動層１３の成長を島状領域２０から開始し、絶縁層１２及び島状領域２０の上に能動層１３を形成した後、能動層１３上に、第１電極１４Ａ及び第２電極１４Ｂを形成する各工程を備えている。
【選択図】 図１

Description

本開示は、電子デバイス、画像表示装置及びセンサー、並びに、電子デバイスの製造方法に関する。

有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）の一種であるボトムゲート型ＴＦＴにおいては、ソース／ドレイン電極が、有機半導体層から成るチャネル形成領域の上に形成されたトップコンタクト構造と、チャネル形成領域の下に形成されたボトムコンタクト構造といった、２種類の電極構造が知られている。また、トップゲート型ＴＦＴにおいても、ソース／ドレイン電極が、チャネル形成領域の上に形成されたトップコンタクト構造と、チャネル形成領域の下に形成されたボトムコンタクト構造といった、２種類の電極構造が知られている。

ところで、有機半導体層のモホロジーが有機ＴＦＴの特性に大きな影響を与えることが、広く知られている（例えば、Adv. Mater. 2010, 22, 3857-3875、あるいは、Adv. Mater, 2011, 23, 3128-3133 を参照）。

有機半導体層を、例えば、真空蒸着法や塗布法に基づき形成する場合、有機半導体層は、通常、結晶状態から成長を開始する。結晶成長は、通常、核生成を伴って開始する。従って、結晶粒や結晶ドメインの位置や密度は、生成した核の位置や密度に大きく依存する。例えば、ソース／ドレイン電極の間に有機半導体層から成るチャネル形成領域を形成する場合、通常、ソース／ドレイン電極のエッジ部においては多量の核が生成する一方、ソース／ドレイン電極の間の領域において、核生成はランダムに発生するし、生成した核の数は、ソース／ドレイン電極のエッジ部よりも少ない。従って、ソース／ドレイン電極の間の領域に形成された有機半導体層は、均一性に乏しくなるといった問題がある（図１０Ｂの模式図を参照）。

米国特許公開公報２０１０／０３１４６１４ Ａ１ 特開２００６−１０８３５４

Adv. Mater. 2010, 22, 3857-3875 Adv. Mater, 2011, 23, 3128-3133

このような問題を解決するための手段として、有機半導体層を形成すべき下地層の表面をチオール化合物やシランカップリング剤によって表面処理する方法が挙げられる（例えば、米国特許公開公報２０１０／０３１４６１４ Ａ１参照）。しかしながら、このような表面処理にあっては、下地層が複数の材料から構成されている場合、具体的には、例えば、下地層が、ゲート絶縁層を構成する絶縁層、及び、ソース／ドレイン電極を構成する金属層から成る場合、形成された有機半導体層が不均一になり易いといった問題がある。

下地層が形成された電界効果型トランジスタが、例えば、特開２００６−１０８３５４から周知である。ここで、下地層は、少なくとも、ソース／ドレイン電極とソース／ドレイン電極との間に位置する支持体の部分とチャネル形成領域との間に形成され、電気的絶縁材料から成る下地層構成微粒子が略規則性をもって配列されて成る。また、チャネル形成領域は、導体又は半導体から成るチャネル形成領域構成微粒子と、チャネル形成領域構成微粒子と結合した有機半導体分子とによって構成された導電路を有する。そして、下地層の微粒子配列状態に基づき、チャネル形成領域構成微粒子が略規則性をもって配列される。この特開２００６−１０８３５４に開示された電界効果型トランジスタは、優れた特性を有し、生産性の安定性を図ることができるが、チャネル形成領域を構成する材料の汎用性に若干乏しいといった難点がある。

従って、本開示の目的は、高い均一性を有する有機半導体材料から成る能動層（例えば、チャネル形成領域）を、有機半導体材料に依存することなく形成し得る電子デバイスの製造方法、並びに、有機半導体材料に依存することなく、高い均一性を有する有機半導体材料から成る能動層（例えば、チャネル形成領域）を有する電子デバイス、係る電子デバイスを応用した画像表示装置及びセンサーを提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法は、ボトムゲート／トップコンタクトの電子デバイスの製造方法であって、
基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層を形成した後、
絶縁層上に、点在した島状領域を形成し、次いで、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、絶縁層及び島状領域の上に能動層を形成した後、
能動層上に、第１電極及び第２電極を形成する、
各工程を備えている。

上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る電子デバイスの製造方法は、ボトムゲート／ボトムコンタクトの電子デバイスの製造方法であって、
基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層を形成した後、
絶縁層上に、第１電極及び第２電極を形成し、次いで、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分の上に、点在した島状領域を形成した後、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分及び島状領域の上に能動層を形成する、
各工程を備えている。

上記の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る電子デバイスの製造方法は、ボトムゲート／ボトムコンタクトの電子デバイスの製造方法であって、
基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層を形成した後、
絶縁層上に、点在した島状領域を形成し、次いで、
絶縁層及び島状領域の上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分及び島状領域の上に能動層を形成する、
各工程を備えている。

上記の目的を達成するための本開示の第４の態様に係る電子デバイスの製造方法は、トップゲート／トップコンタクトの電子デバイスの製造方法であって、
基体上に、点在した島状領域を形成した後、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、基体及び島状領域の上に能動層を形成し、次いで、
能動層上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
能動層、第１電極及び第２電極の上に、絶縁層及び制御電極を形成する、
各工程を備えている。

上記の目的を達成するための本開示の第５の態様に係る電子デバイスの製造方法は、トップゲート／ボトムコンタクトの電子デバイスの製造方法であって、
基体上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分の上に、点在した島状領域を形成し、次いで、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分及び島状領域の上に能動層を形成した後、
少なくとも能動層上に、絶縁層及び制御電極を形成する、
各工程を備えている。

上記の目的を達成するための本開示の第６の態様に係る電子デバイスの製造方法は、トップゲート／ボトムコンタクトの電子デバイスの製造方法であって、
基体上に、点在した島状領域を形成した後、
基体及び島状領域の上に、第１電極及び第２電極を形成し、次いで、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分及び島状領域の上に能動層を形成した後、
少なくとも能動層上に、絶縁層及び制御電極を形成する、
各工程を備えている。

上記の目的を達成するための本開示の第７の態様に係る電子デバイスの製造方法は、第１電極、第２電極、及び、有機半導体材料から成る能動層を備えた電子デバイスの製造方法であって、
能動層形成のための下地層上に、能動層形成に先立ち、点在した島状領域を形成する。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る電子デバイスは、
基体上に形成された、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層、
絶縁層上に形成された、点在した島状領域、
絶縁層及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、並びに、
能動層上に形成された第１電極及び第２電極、
から成る。

上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る電子デバイスは、
基体上に形成された、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層、
絶縁層上に形成された第１電極及び第２電極、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分の上に形成された、点在した島状領域、並びに、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、
から成る。

上記の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る電子デバイスは、
基体上に形成された、点在した島状領域、
基体及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、
能動層上に形成された第１電極及び第２電極、並びに、
能動層、第１電極及び第２電極の上に形成された絶縁層及び制御電極、
から成る。

上記の目的を達成するための本開示の第４の態様に係る電子デバイスは、
基体上に形成された第１電極及び第２電極、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分の上に形成された、点在した島状領域、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、並びに、
少なくとも能動層上に形成された絶縁層及び制御電極、
から成る。

上記の目的を達成するための本開示の第５の態様に係る電子デバイスは、第１電極、第２電極、及び、有機半導体材料から成る能動層を備えた電子デバイスであって、
能動層形成のための下地層上には、点在した島状領域が形成されている。

