JP4457142B2 - 固体撮像素子、カメラモジュールおよび電子情報機器 - Google Patents

固体撮像素子、カメラモジュールおよび電子情報機器 Download PDF

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Description

本発明は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する固体撮像素子およびカメラモジュール、この固体撮像素子を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、車載監視用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。
上述した従来の固体撮像素子の断面構造およびその製造方法について、図１８を用いて説明する。
図１８は、従来の固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す縦断面図である。
図１８に示すように、従来の固体撮像素子１００を製造する際に、まず、シリコン基板１０１の撮像領域に複数のフォトダイオード（受光部）１０２を不純物イオン注入により形成する。
次に、シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０３を酸素雰囲気中の熱処理などにより形成した後に、フォトダイオード１０２で光電変換により発生した信号電荷を出力回路側に向け電荷転送するためのゲート電極１０４をポリシリコンなどの減圧ＣＶＤ法により形成する。
その後、ゲート電極１０４上の光を入射するフォトダイオード以外の領域に、タングステンなどの材料により遮光膜（図示せず）を形成し、ＢＰＳＧ膜（リン・ボロンを含んだシリコン酸化膜）などの層間絶縁膜１０５を形成して、リフロー処理（熱処理）により表面段差を解消して表面の平坦化を行う。
さらに、層間絶縁膜１０５上に、ここでは図示していないが、周辺回路やゲート電極の配線となるメタル層をＡｌ・Ａｌ-Ｓｉ・Ａｌ-Ｃｕ材料の単層または、前記材料とＴｉＮ・Ｔｉ・ＴｉＷなどとの多層膜により形成する。このときに、素子外部との信号の入出力を行うための複数の電極パッド１０６も同時に固体撮像素子１００（素子チップまたは固体撮像チップ）の外周縁部に形成する。
この周辺回路やゲート電極の配線となるメタル層上に、ここでは図示していないが、パシベーション膜としてプラズマＳｉＮ（Ｐ-ＳｉＮ）や、プラズマＳｉＯＮ（Ｐ-ＳｉＯＮ）などの材料を形成後、電極パッド上のパシベーション膜を取り除いておく。ここまでが所謂撮像素子機能を形成する部分で、ここまでに使われる材料は全て無機材料により膜形成されている。
この後の工程は、撮像素子の色分離や集光を受け持つ光学系部分の形成であり、そのほとんどは有機材料により形成される。
まず、カラーフィルタ形成の下地を平坦化するための平坦化膜１０７を、透明有機材料をスピンコートすることにより形成し、電極パッド１０６上の平坦化膜１０７をエッチング除去して、電極パッド１０６を再度露出させる。
この電極パッド１０６および平坦化膜１０７上にカラーフィルタ１０８をフォトリソ工程により形成する。このカラーフィルタ１０８は、原色系のカラーフィルタの場合はＲ・Ｇ・Ｂの例えばベイヤ配列などの色配列であり、補色系のカラーフィルタの場合はＣｙ（シアン）・Ｍｇ（マゼンタ）・Ｙｅ（イエロー）の色配列である。このフォトリソ工程において、電極パッド１０６の露出面が現像液に曝されたり、その露出面にカラーフィルタ１０８の材料が残渣として発生したりする。なお、補色系のカラーフィルタにおいて、形成するフィルタとしてはＣｙ（シアン）・Ｍｇ（マゼンタ）・Ｙｅ（イエロー）の３色であるが、フィルタ配列としては、Ｃｙ（シアン）・Ｙｅ（イエロー）を重ねて形成したＧｒ（グリーン）を含めた４色配列である。
次に、カラーフィルタ１０８上に、マイクロレンズ１１０を形成するために下地層として平坦化膜１０９を透明有機膜材料のスピンコートにより形成し、電極パッド１０６上の平坦化膜１０９をエッチング除去して、再度、電極パッド１０６を露出させる。
この後に、入射光をフォトダイオード１０２に集光させるマイクロレンズ１１０を透明有機膜材料のフォトリソ工程とベーク処理により形成する。
この場合に、電極パッド１０６を露出した状態でのフォトリソ工程により、電極パッド１０６は現像液に曝されたり、電極パッド１０６上にカラーフィルタ１０８の残渣が発生したりすることになり、その後の電極パッド１０６へのワイヤーボンディングの不良などを引き起こすことになる。この電極パッド１０６の表面の荒れや残渣はプラズマアッシング処理により除去可能であるが、このとき、マイクロレンズ材料などの有機材料もプラズマアッシング処理に曝されることになってマイクロレンズ１１０自体も表面が荒らされてダメージを受けてしまう。
このマイクロレンズ１１０のダメージに対しては、このマイクロレンズ１１０上に、有機や無機のＳＯＧ膜（Ｓｐｉｎｏｎ Ｇｌａｓｓ）やＣＶＤ-ＳｉＯ２膜などからなる保護膜１１１を形成し、その保護膜１１１のフォトリソ開口後に、レジスト付きの状態またはレジスト除去後にアッシング処理を行うことにより対処している。
この問題に対しては、上記従来の方法から更に改善を加えることが特許文献１に開示されている。上記従来の方法では、有機材料の膜形成毎に電極パッド１０６上の膜を除去する方法を取っていたが、電極パッド１０６上の膜は除去せずそのままにしておき、マイクロレンズ１１０まで形成が終わった後に、電極パッド１０６上の開口部をレジストパターニングし、Ｏ２/ＣＦ４プラズマなどのドライエッチングにより、電極パッド１０６上の有機膜を全て一気にエッチング除去している。この方法により、上記問題を解決することができる。
最近の撮像素子では、マイクロレンズ１１０上の保護膜１１１は、マイクロレンズ１１０のダメージに対して設けられる保護膜１１１の機能としてではなく、マイクロレンズ１１０に入射する光の反射を防止する反射防止膜としての機能から形成されていることがほとんである。
