JPH0794740A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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Abstract
より表面に窒化シリコン膜が形成された酸化シリコン膜
を形成することにより、素子の生産性及び信頼性を向上
させる非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法。 【構成】基板上に傾斜型ゲート電極を形成するステップ
と、その基板上に酸化シリコン膜を蒸着するステップ
と、膜の表面を窒化シリコンにしてゲート絶縁層を形成
するステップと、ゲート絶縁層上に非晶質シリコン膜を
蒸着して活性層を形成するステップと、連続してn+ 非
晶質シリコン膜を蒸着し、オーミック層を形成するステ
ップと、上記2種類のシリコン膜を順次エッチングし
て、ゲート電極に対応するゲート絶縁層上のみに2種類
のシリコン膜を残すステップと、ゲート電極の両側のn
+ 非晶質シリコン膜上にソース/ドレイン電極を形成し
て、露出されたシリコン膜を除去して非晶質シリコン膜
を露出させるステップと、基板全体に保護膜を形成する
ステップとを含む。
Description
ランジスタの製造方法に関し、特にゲート絶縁層を形成
する方法に関する。
を形成する非晶質シリコン薄膜トランジスタの構造を図
1及び図2示す。
ck Channel Etching Type )の非晶質シリコン薄膜トラ
ンジスタであり、図2は、エッチングストッパ型の非晶
質シリコン薄膜トランジスタである。
グ型の非晶質シリコン薄膜トランジスタを製造する方法
を説明すると、次の通りである。
薄膜を蒸着し、フォトエッチング工程により所定のパタ
ーンにパターニングして傾斜型ゲート電極12を形成す
る。ゲート電極12が形成された基板11上にゲート絶
縁層13を形成する。
膜、二層膜、又は三層構造の多層膜を使用することが出
来る。
D法により蒸着される薄膜の窒化シリコン膜(SiN
x)が使用され、二層構造ゲート絶縁層としては、熱C
VD方法、又はスパッタリング(Sputtering)方法によ
る酸化シリコン膜と前記のPECVD方法による窒化シ
リコン膜(SiO2/SiNx)が使用される。そし
て、三層構造のゲーム絶縁層は、金属酸化膜/酸化シリ
コン膜/窒化シリコン膜構造であって、Al2O3/S
iO2/SiNxやTa2O5//SiO2/SiNx
等の多層構造膜を使用する。
た後、活性層として非晶質シリコン膜14をPECVD
方法に撚りゲート絶縁膜13上に蒸着し、連続的にオー
ミック層としてn+ 非晶質シリコン膜15を蒸着し、こ
れらを所定のパターンにパターニングする。
して、ソース/ドレイン電極16を形成し、ソース/ド
レイン電極16の間に露出されたn+ 非晶質シリコン膜
15をエッチングして除去する。
n layer )17を蒸着して非晶質シリコン薄膜トランジ
スタを製造する。
非晶質薄膜トランジスタの製造方法を説明すると、次の
通りである。
斜型ゲート電極22を形成し、ゲート電極22が形成さ
れた基板21上にゲート絶縁層23を形成する。この
時、ゲート絶縁層23上に非晶質シリコン膜24を蒸着
した後、その上にエッチングストッパとして絶縁層25
を蒸着する。
をエッチングし、ゲート電極22の上部表面に対応する
非晶質シリコン層23上にパターンを形成する。この
時、絶縁層25は、ソース/ドレイン電気の形成後、こ
れらの間に露出されたn+ 非晶質シリコン膜のエッチン
グの時、n+ 非晶質シリコン膜の下部の非晶質シリコン
膜24がエッチングされることを阻止するためのエッチ
ングストッパとして作用する。
膜26を蒸着する。次に、非晶質シリコン膜24とn+
非晶質シリコン膜26を順次エッチングして、ゲート電
極22の上部にn+ 非晶質シリコン膜26と非晶質シリ
コン膜24を残す。
グしてソース/ドレイン電極27を形成する。全面絶縁
層25をエッチングストッパとして、ソース/ドレイン
電極27の形成により露出されたn+ 非晶質シリコン膜
