CN104425624A

CN104425624A - 电子器件、图像显示装置和用于构成图像显示装置的基板

Info

Publication number: CN104425624A
Application number: CN201410397278.7A
Authority: CN
Inventors: 秋山龙人
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2013-08-20
Filing date: 2014-08-13
Publication date: 2015-03-18
Anticipated expiration: 2034-08-13
Also published as: JP2015041642A; US20150053954A1; CN104425624B; US9548465B2

Abstract

本发明涉及电子器件、图像显示装置以及用于构成图像显示装置的基板。所述电子器件包括：单独地形成于基底上的第一电极和第二电极；功能层，其包括有机半导体材料层并形成于在所述第一电极与第二电极之间的所述基底上；功能层延伸部，其包括所述有机半导体材料层并从所述功能层延伸；保护膜，其至少形成于所述功能层上；以及绝缘层，其覆盖整个表面，其中，所述保护膜被图案化成至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，且所述保护膜的所述两条侧边彼此交叉的顶点部被倒角。本发明可以使得包括有机半导体材料层的功能层得到可靠地保护，且能够在覆盖电子器件的整个表面的绝缘层中确保高的粘附性。

Description

电子器件、图像显示装置和用于构成图像显示装置的基板

技术领域

本发明涉及电子器件、图像显示装置和用于构成图像显示装置的基板。

背景技术

目前，在大量电子设备中使用的包括薄膜晶体管(TFT)的电场效应晶体管(FET)例如包括形成于支撑体上的栅电极、形成于包括栅电极的支撑体上的SiO₂栅极绝缘层以及形成于该栅极绝缘层上的沟道形成区和源/漏电极。于是，通常，极其昂贵的半导体制造装置被用于制造包括这种结构的电场效应晶体管，且由此存在降低生产成本的强烈需求。

同时，最近，在功能层中使用有机半导体材料层的电子器件得到迅速地发展，且在这些电子器件之中，诸如有机晶体管等有机电子器件(在下文中被简称为“有机器件”)受到关注。有机器件的最终目标例如包括低成本、轻质量、柔性和高性能。与硅基无机材料相比，用于构成有机半导体材料层的有机半导体材料具有如下优点：

(1)能够通过简单的处理以低温度和低成本制造大面积的有机器件。

(2)可制造具有柔性的有机器件。

(3)可通过将用于构成有机材料的分子改变至期望的构造来控制有机器件的性能或物理属性。

于是，具体地，在低温下的诸如印刷法等涂布成膜法被认为是所述简单的处理。

然而，由于从外部渗入的氧气和水分，有机半导体材料层发生变化，且可能使有机器件的性能劣化。由于这个原因，为了制造具有高可靠性的有机器件，有机半导体材料层有必要被诸如钝化膜等绝缘层与外部阻隔。然而，当绝缘层直接形成于由有机半导体材料层制成的功能层上时，可能损害功能层，且可能使器件特性劣化。

例如，从日本未审查专利申请公开号2013-030730中已知一种用于防止产生这种问题的技术。在日本未审查专利申请公开号2013-030730中所披露的技术中，在有机半导体材料层上形成由氟树脂等制成的保护膜，且然后在该保护膜上形成绝缘层(钝化膜)。该保护膜被图案化为期望的平面形状。

在日本未审查专利申请公开号2013-030730中所披露的技术中，可有效地保护有机半导体材料层，但是当在形成保护膜之后例如通过旋涂法来形成绝缘层时，可能会使图案化后的保护膜从基层剥离。当不对保护膜进行图案化时，防止了保护膜被剥离，但是在此情况下，会产生绝缘层与保护膜之间的粘附性的问题。

发明内容

因此，本发明期望提供具有如下构造和结构的电子器件，在该构造和结构中，包括有机半导体材料层的功能层得到可靠地保护，且能够在覆盖电子器件的整个表面的绝缘层中确保高的粘附性，本发明还期望提供设置有电子器件的图像显示装置以及用于构成图像显示装置的基板。

根据本发明的第一实施例的电子器件是所谓的底接触型电子器件，并包括：单独地形成于基底上的第一电极和第二电极；功能层，其包括有机半导体材料层并形成于在所述第一电极与第二电极之间的所述基底上；功能层延伸部，其包括所述有机半导体材料层并从所述功能层延伸；保护膜，其至少形成于所述功能层上；以及绝缘层，其覆盖整个表面，其中，所述保护膜被图案化成至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，且所述保护膜的所述两条侧边彼此交叉的顶点部被倒角。

根据本发明的第二实施例的电子器件是所谓的顶接触型电子器件，并包括：功能层，其包括有机半导体材料层并形成于基底上；功能层延伸部，其包括所述有机半导体材料层并从所述功能层延伸；第一电极和第二电极，它们单独地形成于所述功能层延伸部上并将所述功能层介于所述第一电极和所述第二电极之间；保护膜，其至少形成于所述功能层上；以及绝缘层，其覆盖整个表面，其中，所述保护膜被图案化为至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，且所述保护膜的所述两条侧边彼此交叉的顶点部被倒角。

用于构成本发明的实施例的图像显示装置的基板是如下基板，在该基板上，根据本发明的第一实施例或第二实施例的多个电子器件在第一方向和第二方向上布置成二维矩阵的形状。

本发明的实施例的图像显示装置包括用于构成本发明的图像显示装置的所述基板。

在本发明的实施例的电子器件，即设置在本发明的实施例的图像显示装置和用于构成图像显示装置的基板中的电子器件中，所述保护膜被图案化成至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，且所述保护膜的所述两条侧边彼此交叉的顶点部被倒角，并由此可以在形成所述绝缘层时防止所述保护膜被剥离，且可以可靠地保护所述功能层。此外，由于所述保护膜被图案化，所以可以在用于覆盖所述电子器件的整个表面的所述绝缘层中确保高的粘附性。此外，此处披露的效果仅仅是示例并不受限制。另外，可获得其他的效果。

附图说明

图1A和图1B是根据示例1的电子器件的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图2A和图2B是根据示例1的电子器件的变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图3A和图3B是根据示例1的电子器件的另一变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图4A和图4B是根据示例1的电子器件的又一变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图5A和图5B是根据示例2的电子器件的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图6A和图6B是根据示例2的电子器件的变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图7A和图7B是根据示例2的电子器件的另一变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图8A和图8B是根据示例2的电子器件的又一变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图9A和图9B是根据示例3的电子器件的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图10A和图10B是根据示例3的电子器件的变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图11A和图11B是根据示例3的电子器件的另一变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图12A和图12B是根据示例3的电子器件的又一变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图13A和图13B是根据示例4的电子器件的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图14A和图14B是根据示例4的电子器件的变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图15A和图15B是根据示例4的电子器件的另一变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图16A和图16B是根据示例4的电子器件的又一变化例的示意部分截面图以及图示了功能层等的布置的示意图；

图17A、图17B和图17C是用于说明根据示例1的电子器件制造方法的基底等的示意部分截面图；

图18A、图18B和图18C是用于说明根据示例2的电子器件制造方法的基底等的示意部分截面图；

图19A、图19B和图19C是用于说明根据示例3的电子器件制造方法的基底等的示意部分截面图；

图20A、图20B和图20C是用于说明根据示例4的电子器件制造方法的基底等的示意部分截面图；以及

图21A和图21B是根据示例5的电子器件的示意部分截面图；

具体实施方式

在下文中，将参考附图并根据实施例对本发明进行说明，但是本发明不限于这些实施例，且实施例中的各种值和材料是示例。此外，将按照下列顺序进行说明。

1.对根据本发明的第一实施例和第二实施例的电子器件、图像显示装置以及用于构成图像显示装置的基板的概括说明

2.示例1(根据本发明的第一实施例的电子器件(底接触/底栅型)、图像显示装置以及用于构成图像显示装置的基板)

3.示例2(根据本发明的第一实施例的电子器件(底接触/顶部栅极型)、图像显示装置以及用于构成图像显示装置的基板)

4.示例3(根据本发明的第二实施例的电子器件(顶接触/底栅型)、图像显示装置以及用于构成图像显示装置的基板)

5.示例4(根据本发明的第二实施例的电子器件(顶接触/顶部栅极型)、图像显示装置以及用于构成图像显示装置的基板)

对根据本发明的第一实施例和第二实施例的电子器件、图像显示装置以及用于构成图像显示装置的基板的概括说明

根据本发明的第一实施例的电子器件、以及本发明的图像显示装置和用于构成图像显示装置的基板中的根据本发明的第一实施例的电子器件被统称为“根据本发明的第一实施例的电子器件等”，且根据本发明的第二实施例的电子器件以及本发明的图像显示装置和用于构成图像显示装置的基板中的根据本发明的第二实施例的电子器件被统称为“根据本发明的第二实施例的电子器件等”。