上記の目的を達成するための本開示の画像表示装置は、
本開示の第１の態様乃至第４の態様に係る電子デバイスから成る半導体装置を備えており、
電子デバイスにおける制御電極が、半導体装置におけるゲート電極に相当し、
電子デバイスにおける絶縁層が、半導体装置におけるゲート絶縁層に相当し、
電子デバイスにおける第１電極及び第２電極が、半導体装置におけるソース／ドレイン電極に相当する。

上記の目的を達成するための本開示のセンサーは、本開示の第１の態様乃至第５の態様に係る電子デバイスから成る。

本開示の第１の態様〜第５の態様に係る電子デバイス、本開示の第１の態様〜第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、本開示の画像表示装置、あるいは、本開示のセンサーにあっては、能動層を形成するための各種下地層の上に点在した島状領域が形成されており、有機半導体材料から成る能動層の成長が島状領域から開始される。従って、高い均一性を有する有機半導体材料から成る能動層（例えば、チャネル形成領域）を、有機半導体材料に依存することなく形成することができる（図１０Ａの模式図を参照）。即ち、有機半導体材料の選択自由度が高い。そして、高い均一性を有する有機半導体材料から成る能動層を形成できるが故に、高い性能を有する電子デバイスを提供することが可能となる。

図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃは、実施例１の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃは、実施例２の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは、実施例３の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは、実施例４の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃは、実施例５の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃは、実施例６の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃは、実施例７の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ及び図８Ｄは、実施例８の電子デバイスの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。 図９は、２端子型電子デバイスの模式的な一部断面図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、本開示及び従来の技術に基づく、能動層における有機半導体材料の成長を模式的に示す模式図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様〜第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第１の態様〜第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の画像表示装置及びセンサー、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様、第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第１の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第１の態様に係る画像表示装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（本開示の第２の態様、第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第２の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第２の態様に係る画像表示装置）
５．実施例４（本開示の第２の態様、第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第３の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第２の態様に係る画像表示装置）
６．実施例５（本開示の第３の態様、第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第４の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第３の態様に係る画像表示装置）
７．実施例６（実施例５の変形）
８．実施例７（本開示の第４の態様、第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第５の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第４の態様に係る画像表示装置）
９．実施例８（本開示の第４の態様、第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第６の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第４の態様に係る画像表示装置）
１０．実施例９（本開示の第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示のセンサー）、その他

［本開示の第１の態様〜第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第１の態様〜第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の画像表示装置及びセンサー、全般に関する説明］
本開示の第１の態様〜第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第１の態様〜第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の画像表示装置及びセンサーにおいて、島状領域は、金属、金属酸化物、金属窒化物及びポリマーから構成された群から選択された少なくとも１種類の材料から成る形態とすることができる。また、このような形態を含む本開示の第１の態様〜第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第１の態様〜第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の画像表示装置及びセンサーにおいて、各島状領域は、能動層の核生成のための種である形態とすることができる。

ここで、島状領域を構成する金属として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）を挙げることができるし、金属酸化物として、酸化ケイ素（ＳｉＯ_X）、窒化ケイ素（ＳｉＮ_Y）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）等の高絶縁性金属酸化物あるいは高絶縁性金属窒化物、ＭｏＯ₃、Ｃｕ₂Ｏ等の導電性酸化物を挙げることができるし、ポリマーとして、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスチレンにて例示される有機系絶縁材料（有機ポリマー）を挙げることができる。また、これらの組み合わせを用いることもできる。

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第１の態様〜第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の画像表示装置及びセンサー（以下、これらを総称して、以下、単に『本開示』と呼ぶ場合がある）において、各島状領域は、例えば、１つの微粒子から構成され、あるいは又、複数の微粒子の集合体から構成され、あるいは又、複数の微粒子が合体した１つの微小領域から構成されていることが好ましい。微粒子の形状は、球形あるいは半球状であることが好ましいが、これに限定するものではない。

島状領域は点在しているが、具体的には、島状領域の形成密度として、１×１０⁹個／ｃｍ²乃至１×１０¹³個／ｃｍ²を例示することができる。あるいは又、第１電極と第２電極との間の距離をＬとした場合、第１電極と第２電極との間の領域に島状領域が占める割合（長さ換算）として、０．０１Ｌ乃至０．１Ｌを例示することができる。あるいは又、島状領域の平均径として、１×１０^-10ｍ乃至１×１０^-8ｍを例示することができる。平均径とは、島状領域の面積をＳとしたとき、（Ｓ／π）^1/2で表される。

島状領域の形成方法として、島状領域を構成する材料にも依るが、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、真空蒸着法を含む、後述する各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、後述する塗布法、あるいは、各種化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を挙げることができる。島状領域を形成する際、メタルマスクやスクリーン、金網等を用いて、島状領域を形成する領域を制限し、あるいは又、島状領域の形成密度を制御してもよい。

能動層を形成するための下地層が複数の材料からは構成されていないとき、場合によっては、島状領域の表面に対して、例えば、チオール化合物（具体的には、例えば、４−フルオロチオフェニルやアルカンチオール類）を用いて表面処理を施してもよい。これによって、能動層のモホロジーが改善されるだけでなく、場合によっては、能動層と第１電極、第２電極との間の接触抵抗値の低下を図ることができる。

本開示において、能動層を構成する有機半導体材料として、ポリピロール及びその誘導体；ポリチオフェン及びその誘導体；ポリイソチアナフテン等のイソチアナフテン類；ポリチェニレンビニレン等のチェニレンビニレン類；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等のポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類；ポリアニリン及びその誘導体；ポリアセチレン類；ポリジアセチレン類；ポリアズレン類；ポリピレン類；ポリカルバゾール類；ポリセレノフェン類；ポリフラン類；ポリ（ｐ−フェニレン）類；ポリインドール類；ポリピリダジン類；ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド等のポリマー及び多環縮合体等を挙げることができる。あるいは又、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー類を挙げることもできる。あるいは又、アントラセン、ナフタセン、ペンタセン［２，３，６，７−ジベンゾアントラセン］及びその誘導体、アントラジチオフェン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン等のアセン類及びアセン類の炭素の一部をＮ、Ｓ、Ｏ等の原子、カルボニル基等の官能基で置換した誘導体（ペリキサンテノキサンテン及びその誘導体を含むジオキサアンタントレン系化合物、トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノン、ペリキサンテノキサンテン［ＰＸＸ，6,12-dioxaanthanthrene］等）、及び、これらの水素を他の官能基で置換した誘導体を挙げることができる。あるいは又、Ｆ₁₆ＣｕＰＣ等の銅フタロシアニンで代表される金属フタロシアニン類；テトラチアフルバレン及びテトラチアフルバレン誘導体；テトラチアペンタレン及びその誘導体；ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）及びＮ，Ｎ’−ジオクチルナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド等のテトラカルボン酸ジイミド類；ナフタレン２，３，６，７テトラカルボン酸ジイミド等のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類；アントラセン２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミド等のアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類等の縮合環テトラカルボン酸ジイミド類；Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン類及びこれらの誘導体；ＳＷＮＴ等のカーボンナノチューブ；メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類等の色素とこれらの誘導体等を挙げることもできる。あるいは又、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ−３−ヘキシルチオフェン［Ｐ３ＨＴ］、ポリアントラセン、トリフェニレン、ポリテルロフェン、ポリナフタレン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］、キナクリドンを挙げることができる。あるいは又、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマー、及び、チオフェン系の共役系オリゴマーから成る群から選択された化合物を挙げることができる。具体的には、例えば、アセン系分子（ペンタセン、テトラセン等）といった縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系分子、共役系オリゴマー（フェニルビニリデン系やチオフェン系）を挙げることができる。あるいは又、例えば、ポルフィリン、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）及びその誘導体、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、デンドリマー、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、α−セキシチオフェン、テトラチアテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を挙げることができる。