26をエッチングする。
を形成するエッチングストッパ型の非晶質シリコン薄膜
トランジスタを製造する。
ランジスタの製造に於いては、ゲート絶縁層としてPE
CVD方法による窒化シリコン薄膜が単一層、又は多層
構造で使用された。ゲート絶縁層として窒化シリコン膜
を使用する理由は、ゲート絶縁層を窒化シリコン膜で形
成した時、一番良好なゲート絶縁層と非晶質シリコン膜
との間の界面特性が得られるし、ゲート絶縁層を形成す
るPECVD方法が300℃〜100℃の低温で行われ
る工程であり、且つ良質の窒化シリコン薄膜を得るに一
番適切な工程であるためである。
シリコン膜を形成する場合、反応ガスがプラズマ状態で
あるため、工程中に多くの粒子が発生し、発生されたこ
の粒子により粒子の不良発生が増加する問題があり、工
程の特性上、その速度が遅くて、装備も高価であるため
に元値が上昇する問題もある。
素プラズマ処理工程により表面に窒化シリコン膜が形成
された酸化シリコン膜を形成することにより、素子の生
産性及び信頼性を向上させる非晶質シリコン薄膜トラン
ジスタの製造方法を提供することにある。
に、本発明は、基板上に傾斜型ゲート電極を形成するス
テップと、ゲート電極が形成された基板上に酸化シリコ
ン膜を蒸着するステップと、窒素プラズマ処理工程を施
し、酸化シリコン膜の表面を窒化シリコン膜にしてゲー
ト絶縁層を形成するステップと、ゲート絶縁層上に非晶
質シリコン膜を蒸着して活性層を形成するステップと、
連続してn+ 非晶質シリコン膜を蒸着し、オーミック層
を形成するステップと、前記n+ 非晶質シリコン膜と非
晶質シリコン膜を順次エッチングして、ゲート電極に対
応するゲート絶縁層上にのみn+非晶質シリコン膜と非
晶質シリコン膜を残すステップと、ゲート電極の両側の
n+ 非晶質シリコン膜上にソース/ドレイン電極を形成
して、その間のn+ 非晶質シリコン膜を露出させるステ
ップと、露出されたn+ 非晶質シリコン膜を除去して非
晶質シリコン膜を露出させるステップと、基板全面にわ
たって保護膜を形成するステップとを含む。
明する。
の構造は、上記した図1及び図2に示す従来の薄膜トラ
ンジスタの構造と同一であるが、その製造方法は異な
る。
チング型の非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法
を説明すると、次の通りである。
上に金属薄膜を蒸着し、これをパターニングしてゲート
電極12を形成する。ゲート電極12が形成された基板
11上に常圧CVD方法、又はスパッタリング方法を用
いて酸化シリコン膜を蒸着する。
窒素またはNOやN2Oなどのような窒素を含んだガス
を利用して真空チャンバ内でプラズマ処理をし、、これ
により前記酸化シリコン膜の表面に10オングストロー
ム以下の厚さを有する窒化シリコン膜を形成する。
成された酸化シリコン膜は、ゲート絶縁層13として形
成される。
シリコン膜15をゲート絶縁層13上に順次蒸着し、フ
ォトエッチングしてゲート電極12に対応するゲート絶
縁層13上にn+ 非晶質シリコン膜15と非晶質シリコ
ン膜14を残す。
ターニングして、ソース/ドレイン電極16を形成し、
ソース/ドレイン電極16の間の露出されたn+ 非晶質
シリコン膜15をエッチングして非晶質シリコン膜14
を露出させる。
て形成して本発明のバックチャネルエッチング型の非晶
質シリコン膜を完成する。
ッパ型の非晶質薄膜トランジスタの製造方法を説明する
と、次の通りである。
に金属薄膜を蒸着し、これをパターニングして傾斜型ゲ
ート電極32を形成する。ゲート電極32が形成された
基板31上に常圧CVD方法、またはスパッタリング方
法を用いて酸化シリコン膜を蒸着する。
窒素、またはNO、N2Oなどのような窒素を含んだガ
スを用いて真空チャンバ内でプラズマ処理をし、これに
より前記酸化シリコン膜の表面に10オングストローム
以下の厚さを有する窒化シリコン膜を形成する。
成された酸化シリコン膜がゲート絶縁層33として形成
される。
層33に蒸着し、非晶質シリコン膜34上にエッチング
ストッパとして絶縁層35を蒸着するフォトエッチング
