JP2006332606A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- ガラス基板上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極に対し、前記ガラス基板の温度を歪点より１００℃以上低く、かつ、２００℃以上とする条件でプラズマ酸化またはプラズマ窒化することによって、保護膜を形成し、
前記保護膜上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を歪点より１００℃以上低く、かつ、２００℃以上とする条件でプラズマ酸化またはプラズマ窒化することによって、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、非晶質シリコンを含む半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項１において、
前記プラズマ酸化または前記プラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された前記ガラス基板の上方において、電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項１または請求項２において、
前記ガラス基板に対し、前記ガラス基板の温度を歪点より１００℃以上低く、かつ、２００℃以上とする条件でプラズマ窒化することによって、窒化物層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
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