能動層の形成方法として、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法の他、塗布法を挙げることができる。ここで、塗布法として、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷、フレキソ印刷、マイクロコンタクト法といった各種印刷法；スピンコート法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、キャスティング法、キャピラリーコーター法、バーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スプレー法；ディスペンサーを用いる方法：スタンプ法といった、液状材料を塗布する方法を挙げることができる。

また、本開示において、基体を構成する材料として、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチルエーテルケトン、ポリオレフィンに例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板を挙げることができ、あるいは又、雲母を挙げることができる。このような可撓性を有する有機ポリマー、高分子材料から構成された基体を使用すれば、例えば曲面形状を有する画像表示装置や電子機器への電子デバイスの組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは又、基体として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル等の各種合金や各種金属から成る金属基板、金属箔、紙を挙げることができる。基体を、以上に述べた材料から適宜選択された支持部材上に（あるいは支持部材の上方に）配すればよい。支持部材として、その他、導電性基板（金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板、ステンレス鋼基板等）を挙げることができる。これらの基体の上に、密着性や平坦性を改善するためのバッファー層やガスバリア性を向上させるためのバリア膜等の機能性膜を形成してもよい。

制御電極や、第１電極、第２電極、所望に応じて設ける配線を構成する材料として、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、 タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、 モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ルテニウム（Ｒｈ）、ルビジウム（Ｒｂ）、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、不純物を含有したポリシリコン等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。更には、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］やＴＴＦ−ＴＣＮＱ、ポリアニリンといった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。

制御電極や第１電極、第２電極等の形成方法として、各種ＰＶＤ法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）、アーク放電法、ＭＯＣＶＤ法を含む各種ＣＶＤ法、リフト・オフ法、シャドウマスク法、インクやペーストを用いた上述の各種塗布法を挙げることができる。また、電解メッキ法や無電解メッキ法等のメッキ法により形成してもよい。更には、必要に応じてパターニング技術と組み合わせてもよい。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着、ルツボを加熱する方法等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。制御電極、第１電極及び第２電極をエッチング方法に基づき形成する場合、ドライエッチング法やウェットエッチング法を採用すればよく、ドライエッチング法として、例えば、イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を挙げることができる。また、制御電極等を、レーザアブレーション法、マスク蒸着法、レーザ転写法等に基づき形成することもできる。

絶縁層を構成する材料として、無機絶縁材料及び有機絶縁材料を挙げることができる。無機絶縁材料として、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮ_Y）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化チタン、酸化ハフニウムＨｆＯ₂等の材料を挙げることができる。ここで、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯ_X）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ₂系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。無機絶縁材料から成る絶縁層の形成方法として、上述の各種塗布法、上述の各種ＰＶＤ法やＣＶＤ法等の真空プロセスを挙げることができるし、あるいは又、これらの無機絶縁材料を溶解させた溶液を用いたゾル・ゲル法、リフト・オフ法、電着法、シャドウマスク法を挙げることができる。また、これらの形成方法のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることもできる。一方、有機絶縁材料として、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、ポリパラキシリレン樹脂、ＰＭＭＡ、ＰＶＡ等の高分子材料を挙げることができるし、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマー［具体的には、ＴＯＰＡＳ（Topas Advanced Polymers GmbH 社製、登録商標）、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ株式会社製、登録商標）、ＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン株式会社製、登録商標］を挙げることができる。有機絶縁材料から成る絶縁層の形成方法として、上述の各種塗布法を挙げることができるし、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等の真空プロセスを用いることもできる。

絶縁層や能動層は、必要に応じて、例えば、ウェットエッチング法やドライエッチング法、レーザアブレーション法等の周知の方法に基づきパターニングしてもよい。また、不要な島状領域の部分を、ウェットエッチング法やドライエッチング法、レーザアブレーション法等の周知の方法に基づき除去してもよい。

本開示の電子デバイスは、所謂３端子構造を有していてもよいし、２端子構造を有していてもよい。３端子構造を有する電子デバイスによって、例えば、電界効果トランジスタ、より具体的には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成され、あるいは又、発光素子が構成される。即ち、制御電極、第１電極及び第２電極への電圧の印加によって能動層が発光する発光素子（有機発光素子、有機発光トランジスタ）を構成することができる。これらの電子デバイスにおいては、制御電極に印加される電圧によって、第１電極から第２電極に向かって能動層に流れる電流が制御される。電子デバイスが、電界効果トランジスタとしての機能を発揮するか、発光素子として機能するかは、第１電極及び第２電極への電圧印加状態（バイアス）に依存する。先ず、第２電極からの電子注入が起こらない範囲のバイアスを加えた上で制御電極を変調することにより、第１電極から第２電極へ電流が流れる。これがトランジスタ動作である。一方、正孔が十分に蓄積された上で第１電極及び第２電極へのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。また、２端子構造を有する電子デバイスとして、能動層への光の照射によって第１電極と第２電極との間に電流が流れる光電変換素子を挙げることができる。

本開示のセンサーとして、光センサーや、光電変換素子（具体的には、太陽電池やイメージセンサー）を挙げることができる。具体的には、光センサーの能動層を構成する有機半導体分子として、光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）に対して吸収性のある色素を使用すればよい。また、光電変換素子にあっては、能動層への光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）の照射によって第１電極と第２電極との間に電流が流れる。尚、３端子構造を有する電子デバイスからも光電変換素子を構成することができ、この場合、制御電極への電圧の印加は行わなくともよいし、行ってもよく、後者の場合、制御電極への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。また、本開示のセンサーとして、検出すべき化学物質が能動層に吸着すると、第１電極と第２電極との間の電気抵抗値が変化することを利用し、第１電極と第２電極との間に電流を流し、あるいは又、第１電極と第２電極との間に適切な電圧を印加し、能動層の電気抵抗値を測定することで、能動層に吸着した化学物質の量（濃度）を測定する化学物質センサーを挙げることもできる。あるいは又、分子認識能を有する分子センサー、能動層の表面に結合分子（例えば、生体分子）を結合、固定し、更に、結合分子と相互作用する機能性分子（例えば、別の生体分子）を添加することで作製されたバイオセンサーを挙げることもできる。尚、化学物質は能動層において吸着平衡状態となるので、時間が経過し、能動層が置かれた雰囲気における化学物質の量（濃度）が変化すると、平衡状態も変化する。化学物質として、例えば、ＮＯ₂ガス、Ｏ₂ガス、ＮＨ₃ガス、スチレンガス、ヘキサンガス、オクタンガス、デカンガス、トリメチルベンゼンガスを例示することができる。

本開示の電子デバイスを組み込む装置の一例として、限定するものではないが、画像表示装置を例示することができる。ここで、画像表示装置として、所謂デスクトップ型のパーソナルコンピュータ、ノートブック型パーソナルコンピュータ、モバイル型パーソナルコンピュータ、タブレット型パーソナルコンピュータを含むタブレット端末、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスト）、カーナビゲーションシステム、携帯電話やスマートフォン、ゲーム機、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、コピー機、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、電卓、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰ等における各種画像表示装置（例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置、電気泳動表示装置、冷陰極電界放出表示装置等）を挙げることができる。また、各種照明装置を挙げることもできる。