この反射防止膜に関して、特許文献２に開示されている。特許文献２では、マイクロレンズ上にマイクロレンズ材料（透明有機材料、屈折率１.６）よりも屈折率の低い材料膜を成膜することにより、マイクロレンズ表面での反射を抑え、その結果、フォトダイオード上に集光される光を増加させることができるという効果が得られる。従来はこの反射防止膜としては、屈折率１.４５のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）をＣＶＤ法などにより成膜して形成している。
特開２００６−３５１７６１号公報 特開平４−２２３３７１号公報
最近の固体撮像素子を使用するメーカによっては、製品の小型化や実装の自動化を目的にリフロー半田付けを希望するメーカが増加している。このリフロー半田付けは、パッケージ化された固体撮像素子から取り出された端子を、半田が施された基板上の端子上に載置して、マイクロレンズ表面が耐え得る程度で半田付けが可能な高温の高温槽に入れることにより実施するものである。また、固体撮像素子の用途として自動車にセンサ（車載監視用カメラ）として使用するメーカも増加して来ている。これらリフローによる実装や車載用途では、いずれも従来にはないほど、固体撮像素子に高い熱ストレスが加わることになってしまう。この熱ストレスにより、従来構造におけるマイクロレンズ上の保護膜（または反射防止膜）にクラック（割れ）が発生し、このクラック（割れ）は有機膜との膜質差によるクラックＸであって、このクラックＸが撮像領域の有効撮像画素エリアＥ内にまで至ることにより、線状のクラックＸが撮像画像中に映り込んで画像欠陥として表示画面上に現れることが問題となっている。
実際の保護膜（または反射防止膜）の線状のクラックについて、光学顕微鏡写真を図１５に示している。
種々の実験や解析の結果、図１９に示すように、このクラックＸは電極パッド１０６上の有機系の平坦化膜１０７，１０９および保護膜１１１（または反射防止膜）を除去する開口パターンＰの平面視４角形の角部分Ｐ１から発生することが分かっている。このクラックＸに対する従来の取り組みについて、図２０〜図２３を用いて説明する。なお、図１８の従来例では、電極パッド１０６上の有機膜除去パターンは、電極パッド１０６よりも小さい開口パターンとしていたが、図２０〜図２３では、現在、実際に用いられているパターンとして電極パッド１０６よりも大きく開口した開口パターンＰとしている。なお、図２０のＦ１は、撮像領域である有効画素エリアＥの外側の、複数の電極パッド１０６が形成された無効画素エリアＦにおける端面を示している。
図２０〜図２３において、発生したクラックＸが凹凸のあるマイクロレンズ１１０のパターン部分（有効撮像画素エリアＥ）にまで入って行ったときに、クラックＸが減衰するという解析結果に基づいたもので、レンズ表面による凹凸部によりストレスを緩和してクラックＸを抑えている。実際には、図２２に示すように電極パッド１０６上の開口パターンＰを囲むようにマイクロレンズ１１０と同じ材料およびマイクロレンズ形成工程でマイクロレンズパターン１１２を配置している。この場合の断面構造としては図２３のようになり、電極パッド１０６と有効画素エリアＥとの間の無効画素エリアＦにマイクロレンズパターン１１２を配置している。
しかしながら上記従来技術では、保護膜１１１（または反射防止膜）のクラックＸを緩和することは出来ても、完全にクラックＸを防止することはできないことが分かっている。即ち、クラックＸはマイクロレンズ１１０の凹凸部分に入ることで減衰はしているものの、撮像したときに線状の画像表示欠陥となって現れる。これは、マイクロレンズ１１０の手前でクラックＸの伸展が止まっている訳ではないということであり、このことは、前述した図２２のマイクロレンズパターン１１２によって電極パッド１０６を囲ってクラックＸの伸展を食い止める方法を講じたとしても、より強い熱ストレスが加わった場合にはクラックＸの伸展を確実には防ぐことはできないという問題を示している。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、より強い熱ストレスが加わっても、クラックの伸展を確実に防ぐことができる固体撮像素子およひカメラモジュール、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた車載監視用カメラやカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板の外周縁部に設けられ、外部との信号または電圧の入出力を行うための複数の電極パッドと、該半導体基板の外周縁部の内側の撮像領域に設けられた複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子の上方の表面段差を平坦化するための平坦化膜と、該平坦化膜上に設けられ、該複数の光電変換素子にそれぞれ入射光を集光させるマイクロレンズと、該マイクロレンズおよび該平坦化膜上に設けられた保護膜とを有し、該複数の電極パッド上の該平坦化膜および該保護膜が開口部として除去された固体撮像素子において、
該保護膜は、該開口部の全部または角部と該撮像領域間を横切って除去された領域を少なくとも含む保護膜除去領域を有しているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子における保護膜除去領域は、前記平坦化膜上の保護膜のみが除去されている。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における保護膜除去領域のパターンは、前記撮像領域全てを囲む所定幅の帯状パターンである。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における保護膜除去領域のパターンは、前記複数の電極パッドと前記撮像領域間を直線状に横切って配置された所定幅の帯状パターンである。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における帯状パターンは、互いに対向する一方辺から他方辺までに渡って配設されている。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における保護膜除去領域のパターンは、前記開口部における前記撮像領域側の角部分を囲うように所定幅で除去されたＬ字状の帯状パターンである。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における帯状パターンは、前記所定幅が１〜１０μｍである。