して、この絶縁層35をゲート電極に対応する非晶質シ
リコン膜34の上部にのみ残す。
34上にn+ 非晶質シリコン膜36を蒸着し、n+ 非晶
質シリコン膜36と非晶質シリコン膜34を順次エッチ
ングする。
ターニングして、ソース/ドレイン電極37を形成し、
ソース/ドレイン電極37の間のn+ 非晶質シリコン膜
36を露出させる。露出されたn+ 非晶質シリコン膜3
6を除去して絶縁層35を露出させる。
本発明のエッチングストッパ型の非晶質シリコン薄膜ト
ランジスタを得る。
素プラズマ処理して、その表面に窒化シリコン膜を形成
した後、膜の構成要素と組成比、及び構成元素の酸化状
態を分析できるXPS(X ray Photoelectron Spectros
copy:一名ESCA)により分析下結果を図3に示す。
蒸着された酸化シリコン膜を電極密度(Power Density
)32mW/cm3 の窒素ガスプラズマで処理した
後、XPS分析の結果を示すものである。
ーで窒素のスペクトル(Nis光電子)が現れることから
推察すれば、窒素の存在を確認することができる。40
0eV近傍の狭い領域(Narrow region )の分析により
前記窒素のスペクトルのバインディングエネルギーが3
98.5eVであることが観察されたが、これは窒素が
酸化−窒化シリコン(Silicon Oxy Nitride )状態で存
在することを示すものである。
素は約4atomic%であり、窒素プラズマの電力密度を変
化させながら窒素濃度をXPSで測定した結果は、約
2.15atomic%範囲内で窒素濃度が変わることを示
す。
シリコン膜を窒素ガスプラズマ処理すると窒化され、窒
化シリコン膜、又は酸化−窒化シリコン薄膜が形成され
る。
ッタリング方法による酸化シリコン薄膜以外にも低圧C
VD方法による酸化シリコン薄膜をゲート絶縁膜として
使用する場合にも同様に、窒素プラズマ処理を行って窒
化シリコン薄膜にすることが出来る。
してPECVD方法により形成された窒化シリコン薄膜
を使用せずに、上記で説明したように、表面に窒化シリ
コン膜が形成された酸化シリコン膜を使用することによ
り、活性層である非晶質シリコン層とゲート絶縁層との
間の界面状態を向上させることが出来る。
発明の薄膜トランジスタはゲート絶縁膜として、PEC
VEによる窒化シリコン薄膜を採用した従来の薄膜トラ
ンジスタより優秀な電気的な特性を得ることができる。
上させることが出来る。
のPECVD窒化シリコン膜の蒸着の時に発生する粒子
による不良発生を、CVD方法、又はスパッタリング方
法による酸化シリコン膜を用いて減少できると、常圧C
VD方法、又はスパッタリング方法を用いたゲート絶縁
膜を形成するので工程装備価格の減少による生産性の向
上を期待することができる。
を示す断面図。
を示す断面図。
示すものである。
Claims (15)
- 【請求項1】基板上に傾斜型ゲート電極を形成するステ
ップと、 ゲート電極が形成された基板上に酸化シリコン膜を蒸着
するステップと、 窒素プラズマ処理工程を施し、酸化シリコン膜の表面を
窒化シリコン膜にしてゲート絶縁層を形成するステップ
と、 ゲート絶縁層上に非晶質シリコン膜を蒸着して活性層を
形成するステップと、 連続してn+ 非晶質シリコン膜を蒸着し、オーミック層
を形成するステップと、 前記n+ 非晶質シリコン膜と非晶質シリコン膜を順次エ
ッチングして、ゲート電極に対応するゲート絶縁層上に
のみn+ 非晶質シリコン膜と非晶質シリコン膜を残すス
テップと、 ゲート電極の両側のn+ 非晶質シリコン膜上にソース/
ドレイン電極を形成して、その間のn+ 非晶質シリコン
膜を露出させるステップと、 露出されたn+ 非晶質シリコン膜を除去して非晶質シリ
コン膜を露出させるステップと、 基板全面にわたって保護膜を形成するステップと、 を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項2】前記酸化シリコン膜は、常圧CVD法、又
はスパッタリング法により蒸着されることを特徴とする