本開示の電子デバイスを、画像表示装置や、電子ペーパー、ＲＦＩＤｓ（Radio Frequency Identification Card）等を含む各種の電子機器に適用、使用する場合、支持部材に多数の電子デバイスを集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスを切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。また、電子デバイスを樹脂にて封止してもよい。

実施例１は、本開示の第１の態様、第５の態様に係る電子デバイス、本開示の第１の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第１の態様に係る画像表示装置に関する。

実施例１の電子デバイスは、本開示の第１の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、ボトムゲート／トップコンタクト型であって３端子型の電子デバイス、具体的には、ＴＦＴであり、模式的な一部断面図を図１Ｃに示すように、
（ａ）基体１０上に形成された、制御電極１１、及び、制御電極１１を覆う絶縁層１２、
（ｂ）絶縁層１２上に形成された、点在した島状領域２０、
（ｃ）絶縁層１２及び島状領域２０の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層１３、並びに、
（ｄ）能動層１３上に形成された第１電極１４Ａ及び第２電極１４Ｂ、
から成る。

また、実施例１の電子デバイスは、本開示の第５の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、第１電極１４Ａ、第２電極１４Ｂ、及び、有機半導体材料から成る能動層１３を備えた電子デバイスであって、能動層１３の形成のための下地層（具体的には、絶縁層１２）の上には、点在した島状領域２０が形成されている。

尚、以下においては、「制御電極１１」の代わりに「ゲート電極１１」という用語を用いて説明を行い、「能動層１３」の代わりに「チャネル形成領域１３Ａ及び／又はチャネル形成領域延在部１３Ｂ」という用語を用いて説明を行い、「第１電極１４Ａ及び第２電極１４Ｂ」の代わりに「ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂ」という用語を用いて説明を行い、「絶縁層１２」の代わりに「ゲート絶縁層１２」という用語を用いて説明を行う場合がある。

具体的には、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例８において、基体１０は、表面にＳｉＯ₂から成る絶縁膜１０Ｂが形成されたガラス基板１０Ａから成る。また、ゲート電極１１は金（Ａｕ）から成り、ゲート絶縁層１２はポリビニルフェノール（ＰＶＰ）から成り、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂはペリキサンテノキサンテン（ＰＸＸ，6,12-dioxaanthanthrene）の誘導体、より具体的には、エチルフェニル−ＰＸＸから成り、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂは金（Ａｕ）から成る。更には、島状領域２０は、金属、具体的には金（Ａｕ）、より具体的には金の微粒子から構成されている。

実施例１〜実施例８の画像表示装置は、実施例１〜実施例８の電子デバイスから成る半導体装置を備えており、
電子デバイスにおける制御電極が、半導体装置におけるゲート電極１１に相当し、
電子デバイスにおける絶縁層が、半導体装置におけるゲート絶縁層１２に相当し、
電子デバイスにおける第１電極及び第２電極が、半導体装置におけるソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂに相当する。

以下、基体等の模式的な一部端面図である図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃを参照して、実施例１の３端子型の電子デバイス（ボトムゲート／トップコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。

［工程−１００］
先ず、基体１０の上に、ゲート電極１１、及び、ゲート電極１１を覆うゲート絶縁層１２を形成する。具体的には、ガラス基板１０Ａの表面に形成されたＳｉＯ₂から成る絶縁膜１０Ｂ上に、ゲート電極１１を形成すべき部分が除去されたレジスト層（図示せず）を、リソグラフィ技術に基づき形成する。その後、密着層としての厚さ１０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層（図示せず）、及び、ゲート電極１１としての厚さ５０ｎｍの金（Ａｕ）層を、順次、スパッタリング法にて全面に成膜し、その後、レジスト層を除去する。こうして、所謂リフト・オフ法に基づき、ゲート電極１１を得ることができる。尚、ガラス基板１０Ａの表面に形成されたＳｉＯ₂から成る絶縁膜１０Ｂ上に、使用する材料にも依るが、印刷法に基づきゲート電極１１を形成することもできる。その後、基体１０及びゲート電極１１の上に、架橋剤を含むポリビニルフェノール（ＰＶＰ）溶液をスリットコーター法に基づき塗布した後、１５０゜Ｃに加熱することで、ポリビニルフェノールから成るゲート絶縁層１２を得ることができる。

［工程−１１０］
次に、ゲート絶縁層１２の上に、点在した島状領域２０を形成する。あるいは又、能動層１３の形成のための下地層上に、能動層１３の形成に先立ち、点在した島状領域２０を形成する。具体的には、金（Ａｕ）をゲート絶縁層１２の上に真空蒸着する。各島状領域２０は、能動層１３の核生成のための種である。真空蒸着において、例えば、室温にて約０．０５ｎｍ／秒の成膜条件を採用することで、ゲート絶縁層１２の上に金の微粒子が離散して存在する状態を得ることができる。こうして、図１Ａに示す構造を得ることができる。尚、図面においては、島状領域２０が、規則正しく点在した状態で形成されているように図示しているが、実際には、或る程度、ランダムに点在した状態で形成される。

［工程−１２０］
その後、有機半導体材料から成る能動層１３（チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）の成長を島状領域２０から開始し、ゲート絶縁層１２及び島状領域２０の上に能動層１３を形成する（図１Ｂ参照）。具体的には、能動層を構成する有機半導体材料の溶液（より具体的には、トルエンを溶剤としたエチルフェニル−ＰＸＸの１質量％以下の溶液）をスリットコーター法により成膜し、１４０゜Ｃにて乾燥する。これによって、エチルフェニル−ＰＸＸから成る能動層１３の成長が島状領域２０から開始し、ゲート絶縁層１２及び島状領域２０の上に能動層１３が形成される。こうして、例えば、厚さ２０ｎｍのチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂを形成することができる。尚、スリットコーター法の代わりに、スピンコート法やスプレー法に基づき、能動層１３（チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）を構成する有機半導体材料の溶液を成膜してもよい。

［工程−１３０］
次いで、能動層１３の上に（具体的には、チャネル形成領域延在部１３Ｂ上に）、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成する（図１Ｃ参照）。具体的には、厚さ１００ｎｍの金（Ａｕ）層を真空蒸着法に基づき形成した後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、金層をパターニングすることで、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを得ることができる。尚、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの成膜を行う際、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂの一部をハードマスクで覆うことによって、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂをフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。また、印刷法に基づきソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成することもできる。

［工程−１４０］
例えば、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、こうして得られた、画像表示装置の制御部（画素駆動回路）を構成する電子デバイスであるＴＦＴの上あるいは上方に、画像表示部（具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいは電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子等から成る画像表示部）を、周知の方法に基づき形成することで、画像表示装置を製造することができる。ここで、こうして得られた、画像表示装置の制御部（画素駆動回路）を構成する電子デバイスと、画像表示部における電極（例えば、画素電極）とを、例えば、コンタクトホールや配線といった接続部で接続すればよい。あるいは又、全面にパッシベーション膜（図示せず）を形成する。こうして、ボトムゲート／トップコンタクト型の電子デバイス（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）を得ることができる。あるいは又、チャネル形成領域延在部１３Ｂをパターニングした後、全面にパッシベーション膜（図示せず）を形成してもよい。以上の工程は、後述する実施例２〜実施例８にも適用することができる。