在根据本发明的第一实施例的电子器件等或根据本发明的第二实施例的电子器件等中，各个侧边彼此以锐角交叉的保护膜的所有顶点部可被倒角。

在包括上述优选构造的根据本发明第一实施例的电子器件等中，功能层延伸部的轮廓可构成为具有闭合曲线，且保护膜可覆盖功能层和功能层延伸部，或可形成于功能层延伸部的一部分上以及功能层上，或可形成于功能层上。

或者，包括有机半导体材料层并且其中执行非活性处理的非活性区可从功能层延伸部延伸。然后，在此情况下，保护膜可覆盖功能层和功能层延伸部，或可形成于功能层延伸部的一部分上以及功能层上，或可形成于功能层上。

根据本发明的第一实施例的电子器件等可以是所谓的两端子电子器件，并还可包括控制电极。即，后者构造的电子器件是所谓的三端子电子器件。

即，在包括上述各种优选构造的根据本发明第一实施例的电子器件等中，基底可包括形成于用于制造电子器件的基板上的控制电极以及用于覆盖控制电极的层间绝缘层，且控制电极可隔着层间绝缘层面对功能层。具体地，电子器件可包括薄膜晶体管，控制电极可对应于栅电极，层间绝缘层可对应于栅极绝缘层，第一电极和第二电极可对应于源/漏电极，且功能层可对应于沟道形成区。

或者，还可包括隔着绝缘层面对功能层的控制电极。具体地，电子器件可包括薄膜晶体管，控制电极可对应于栅电极，绝缘层可对应于栅极绝缘层，第一电极和第二电极可对应于源/漏电极，且功能层可对应于沟道形成区。

在包括上述优选构造的根据本发明第二实施例的电子器件等中，功能层延伸部的轮廓可构成为具有闭合曲线，且保护膜可覆盖功能层和功能层延伸部，或可形成于功能层延伸部的一部分上以及功能层上，或可形成于功能层上。

或者，包括有机半导体材料层并且其中执行非活性处理的非活性区可从功能层延伸部延伸。

根据本发明的第二实施例的电子器件等可以是所谓的两端子电子器件，并还可包括控制电极。即，后者构造的电子器件是所谓的三端子电子器件。

即，在包括上述各种优选构造的根据本发明第二实施例的电子器件等中，基底可包括形成于用于制造电子器件的基板上的控制电极以及用于覆盖控制电极的层间绝缘层，且控制电极可隔着层间绝缘层面对功能层。具体地，电子器件可包括薄膜晶体管，控制电极可对应于栅电极，层间绝缘层可对应于栅极绝缘层，第一电极和第二电极可对应于源/漏电极，且功能层可对应于沟道形成区。

在下文中，包括上述各种优选构造的根据本发明第一实施例的电子器件等和根据本发明第二实施例的电子器件等可被共同地简称为“根据本发明的电子器件等”。

在用于构成包括根据本发明的多个电子器件的本发明的图像显示装置的基板(背板)中，沿第一方向布置的多个电子器件的控制电极可与沿第一方向延伸的栅极布线相连接，且沿第二方向布置的多个电子器件的第一电极或第二电极可与沿第二方向延伸的信号布线相连接。

作为根据本发明的电子器件等的倒角部分的形状，可包括圆弧、平滑曲线的一部分、一个线段、多个线段的组合以及线段与曲线的一部分的组合。此外，如上所述，优选的是，保护膜的各个侧边以锐角彼此交叉的所有顶点部被倒角，但是在每个电子器件中，根据情况，可仅对多个顶点部中的一部分进行倒角，且在此情况下，优选的是，可对靠近用于制造电子器件的基板(或背板)的中心的侧边的顶点部进行倒角。当功能层延伸部的轮廓构成为具有闭合曲线时，在该闭合曲线中，具体地在简单的闭合曲线中(称为约旦(Jordan)闭合曲线)，包括多个线段的组合以及曲线和线段的组合。

用于构成根据本发明的电子器件等的保护膜的材料可以是在形成保护膜时不使有机半导体材料层劣化的材料，且作为用于构成保护膜的材料，可例如包括氟化聚烯烃(fluorinated polyolefin)、诸如含氟丙烯酸树脂(fluorine-containing acrylic resin)或含氟聚酰亚胺树脂(fluorine-containingpolyimide resin)、含氟醚聚合物(fluorine-containing ether polymer)、含氟环醚聚合物(fluorine-containing cyclic ether polymer)及其共聚物(copolymer)等缩合含氟聚合物(condensed fluorine-containing polymer)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)以及二萘嵌苯树脂(perylene resin)等。作为保护膜的形成方法，可包括下述的蒸发法或涂布法。保护膜的图案化取决于构成保护膜的材料，但是可使用各种刻蚀方法，且根据涂布法可在不执行图案化的情况下形成具有期望轮廓形状的保护膜。保护膜的最简单的轮廓形状是矩形，但是该形状不限于矩形，且轮廓形状可以是基于电子器件所需的规格来确定的。

作为涂布方法，可包括：用于涂布液体材料的方法，例如是各种印刷法，例如丝网印刷法或喷墨印刷法、胶版印刷法、反向胶版印刷法、凹版印刷法、凹版胶印法、凸版印刷、柔性版印刷以及微接触法等；旋涂法；各种涂布法，例如气刀涂布法、叶片涂布法、棒式涂布法、刮刀涂布法、挤压涂布法、逆辊涂布法、转印辊式涂布法、凹版涂布法、吻涂法、铸涂法、线轴涂布法、狭缝式涂布法、裂缝式涂布法、盖涂法、砑光涂布法、铸造法、毛细管涂布法、棒涂布法以及浸渍法等；喷涂法；使用分配器的方法；以及印花法等。

此外，在根据本发明的电子器件等中，绝缘层可以是单层或多层。作为用于构成绝缘层的材料，可包括有机绝缘材料。具体地，作为有机绝缘材料，可包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚醋酸乙烯酯、聚氨酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚砜、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene)、氰乙基支链淀粉(cyanoethylpullulan)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯乙烯、硅醇衍生物(硅烷偶联剂)、环氧树脂、苯并环丁烯树脂(bezocyclobutene resin)、酚树脂(phenol resin)、丙烯酸树脂(acrylic resin)、聚合物合金或其共聚物等有机基绝缘材料，其中硅醇衍生物例如N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(AEAPTMS)、3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)以及十八烷基三氯硅烷(OTS)等，且可以使用这些材料的组合。作为绝缘层的形成方法，可包括上述的各种涂布方法。此外，可使用被可见光、紫外线、诸如电子束等电磁波固化的可见光固化树脂、紫外线固化树脂、电子束固化树脂或通过加热固化的热固树脂。绝缘层的图案化取决于构成绝缘层的材料，但是可使用各种刻蚀方法，且根据涂布法可在不执行图案化的情况下形成具有期望轮廓的绝缘层。绝缘层的最简单的轮廓形状是矩形，但是该形状不限于矩形，且轮廓形状可以是基于电子器件所需的规格来确定的。在底栅型电子器件中，绝缘层可由无机绝缘膜材料(例如，氧化硅、氮化硅和钛酸锶等)构成，并可以是通过PVD方法或CVD方法来形成的。

通过其中照射条件得到优化的激光照射，有机半导体材料层的可结晶性降低，且由此可获得非活性区。或者，可通过用于改变有机半导体材料层的晶体结构和化学结构的等离子处理以及用于改变有机半导体材料层的化学结构的氧化剂处理等来获得非活性区。这里，非活性区表示不充当功能层的区域。

在根据本发明的电子器件等中，作为用于构成控制电极、第一电极、第二电极、栅电极或源/漏电极(在下文中被统称为“控制电极等”)的材料，可包括诸如铂(Pt)、金(Au)、钯(Pd)、铬(Cr)、钼(Mo)、镍(Ni)、铝(Al)、银(Ag)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钛(Ti)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、镁(Mg)、锰(Mn)、钌(Rh)、铷(Rb)等金属、诸如包括这些金属元素的合金等导电物质、这些金属或包括这些金属的合金的导电颗粒、ITO以及包括杂质的多晶硅，且可形成包括这些元素的层的叠层结构(例如，MoO_x/Au和CuO/Au)。另外，作为用于构成控制电极等的材料，可包括诸如聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)或TTF-TCNQ以及聚苯胺等有机材料(导电聚合物)。用于构成控制电极、第一电极、第二电极、栅电极以及源/漏电极的材料可以是彼此相同的材料或彼此不同的材料。