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における保護膜除去領域のパターンは、前記開口部を含む領域である。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における開口部を含む領域は、該開口部と前記撮像領域間を横切る、前記保護膜除去領域の境界を示す仮想線よりも外側の領域である。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における開口部を含む領域は、前記撮像領域全てを囲む、前記保護膜除去領域の境界を示す仮想線よりも外側の領域である。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における開口部を含む領域は、前記複数の電極パッド上の開口部と前記撮像領域間を直線状に横切る、前記保護膜除去領域の境界を示す仮想線よりも外側の領域である。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における保護膜除去領域のパターンの角部分には、半径１〜１０μｍのアールが付けられている。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における保護膜は、反射防止機能を兼用した反射防止膜である。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における保護膜は、水分の通過を阻止する機能を兼用したパシベーション膜である。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における反射防止膜は、前記マイクロレンズ材料としての透明有機材料よりも屈折率の低い材料膜である。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における反射防止膜は、有機や無機のＳＯＧ（Ｓｐｉｎｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜またはＳｉＯ２膜である。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるパシベーション膜は、ＳｉＮおよびＳｉＯＮ膜のうちの少なくともいずれかである。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における開口部は、平面視正方形または矩形である。
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における電極パッド上の開口部の周囲を囲むように前記マイクロレンズと同じ材料および同じマイクロレンズ形成工程でマイクロレンズパターンが配設されている。
本発明のカメラモジュールは、本発明の上記固体撮像素子をパッケージ化して基板端子との間でリフロー半田付け処理が為されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
高温雰囲気中にパッケージ全体を入れることにより、樹脂モールドパッケージ（またはセラミックパッケージ）の下面の端子が基板上の端子にダイボンドされる。固体撮像素子が収容されたパッケージは足無しタイプで、基板のランド上（端子上）に乗せて熱をかけるとダイボンドされる。このように、より強い熱ストレスが加わっても、保護膜の下の有機膜（平坦化膜）は柔らかいので、その上の酸化膜などの保護膜は無機で薄くいて硬いので割れやすいが、クラックＸが入ってそれが伸展しても、その保護膜は、電極パッド上の開口パターンＰの全部または角部と撮像領域間を横切って除去された領域を少なくとも含む保護膜除去領域を有するため、その保護膜除去領域でクラックＸの伸展が確実に遮断される。したがって、固体撮像素子に強い熱ストレスが加わるような使用や製品への実装を行う場合にも、画像欠陥などが発生することがない。
以上により、本発明のよれば、より強い熱ストレスが加わっても、保護膜の下の有機膜（平坦化膜）は柔らかいため、その上の酸化膜などの保護膜は無機で薄くいて硬いので割れやすいが、保護膜にクラックＸが入ってそれが伸展しても、その保護膜は、電極パッド上の開口パターンＰの全部または角部と撮像領域間を横切って除去された領域を少なくとも含む保護膜除去領域を有するため、その保護膜除去領域でクラックＸの伸展を確実に遮断することができる。したがって、固体撮像素子に強い熱ストレスが加わるような使用や製品への実装を行う場合にも、画像欠陥などを防止することができる。
以下に、本発明の固体撮像素子（固体撮像チップ）の実施形態１〜４および、本発明の固体撮像素子の実施形態１〜４を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器を実施形態５として図面を参照しながら説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の固体撮像素子の実施形態１に係る要部構成例を模式的に示す縦断面図であり、図２は、図１の固体撮像素子を模式的に示す平面図である。
図１および図２において、本実施形態１の固体撮像チップである固体撮像素子２１は、チップ外周縁部の無効画素エリアＦの内側の撮像領域である有効撮像画素エリアＥに設けられ、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の光電変換素子２と、チップ外周縁部の無効画素エリアＦに設けられ、外部との信号の入出力を行うための複数の電極パッド６と、複数の光電変換素子２の上方の表面段差の平坦化を行う平坦化膜７，９と、平坦化膜９上に設けられ、複数の光電変換素子２にそれぞれ入射光を集光させるためのマイクロレンズ１０と、このマイクロレンズ１０および平坦化膜９上に設けられた保護膜１１とを有しており、複数の電極パッド６上の平坦化膜７，９および保護膜１１が開口部（開口パターンＰ）として除去されている。平坦化膜７，９の膜厚ｄ１は保護膜１１の膜厚ｄ２に比べてはるかに厚く、保護膜１１の膜厚ｄ２は２〜５μｍ程度であって、平坦化膜７，９の膜厚ｄ１は保護膜１１の膜厚ｄ２の１０倍以上であってもよい。