このように、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例８にあっては、能動層を形成するための各種下地層の上に点在した島状領域が形成されており、有機半導体材料から成る能動層の成長が島状領域から開始される。従って、高い均一性を有する有機半導体材料から成る能動層（具体的には、チャネル形成領域）を、有機半導体材料に依存することなく形成することができる。即ち、有機半導体材料の選択自由度が高い。そして、高い均一性を有する有機半導体材料から成る能動層（具体的には、チャネル形成領域）を形成できるが故に、高い性能を有する電子デバイスを提供することが可能となる。

実施例２は、実施例１の変形である。以下、基体等の模式的な一部端面図である図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃを参照して、実施例２の３端子型の電子デバイス（ボトムゲート／トップコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。

［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］〜［工程−１２０］と同様の工程を実行する。

［工程−２１０］
次に、能動層１３の一部の上に保護膜１５を形成する。具体的には、保護膜１５を、チャネル形成領域１３Ａの上、及び、チャネル形成領域延在部１３Ｂの一部の上に形成する（図２Ａ参照）。

［工程−２２０］
その後、能動層１３（具体的には、チャネル形成領域延在部１３Ｂ）及び保護膜１５の上にソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成する。具体的には、実施例１の［工程−１３０］と同様に工程を実行する（図２Ｂ参照）。

以上によってＴＦＴを完成させてもよいし、図２Ｃに示すように、［工程−２２０］の後、具体的には、チャネル形成領域延在部１３Ｂ及び保護膜１５の上にソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成した後、ソース／ドレイン電極１４，１４Ｂ間に露出した保護膜１５を除去してもよい。次いで、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、ボトムゲート／トップコンタクト型の電子デバイス（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）、画像表示装置を得ることができる。

このように、保護膜を形成することで、能動層及び保護膜上に第１電極及び第２電極を形成する際、特に、第１電極及び第２電極を形成するためのパターニングを行う際、能動層に損傷が発生する虞が無くなり、あるいは又、少なくなる。また、能動層及び保護膜上に第１電極及び第２電極を形成した後、第１電極と第２電極との間に露出した保護膜を除去すれば、保護層に発生した応力に起因して第１電極あるいは第２電極が能動層から剥離する虞が無くなり、あるいは又、少なくなる。

保護膜を構成する材料として、シリコン酸化物、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物といった絶縁材料を挙げることができる。また、保護層の形成方法として各種ＰＶＤ法やＣＶＤ法を挙げることができるし、保護層の除去方法としてエッチング法を挙げることができる。

実施例３は、本開示の第２の態様、第５の態様に係る電子デバイス、本開示の第２の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第２の態様に係る画像表示装置に関する。

実施例３の電子デバイスは、本開示の第２の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、ボトムゲート／ボトムコンタクト型であって３端子型の電子デバイス、具体的には、ＴＦＴであり、模式的な一部断面図を図３Ｃに示すように、
（ａ）基体１０上に形成された、ゲート電極１１、及び、ゲート電極１１を覆うゲート絶縁層１２、
（ｂ）ゲート絶縁層１２上に形成されたソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂ、
（ｃ）少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分の上に形成された（実施例３にあっては、具体的には、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分の上、並びに、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に形成された）、点在した島状領域２０、並びに、
（ｄ）少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分及び島状領域２０の上に形成された（実施例３にあっては、具体的には、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分及び島状領域２０の上、並びに、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に形成された）、有機半導体材料から成るチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ、
から成る。

また、実施例３の電子デバイスは、本開示の第５の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、第１電極１４Ａ、第２電極１４Ｂ、及び、有機半導体材料から成る能動層１３を備えた電子デバイスであって、能動層１３の形成のための下地層（具体的には、絶縁層１２並びに第１電極１４Ａ及び第２電極１４Ｂ）の上には、点在した島状領域２０が形成されている。

以下、基体等の模式的な一部端面図である図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃを参照して、実施例３の３端子型の電子デバイス（ボトムゲート／ボトムコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。

［工程−３００］
先ず、基体１０の上に、ゲート電極１１、及び、ゲート電極１１を覆うゲート絶縁層１２を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１００］と同様の工程を実行する。

［工程−３１０］
その後、ゲート絶縁層１２の上に、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成する。具体的には、実施例１の［工程−１３０］と同様に工程を実行する（図３Ａ参照）。

［工程−３２０］
次いで、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分の上に、点在した島状領域２０を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１１０］と同様の工程を実行することで、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分を含む露出したゲート絶縁層１２の上、並びに、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に、点在した島状領域２０を形成する（図３Ｂ参照）。

［工程−３３０］
その後、有機半導体材料から成る能動層１３（チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）の成長を島状領域２０から開始し、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分及び島状領域２０の上に能動層１３を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程を実行することで、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分及び島状領域２０の上、更には、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に、能動層１３を形成する（図３Ｃ参照）。

次いで、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電子デバイス（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）、画像表示装置を得ることができる。

実施例４は、本開示の第２の態様、第５の態様に係る電子デバイス、本開示の第３の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第２の態様に係る画像表示装置に関する。

実施例４の電子デバイスは、本開示の第２の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、ボトムゲート／ボトムコンタクト型であって３端子型の電子デバイス、具体的には、ＴＦＴであり、模式的な一部断面図を図４Ｃに示すように、
（ａ）基体１０上に形成された、ゲート電極１１、及び、ゲート電極１１を覆うゲート絶縁層１２、
（ｂ）ゲート絶縁層１２上に形成されたソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂ、
（ｃ）少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分の上に形成された（実施例４にあっては、具体的には、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分の上、並びに、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの下に位置するゲート絶縁層１２の部分の上に形成された）、点在した島状領域２０、並びに、
（ｄ）少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分及び島状領域２０の上に形成された（実施例４にあっては、具体的には、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分及び島状領域２０の上、並びに、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に形成された）、有機半導体材料から成るチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ、
から成る。

また、実施例４の電子デバイスは、本開示の第５の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、第１電極１４Ａ、第２電極１４Ｂ、及び、有機半導体材料から成る能動層１３を備えた電子デバイスであって、能動層１３の形成のための下地層（具体的には、絶縁層１２）の上には、点在した島状領域２０が形成されている。

以下、基体等の模式的な一部端面図である図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃを参照して、実施例４の３端子型の電子デバイス（ボトムゲート／ボトムコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。

［工程−４００］
先ず、基体１０の上に、ゲート電極１１、及び、ゲート電極１１を覆うゲート絶縁層１２を形成した後、ゲート絶縁層１２の部分の上に、点在した島状領域２０を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１００］〜［工程−１１０］と同様の工程を実行する（図４Ａ参照）。

［工程−４１０］
次いで、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程を実行することで、ゲート絶縁層１２及び島状領域２０の上に、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成する（図４Ｂ参照）。

［工程−４２０］
その後、有機半導体材料から成る能動層１３（チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）の成長を島状領域２０から開始し、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極との間のゲート絶縁層１２の部分及び島状領域２０の上に能動層１３を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程を実行することで、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間のゲート絶縁層１２の部分及び島状領域２０の上、更には、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に、能動層１３を形成する（図４Ｃ参照）。

次いで、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電子デバイス（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）、画像表示装置を得ることができる。

実施例５は、本開示の第３の態様、第５の態様に係る電子デバイス、本開示の第４の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第３の態様に係る画像表示装置に関する。