控制电极等的形成方法取决于用于构成控制电极的材料，但是可包括上述各种涂布方法中的任一者、物理气相沉积(PVD)法、脉冲激光沉积(PLD)法、电弧放电法、包括MOCVD法的各种化学气相沉积(CVD)法、剥离法、阴影掩膜法以及诸如电解电镀法或非电解电镀法等电镀法或其组合，并必要时包括与图案化工艺的组合，且使用油墨或浆糊的各种涂布方法可被包括为控制电极等的形成方法。此外，作为PVD方法，可包括(a)诸如电子束加热法、电阻加热法、闪蒸法和加热坩埚的方法等各种真空蒸发法、(b)等离子体蒸发法、(c)诸如双极溅射法、直流(DC)溅射法、DC磁控溅射法、高频溅射法、磁控溅射法、离子束溅射法、偏压溅射法等各种溅射法，以及(d)诸如直流(DC)法、RF法、多重负极法、活化反应法、电场蒸发法、高频离子镀法和反应离子镀法等各种离子镀法。当形成抗蚀剂图形以执行图案化时，例如，通过涂布抗蚀剂材料来形成抗蚀剂层，且然后通过使用光刻技术、激光绘图技术、电子束绘图技术或X射线绘图技术等来对该抗蚀剂层进行图案化。可通过使用抗蚀剂转印法等来形成抗蚀剂图形。当基于刻蚀方法来形成控制电极等时，可采用干法刻蚀法或湿法刻蚀法，且作为干法刻蚀法，可例如包括离子铣或反应离子刻蚀(RIE)。此外，可基于激光烧蚀法、掩模蒸发法和激光转印法等来形成控制电极等。

在根据本发明的电子器件等中，层间绝缘层或栅极绝缘层(在下文中，被共同地简称为“层间绝缘层等”)可以是单层或多层。作为用于构成层间绝缘层等的材料，可包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。作为无机绝缘材料，可包括氧化硅基材料、氮化硅(SiN_Y)、氧化铝(Al₂O₃)或诸如氧化钛和HfO₂等金属氧化高介电常数绝缘材料。此外，作为有机绝缘材料，可包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)和聚苯乙烯等有机基绝缘材料、诸如N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(AEAPTMS)、3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)以及十八烷基三氯硅烷(OTS)等硅醇衍生物(硅烷偶联剂)以及诸如在十八硫醇(octadecanethiol)和十二烷基异氰酸酯(dodecyl isocyanate)等的一端部中包括能够与栅电极连接的官能团的直链烃类等有机绝缘材料(有机聚合物)，且可使用它们的组合。这里，作为基于硅氧化物的材料，可列举硅氧化物(SiO_X)、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、氮氧化硅(SiON)、旋涂玻璃(spin on glass，SOG)以及基于低介电常数SiO₂的材料(例如，聚芳醚(polyarylether)、环全氟烷聚合物和苯并环丁烯(cyclo perfluorocarbon polymer andbenzocyclobutene)、环氟基树脂(cyclic fluorine-based resin)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)、芳基氟醚(arylfluoride ether)、氟化聚酰亚胺(polyimide fluoride)、无定形碳(amorphous carbon)以及有机SOG)。此外，作为层间绝缘层等的形成方法，包括上述涂布方法在内，可包括上述的各种PVD方法或CVD方法中的任一者、溶胶-凝胶法(sol-gel method)、剥离法、阴影掩模法以及电沉积法，并必要时包括与图案化工艺的组合，且可基于激光烧蚀法来执行图案化，或可通过使用感光材料进行曝光和显影来执行图案化。

在根据本发明的电子器件等中，作为用于构成有机半导体材料层的有机半导体材料，可列举聚噻吩及其衍生物、己基被引入聚噻吩的聚-3己基噻吩(P3HT)、并五苯(pentacene，2,3,6,7-二苯并蒽)、并五苯衍生物(三异丙基甲硅烷基乙炔基(TIPS)-并五苯等)、诸如6,12-二氧杂蒽嵌蒽(所谓的迫呫吨并呫吨(perixanthenoxanthene)和6,12-二氧杂蒽嵌蒽，并被称为“PXX”)等基于二氧杂蒽嵌蒽的化合物、聚蒽、并四苯(naphthacene)、并六苯(hexacene)、并七苯(heptacene)、二苯并并五苯、四苯并并五苯、(chrysene)、二萘嵌苯(perylene)、六苯并苯(coronene)、terrylene、卵苯(ovalene)、夸特锐烯(quaterrylene)、循环蒽(circumanthracene)、苯并芘(benzopyrene)、二苯并芘(dibenzopyrene)、三亚苯(triphenylene)、聚吡咯及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚乙炔、聚二乙炔、聚薁、聚亚苯基、聚呋喃、聚吲哚、聚乙烯咔唑、聚硒吩、聚碲吩、诸如聚异硫茚(polyisothianaphthene)等异硫茚(isothianaphthenes)、诸如聚噻吩乙烯(polythienylenevinylene)等噻吩乙烯(thienylenevinylene)、聚咔唑、聚苯硫醚、聚苯乙炔(polyphenylenevinylene)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide)、聚亚乙烯基硫醚(polyvinylenesulfide)、聚噻吩乙炔(polythienylenevinylene)、聚萘、聚芘、聚薁、酞菁(phthalocyanine)、部花青(merocyanine)、由铜酞菁(copper phthalocyanine)表示的半菁(hemicyanine)、聚亚乙二氧基噻吩、哒嗪、萘四羧酸二酰亚胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)以及喹吖啶酮(quinacridone)。或者，作为有机半导体材料，可包括从由缩合多环芳香族化合物、基于卟啉的衍生物、基于苯基亚乙烯基的共轭低聚物(phenylvinylidene-based conjugated oligomer)以及基于噻吩的共轭低聚物(thiophene-based conjugated oligomer)组成的组群中选择的化合物。具体地，例如，可包括诸如基于并苯的分子(并五苯和并四苯等)等缩合多环芳香族化合物、基于卟啉的分子以及共轭低聚物(基于苯基亚乙烯基或基于噻吩的共轭低聚物)。

或者，作为有机半导体材料，例如，可列举卟啉、4,4'-联苯二硫酚(BPDT)、4,4'-二异氰基联苯、4,4'-二异氰基-对-联三苯、2,5-双(5'-硫代乙酰基-2'-噻吩基)噻吩(2,5-bis(5'-thioacetyl-2'-thiophenyl)thiophene)、2,5-双(5'-硫代乙酰氧基-2'-噻吩基)噻吩、4,4'-二异氰基联苯(4,4'-diisocyanophenyl)、联苯胺(联苯l-4，4'-二胺)、TCNQ(四氰基醌二甲烷)、由四硫富瓦烯(TTF)-TCNQ络合物、双(亚乙基二硫)四硫富瓦烯(BEDTTTF)-高氯酸络合物、BEDTTTF-碘络合物和TCNQ-碘络合物等表示的电荷转移络合物、联苯-4,4'-二羧酸、1,4-二(4-噻吩基乙炔基)-2-乙基苯(1,4-di(4-thiophenylacetylenyl)-2-ethylbenzene)、1,4-二(4-异氰基苯基乙炔基)-2-乙基苯、树状聚合物(dendrimer)、诸如C60、C70、C76、C78和C84等富勒烯(fullerene)、1,4-二(4-噻吩基乙炔基)-2-乙基苯(1,4-di(4-thiophenylethynyl)-2-ethylbenzene)、2,2"-二羟基-1,1':4',1"-联三苯、4,4'-联苯二乙醛、4,4'-联苯二醇、4,4'-联苯二异氰酸酯、1,4-二乙炔基苯(1,4-diacetinylbenzene)、联苯-4,4'-二羧酸二乙酯、苯并(1,2-c；3,4-c'；5,6-c")三(1,2)二硫醇-1,4,7-三硫酮、α-六噻吩(alpha-sexithiophene)、四硫并四苯(tetrathiotetracene)、四硒并四苯(tetraselenotetracene)、四碲并四苯(tetratellurium tetracene)、聚(3-烷基噻吩)、聚(3-噻吩-β-乙磺酸)、聚(N-烷基吡咯)聚(3-烷基吡咯)、聚(3,4-二烷基吡咯)、聚(2,2'-噻吩基吡咯)以及聚(二苯并噻吩硫醚)。

在有机半导体材料中，必要时可包括聚合物。优选的是，聚合物溶解在有机溶剂中。具体地，作为聚合物(有机偶联剂，粘合剂)，可列举聚苯乙烯、聚α-甲基苯乙烯以及聚烯烃。此外，根据情况，可增加添加剂(例如，所谓的诸如n型杂质或p型杂质等掺杂材料)。