保護膜１１は、複数の電極パッド６と複数の光電変換素子２の形成領域（有効撮像画素エリアＥ）との間を横切って、１〜１０μｍの所定幅（スペースの点から幅は狭い方がよい）の保護膜除去パターン１１ａで除去されている。この帯状の保護膜除去パターン１１ａ（保護膜除去領域）は、平坦化膜９上の保護膜１１のみが除去されており、平坦化膜９は除去されていない。また、この保護膜除去パターン１１ａは、複数の光電変換素子２の形成領域（有効撮像画素エリアＥ）全てを連続的に取り囲むパターンであり、有効撮像画素エリアＥの形状に対して一回り大きい平面視矩形外周部形状であり、その４角部分にはストレスがかからないように、平面視半径が１〜１０μｍ程度のアールＲ（クラック発生予防の観点からアールＲは大きいほどよい）が付けられて曲がっている。ストレスを少なくするために角を丸くしている。スペースに余裕のある限り、半径が１０μｍ以上であってもより大きいアールＲとすればよい。
保護膜１１は、反射防止機能を兼用した反射防止膜や、水分の通過を阻止する機能を兼用したパシベーション膜である。有機や無機のＳＯＧ（Ｓｐｉｎｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜またはＳｉＯ２膜である。保護膜１１の材質は、有機や無機のＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜およびＳｉＯＮ膜のうちの少なくともいずれかである。このように、保護膜１１は、有効撮像画素エリアＥを完全に囲むパターンであって、光の集光には寄与しない部分（＝受光部が存在しない部分）を、フォトリソとドライエッチング（フッ素系プラズマ）とにより線状（線状パターン）または帯状（帯状パターン）に取り除いている。
マイクロレンズ１０上の保護膜１１は、ここでは、保護機能の他に反射防止膜（＝シリコン酸化膜）として用いている。保護膜１１は、マイクロレンズ材料（透明有機材料、屈折率１.６）よりも屈折率の低い材料膜を成膜することにより、マイクロレンズ表面での反射を抑え、その結果、光電変換素子２（フォトダイオード）上に集光される光を増加させることができるという集光効果を向上させることができる。この反射防止膜として、屈折率１.４５のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）をＣＶＤなどにより成膜する。
上記構成の固体撮像素子２１の製造方法について説明する。
この固体撮像素子２１を製造する際には、図３に示すように、まず、シリコン基板１の中央部の撮像領域である有効撮像画素エリアＥに、複数の受光部としての複数の光電変換素子２（複数のフォトダイオード）を不純物イオン注入により２次元状で行列方向のマトリクス状に形成する。
次に、シリコン基板１上にゲート絶縁膜３を酸素雰囲気中の熱処理などにより形成した後に、複数の光電変換素子２で光電変換によりそれぞれ発生した信号電荷を出力回路まで電荷転送するためのＣＣＤ構造となるゲート電極４をポリシリコンなどの減圧ＣＶＤ法により形成する。
さらに、各受光部など光を入射する必要がある領域以外の領域に、タングステンやアルミニュウムなどの金属材料により遮光膜（図示せず）を形成し、ＢＰＳＧ膜（リン・ボロンを含んだシリコン酸化膜）などの層間絶縁膜５を形成して、リフロー処理（熱処理）により表面段差を平坦化する。
その後、層間絶縁膜５上に、ここでは図示しないが、周辺回路やゲート電極の配線となるメタル層をＡｌ・Ａｌ-Ｓｉ・Ａｌ-Ｃｕ材料の単層または、前記材料とＴｉＮ・Ｔｉ・ＴｉＷなどとの多層膜により形成する。このときに、素子外部との信号の入出力を行うための複数の電極パッド６も同時に固体撮像チップ（固体撮像素子２１）の外周縁部に形成する。
この周辺回路やゲート電極の配線となるメタル層および複数の電極パッド６上に、このメタル層や電極パッド６による表面段差を平坦化するための平坦化膜７を透明有機材料をスピンコートすることにより形成する。
この平坦化膜７上にカラーフィルタ８をフォトリソ工程により形成する。このカラーフィルタ８は、原色系のカラーフィルタの場合はＲ・Ｇ・Ｂの例えばベイヤ配列などの色配列で形成される。また、補色系のカラーフィルタの場合はＣｙ（シアン）・Ｍｇ（マゼンタ）・Ｙｅ（イエロー）の色配列で形成される。なお、補色系のカラーフィルタにおいて、形成するフィルタとしてはＣｙ（シアン）・Ｍｇ（マゼンタ）・Ｙｅ（イエロー）の３色であるが、フィルタ配列としては、Ｃｙ（シアン）・Ｙｅ（イエロー）を重ねて形成したＧｒ（グリーン）を含めた４色配列である。
さらに、カラーフィルタ８上に、カラーフィルタ８による表面段差を平坦化するために、マイクロレンズ１０を形成するための下地層として平坦化膜９を透明有機膜材料のスピンコートにより形成する。
この後に、複数の光電変換素子２にそれぞれ入射光を集光させるためのマイクロレンズ１０を透明有機膜材料のフォトリソ工程とベーク処理により形成する。
さらに、図４に示すように、このマイクロレンズ１０および平坦化膜９上に、反射防止膜として、例えば有機や無機のＳＯＧ膜（Ｓｐｉｎｏｎ Ｇｌａｓｓ）またはＣＶＤ-ＳｉＯ２膜からなる保護膜１１を形成する。
さらに、図５に示すように、この保護膜１１上に、各電極パッド６上に一回り大きい開口部の開口パターンＰを有するようにレジスト膜１２をパターニングし、レジスト膜１２をマスクとして用いて、Ｏ２/ＣＦ４プラズマなどのドライエッチングにより、電極パッド６上の有機膜（保護膜１１および平坦化膜９、７）を全て一気にエッチング除去する。
さらに、レジスト膜１２を除去した後に、図６に示すように、この保護膜１１上に、複数の電極パッド６と複数の光電変換素子２の形成領域（有効撮像画素エリアＥ）との間を横切って所定幅の保護膜除去パターン１１ａとなる平面視帯状で矩形環状の開口部を有するようにレジスト膜１３をパターニングし、レジスト膜１３をマスクとして用いて、Ｏ２/ＣＦ４プラズマなどのドライエッチングにより、保護膜１１のみをエッチング除去する。