実施例５の電子デバイスは、本開示の第３の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、トップゲート／トップコンタクト型であって３端子型の電子デバイス、具体的には、ＴＦＴであり、模式的な一部断面図を図５Ｃに示すように、
（ａ）基体１０上に形成された、点在した島状領域２０、
（ｂ）基体１０及び島状領域２０の上に形成された、有機半導体材料から成るチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ、
（ｃ）チャネル形成領域延在部１３Ｂ上に形成されたソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂ、並びに、
（ｄ）チャネル形成領域１３Ａ、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に形成されたゲート絶縁層１２及びゲート電極１１、
から成る。

また、実施例５の電子デバイスは、本開示の第５の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、第１電極１４Ａ、第２電極１４Ｂ、及び、有機半導体材料から成る能動層１３を備えた電子デバイスであって、能動層１３の形成のための下地層（具体的には、基体１０）の上には、点在した島状領域２０が形成されている。

以下、基体等の模式的な一部端面図である図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃを参照して、実施例５の３端子型の電子デバイス（トップゲート／トップコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。

［工程−５００］
先ず、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、但し、基体１０の上に、点在した島状領域２０を形成する。次に、有機半導体材料から成る能動層１３（チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）の成長を島状領域２０から開始し、基体１０及び島状領域２０の上にチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂを形成する。具体的には、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程を実行することで、厚さ２０ｎｍのチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂを形成する。こうして、図５Ａに示す構造を得ることができる。尚、ゲート絶縁層１２やチャネル形成領域延在部１３Ｂは、必要に応じて、例えば、ウェットエッチング法やドライエッチング法、レーザアブレーション法等の周知の方法に基づきパターニングしてもよい。

［工程−５１０］
次いで、能動層１３の上（具体的には、チャネル形成領域延在部１３Ｂの上）に、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成する。具体的には、厚さ１００ｎｍの金（Ａｕ）層を真空蒸着法に基づき形成した後、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、金層をパターニングすることで、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを得ることができる（図５Ｂ参照）。尚、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの成膜を行う際、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂの一部をハードマスクで覆うことによって、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂをフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。また、印刷法に基づきソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成することもできる。

［工程−５２０］
その後、チャネル形成領域１３Ａ、チャネル形成領域延在部１３Ｂ、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に、ゲート絶縁層１２及びゲート電極１１を形成する（図５Ｃ参照）。具体的には、チャネル形成領域１３Ａ、チャネル形成領域延在部１３Ｂ、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に、実施例１の［工程−１００］と同様にして、ゲート絶縁層１２を形成した後、ゲート電極１１を形成する。

次いで、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、トップゲート／トップコンタクト型の電子デバイス（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）、画像表示装置を得ることができる。

実施例６は、実施例５の変形である。以下、基体等の模式的な一部端面図である図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃを参照して、実施例６の３端子型の電子デバイス（トップゲート／トップコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。

［工程−６００］
先ず、実施例５の［工程−５００］と同様の工程を実行する。

［工程−６１０］
次に、実施例２の［工程−２１０］と同様にして、能動層１３の一部の上に保護膜１５を形成する（図６Ａ参照）。

［工程−６２０］
その後、例えば、実施例５の［工程−５１０］〜［工程−５２０］と同様の工程を実行し（図６Ｂ参照）、更に、［工程−５３０］と同様の工程を実行することで、ＴＦＴを完成させてもよいし、図６Ｃに示すように、［工程−５２０］の後、具体的には、チャネル形成領域延在部１３Ｂ及び保護膜１５の上にソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成した後、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂ間に露出した保護膜１５を除去してもよい。次いで、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、トップゲート／トップコンタクト型の電子デバイス（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）、画像表示装置を得ることができる。

実施例７は、本開示の第４の態様、第５の態様に係る電子デバイス、本開示の第５の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第４の態様に係る画像表示装置に関する。

実施例７の電子デバイスは、本開示の第４の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、トップゲート／ボトムコンタクト型であって３端子型の電子デバイス、具体的には、ＴＦＴであり、模式的な一部断面図を図７Ｃに示すように、
（ａ）基体１０上に形成されたソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂ、
（ｂ）少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分の上に形成された（実施例７にあっては、具体的には、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分の上、並びに、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に形成された）、点在した島状領域２０、
（ｃ）少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分及び島状領域２０の上に形成された（実施例７にあっては、具体的には、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分及び島状領域２０の上、並びに、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に形成された）、有機半導体材料から成るチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ、並びに、
（ｄ）少なくとも能動層１３上（実施例７にあっては、具体的には、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ上）に形成されたゲート絶縁層１２及びゲート電極１１、
から成る。

また、実施例７の電子デバイスは、本開示の第５の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、第１電極１４Ａ、第２電極１４Ｂ、及び、有機半導体材料から成る能動層１３を備えた電子デバイスであって、能動層１３の形成のための下地層（具体的には、基体１０並びに第１電極１４Ａ及び第２電極１４Ｂ）の上には、点在した島状領域２０が形成されている。

以下、基体等の模式的な一部端面図である図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃを参照して、実施例７の３端子型の電子デバイス（トップゲート／ボトムコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。

［工程−７００］
先ず、基体１０の上に、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成する。具体的には、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、但し、基体１０の上に、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成する。

［工程−７１０］
次に、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分の上に、点在した島状領域２０を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分の上、並びに、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に、点在した島状領域２０を形成する（図７Ａ参照）。

［工程−７２０］
その後、有機半導体材料から成る能動層１３（チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）の成長を島状領域２０から開始し、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分及び島状領域２０の上に能動層１３を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程を実行することで、厚さ２０ｎｍのチャネル形成領域１３Ａを、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分及び島状領域２０の上に形成し、チャネル形成領域延在部１３Ｂを、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に形成する（図７Ｂ参照）。

［工程−７３０］
次いで、少なくとも能動層１３（具体的には、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）の上に、ゲート絶縁層１２及びゲート電極１１を形成する。具体的には、チャネル形成領域１３Ａ、チャネル形成領域延在部１３Ｂ、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に、実施例１の［工程−１００］と同様にして、ゲート絶縁層１２を形成した後、ゲート電極１１を形成する（図７Ｃ参照）。

次いで、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、トップゲート／ボトムコンタクト型の電子デバイス（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）、画像表示装置を得ることができる。

実施例８は、本開示の第４の態様、第５の態様に係る電子デバイス、本開示の第６の態様、第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示の第４の態様に係る画像表示装置に関する。

実施例８の電子デバイスは、本開示の第４の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、トップゲート／ボトムコンタクト型であって３端子型の電子デバイス、具体的には、ＴＦＴであり、模式的な一部断面図を図８Ｄに示すように、
（ａ）基体１０上に形成されたソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂ、
（ｂ）少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分の上に形成された（実施例８にあっては、具体的には、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分の上、並びに、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの下に位置する基体１０の部分の上に形成された）、点在した島状領域２０、
（ｃ）少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分及び島状領域２０の上に形成された（実施例８にあっては、具体的には、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分及び島状領域２０の上、並びに、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に形成された）、有機半導体材料から成るチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ、並びに、
（ｄ）少なくとも能動層１３上（実施例８にあっては、具体的には、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂの上）に形成されたゲート絶縁層１２及びゲート電極１１、
から成る。

また、実施例８の電子デバイスは、本開示の第５の態様に係る電子デバイスに則って説明すれば、第１電極１４Ａ、第２電極１４Ｂ、及び、有機半導体材料から成る能動層１３を備えた電子デバイスであって、能動層１３の形成のための下地層（具体的には、基体１０）の上には、点在した島状領域２０が形成されている。