作为用于制备有机半导体材料溶液的溶剂，可列举诸如甲苯、二甲苯、均三甲苯(mesitylene)和四氢化萘(tetralin)等芳香类、诸如环戊酮和环己酮等酮类以及诸如十氢化萘(decalin)等烃类等。在形成有机半导体材料层时，从晶体管特性的角度以及从防止有机半导体材料迅速干燥的角度，优选地使用这些溶剂之中的诸如均三甲苯、四氢化萘和十氢化萘等具有相对高沸点的溶剂。

作为有机半导体材料层的形成方法，可包括涂布方法。这里，在不存在问题的情况下，任何通常的涂布方法可被用作涂布方法，且具体地，可例如包括上述的各种涂布方法。根据情况，可使用上述的各种PVD方法或CVD方法等。必要时，可例如通过激光烧蚀法、干法刻蚀和湿法刻蚀来对有机半导体材料层进行图案化。

作为施加至有机半导体材料层而根据激光烧蚀法对有机半导体材料层进行图案化的激光，可例如包括从KrF准分子激光器发出的波长为248nm的激光、从YAG激光器发出的波长为1064nm的激光的第四高频(266nm)以及从XeCl准分子激光器发出的波长为308nm的激光。可通过各种检查来适当地确定将要施加至有机半导体材料层的激光的照射能量或照射时间。作为激光的照射方法，可列举通过布置在有机半导体材料层的上部上的激光屏蔽掩膜将激光一次施加至有机半导体材料层的方法，或者根据有机半导体材料层的图案将激光顺序地施加至有机半导体材料层的方法等。通过采用这些方法，可适当地选出有机半导体材料层的被激光照射的区域。另外，作为前一种方法的激光屏蔽掩膜，可例如使用在玻璃板或石英板、塑料膜、塑料板和金属板等上形成激光穿透的区域以及屏蔽激光的区域的掩膜。在屏蔽激光的区域中，可例如形成诸如铬(Cr)等金属膜。此外，作为后一种方法，具体地，可包括将激光束在逐步移动中依次地施加至有机半导体材料层的方法(更具体地，安装有用于制造电子器件的基板的工作台重复预定距离的移动和停止，并且通过结合所谓的光栅扫描法或所谓的矢量扫描法并根据二维扫描将激光束施加至有机半导体材料层的方法)。

作为用于制造电子器件的基板，可包括具有柔性并由如下有机聚合物构成的塑料膜或塑料片以及塑料板，该有机聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚醚酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酮、聚缩醛(polyacetal)、聚芳酯(polyarylate)、聚苯硫醚、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚醚酮、聚烯烃、三乙酸纤维素(cellulose triacetate)、环烯烃聚合物、聚氯乙烯、液晶聚合物、环氧树脂、酚树脂、尿素树脂(urea resin)、三聚氰胺树脂(melamine resin)以及硅酮树脂(silicone resin)等，或者可包括云母(mica)。当使用具有柔性的有机聚合物以及由高分子量(high-molecule-weight)材料构成的材料时，可使电子器件或半导体器件(TFT)与弯曲形状的图像显示装置或电子装置结合或成为一体。或者，作为用于制造电子器件的基板，可包括各种玻璃基板、在其表面上具有绝缘膜的各种玻璃基板、石英基板、在其表面上具有绝缘膜的石英基板、硅基板、在其表面上具有绝缘膜的硅基板、蓝宝石基板、由诸如不锈钢、铝和镍等各种合金或各种金属制成的金属基板、金属箔以及纸等。作为用于制造电子器件的基板，另外，可包括导电基板(由诸如金或铝等金属制成的基板、由高取向的石墨制成的基板以及不锈钢基板等)。在用于制造电子器件的基板上，可形成诸如缓冲层等用于提高粘附性或平坦度的功能膜或用于提高阻气性的阻挡膜。用于制造电子器件的基板吸收处理中使用的激光，且当由于激光的吸收而导致存在加热的问题时，在用于制造电子器件的基板上布置不吸收激光的层(激光非吸收层)或难以吸收激光的层(激光低吸收层)，且由此可防止这种问题的发生。另外，作为用于构成激光非吸收层或激光低吸收层的材料，可例如包括氧化硅SiOx、氮化硅SiN_Y、氮氧化硅SiO_XN_Y、氧化铝AlO_x、聚乙烯、聚丙烯、PMMA以及氟基树脂等。

作为用于支撑和保持电子器件的支撑元件，可包括上述的用于制造电子器件的基板，且可包括导电基板(由各种合金或各种金属制成的基板(诸如由诸如金或铝等金属制成的基板等)、由高取向的石墨制成的基板以及不锈钢基板)。此外，作为用于构成布置在支撑元件上的绝缘膜的材料，可包括用于构成栅极绝缘层的材料，且可广泛地使用现有的绝缘膜。

本发明的电子器件可包括所谓的三端子结构，并可包括两端子结构。根据包括三端子结构的电子器件，如上所述，例如构成场效应晶体管(更具体地为薄膜晶体管(TFT))。或者，根据包括三端子结构的电子器件，例如构成发光元件。即，可构成其中通过将电压施加至控制电极、第一电极和第二电极而使功能层发光的发光元件(有机发光元件和有机发光晶体管)。在电子器件中，根据施加至控制电极的电压来控制从第一电极朝第二电极流向功能层的电流。电子器件是否充当电场效应晶体管或发光元件取决于针对第一电极和第二电极的电压施加状态(偏置)。首先，当施加没有引起来自于第二电极的电子注入的范围的偏置时，控制电极被调制，且于是电流从第一电极流向第二电极。这是晶体管操作。另一方面，当积累足够的正空穴时，针对第一电极和第二电极的偏置增加，电子注入开始，且通过使电子与空穴再耦合而发光。此外，作为具有两端子结构的电子器件，可包括其中通过针对功能层的光照射来使电流在第一电极与第二电极之间流动的光电转换元件。

本发明的电子器件可被用作传感器。作为传感器，可包括光传感器或光电转换元件(具体地，太阳能电池或图像传感器)。具体地，作为用于构成光传感器的功能层的有机半导体分子，可使用对光(不仅包括可见光，还包括紫外线或红外线)具有吸收性的颜料。此外，在光电转换元件中，由于针对功能层的光(不仅包括可见光，还包括紫外线或红外线)照射，电流在第一电极与第二电极之间流动。另外，光电转换元件还可由具有三端子结构的电子器件构成，且在此情况下，电压可不被施加至控制电极或可被施加至控制电极，且在后一种情况下，可通过将电压施加至控制电极来对流动电流进行调制。

作为装配有本发明的电子器件的装置的示例，可列举图像显示装置，但是不限于此图像显示装置。作为本发明的图像显示装置，可列举液晶显示装置、有机电致发光显示装置、等离子显示装置、设置有电泳显示元件的电泳显示装置、冷阴极场发射显示装置以及设置有半导体发光元件(诸如发光二极管)的显示装置等。此外，图像显示装置可例如是在所谓的台式个人电脑、膝上型个人电脑、移动式个人电脑、包括平板型个人电脑的平板终端、个人数字助理(PDA)、汽车导航系统、移动电话或智能手机、游戏机、诸如电子书和电子报纸等电子纸、标志牌、海报、诸如黑板等留言板、复印机、用于打印机纸张替换的可重写纸、计算器、家用电器的显示单元、诸如点卡等卡显示单元、电子广告以及电子POP等中的各种图像显示装置(例如，上述各种图像显示装置)。另外，可包括各种照明装置。

当在图像显示装置以及包括电子纸和射频识别卡(RFID)等各种电子装置中应用或使用本发明的电子器件时，本发明的电子器件可以是多个电子器件集成在支撑元件上的单片集成电路，并且可通过裁剪每个电子器件以使其单独化而将本发明的电子器件用作分立元件。此外，可使用树脂来对电子器件进行密封。

示例1

示例1涉及根据本发明的第一实施例的电子器件，具体地涉及底接触/底栅型电子器件(更具体地，作为半导体器件的薄膜晶体管TFT)，涉及用于构成本发明的图像显示装置的基板，并涉及本发明的图像显示装置。图1A图示了根据示例1的电子器件的示意部分截面图，且图1B图示了图示功能层等的布置的示意图。另外，图1A的示意部分截面图是图1B的沿线A-A的部分截面图。此外，下述的图2A、图3A、图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A、图11A、图12A、图13A、图14、图15A和图16A所示的电子器件的示意部分截面图类似于图1B的沿线A-A的部分截面图。