ここで、電極パッド６上の有機膜および反射防止膜の除去であるが、２つの方法が考えられる。一つは画素エリア（有効撮像画素エリアＥ）を囲む保護膜除去パターン１１ａと一緒に電極パッド６上の開口パターンＰのレジストパターンを配置しておき、まず、画素エリア（有効撮像画素エリアＥ）周辺の保護膜除去パターン１１ａとパッド部抜きパターン部（開口パターンＰ）の保護膜１１（反射防止膜）のみをフッ素系プラズマ処理により除去し、その後に、電極パッド６上の開口パターンＰのみのパターンで有機膜ドライエッチングを行う方法もあるが、もう一つの方法は、後述するように、画素エリア（有効撮像画素エリアＥ）周辺の保護膜除去パターン１１ａのみ、保護膜１１（反射防止膜）を除去すること、その後にパッド部抜きパターン（電極パッド６上の開口パターンＰ）のみをフォトリソ後、反射防止膜除去・有機膜除去を別々に連続エッチングするという方法である。電極パッド６上の開口パターンＰと保護膜除去パターン１１ａとはいずれを先にしてもよい。
保護膜１１（反射防止膜）のクラックＸは、その表面の反射防止膜のみで起こっており、その直下の有機系膜（平坦化膜９）には至っていないことが確認されている。クラック発生の起点となるのは、複数の電極パッド６の各パッド部周辺の抜きパターンである開口パターンＰの角部分Ｐ１から始まるということも分かっている。このため、複数の電極パッド６上のパッド部周辺の抜きパターン（開口パターンＰ）から有効撮像画素エリアＥにまで至る間の部分で、保護膜１１（反射防止膜）を一部だけでも取り除くことにより、クラックＸが有効撮像画素エリアＥ内にまで至ることを防ぐことができる。例えて言えば、森林火災の延焼を防ぐために先に周辺の木を燃やしておくという考えと同じである。
実際のデバイスにおいては、図２に示しているような信号の入出力用のメタルパッド（電極パッド６）のみではなく、例えば素子特性評価用のＴＥＧパッド（テスト信号入出力用パッド）や、内部発生電圧の書き込み用パッドなど、各種電極パッド６がレイアウトされており、それら電極パッド６は本実施形態１の固体撮像素子２１である固体撮像チップの周辺部に全て配置されているため、本実施形態１では、その内側の有効撮像画素エリアＥを全て囲んだ保護膜除去パターン１１ａとしたが、電極パッド６上の有機膜の抜きパターンが固体撮像チップ（固体撮像素子２１）上の特定辺（上下辺）にしかない場合には、有効撮像画素エリアＥを完全に囲んだ保護膜除去パターン１１ａでなくても構わない。この場合を次の実施形態２に示している。
なお、上記実施形態１では、保護膜除去パターン１１ａが、複数の光電変換素子２の形成領域（有効撮像画素エリアＥ）全てを連続的に取り囲む帯状パターンで構成したが、これは１本の矩形環状パターンであるが、これに限らず、複数本の矩形環状パターンであってもよい。例えば図７に示すように内周と外周の２本の矩形環状パターンである保護膜除去パターン１１ａを形成してもよく、これも同一工程によりパターン形成することができる。
また、撮像領域全てを所定幅で囲む帯状パターンの保護膜除去パターン１１ａの幅を、前述したように１〜１０μｍとしたが、この範囲内で細い幅の矩形環状パターンを保護膜除去パターン１１ｂとした場合に、撮像領域全てを所定幅で囲むように細い保護膜除去パターン１１ｂを１本、例えば図８の固体撮像素子２２に示すように形成してもよい。また、撮像領域全てを所定幅で囲むように細い保護膜除去パターン１１ｂを複数本、例えば図１０の固体撮像素子２４に示すように、内周と外周の２本の細い矩形環状パターンである保護膜除去パターン１１ｂを形成してもよく、これも同一工程によりパターン形成することができる。さらに、スペースの関係上帯状パターンの幅は細いほどよい。また、スペースの関係上、太い保護膜除去パターン１１ａと細い保護膜除去パターン１１ｂとを組み合わせてもよい。例えば、太い保護膜除去パターン１１ａと細い保護膜除去パターン１１ｂを複数本、例えば図９の固体撮像素子２３に示すように、内周と外周で１本づつ、太い保護膜除去パターン１１ａと細い保護膜除去パターン１１ｂを形成してもよく、これも同一工程によりパターン形成することができる。
（実施形態２）
本実施形態２では、電極パッド６上の有機膜の抜きパターン（複数の開口パターンＰ）が固体撮像チップ（固体撮像素子）上の特定辺（たとえば上下辺）にしかない場合の保護膜除去パターンについて説明する。
図１１は、本発明の固体撮像素子の実施形態２に係る要部構成例を模式的に示す平面図である。なお、図１および図２の部材と同様の作用効果を奏する部材には同一の部材番号を付して説明する。また、固体撮像素子の製造方法についても図３〜図６の場合と同様である。
図１１において、本実施形態２の固体撮像素子２５は、チップ外周縁部の無効画素エリアＦの内側の撮像領域である有効撮像画素エリアＥに設けられた複数の光電変換素子２と、固体撮像チップ（固体撮像素子）上の特定辺（たとえば上下辺）にのみ並んだ外部との信号または電圧の入出力を行うための複数の電極パッド６と、複数の光電変換素子２の表面段差の平坦化を行う平坦化膜７，９と、平坦化膜９上に設けられ、複数の光電変換素子２にそれぞれ入射光を集光させるマイクロレンズ１０と、マイクロレンズ１０および平坦化膜９上に設けられた保護膜１１とを有しており、複数の電極パッド６上の平坦化膜７，９および保護膜１１が開口部（開口パターンＰ）として除去されている。
保護膜１１は、複数の電極パッド６と複数の光電変換素子２の形成領域（有効撮像画素エリアＥ）との間を直線状に横切って所定幅（１〜１０μｍ）の保護膜除去パターン１１ｃで除去されている。この帯状で直線状の保護膜除去パターン１１ｃ（保護膜除去領域）は、平坦化膜９上の保護膜１１のみが除去されており、平坦化膜７、９は除去されていない。また、この保護膜除去パターン１１ｃは、複数の光電変換素子２の形成領域（有効撮像画素エリアＥ）にクラックＸが伸展しないように、開口パターンＰと撮像領域（有効撮像画素エリアＥ）間を横切る直線状に設けられている。
マイクロレンズ１０上の保護膜１１は、保護機能の他に反射防止膜（＝シリコン酸化膜）として用いる。保護膜１１は、マイクロレンズ材料（透明有機材料、屈折率１.６）よりも屈折率の低い材料膜を成膜することにより、マイクロレンズ表面での反射を抑え、その結果、光電変換素子２（フォトダイオード）上に集光される光を増加させることができるという集光効果を向上させることができる。この反射防止膜として、屈折率１.４５のシリコン酸化膜をＣＶＤ法などにより成膜する。