以下、基体等の模式的な一部端面図である図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ及び図８Ｄを参照して、実施例８の３端子型の電子デバイス（トップゲート／ボトムコンタクト型のＴＦＴ）の製造方法を説明する。

［工程−８００］
先ず、基体１０の上に、点在した島状領域２０を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、但し、基体１０の上に、点在した島状領域２０を形成する（図８Ａ参照）。

［工程−８１０］
その後、基体１０及び島状領域２０の上に、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成する。具体的には、具体的には、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、但し、基体１０及び島状領域２０の上に、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂを形成する（図８Ｂ参照）。

［工程−８２０］
次いで、有機半導体材料から成る能動層１３（チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）の成長を島状領域２０から開始し、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分及び島状領域２０の上に能動層１３を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程を実行することで、厚さ２０ｎｍのチャネル形成領域１３Ａを、ソース／ドレイン電極１４Ａとソース／ドレイン電極１４Ｂとの間の基体１０の部分及び島状領域２０の上に形成し、チャネル形成領域延在部１３Ｂを、ソース／ドレイン電極１４Ａ，１４Ｂの上に形成する（図８Ｃ参照）。

［工程−８３０］
次いで、少なくとも能動層１３（チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）の上に、実施例１の［工程−１００］と同様にして、ゲート絶縁層１２及びゲート電極１１を形成する（図８Ｄ参照）。

次いで、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、トップゲート／ボトムコンタクト型の電子デバイス（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）、画像表示装置を得ることができる。

実施例９は、本開示の第５の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第７の態様に係る電子デバイスの製造方法、並びに、本開示のセンサーに関する。

実施例９の電子デバイスは、第１電極、第２電極、及び、有機半導体材料から成る能動層を備えた電子デバイスであって、能動層形成のための下地層上には、点在した島状領域が形成されている。そして、実施例９の電子デバイスは、能動層形成のための下地層上に、能動層形成に先立ち、点在した島状領域を形成することで製造することができる。

ここで、実施例１〜実施例８において説明した電子デバイスから成る実施例９のセンサーから、例えば、発光素子が構成される。即ち、制御電極１１、第１電極１４Ａ及び第２電極１４Ｂへの電圧の印加によって能動層１３が発光する発光素子（有機発光素子、有機発光トランジスタ）を構成する。そして、制御電極１１に印加される電圧によって、第１電極１４Ａから第２電極１４Ｂに向かって能動層１３に流れる電流が制御される。正孔が十分に蓄積された上で第１電極１４Ａ及び第２電極１４Ｂへのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。

あるいは又、実施例１〜実施例８において説明した電子デバイスから成る実施例９のセンサーとして、有機半導体分子として光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）に対して吸収性のある色素の使用により光センサーを構成することができるし、能動層１３への光（可視光だけでなく、紫外線や赤外線を含む）の照射によって第１電極１４Ａと第２電極１４Ｂとの間に電流が流れる光電変換素子（具体的には、太陽電池やイメージセンサー）を構成することができる。尚、制御電極１１への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。

あるいは又、図９に模式的な一部断面図を示す２端子型電子デバイスから成る実施例９のセンサーから、例えば、発光素子を構成することができるし、また、光センサーや太陽電池、イメージセンサーを構成することができる。また、図９に模式的な一部断面図を示す２端子型電子デバイスから成る実施例９のセンサーから、検出すべき化学物質が能動層１３に吸着すると、第１電極１４Ａと第２電極１４Ｂとの間の電気抵抗値が変化することを利用し、第１電極１４Ａと第２電極１４Ｂとの間に電流を流し、あるいは又、第１電極１４Ａと第２電極１４Ｂとの間に適切な電圧を印加し、能動層１３の電気抵抗値を測定することで、能動層１３に吸着した化学物質の量（濃度）を測定する化学物質センサーを構成することもできる。

ここで、２端子型の電子デバイスは、上述したとおり、
基体１０上に形成された、点在した島状領域２０、
基体１０及び島状領域２０の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層１３、並びに、
能動層１３の上に形成された第１電極１４Ａ及び第２電極１４Ｂ、
を備えている。また、２端子型の電子デバイスは、
基体１０の上に、点在した島状領域２０を形成し、次いで、
基体１０及び島状領域２０の上に、有機半導体材料から成る能動層１３を形成した後、
能動層１３上に、第１電極１４Ａ及び第２電極１４Ｂを形成する、
各工程に基づき製造することができる。

以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した電子デバイス、画像表示装置、センサー、電子デバイスの製造方法の構成、構造、形成条件、製造条件は、例示であり、適宜、変更することができる。本開示によって得られた電子デバイスを、例えば、画像表示装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、基体や支持体、支持部材に多数の電子デバイスを集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスを切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［１］《電子デバイスの製造方法：第１の態様》
基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層を形成した後、
絶縁層上に、点在した島状領域を形成し、次いで、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、絶縁層及び島状領域の上に能動層を形成した後、
能動層上に、第１電極及び第２電極を形成する、
各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
［２］能動層上に第１電極及び第２電極を形成する前に、能動層の一部の上に保護膜を形成し、
能動層及び保護膜上に、第１電極及び第２電極を形成する［１］に記載の電子デバイスの製造方法。
［３］能動層及び保護膜上に第１電極及び第２電極を形成した後、第１電極と第２電極との間に露出した保護膜を除去する［２］に記載の電子デバイスの製造方法。
［４］《電子デバイスの製造方法：第２の態様》
基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層を形成した後、
絶縁層上に、第１電極及び第２電極を形成し、次いで、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分の上に、点在した島状領域を形成した後、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分及び島状領域の上に能動層を形成する、
各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
［５］《電子デバイスの製造方法：第３の態様》
基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層を形成した後、
絶縁層上に、点在した島状領域を形成し、次いで、
絶縁層及び島状領域の上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分及び島状領域の上に能動層を形成する、
各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
［６］《電子デバイスの製造方法：第４の態様》
基体上に、点在した島状領域を形成した後、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、基体及び島状領域の上に能動層を形成し、次いで、
能動層上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
能動層、第１電極及び第２電極の上に、絶縁層及び制御電極を形成する、
各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
［７］能動層上に第１電極及び第２電極を形成する前に、能動層の一部の上に保護膜を形成し、
能動層及び保護膜上に第１電極及び第２電極を形成する［６］に記載の電子デバイスの製造方法。
［８］能動層及び保護膜上に第１電極及び第２電極を形成した後、第１電極と第２電極との間に露出した保護膜を除去する［７］に記載の電子デバイスの製造方法。
［９］《電子デバイスの製造方法：第５の態様》
基体上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分の上に、点在した島状領域を形成し、次いで、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分及び島状領域の上に能動層を形成した後、
少なくとも能動層上に、絶縁層及び制御電極を形成する、
各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
［１０］《電子デバイスの製造方法：第６の態様》
基体上に、点在した島状領域を形成した後、
基体及び島状領域の上に、第１電極及び第２電極を形成し、次いで、
有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分及び島状領域の上に能動層を形成した後、
少なくとも能動層上に、絶縁層及び制御電極を形成する、
各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
［１１］《電子デバイスの製造方法：第７の態様》
第１電極、第２電極、及び、有機半導体材料から成る能動層を備えた電子デバイスの製造方法であって、
能動層形成のための下地層上に、能動層形成に先立ち、点在した島状領域を形成する電子デバイスの製造方法。
［１２］島状領域は、金属、金属酸化物、金属窒化物及びポリマーから構成された群から選択された少なくとも１種類の材料から成る［１］乃至［１１］のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
［１３］各島状領域は、能動層の核生成のための種である［１］乃至［１２］のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
［１４］《電子デバイス：第１の態様》
基体上に形成された、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層、
絶縁層上に形成された、点在した島状領域、
絶縁層及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、並びに、
能動層上に形成された第１電極及び第２電極、
から成る電子デバイス。
［１５］第１電極の一部と能動層との間、及び、第２電極の一部と能動層との間には、保護膜が形成されている［１４］に記載の電子デバイス。
［１６］保護膜は、第１電極と第２電極との間に位置する能動層上に延在している［１５］に記載の電子デバイス。
［１７］《電子デバイス：第２の態様》
基体上に形成された、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層、
絶縁層上に形成された第１電極及び第２電極、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分の上に形成された、点在した島状領域、並びに、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、
から成る電子デバイス。
［１８］《電子デバイス：第３の態様》
基体上に形成された、点在した島状領域、
基体及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、
能動層上に形成された第１電極及び第２電極、並びに、
能動層、第１電極及び第２電極の上に形成された絶縁層及び制御電極、
から成る電子デバイス。
［１９］《電子デバイス：第４の態様》
基体上に形成された第１電極及び第２電極、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分の上に形成された、点在した島状領域、
少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、並びに、
少なくとも能動層上に形成された絶縁層及び制御電極、
から成る電子デバイス。
［２０］《電子デバイス：第５の態様》
第１電極、第２電極、及び、有機半導体材料から成る能動層を備えた電子デバイスであって、
能動層形成のための下地層上には、点在した島状領域が形成されている電子デバイス。
［２１］島状領域は、金属、金属酸化物、金属窒化物及びポリマーから構成された群から選択された少なくとも１種類の材料から成る［１４］乃至［２０］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［２２］各島状領域は、能動層の核生成のための種である［１４］乃至［２１］のいずれか１項に記載の電子デバイス。
［２３］《画像表示装置》
［１４］乃至［１９］に記載の電子デバイスから成る半導体装置を備えており、
電子デバイスにおける制御電極が、半導体装置におけるゲート電極に相当し、
電子デバイスにおける絶縁層が、半導体装置におけるゲート絶縁層に相当し、
電子デバイスにおける第１電極及び第２電極が、半導体装置におけるソース／ドレイン電極に相当する画像表示装置。
［２４］《センサー》
［１４］乃至［２２］に記載の電子デバイスから成るセンサー。
［２５］《２端子型の電子デバイス》
基体上に形成された、点在した島状領域、
基体及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、並びに、
能動層の上に形成された第１電極及び第２電極、
から成る電子デバイス。
［２６］《２端子型の電子デバイスの製造方法》
基体上に、点在した島状領域を形成し、次いで、
基体及び島状領域の上に、有機半導体材料から成る能動層を形成した後、
能動層上に、第１電極及び第２電極を形成する、
各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
［２７］《センサー：２端子型》
［２５］に記載の電子デバイスから成るセンサー。