后述的示例1或示例2的电子器件是底接触型电子器件，并包括单独地形成于基底10上的第一电极26和36与第二电极27和37、由有机半导体材料层13制成并形成于第一电极26和36与第二电极27和37之间的功能层23和33、由有机半导体材料层13制成并从功能层23和33延伸的功能层延伸部24和34、至少形成于功能层23和33上的保护膜28和38以及覆盖整个表面的绝缘层29和32。然后，保护膜28和38被图案化成至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，且保护膜28和38的两条侧边彼此交叉的顶点部28A和38A被倒角。另外，在示例1或后述的示例2的电子器件中，保护膜28和38的侧边以锐角彼此交叉的所有顶点部28A和38A被倒角。具体地，保护膜28和38的平面形状为矩形，且保护膜28和38的所有顶点部(拐角部)28A和38A被倒角。倒角部为圆弧形(1/4圆弧)。

另外，用于构成示例1的图像显示装置的基板(背板)是示例1或后述的示例2～4的多个电子器件在第一方向和第二方向上布置成二维矩阵形的基板。另外，示例1的图像显示装置设置有用于构成示例1或后述的示例2～4的图像显示装置的基板。

然后，在示例1的电子器件中，如上所述，由有机半导体材料层13制成并从功能层23延伸的功能层延伸部24形成于功能层23周围，且功能层延伸部24的轮廓构成为具有闭合曲线。具体地，功能层延伸部24的轮廓为矩形。功能层延伸部24形成于第一电极26和第二电极27的一部分上。保护膜28覆盖功能层23和功能层延伸部24(参考图1B)。

这里，示例1的电子器件是三端子电子器件，基底10包括形成于用于制造电子器件的基板11上的控制电极21以及覆盖控制电极21的层间绝缘层22，且控制电极21隔着层间绝缘层22面对功能层23。具体地，示例1的电子器件是底接触/底栅型薄膜晶体管(TFT)，控制电极21对应于栅电极，层间绝缘层22对应于栅极绝缘层、第一电极26和第二电极27对应于源/漏电极，且功能层23对应于沟道形成区。

另外，在下面的说明中，术语“栅电极”可以用来代替控制电极，且术语“栅极绝缘层”可以用来代替层间绝缘层。

在用于构成示例1～4的图像显示装置的基板(背板)中，示例1或后述的示例2～4的多个电子器件(TFT)在第一方向和第二方向上布置成二维矩阵形，沿第一方向布置的多个电子器件的控制电极21、31、41和51(栅电极)与沿第一方向延伸的栅极布线相连接，且沿第二方向布置的多个电子器件的第一电极26、36、46和56(一个源/漏电极)与沿第二方向延伸的信号布线相连接。

另外，示例1～4的图像显示装置设置有用于构成示例1的图像显示装置的基板(背板)。

这里，在示例1或后述的示例2～4中，例如通过如下方式来构成基底10：用于制造电子器件的基板11由玻璃基板制成，且绝缘膜12由SiO₂制成并形成于用于制造电子器件的基板11的表面上。在示例1或后述的示例3中，基底10还由控制电极(栅电极)21和41以及层间绝缘层(栅极绝缘层)22和42构成。控制电极(栅电极)21、31、41和51例如由铝(Al)或Al与Ti的叠层结构制成。用于构成功能层23、33、43和53、功能层延伸部24、34、44和54以及非活性区25、35、45和55的有机半导体材料层13例如由并五苯、TIPS-并五苯或迫呫吨并呫吨(perixanthenoxanthene，PXX)(更具体地，例如，乙基苯基-PXX)的衍生物制成。第一电极26、36、46和56以及第二电极27、37、47和57(一对源/漏电极)例如由金(Au)或铜(Cu)制成。保护膜28、38、48和58由氟基树脂制成。

此外，在示例1或后述的示例3中，栅极绝缘层22例如由聚乙烯基苯酚(PVP)制成。此外，绝缘层(钝化膜)29由含氟醚聚合物制成。

如图1B、图2B、图3B和图4B所示，在示例1或后述的示例2～4中，优选的是，沿沟道长度从第一电极26的面对第二电极27的端表面至保护膜28的边缘部的距离L₀以及从第二电极27的面对第一电极26的端表面至保护膜28的边缘部的L₀例如为1μm以上，并更具体地例如为10μm。

在下文中，将参考图17A、图17B和图17C的基底等的示意部分截面图对示例1的电子器件的制造方法进行说明。此外，此示意部分截面图类似于图1B的沿线A-A的部分截面图。

步骤-100

首先，在用于制造电子器件的基板11上形成栅电极21。具体地，在形成于用于制造电子器件的基板11上的绝缘膜12的一部分被垫掩模(padmask)覆盖的状态下，通过真空蒸发法来形成栅电极21。因此，可在不执行光刻处理的情况下形成栅电极21。然而，栅电极21的形成方法不限于此方法，且可以根据用于构成栅电极21的导电材料层的成膜技术与刻蚀技术的组合来形成栅电极21，可以根据所谓的剥离法来形成栅电极21并且可以根据印刷法来形成栅电极21。

步骤-110

接下来，在绝缘膜12和栅电极21上形成栅极绝缘层22。具体地，根据旋涂法在整个表面上形成栅极绝缘层22。更具体地，将包括丙二醇单甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethylether acetate，PGMEA)和交联剂的聚乙烯基苯酚(PVP)溶液涂布在绝缘膜12和控制电极21上，然后加热至150℃，且由此能够获得由聚乙烯基苯酚制成的栅极绝缘层22。因此，能够获得由形成于用于制造电子器件的基板11上的控制电极21以及覆盖控制电极21的层间绝缘层22制成的基底10。

步骤-120

随后，在基底10上形成第一电极26和第二电极27(一对源/漏电极)。即，能够根据用于构成第一电极26和第二电极27的导电材料层的成膜技术与刻蚀技术的组合来形成第一电极26和第二电极27。然而，第一电极26和第二电极27的形成方法不限于此方法，且在除用于形成第一电极26和第二电极27的区域之外的区域被垫掩模覆盖的状态下，可以通过真空蒸发法来形成第一电极26和第二电极27，可以根据所谓的剥离法来形成第一电极26和第二电极27，并且可以根据印刷法来形成第一电极26和第二电极27。于是，能够获得如图17A所示的结构。

步骤-130

接下来，形成由有机半导体材料层13制成的功能层23和功能层延伸部24。具体地，例如根据旋涂法在栅极绝缘层22、第一电极26和第二电极27上形成有机半导体材料层13。在旋涂法中，使用了有机半导体材料溶解在溶剂中的有机半导体材料溶液，具体地是乙基苯基-PXX溶解在甲苯中的有机半导体材料溶液。接下来，对有机半导体材料层13进行图案化。具体地，通过激光烧蚀法来对有机半导体材料层13进行图案化。更具体地，将从KrF准分子激光器发出的波长为248nm的激光施加至有机半导体材料层13的期望区域，去除有机半导体材料层13的不必要的区域，且对有机半导体材料层13进行图案化。因此，能够获得图17B所示的功能层23和功能层延伸部24。

步骤-140

随后，形成用于覆盖功能层23和功能层延伸部24的保护膜28。具体地，根据旋涂法在整个表面上形成氟基树脂的保护膜，且根据光刻技术和干法刻蚀技术来对保护膜进行图案化，且由此能够获得具有矩形平面形状且四个顶点部(拐角部)28A被倒角的保护膜28(参考图17C和图1B)。步骤-150

接下来，根据旋涂法在整个表面上形成绝缘层(钝化膜)29。因此，能够获得图1A所示结构的示例1的电子器件(底接触/底栅型薄膜晶体管)。或者，能够获得设置有示例1的电子器件(TFT)的基板(其用于构成图像显示装置)和图像显示装置。

然而，在形成绝缘层(钝化膜)29时，通常将用于形成绝缘层29的溶液(在下文中，为简单起见，被称为“用于绝缘层的溶液”)滴在用于制造电子器件的基板11的中心，且旋转用于制造电子器件的基板11。此时，用于绝缘层的溶液从用于制造电子器件的基板11的中心朝圆周部扩散。当保护膜28的顶点部(拐角部)28A没有被倒角时，用于绝缘层的溶液在保护膜28的顶点部28A与基层(例如，栅极绝缘层22)之间渗入，且保护膜28可从基层剥离。然而，由于护膜28的顶点部28A被倒角，所以可以可靠地防止用于绝缘层的溶液在保护膜28的顶点部28A与基层之间渗入，使保护膜28不从基层剥离，且由此能够获得具有高可靠性的电子器件。