なお、本実施形態２では、上記直線状の保護膜除去パターン１１ｃは、複数の電極パッド６上の各開口パターンＰ（開口部）と撮像領域（有効撮像画素エリアＥ）間を所定幅の直線状に横切って配置された帯状パターンであって、図１１に示すように、互いに対向する一方辺から他方辺までに渡って配設された場合について説明したが、これに限らず、撮像領域（有効撮像画素エリアＥ）に伸展するクラックＸを遮断できるような除去パターンであれば、図１２の固体撮像素子２６に示す直線状の保護膜除去パターン１１ｄのように一方辺から他方辺まで長くなくても、チップ辺の途中まででもよい。例えば、保護膜除去パターン１１ｄのように、その両端部が、一連の複数の電極パッド６のうちの両端部にある各電極パッド６上の開口パターンＰ（開口部）の少なくとも内側までの長さがあればよい。
（実施形態３）
本実施形態３では、後述する保護膜除去パターン１１ｅが、開口パターンＰにおける撮像領域側の角部分を下から受けて囲む帯状パターンの場合について説明する。
図１３は、本発明の固体撮像素子の実施形態３に係る要部構成例を模式的に示す平面図である。なお、図１および図２の部材と同様の作用効果を奏する部材には同一の部材番号を付して説明する。また、固体撮像素子の製造方法についても図３〜図６の場合と同様である。
図１３において、本実施形態３の固体撮像素子２７は、チップ外周縁部の無効画素エリアＦの内側の撮像領域である有効撮像画素エリアＥに設けられた複数の光電変換素子２と、固体撮像チップ（固体撮像素子）の辺（たとえば上下辺）に設けられた複数の電極パッド６と、複数の光電変換素子２の表面段差の平坦化を行う平坦化膜７，９と、平坦化膜９上に設けられ、複数の光電変換素子２にそれぞれ入射光を集光させるマイクロレンズ１０と、マイクロレンズ１０および平坦化膜９上に設けられた保護膜１１とを有しており、複数の電極パッド６上の平坦化膜７，９および保護膜１１が開口部（開口パターンＰ）として除去されている。
保護膜１１は、複数の電極パッド６上の開口パターンＰの角部分からクラックＸが発生することから、無効エリアＦにスペースがない場合に、電極パッド６上の開口パターンＰの角部分を囲うように、角の丸いＬ字状に所定幅（１〜１０μｍ）の保護膜除去パターン１１ｅで除去している。この帯状でＬ字状の保護膜除去パターン１１ｅ（保護膜除去領域）は、平坦化膜９上の保護膜１１のみが除去されており、平坦化膜７、９は除去されていない。また、この保護膜除去パターン１１ｅは、複数の光電変換素子２の形成領域（有効撮像画素エリアＥ）にクラックＸが伸展しないように、開口パターンＰと撮像領域（有効撮像画素エリアＥ）間の開口パターンＰの近傍位置に設けられている。
マイクロレンズ１０上の保護膜１１は、保護機能の他に反射防止膜（＝シリコン酸化膜）として用いる。保護膜１１は、マイクロレンズ材料（透明有機材料、屈折率１.６）よりも屈折率の低い材料膜を成膜することにより、マイクロレンズ表面での反射を抑え、その結果、光電変換素子２（フォトダイオード）上に集光される光を増加させることができるという集光効果を向上させることができる。この反射防止膜として、屈折率１.４５のシリコン酸化膜をＣＶＤ法などにより成膜する。
（実施形態４）
本実施形態４では、後述する保護膜除去パターン１１ｆが開口パターンＰ（開口部）を含む領域である場合について説明する。
図１４は、本発明の固体撮像素子の実施形態４に係る要部構成例を模式的に示す平面図である。なお、図１および図２の部材と同様の作用効果を奏する部材には同一の部材番号を付して説明する。また、固体撮像素子の製造方法についても図３〜図６の場合と同様である。
図１４において、本実施形態４の固体撮像素子２８は、チップ外周縁部の無効画素エリアＦの内側の撮像領域である有効撮像画素エリアＥに設けられた複数の光電変換素子２と、固体撮像チップ（固体撮像素子）の辺（たとえば上下辺）に設けられた複数の電極パッド６と、複数の光電変換素子２の表面段差の平坦化を行う平坦化膜７，９と、平坦化膜９上に設けられ、複数の光電変換素子２にそれぞれ入射光を集光させるマイクロレンズ１０と、マイクロレンズ１０および平坦化膜９上に設けられた保護膜１１とを有しており、複数の電極パッド６上の平坦化膜７，９および保護膜１１が開口部（開口パターンＰ）として除去されている。
保護膜１１は、複数の電極パッド６上の開口パターンＰの角部分からクラックＸが発生することから、無効エリアＦにスペースがない場合に、開口パターンＰと撮像領域（有効撮像画素エリアＥ）間を横切る仮想線よりも外側の保護膜領域が全て除去されて保護膜除去パターン１１ｆとなっている。ここでは、この保護膜除去パターン１１ｆ（保護膜除去領域）は、撮像領域（有効撮像画素エリアＥ）全てを囲む仮想線よりも外側の開口パターンＰを含む領域である。また、保護膜除去パターン１１ｆ（保護膜除去領域）は、平坦化膜９上の保護膜１１のみが除去されており、平坦化膜７、９は除去されていない。また、この保護膜除去パターン１１ｆは、複数の光電変換素子２の形成領域（有効撮像画素エリアＥ）にクラックＸが伸展しないように、開口パターンＰと撮像領域（有効撮像画素エリアＥ）間の仮想線よりも外側が全て取り除かれている。
一方、マイクロレンズ１０上の保護膜１１は、保護機能の他に反射防止膜（＝シリコン酸化膜）として用いる。保護膜１１は、マイクロレンズ材料（透明有機材料、屈折率１.６）よりも屈折率の低い材料膜を成膜することにより、マイクロレンズ表面での反射を抑え、その結果、光電変換素子２（フォトダイオード）上に集光される光を増加させることができるという集光効果を向上させることができる。この反射防止膜として、屈折率１.４５のシリコン酸化膜をＣＶＤ法などにより成膜する。
なお、本実施形態４では、保護膜除去パターン１１ｆ（保護膜除去領域）が、撮像領域（有効撮像画素エリアＥ）の周囲の全てを連続的に囲む仮想線よりも外側の開口パターンＰを含む領域として説明したが、これに限らず、保護膜除去パターンが開口パターンＰ（開口部）を含む領域であればよく、例えば図１５の固体撮像素子２９に示すように、保護膜除去パターン１１ｇ（保護膜除去領域）が、複数の電極パッド６上の開口パターンＰと撮像領域（有効撮像画素エリアＥ）間を直線状に横切る仮想線よりも外側の開口開口パターンＰを含む領域であってもよい。
なお、上記実施形態１〜４では、特に説明していないが、保護膜除去パターン１１ａ〜１１ｇを組み合わせることもできる。
ここで、上記実施形態１〜４の効果について説明する。