１０・・・基体、１０Ａ・・・ガラス基板、１０Ｂ・・・絶縁膜、１１・・・制御電極（ゲート電極）、１２・・・絶縁層（ゲート絶縁層）、１３・・・能動層、１３Ａ・・・チャネル形成領域、１３Ｂ・・・チャネル形成領域延在部、１４Ａ，１４Ｂ・・・第１電極及び第２電極（ソース／ドレイン電極）、１５・・・保護膜、２０・・・島状領域

Claims (18)

1. 基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層を形成した後、
   絶縁層上に、点在した島状領域を形成し、次いで、
   有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、絶縁層及び島状領域の上に能動層を形成した後、
   能動層上に、第１電極及び第２電極を形成する、
   各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
2. 基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層を形成した後、
   絶縁層上に、第１電極及び第２電極を形成し、次いで、
   少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分の上に、点在した島状領域を形成した後、
   有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分及び島状領域の上に能動層を形成する、
   各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
3. 基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層を形成した後、
   絶縁層上に、点在した島状領域を形成し、次いで、
   絶縁層及び島状領域の上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
   有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分及び島状領域の上に能動層を形成する、
   各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
4. 基体上に、点在した島状領域を形成した後、
   有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、基体及び島状領域の上に能動層を形成し、次いで、
   能動層上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
   能動層、第１電極及び第２電極の上に、絶縁層及び制御電極を形成する、
   各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
5. 基体上に、第１電極及び第２電極を形成した後、
   少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分の上に、点在した島状領域を形成し、次いで、
   有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分及び島状領域の上に能動層を形成した後、
   少なくとも能動層上に、絶縁層及び制御電極を形成する、
   各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
6. 基体上に、点在した島状領域を形成した後、
   基体及び島状領域の上に、第１電極及び第２電極を形成し、次いで、
   有機半導体材料から成る能動層の成長を島状領域から開始し、少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分及び島状領域の上に能動層を形成した後、
   少なくとも能動層上に、絶縁層及び制御電極を形成する、
   各工程を備えた電子デバイスの製造方法。
7. 第１電極、第２電極、及び、有機半導体材料から成る能動層を備えた電子デバイスの製造方法であって、
   能動層形成のための下地層上に、能動層形成に先立ち、点在した島状領域を形成する電子デバイスの製造方法。
8. 島状領域は、金属、金属酸化物、金属窒化物及びポリマーから構成された群から選択された少なくとも１種類の材料から成る請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
9. 各島状領域は、能動層の核生成のための種である請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
10. 基体上に形成された、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層、
    絶縁層上に形成された、点在した島状領域、
    絶縁層及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、並びに、
    能動層上に形成された第１電極及び第２電極、
    から成る電子デバイス。
11. 基体上に形成された、制御電極、及び、制御電極を覆う絶縁層、
    絶縁層上に形成された第１電極及び第２電極、
    少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分の上に形成された、点在した島状領域、並びに、
    少なくとも、第１電極と第２電極との間の絶縁層の部分及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、
    から成る電子デバイス。
12. 基体上に形成された、点在した島状領域、
    基体及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、
    能動層上に形成された第１電極及び第２電極、並びに、
    能動層、第１電極及び第２電極の上に形成された絶縁層及び制御電極、
    から成る電子デバイス。
13. 基体上に形成された第１電極及び第２電極、
    少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分の上に形成された、点在した島状領域、
    少なくとも、第１電極と第２電極との間の基体の部分及び島状領域の上に形成された、有機半導体材料から成る能動層、並びに、
    少なくとも能動層上に形成された絶縁層及び制御電極、
    から成る電子デバイス。
14. 第１電極、第２電極、及び、有機半導体材料から成る能動層を備えた電子デバイスであって、
    能動層形成のための下地層上には、点在した島状領域が形成されている電子デバイス。
15. 島状領域は、金属、金属酸化物、金属窒化物及びポリマーから構成された群から選択された少なくとも１種類の材料から成る請求項１０乃至請求項１４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
16. 各島状領域は、能動層の核生成のための種である請求項１０乃至請求項１４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
17. 請求項１０乃至請求項１３に記載の電子デバイスから成る半導体装置を備えており、
    電子デバイスにおける制御電極が、半導体装置におけるゲート電極に相当し、
    電子デバイスにおける絶縁層が、半導体装置におけるゲート絶縁層に相当し、
    電子デバイスにおける第１電極及び第２電極が、半導体装置におけるソース／ドレイン電極に相当する画像表示装置。
18. 請求項１０乃至請求項１６に記載の電子デバイスから成るセンサー。

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