JP2006332606A - 薄膜トランジスタの作製方法、その薄膜トランジスタを用いた表示装置及びその表示装置が組み込まれた電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板、所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜、ゲート電極及び該ゲート電極から延びた配線、ゲート絶縁膜となる絶縁膜、保護膜の少なくとも一つに対し、ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とし、低電子温度且つ高電子密度でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなう。
【選択図】図2
Description
ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによって絶縁膜(ゲート絶縁膜)を形成する工程と、前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法である。
上記プラズマ酸化又はプラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm−3以上1×1013cm−3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記プラズマ酸化をおこなった後に更に上記プラズマ窒化をおこなってもよく、上記プラズマ窒化をおこなった後に更に上記プラズマ酸化をおこなってもよい。また、上記ガラス基板に対して、上記プラズマ窒化をおこなってもよい。
ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法である。
上記プラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm−3以上1×1013cm−3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記ガラス基板に対して、上記プラズマ窒化をおこなってもよい。
ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極に対し前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件にして前記プラズマ酸化又は前記プラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法である。
上記プラズマ酸化又はプラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm−3以上1×1013cm−3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記ゲート絶縁膜を形成するために、上記プラズマ酸化をおこなった後に更に上記プラズマ窒化をおこなってもよく、上記プラズマ窒化をおこなった後に更に上記プラズマ酸化をおこなってもよい。上記ガラス基板に対して、上記プラズマ窒化をおこなってもよい。
ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜とする工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法である。
上記プラズマ酸化又はプラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm−3以上1×1013cm−3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記絶縁膜として、CVD法などで形成された窒素を含む酸化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜が挙げられる。上記ガラス基板に対して、上記プラズマ窒化をおこなってもよい。
ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜とする工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極に対し前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件にして前記プラズマ酸化又は前記プラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法である。
上記プラズマ酸化又はプラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm−3以上1×1013cm−3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記絶縁膜として、CVD法などで形成された窒素を含む酸化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜が挙げられる。ガラス基板に対して、上記プラズマ窒化をおこなってもよい。
上記プラズマ酸化又はプラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm−3以上1×1013cm−3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記絶縁膜として、CVD法などで形成された窒素を含む酸化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜が挙げられる。上記ゲート電極に対しプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなってもよい。
図1(A)に示すように、ガラス基板101上に下地絶縁膜102を形成する。ガラス基板にかえて、耐熱性のプラスチック基板を用いることができる。下地絶縁膜102は、1層又は多層でなる構成とすることができ、本実施の形態では、酸素を含む窒化珪素膜とその上に窒素を含む酸化珪素膜(シリコンオキシナイトライド膜)をCVD法などにより連続成膜する。下地絶縁膜102を形成する目的は、後に形成する半導体膜へガラス基板101から不純物が拡散するのを防止することである。したがって、この目的を達成するためには、酸化珪素膜では不十分であるため、酸化珪素膜よりも不純物拡散防止効果の高い窒化珪素膜、又は酸素を含む窒化珪素膜を形成する必要がある。また、酸化珪素膜は、窒化珪素膜よりもシリコンとの密着性にすぐれている。
本実施の形態では、図2(A)及び図2(B)に示すような高密度プラズマ処理装置を用い、薄膜トランジスタのゲート電極に対しプラズマ処理をおこなって、保護膜を形成する。
本実施の形態では、図2(A)及び図2(B)に示すような高密度プラズマ処理装置を用い、プラズマCVD法などで成膜した絶縁膜(ゲート絶縁膜)に対しプラズマ処理をおこなう。このことによって、プラズマCVD法などで成膜したこの絶縁膜の表面を改質し、ゲート絶縁膜の品質を高める。
本実施の形態では、ボトムゲート型の薄膜トランジスタの作製工程において、図2(A)及び図2(B)に示すような高密度プラズマ処理装置を用いてプラズマ窒化又はプラズマ酸化をおこなう例を示す。
本実施の形態は、保護膜を形成した後に、その保護膜に対してプラズマ処理をおこなう例を示す。保護膜とは、実施の形態1及び図1(D)に示す保護膜107、実施の形態3及び図4(D)に示す保護膜407に相当する。
本実施の形態では、ガラス基板に対して、図2(A)及び図2(B)に示すような高密度プラズマ処理装置を用いてプラズマ窒化をおこなう例を示す。
本実施の形態は、薄膜トランジスタの構造を、マルチゲート構造にする例である。マルチゲート構造とは、図1(D)などに示した標準構造(シングルゲート構造)の薄膜トランジスタが2つ以上直列接続した構造であり、各薄膜トランジスタのゲート電極は互いに接続されている。マルチゲート構造にすることで、シングルゲート構造と比較して、オフ電流を低減できることが知られている。
前述した高密度プラズマ処理装置を用いて、被処理体に対しプラズマ酸化を行った場合の酸化特性に関して説明する。具体的には、プラズマ酸化の際に用いるガスの違いによる酸化速度の変化について示す。
102 下地絶縁膜
103 半導体膜
104 酸化膜
105 ゲート電極
106 不純物領域
107 保護膜
108 層間絶縁膜
109 配線
200 被処理基板
201 第1のプラズマ処理室
202 第2のプラズマ処理室
203 ロードロック室
204 共通室
205 ロボットアーム
206 カセット
210 排気口
211 基板保持台
212 矢印
213 マイクロ波
214 アンテナ
215 導波管
216 誘電体板
217 領域
218 シャワープレート
301 ガラス基板
302 下地絶縁膜
303 半導体膜
304 ゲート絶縁膜
305 ゲート電極
306 保護膜
307 不純物領域
308 層間絶縁膜
309 配線
401 ガラス基板
402 下地絶縁膜
403 半導体膜
404 絶縁膜
405 ゲート電極
406 不純物領域
407 保護膜
408 層間絶縁膜
409 配線
501 ゴミ
502 表面部分
601 ガラス基板
602 ゲート電極
603 第1の保護膜
604 絶縁膜
605 第1の半導体膜
606 第2の保護膜
607 第2の半導体膜
608 配線
Claims (16)
- ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、
前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法。 - ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、
前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法。 - ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、
前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件にして前記プラズマ酸化又は前記プラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法。 - ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、
前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜とする工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法。 - ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、
前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜とする工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件にして前記プラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法。 - ガラス基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜とする工程と、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法。 - ガラス基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法。 - ガラス基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜とする工程と、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記プラズマ酸化又は前記プラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された前記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm−3以上1×1013cm−3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記ガラス基板に対し、該ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度とする条件でプラズマ窒化をおこない前記ガラス基板の表面に窒化物層を形成する工程をさらに有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項2、4、5、6、7又は8において、前記絶縁膜はプラズマCVD法によって形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至請求項11のいずれか一項において、前記ガラス基板のかわりに耐熱性のプラスチック基板を用い、前記条件において前記プラスチック基板の温度をそのガラス転移点以下とすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の方法によって作製された薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の方法によって作製された薄膜トランジスタを用いた発光表示装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の方法によって作製された薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置が組み込まれた電子機器。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の方法によって作製された薄膜トランジスタを用いた発光表示装置が組み込まれた電子機器。
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