上記実施形態１〜４の固体撮像素子２１〜２９を使用するメーカでは、製品の小型化や実装の自動化を目的にリフロー半田付けを希望している場合が多い。このリフロー半田付けは、パッケージ化された固体撮像素子２１〜２９のいずれかの電極パッド６からワイヤ１５をワイヤボンディングして取り出した端子１６を、その表面に半田が施された基板１７の端子１８上に載置して、マイクロレンズ表面が耐え得る程度の高温でかつ半田付けが可能な温度の高温槽（図示せず）に入れることにより実施している。これによって、カメラモジュール１４として、固体撮像素子２１〜２９のいずれかをパッケージ化して基板端子１８との間でリフロー半田付け処理が為されている。
このようにして、高温雰囲気中にパッケージ全体を入れることにより、カメラモジュール１４として、樹脂モールドパッケージ（またはセラミックパッケージ）の下面の端子１６が基板１７の端子１８にダイボンドされる。パッケージは足無しタイプで、基板１７のランド上（端子１８上）に乗せて熱をかけている。このように、より強い熱ストレスが加わっても、保護膜１１の下の有機膜は柔らかいので、その上の酸化膜の保護膜１１は無機で薄くいて硬いので割れやすいが、クラックＸが入ってそれが伸展しても、保護膜１１は、開口パターンＰの全部または角部と撮像領域間を横切って除去された領域を少なくとも含む保護膜除去領域を有するため、その保護膜除去領域でクラックＸの伸展が確実に遮断される。
（実施形態５）
図１７は、本発明の実施形態５として、本発明の実施形態１〜４のいずれかの固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた車載用カメラやカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
図１７において、本実施形態４の電子情報機器５０は、上記実施形態１〜４のいずれかの例えば固体撮像素子２１〜２９のいずれかと、この固体撮像素子２１〜２９のいずれかからの撮像信号を信号処理する固体撮像装置からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部５１と、この固体撮像素子２１〜２９のいずれかからのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段５２と、この固体撮像素子２１〜２９のいずれかからのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段５３とを有している。
この電子情報機器５０としては、例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載後方監視用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。
したがって、本実施形態５によれば、固体撮像素子２１〜２９のいずれかからのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力装置５４により良好にプリントアウトしたり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部５１に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。
なお、上記実施形態１〜４では、特に説明しなかったが、電極パッド６上の開口パターンＰの周囲を囲むようにマイクロレンズ１０と同じ材料および同じマイクロレンズ形成工程でマイクロレンズパターンが配設されている構成を、上記実施形態１〜４に加えてもよい。
また、上記実施形態１〜４では、特に説明しなかったが、上記固体撮像素子２１〜２９はそれぞれ、ＣＣＤ型固体撮像素子であってもよいし、ＣＭＯＳ型固体撮像素子であってもよい。
以上のように、本発明の好ましい実施形態１〜５を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１〜５に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１〜５の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
本発明は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する固体撮像素子およびカメラモジュール、このカメラモジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、車載用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、より強い熱ストレスが加わっても、保護膜の下の有機膜（平坦化膜）は柔らかいため、その上の酸化膜などの保護膜は無機で薄くいて硬いので割れやすいが、保護膜にクラックＸが入ってそれが伸展しても、その保護膜は、電極パッド上の開口パターンＰの全部または角部と撮像領域間を横切って除去された領域を少なくとも含む保護膜除去領域を有するため、その保護膜除去領域でクラックＸの伸展を確実に遮断することができる。したがって、固体撮像素子に強い熱ストレスが加わるような使用や製品への実装を行う場合にも、画像欠陥などを防止することができる。
本発明の固体撮像素子の実施形態１に係る要部構成例を模式的に示す縦断面図である。 図１の固体撮像素子の平面図である。 図１の固体撮像素子の製造方法でマイクロレンズ形成工程までを説明するための要部構成例を模式的に示す縦断面図である。 図１の固体撮像素子の製造方法で保護膜成膜工程を説明するための要部構成例を模式的に示す縦断面図である。 図１の固体撮像素子の製造方法で各電極パッド上の開口形成工程を説明するための要部構成例を模式的に示す縦断面図である。 図１の固体撮像素子の製造方法で保護膜除去パターン形成工程を説明するための要部構成例を模式的に示す縦断面図である。 本発明の固体撮像素子の実施形態１に係る他の要部構成例（２本の太い保護膜除去パターン）を模式的に示す平面図である。 本発明の固体撮像素子の実施形態１に係るさらに別の要部構成例（１本の細い保護膜除去パターン）を模式的に示す平面図である。 本発明の固体撮像素子の実施形態１に係るさらに別の要部構成例（細い保護膜除去パターンと太い保護膜除去パターンの組合せ）を模式的に示す平面図である。 本発明の固体撮像素子の実施形態１に係るさらに別の要部構成例（２本の細い保護膜除去パターン）を模式的に示す平面図である。 