步骤-160

例如，在图像显示装置的制造中，在此处理之后接着根据现有方法在作为所获得的用于构成图像显示装置的控制单元(像素驱动电路)的电子器件的TFT上或者上部上形成图像显示单元(具体地，例如，包括有机电致发光元件或电泳显示元件以及半导体发光元件等的图像显示单元)，且由此能够制造图像显示装置。这里，可例如通过诸如接触孔或布线等连接部来使所获得的用于构成图像显示装置的控制单元(像素驱动电路)的电子器件与图像显示单元的电极(例如，像素电极)连接。这同样适用于以下示例2～4。

在示例1的电子器件中，保护膜被图案化成至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，保护膜的两条侧边彼此交叉的顶点部被倒角，且由此使保护膜在形成绝缘层(钝化膜)时不从功能层或功能层延伸部剥离，且可以可靠地保护功能层。另外，由于保护膜被图案化，所以能够在覆盖电子器件的整个表面的绝缘层与第一电极、第二电极和栅极绝缘层之间确保高的粘附性，且不产生绝缘层(钝化膜)被剥离的问题。另外，为了提高保护膜的顶面与绝缘层(钝化膜)之间的粘附性，不必执行针对保护膜的顶面的各种处理(例如，表面亲水性的处理)，可以促进电子器件制造工艺的简化，且可以防止功能层受损。此外，在每个电子器件中，可仅对多个顶点部中的一部分进行倒角，且在此情况下，优选的是，可对靠近用于制造电子器件的基板(或背板)的中心的侧边上的顶点部进行倒角。

图2A图示了示例1的电子器件的变化例的示意部分截面图，且图2B图示了用于图示功能层等的布置的示意图。在变化例中，保护膜28形成于功能层延伸部24的一部分上以及功能层23上。另外，保护膜28可形成于功能层23上。

或者，图3A和图4A图示了示例1的电子器件的变化例的示意部分截面图，且图3B和图4B图示了用于图示功能层等的布置的示意图。在该变化例中，由有机半导体材料层13制成并且其中执行非活性处理的非活性区25从功能层延伸部24延伸。在图3B和图4B中，为了指定非活性区25，将斜线应用至非活性区25。这里，在图3A和图3B所示的示例中，保护膜28形成于功能层延伸部24的一部分上和功能层23上，且在图4A和图4B所示的示例中，保护膜28覆盖功能层23和功能层延伸部24。另外，保护膜28可形成于功能层23上。能够通过优化了照射条件的激光照射来获得非活性区25。这同样适用于下列示例。另外，在图3B、图7B、图11B和图15B中，实线14所表示的边界是功能层延伸部24与非活性区25之间的边界，且在图4B、图8B、图12B和图16B中，点划线14所表示的边界是功能层延伸部24与非活性区25之间的边界。

示例2

示例2具有从示例1变化的构造，并涉及底接触/顶栅极型电子器件。图5A图示了类似地沿图1B的线A-A切割的示例2的电子器件的示意部分截面图，且图5B图示了用于图示功能层等的布置的示意图，且在示例2的电子器件中，还包括隔着绝缘层32面对功能层33的控制电极31。具体地，示例2的电子器件为底接触/顶栅型薄膜晶体管(TFT)，控制电极31对应于栅电极，绝缘层32对应于栅极绝缘层，第一电极36和第二电极37对应于源/漏电极，且功能层33对应于沟道形成区。

然后，在示例2的电子器件中，如上所述，由有机半导体材料层13制成并从功能层33延伸的功能层延伸部34形成于功能层33周围，且功能层延伸部34的轮廓构成为具有闭合曲线。具体地，功能层延伸部34的轮廓为矩形。功能层延伸部34形成于第一电极36和第二电极37的一部分上。保护膜38覆盖功能层33和功能层延伸部34(参考图5B)。

在示例2或后述的示例4中，绝缘层(栅极绝缘层)32例如由聚乙烯基苯酚(PVP)制成。此外，钝化膜39由含氟醚聚合物制成。

在下文中，将参考图18A、图18B和图18C的基底等的示意部分截面图对示例2的电子器件的制造方法进行说明。另外，此示意部分截面类似于图1B的沿线A-A的部分截面图。

步骤-200

首先，类似于示例1的步骤-120，在绝缘膜12(其形成于用于制造电子器件的基板11上)上形成第一电极36和第二电极37(一对源/漏电极)。因此，能够获得图18A所示的结构。

步骤-210

接下来，类似于示例1的步骤-130，在第一电极36、第二电极37和绝缘膜12上形成由有机半导体材料层13制成的功能层33和功能层延伸部34。

步骤-220

随后，类似于示例1的步骤-140，形成覆盖功能层33和功能层延伸部34的保护膜38。因此，能够获得图18B所示的结构。

步骤-230

接下来，类似于示例1的步骤-110，在保护膜38、第一电极36、第二电极37和绝缘膜12上形成绝缘层(栅极绝缘层)32。因此能够获得图18C所示的结构。

然而，在形成绝缘层32时，通常将用于形成绝缘层32的溶液(用于绝缘层的溶液)滴在用于制造电子器件的基板11的中心，且旋转用于制造电子器件的基板11。此时，用于绝缘层的溶液从用于制造电子器件的基板11的中心朝圆周部扩散。当保护膜38的顶点部(拐角部)38A没有被倒角时，用于绝缘层的溶液在保护膜38的顶点部38A与基层(例如，绝缘层12)之间渗入，且保护膜38会从基层剥离。然而，由于护膜38的顶点部38A被倒角，所以可以可靠地防止用于绝缘层的溶液在保护膜38的顶点部38A与基层之间渗入，使保护膜38不从基层剥离，且由此能够获得具有高可靠性的电子器件。

步骤-240

随后，类似于示例1的步骤-100，在绝缘层(栅极绝缘层)32上形成栅电极31。

步骤-250

接下来，根据旋涂法在整个表面上形成钝化膜39。因此，能够获得图5A所示结构的示例2的电子器件(底接触/顶栅型薄膜晶体管)。或者，能够获得设置有示例2的电子器件(TFT)的基板(其用于构成图像显示装置)和图像显示装置。

步骤-260

例如，在图像显示装置的制造中，类似于示例1的步骤-160，还能够制造图像显示装置。

图6A图示了示例2的电子器件的变化例的示意部分截面图，且图6B图示了用于图示功能层等的布置的示意图。在变化例中，保护膜38形成于功能层延伸部34的一部分上以及功能层33上。另外，保护膜38可形成于功能层23上。

或者，图7A和图8A图示了示例2的电子器件的变化例的示意部分截面图，且图7B和图8B图示了用于图示功能层等的布置的示意图。在该变化例中，由有机半导体材料层13制成并且其中执行非活性处理的非活性区35从功能层延伸部34延伸。在图7B和图8B中，为了指定非活性区35，将斜线应用至非活性区35。这里，在图7A和图7B所示的示例中，保护膜38形成于功能层延伸部34的一部分上以及功能层23上，且在图8A和图8B所示的示例中，保护膜38覆盖功能层33和功能层延伸部34。另外，保护膜38可形成于功能层33上。

示例3

示例3涉及根据本发明的第二实施例的电子器件，具体地涉及顶接触/底栅型电子器件(更具体地，作为半导体器件的薄膜晶体管TFT)，涉及用于构成本发明的图像显示装置的基板，并涉及本发明的图像显示装置。图9A图示了示例3的电子器件的示意部分截面图，且图9B图示了用于图示功能层等的布置的示意图。

示例3或后述的示例4的电子器件是顶接触型电子器件，并包括由有机半导体材料层13制成并形成于基底10上的功能层43和53、由有机半导体材料层13制成并从功能层43和53延伸的功能层延伸部44和54、单独地形成于功能层延伸部44和54上的第一电极46和56与第二电极47和57(将功能层43和53介于第一电极46和56与第二电极47和57之间)、至少形成于功能层43和53上的保护膜48和58以及覆盖整个表面的绝缘层49和52。然后，保护膜48和58被图案化成至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，且保护膜48和58的两条侧边彼此交叉的顶点部48A和58A被倒角。另外，在示例3或后述的示例4的电子器件中，保护膜48和58的侧边以锐角彼此交叉的所有顶点部48A和58A被倒角。具体地，保护膜48和58的平面形状为矩形，且保护膜48和58的所有顶点部(拐角部)48A和58A被倒角。倒角部为圆弧形(1/4圆弧)。

然后，在示例3的电子器件中，功能层延伸部44的轮廓构成为具有闭合曲线。具体地，功能层延伸部44的轮廓为矩形。功能层延伸部44形成于第一电极46和第二电极47的一部分上。保护膜48覆盖功能层43和功能层延伸部44(参考图9B)。