請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項3】前記酸化シリコン膜は、低圧CVD法によ
り蒸着されることを特徴とする請求項1記載の薄膜トラ
ンジスタの製造方法。 - 【請求項4】前記酸化シリコン膜の表面に形成された窒
化シリコン膜の厚さは、10オングストローム以下であ
ることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタの
製造方法。 - 【請求項5】前記窒化シリコン膜の窒素濃度は、2.1
5atomic%であることを特徴とする請求項1記載の薄膜
トランジスタの製造方法。 - 【請求項6】前記窒素プラズマ処理工程は、窒素ガス、
又は窒素を含んだガスを用いて、真空チャンバ内で行う
ことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタの製
造方法。 - 【請求項7】前記窒素を含んだガスは、NOとN2Oの
うちのいずれか一つが使用されることを特徴とする請求
項6記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項8】基板上に傾斜型ゲート電極を形成するステ
ップと、 ゲート電極が形成された基板上に酸化シリコン膜を蒸着
するステップと、 窒素プラズマ処理工程を施し、酸化シリコン膜の表面を
窒化シリコン膜にしてゲート絶縁層を形成するステップ
と、 ゲート絶縁層上に非晶質シリコン膜を蒸着して活性層を
形成するステップと、 非晶質シリコン膜上に絶縁層を蒸着した後フォトエッチ
ングして、ゲート電極に対応する非晶質シリコン膜上に
のみ残すステップと、 基板全面にわたってn+ 非晶質シリコン膜を蒸着してオ
ーミック層を形成するステップと、 前記n+ 非晶質シリコン膜と非晶質シリコン膜を順次エ
ッチングしてゲート電極に対応するゲート絶縁層上にの
みn+ 非晶質シリコン膜と非晶質シリコン膜を残すステ
ップと、 ゲート電極の両側のn+ 非晶質シリコン膜上にソース/
ドレイン電極を形成して、その間のn+ 非晶質シリコン
膜を露出させるステップと、 露出されたn+ 非晶質シリコン膜を除去して絶縁層を露
出させるステップと、 基板全面にわたって保護膜を形成するステップと、 を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項9】前記酸化シリコン膜は、常圧CVD法、又
はスパッタリング法により蒸着されることを特徴とする
請求項8記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項10】前記酸化シリコン膜は、低圧CVD法に
より蒸着されることを特徴とする請求項8記載の薄膜ト
ランジスタの製造方法。 - 【請求項11】前記酸化シリコン膜の表面に形成された
窒化シリコン膜の厚さは、10オングストローム以下で
あることを特徴とする請求項8記載の薄膜トランジスタ
製造方法。 - 【請求項12】前記窒化シリコン膜の窒素濃度は、2.
15atomic%であることを特徴とする請求項8記載の薄
膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項13】前記窒素プラズマ処理工程は、窒素ガ
ス、又は窒素を含んだガスを用いて行うことを特徴とす
る請求項8記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項14】前記窒素を含んだガスは、NOとN2O
のうちのいずれか一つが使用されることを特徴とする請
求項13記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項15】前記絶縁層は、露出されたn+ 非晶質シ
リコン膜のエッチングの時、n+ 非晶質シリコン膜の下
部の非晶質シリコン膜がエッチングされることを防止す
るエッチングストッパ(Etching Stopper )として作用
することを特徴とする請求項8記載の薄膜トランジスタ
の製造方法。
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