本発明の固体撮像素子の実施形態２に係る要部構成例を模式的に示す平面図である。 本発明の固体撮像素子の実施形態２に係る他の要部構成例を模式的に示す平面図である。 本発明の固体撮像素子の実施形態３に係る要部構成例を模式的に示す平面図である。 本発明の固体撮像素子の実施形態４に係る要部構成例を模式的に示す平面図である。 本発明の固体撮像素子の実施形態４に係る他の要部構成例を模式的に示す平面図である。 本発明の固体撮像素子の実施形態１〜４の効果を説明するためのカメラモジュールのリフロー半田付け工程を模式的に示す要部縦断面図である。 本発明の実施形態５として、本発明の実施形態１〜４のいずれかの固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた車載用カメラやカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。 従来の固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す縦断面図である。 従来の固体撮像素子における保護膜の線状クラックについて説明するための光学顕微鏡写真を示す要部平面図である。 従来の固体撮像素子において、実際に用いられているパターンとして電極パッドよりも大きく開口したパターンを示す拡大平面図である。 図１６のＡ−Ａ’線断面図である。 従来の固体撮像素子における電極パッドと有効画素エリア間の無効画素エリアにマイクロレンズパターンを配置して線状クラックの伸展を防止した場合を模式的に示す平面図である。 図１８のＢ−Ｂ’線断面図である。
符号の説明
２ 光電変換素子
６ 電極パッド
７、９ 平坦化膜
１０ マイクロレンズ
１１ 保護膜（反射防止膜）
１１ａ〜１１ｇ 保護膜除去パターン
１２、１４ レジスト膜
１４ カメラモジュール
１５ ワイヤ
１６、１８ 端子
１７ 基板
２１〜２９ 固体撮像素子
Ｅ 有効撮像画素エリア
Ｆ 無効画素エリア
Ｐ 開口パターン（開口部）
５０ 電子情報機器
５１ メモリ部
５２ 表示手段
５３ 通信手段
５４画像出力装置

Claims (21)

  1. 半導体基板の外周縁部に設けられ、外部との信号または電圧の入出力を行うための複数の電極パッドと、該半導体基板の外周縁部の内側の撮像領域に設けられた複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子の上方の表面段差を平坦化するための平坦化膜と、該平坦化膜上に設けられ、該複数の光電変換素子にそれぞれ入射光を集光させるマイクロレンズと、該マイクロレンズおよび該平坦化膜上に設けられた保護膜とを有し、該複数の電極パッド上の該平坦化膜および該保護膜が開口部として除去された固体撮像素子において、
    該保護膜は、該開口部の全部または角部と該撮像領域間を横切って除去された領域を少なくとも含む保護膜除去領域を有している固体撮像素子。
  2. 前記保護膜除去領域は、前記平坦化膜上の保護膜のみが除去されている請求項１に記載の固体撮像素子。
  3. 前記保護膜除去領域のパターンは、前記撮像領域全てを囲む所定幅の帯状パターンである請求項１または２に記載の固体撮像素子。
  4. 前記保護膜除去領域のパターンは、前記複数の電極パッドと前記撮像領域間を直線状に横切って配置された所定幅の帯状パターンである請求項１または２に記載の固体撮像素子。
  5. 前記帯状パターンは、互いに対向する一方辺から他方辺までに渡って配設されている請求項４に記載の固体撮像素子。
  6. 前記保護膜除去領域のパターンは、前記開口部における前記撮像領域側の角部分を囲うように所定幅で除去されたＬ字状の帯状パターンである請求項１または２に記載の固体撮像素子。
  7. 前記帯状パターンは、前記所定幅が１〜１０μｍである請求項３〜６のいずれかに記載 の固体撮像素子。
  8. 前記保護膜除去領域のパターンは、前記開口部を含む領域である請求項１または２に記載の固体撮像素子。
  9. 前記開口部を含む領域は、該開口部と前記撮像領域間を横切る、前記保護膜除去領域の境界を示す仮想線よりも外側の領域である請求項８に記載の固体撮像素子。
  10. 前記開口部を含む領域は、前記撮像領域全てを囲む、前記保護膜除去領域の境界を示す仮想線よりも外側の領域である請求項９に記載の固体撮像素子。
  11. 前記開口部を含む領域は、前記複数の電極パッド上の開口部と前記撮像領域間を直線状に横切る、前記保護膜除去領域の境界を示す仮想線よりも外側の領域である請求項９に記載の固体撮像素子。
  12. 前記保護膜除去領域のパターンの角部分には、半径１〜１０μｍのアールが付けられている請求項３、６および１０のいずれかに記載の固体撮像素子。
  13. 前記保護膜は、反射防止機能を兼用した反射防止膜である請求項１または２に記載の固体撮像素子。
  14. 前記保護膜は、水分の通過を阻止する機能を兼用したパシベーション膜である請求項１または２に記載の固体撮像素子。
  15. 前記反射防止膜は、前記マイクロレンズ材料としての透明有機材料よりも屈折率の低い材料膜である請求項１３に記載の固体撮像素子。
  16. 前記反射防止膜は、有機や無機のＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎＧｌａｓｓ）膜またはＳｉＯ
    ２膜である請求項１３または１５に記載の固体撮像素子。
  17. 前記パシベーション膜は、ＳｉＮおよびＳｉＯＮ膜のうちの少なくともいずれかである請求項１４に記載の固体撮像素子。
  18. 前記開口部は、平面視正方形または矩形である請求項１、６および８〜１１のいずれかに記載の固体撮像素子。
  19. 前記電極パッド上の開口部の周囲を囲むように前記マイクロレンズと同じ材料および同じマイクロレンズ形成工程でマイクロレンズパターンが配設されている請求項１に記載の固体撮像素子。
  20. 請求項１〜１９のいずれかに記載の固体撮像素子をパッケージ化して基板端子との間でリフロー半田付け処理が為されているカメラモジュール。
  21. 請求項１〜１９のいずれかに記載の固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。
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