这里，示例3的电子器件是三端子电子器件，基底10包括形成于用于制造电子器件的基板11上的控制电极41以及覆盖控制电极41的层间绝缘层42，且控制电极41隔着层间绝缘层42面对功能层43。具体地，示例3的电子器件是顶接触/底栅型薄膜晶体管(TFT)，控制电极41对应于栅电极，层间绝缘层42对应于栅极绝缘层，第一电极46和第二电极47对应于源/漏电极，且功能层43对应于沟道形成区。

在下文中，将参考图19A、图19B和图19C的基底等的示意部分截面图对示例3的电子器件的制造方法进行说明。另外，此示意部分截面类似于图1B的沿线A-A的部分截面图。

步骤-300

首先，类似于示例1的步骤-100和步骤-110，在绝缘膜12(其形成于用于制造电子器件的基板11上)上形成栅电极41，且还在绝缘膜12和栅电极41上形成栅极绝缘层42。

步骤-310

随后，类似于示例1的步骤-130，在栅极绝缘层42上形成由有机半导体材料层13制成的功能层43和功能层延伸部44(参考图19A)。

步骤-320

接下来，类似于示例1的步骤-120，在功能层43和栅极绝缘层42上形成第一电极46和第二电极47(参考图19B)。

步骤-330

随后，类似于示例1的步骤-140，形成覆盖功能层43和功能层延伸部44的保护膜48。因此，能够获得图19C所示的结构。

步骤-340

接下来，根据旋涂法在整个表面上形成绝缘层(钝化膜)49。因此，能够获得图9A所示的结构的示例3的电子器件(顶接触/底栅型薄膜晶体管)。或者，能够获得设置有示例3的电子器件(TFT)的基板(其用于构成图像显示装置)和图像显示装置。

然而，在形成绝缘层(钝化膜)49时，通常将用于形成绝缘层49的溶液(被称为“用于绝缘层的溶液”)滴在用于制造电子器件的基板11的中心，且旋转用于制造电子器件的基板11。此时，用于绝缘层的溶液从用于制造电子器件的基板11的中心朝圆周部扩散。当保护膜48的顶点部(拐角部)48A没有被倒角时，用于绝缘层的溶液在保护膜48的顶点部48A与基层(例如，栅极绝缘层42)之间渗入，且保护膜48可从基层剥离。然而，由于护膜48的顶点部48A被倒角，所以可以可靠地防止用于绝缘层的溶液在保护膜48的顶点部48A与基层之间渗入，使保护膜48不从基层剥离，且由此能够获得具有高可靠性的电子器件。

步骤-350

图10A图示了示例3的电子器件的变化例的示意部分截面图，且图10B图示了用于图示功能层等的布置的示意图。在该变化例中，保护膜48形成于功能层延伸部44的一部分上以及功能层43上。另外，保护膜48可形成于功能层43上。

或者，图11A和图12A图示了示例3的电子器件的变化例的示意部分截面图，且图11B和图12B图示了用于图示功能层等的布置的示意图。在该变化例中，由有机半导体材料层13制成并其中执行非活性处理的非活性区45从功能层延伸部44延伸。在图11B和图12B中，为了指定非活性区45，将斜线应用至非活性区45。这里，在图11A和图11B所示的示例中，保护膜48形成于功能层延伸部44的一部分上以及功能层43上，且在图12A和图12B所示的示例中，保护膜48覆盖功能层43和功能层延伸部44。另外，保护膜48可形成于功能层43上。

示例4

示例4具有从示例3变化的构造，并涉及顶接触/顶栅型电子器件。图13A图示了类似地沿图1B的线A-A切割的示例4的电子器件的示意部分截面图，且图13B图示了用于图示功能层等的布置的示意图，且在示例4的电子器件中，还包括隔着绝缘层52面对功能层53的控制电极51。具体地，示例4的电子器件为顶接触/顶栅型薄膜晶体管(TFT)，控制电极51对应于栅电极，绝缘层52对应于栅极绝缘层，第一电极56和第二电极57对应于源/漏电极，且功能层53对应于沟道形成区。

然后，在示例4的电子器件中，功能层延伸部54的轮廓构成为具有闭合曲线。具体地，功能层延伸部54的轮廓为矩形。功能层延伸部54形成于第一电极56和第二电极57的一部分上。保护膜58覆盖功能层53和功能层延伸部54(参考图13B)。

将参考图20A、图20B和图20C的基底等的示意部分截面图对示例4的电子器件的制造方法进行说明。此外，此示意部分截面图类似于图1B的沿线A-A的部分截面图。

步骤-400

首先，类似于示例1的步骤-130，在绝缘膜12(其形成于用于制造电子器件的基板11上)上形成由有机半导体材料层13制成的功能层53和功能层延伸部54(参考图20A)。

步骤-410

接下来，类似于示例1的步骤-120，在功能层延伸部54和绝缘膜12上形成第一电极56和第二电极57(一对源/漏电极)。

步骤-420

随后，类似于示例1的步骤-140，形成覆盖功能层53、功能层延伸部54、第一电极56和第二电极57的保护膜58。因此，能够获得图20B所示的结构。

步骤-430

接下来，类似于示例1的步骤-110，在保护膜58、第一电极56、第二电极57和绝缘膜12上形成绝缘层(栅极绝缘层)52。

然而，在形成绝缘层52时，通常将用于形成绝缘层52的溶液(用于绝缘层的溶液)滴在用于制造电子器件的基板11的中心，且旋转用于制造电子器件的基板11。此时，用于绝缘层的溶液从用于制造电子器件的基板11的中心朝圆周部扩散。当保护膜58的顶点部(拐角部)58A没有被倒角时，用于绝缘层的溶液在保护膜58的顶点部58A与基层(例如，绝缘层12)之间渗入，且保护膜58可从基层剥离。然而，由于护膜58的顶点部58A被倒角，所以可以可靠地防止用于绝缘层的溶液在保护膜58的顶点部58A与基层之间渗入，使保护膜58不从基层剥离，且由此能够获得具有高可靠性的电子器件。

步骤-440

随后，类似于示例1的步骤-100，在绝缘层(栅极绝缘层)52上形成栅电极51。因此，能够获得图20C所示的结构。

接下来，根据旋涂法在整个表面上形成钝化膜59。因此，能够获得图13A所示的结构的示例4的电子器件(顶接触/顶栅型薄膜晶体管)。或者，能够获得设置有示例4的电子器件(TFT)的基板(其用于构成图像显示装置)和图像显示装置。

步骤-460

图14A图示了示例4的电子器件的变化例的示意部分截面图，且图14B图示了用于图示功能层等的布置的示意图。在变化例中，保护膜58形成于功能层延伸部54的一部分上以及功能层53上。另外，保护膜58可形成于功能层53上。

或者，图15A和图16A图示了示例4的电子器件的变化例的示意部分截面图，且图15B和图16B图示了用于图示功能层等的布置的示意图。在变化例中，由有机半导体材料层13制成并且其中执行非活性处理的非活性区55从功能层延伸部54延伸。在图15B和图16B中，为了指定非活性区55，将斜线应用至非活性区55。这里，在图15A和图15B所示的示例中，保护膜58形成于功能层延伸部54的一部分上以及功能层53上，且在图16A和图16B所示的示例中，保护膜58覆盖功能层53和功能层延伸部54。另外，保护膜58可形成于功能层53上。

示例5

在示例1～4中，仅通过三端子电子器件来对本发明的电子器件进行了说明，但是电子器件可以是两端子电子器件。如图21A的示意部分截面图所示，两端子电子器件包括单独地形成于基底10上的第一电极26和第二电极27、由有机半导体材料层13制成并在第一电极26与第二电极27之间形成于基底10上的功能层23、由有机半导体材料层13制成并从功能层23延伸的功能层延伸部24、至少形成于功能层23上的保护膜28以及覆盖整个表面的绝缘层29。或者，如图21B的示意部分截面图所示，两端子电子器件包括由有机半导体材料层13制成并形成于基底10上的功能层43、由有机半导体材料层13制成并从功能层43延伸的功能层延伸部44、单独地形成于功能层延伸部44上的第一电极46与第二电极47(将功能层43介于第一电极46与第二电极47之间)、至少形成于功能层43上的保护膜48以及覆盖整个表面的绝缘层49。然后，保护膜28和48被图案化成至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，且保护膜28和48的两条侧边彼此交叉的顶点部被倒角。

通过适当地选择用于构成有机半导体材料层13、用于制造电子器件的基板11以及电极66和67的材料，两端子电子器件能够充当光传感器或光电转换元件(例如，太阳能电池或图像传感器)，或发光元件，并由此能够充当传感器。

具体地，可以通过使用对光(不仅包括可见光，还包括紫外线或红外线)具有吸收性的颜料作为用于构成有机半导体材料层13的有机半导体分子来构成光传感器，且可以构成其中由于针对有机半导体材料层13的光(不仅包括可见光，还包括紫外线或红外线)照射而使电流在第一电极66与第二电极67之间流动的光电转换元件(具体地，太阳能电池或图像传感器)。

如上所述，根据优选实施例对本发明进行了说明，但是本发明不限于这些实施例。电子器件、图像显示装置以及用于构成图像显示装置的基板的结构或构造、形状、形成条件和制造条件是示例，并可以进行适当地变化。当例如在显示装置或各种电子装置中应用和使用本发明的电子器件时，本发明的电子器件可以是多个电子器件集成在基底或支持元件上的单片集成电路，并且可通过裁剪每个电子器件以使其独立化而将本发明的电子器件用作离散元件。

可以通过示例1～4所述的电子器件来构成传感器。例如，具体地，通过电子器件来构成发光元件。即，构成其中通过将电压施加至控制电极、第一电极和第二电极而使有机半导体材料层发光的发光元件(有机发光元件和有机发光晶体管)。然后，根据施加至控制电极的电压来控制从第一电极朝着第二电极流向有机半导体材料层的电流。当积累足够的正空穴时，针对第一电极和第二电极的偏置增加，电子注入开始，且通过使电子与正空穴再耦合而发光。

另外，本发明可构成如下。

(A01)电子器件…第一实施例

一种电子器件，其包括：

独立地形成于基底上的第一电极和第二电极；

功能层，其包括有机半导体材料层并形成于所述第一电极与第二电极之间的所述基底上；

功能层延伸部，其包括所述有机半导体材料层并从所述功能层延伸；

保护膜，其至少形成于所述功能层上；以及

绝缘层，其覆盖整个表面，

其中，所述保护膜被图案化成至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，且所述保护膜的所述两条侧边彼此交叉的顶点部被倒角。

(A02)如(A01)所述的电子器件，其中，所述保护膜的所述侧边以锐角彼此交叉的所有顶点部被倒角。

(A03)如(A01)或(A02)所述的电子器件，其中，

所述功能层延伸部的轮廓构成为具有闭合曲线，且

所述保护膜覆盖所述功能层和所述功能层延伸部，或形成于所述功能层延伸部的一部分上和所述功能层上，或形成于所述功能层上。

(A04)如(A01)或(A02)所述的电子器件，其中，

包括所述有机半导体材料层并执行非活性处理的非活性区从所述功能层延伸部延伸。

(A05)如(A04)所述的电子器件，其中，所述非活性区是通过优化了照射条件的激光照射来获得的。

(A06)如(A04)或(A05)所述的电子器件，其中，

(A07)如(A01)-(A06)中任一项所述的电子器件，其中，

所述基底包括形成于用于制造电子器件的基板上的控制电极以及覆盖所述控制电极的层间绝缘层，且

所述控制电极隔着所述层间绝缘层面对所述功能层。

(A08)如(A07)所述的电子器件，其中，

所述电子器件是薄膜晶体管，

所述控制电极对应于栅电极，

所述层间绝缘层对应于栅极绝缘层，

所述第一电极和第二电极对应于源/漏电极，且

所述功能层对应于沟道形成区。

(A09)如(A01)-(A06)中任一项所述的电子器件，其还包括：

控制电极，其隔着所述绝缘层面对所述功能层。

(A10)如(A09)所述的电子器件，其中，

所述电子器件是薄膜晶体管，

所述控制电极对应于栅电极，

所述绝缘层对应于栅极绝缘层，

所述第一电极和第二电极对应于源/漏电极，且

所述功能层对应于沟道形成区。

(B01)电子器件…第二实施例

一种电子器件，其包括：

功能层，其包括有机半导体材料层并形成于基底上；

第一电极和第二电极，它们独立地形成于所述功能层延伸部上并将所述功能层介于所述第一电极和第二电极之间；

保护膜，其至少形成于所述功能层上；以及

绝缘层，其覆盖整个表面，

(B02)如(B01)所述的电子器件，其中，

所述保护膜的所述侧边以锐角彼此交叉的所有顶点部被倒角。

(B03)如(B01)或(B02)所述的电子器件，其中，

所述功能层延伸部的轮廓构成为具有闭合曲线，且

(B04)如(B01)-(B03)中任一项所述的电子器件，其中，

(B05)如(B04)所述的电子器件，其中，

所述非活性区是通过优化了照射条件的激光照射来获得的。

(B06)如(B01)-(B05)中任一项所述的电子器件，其中，

所述控制电极隔着所述层间绝缘层面对所述功能层。

(B07)如(B06)所述的电子器件，其中，

所述电子器件是薄膜晶体管，

所述控制电极对应于栅电极，

所述层间绝缘层对应于栅极绝缘层，

所述第一电极和第二电极对应于源/漏电极，且

所述功能层对应于沟道形成区。

(B08)如(B01)-(B05)中任一项所述的电子器件，其还包括：

控制电极，其隔着所述绝缘层面对所述功能层。

(B09)如(B08)所述的电子器件，其中，

所述电子器件是薄膜晶体管，

所述控制电极对应于栅电极，

所述绝缘层对应于栅极绝缘层，

所述第一电极和第二电极对应于源/漏电极，且

所述功能层对应于沟道形成区。

(C01)用于构成图像显示装置的基板

一种用于构成图像显示装置的基板，其中，多个如(A01)～(B09)中任一项所述的电子器件在第一方向和第二方向上布置成二维矩阵的形状。

(C02)如(C01)所述的用于构成图像显示装置的基板，其中，

沿所述第一方向布置的所述多个电子器件的所述控制电极与沿所述第一方向延伸的栅极布线相连接，且

沿所述第二方向布置的所述多个电子器件的所述第一电极或第二电极与沿所述第一方向延伸的信号布线相连接。

(D01)图像显示装置

一种图像显示装置，其包括：如(C01)或(C02)所述的用于构成图像显示装置的基板。

本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内，进行隔着修改、组合、次组合及变化。

本申请要求2013年8月20日提交的日本优先权专利申请JP2013-170615的权益，在此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。

Claims

1.一种电子器件，其包括：

单独地形成于基底上的第一电极和第二电极；

功能层，其包括有机半导体材料层并形成于在所述第一电极与第二电极之间的所述基底上；

保护膜，其至少形成于所述功能层上；以及

绝缘层，其覆盖整个表面，

2.如权利要求1所述的电子器件，其中，所述保护膜的所述侧边以锐角彼此交叉的所有顶点部被倒角。

3.如权利要求1或2所述的电子器件，其中，

所述功能层延伸部的轮廓构成为具有闭合曲线，且

4.如权利要求1或2所述的电子器件，其中，

包括所述有机半导体材料层并在其中执行非活性处理的非活性区从所述功能层延伸部延伸。

5.如权利要求4所述的电子器件，其中，

6.如权利要求1所述的电子器件，其中，

所述控制电极隔着所述层间绝缘层面对所述功能层。

7.如权利要求1所述的电子器件，其还包括：

控制电极，其隔着所述绝缘层面对所述功能层。

8.一种电子器件，其包括：

功能层，其包括有机半导体材料层并形成于基底上；

第一电极和第二电极，它们单独地形成于所述功能层延伸部上并将所述功能层介于所述第一电极和所述第二电极之间；

保护膜，其至少形成于所述功能层上；以及

绝缘层，其覆盖整个表面，

其中，所述保护膜被图案化为至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，且所述保护膜的所述两条侧边彼此交叉的顶点部被倒角。

9.如权利要求8所述的电子器件，其中，所述保护膜的所述侧边以锐角彼此交叉的所有顶点部被倒角。

10.如权利要求8或9所述的电子器件，其中，

所述功能层延伸部的轮廓构成为具有闭合曲线，且

11.如权利要求8所述的电子器件，其中，包括所述有机半导体材料层并在其中执行非活性处理的非活性区从所述功能层延伸部延伸。

12.如权利要求8所述的电子器件，其中，

所述控制电极隔着所述层间绝缘层面对所述功能层。

13.如权利要求8所述的电子器件，其还包括：

控制电极，其隔着所述绝缘层面对所述功能层。

14.一种用于构成图像显示装置的基板，其中，多个如权利要求1～13中的任一项所述的电子器件在第一方向和第二方向上布置成二维矩阵的形状。

15.一种图像显示装置，其包括如权利要求14所述的用于构成图像显示装置的基板。