JP5356263B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5356263B2 JP5356263B2 JP2010005255A JP2010005255A JP5356263B2 JP 5356263 B2 JP5356263 B2 JP 5356263B2 JP 2010005255 A JP2010005255 A JP 2010005255A JP 2010005255 A JP2010005255 A JP 2010005255A JP 5356263 B2 JP5356263 B2 JP 5356263B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microlens
- dummy
- formation region
- region
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 65
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
また、マイクロレンズアレイ周辺の平坦領域で発生したクラックは、ダミーマイクロレンズ列におけるダミーマイクロレンズ間の境界線に沿って直線的に成長する。しかしながら、上記の構成では、ダミーマイクロレンズ間の境界線が一直線とならないようにダミーマイクロレンズの配置がずらされた少なくとも2列のダミーマイクロレンズ列が形成されている。このため、外周側のダミーマイクロレンズ間の境界線に沿って進入したクラックは、内周側のダミーマイクロレンズに当たって、それ以上の成長は阻止される。
先ずは、本実施の形態に係る固体撮像装置の構成を図2を参照して説明する。図2に示す固体撮像装置では、半導体基板11上に複数の光電変換素子がマトリクス状に形成されて撮像素子を構成している。各光電変換素子は、受光フォトダイオード12および第1ないし第3転送部13〜15を備えている。上記光電変換素子によって得られる画像データは、金属配線16を介して外部に読み出される。上記光電変換素子における撮像面側は、平坦化膜17によって平坦化されており、その上にカラーフィルタ21、マイクロレンズアレイ22、反射防止膜23が形成されている。
マイクロレンズアレイ22は、図1および図3に示すように、光電変換素子のフォトダイオードに対して1対1に対応して形成された(すなわち、撮像素子の有効画素領域に対応した)マイクロレンズが配置されるマイクロレンズ形成領域25と、その周囲に形成されたダミーマイクロレンズ形成領域26(クラック侵入防止領域)とを有している。さらに、ダミーマイクロレンズ形成領域26の周囲にはマイクロレンズが形成されない平坦領域がある。
A) マイクロレンズ形成領域25におけるマイクロレンズの形状を安定化させる。すなわち、マイクロレンズアレイ22の加工工程では、周辺部に形成されるマイクロレンズの形状が安定せず精度が低くなるため、周辺部にダミーマイクロレンズを形成し、有効画素領域内のマイクロレンズの精度を高める。
B) 反射防止膜23にて発生したクラックがマイクロレンズ形成領域25に進入することを防止する。すなわち、マイクロレンズ上の反射防止膜23は、感光性樹脂からなる球面のレンズにより応力が緩和されクラックが発生しにくい。この現象を利用し、平坦領域で発生するクラックがダミーマイクロレンズ形成領域26にて食い止められるようにする。
上記実施の形態1では、マイクロレンズ形成領域25の周囲にダミーマイクロレンズ形成領域26を形成し、ダミーマイクロレンズの配置によって、クラックの進入を防止するものとなっている。
12 フォトダイオード
22 マイクロレンズアレイ
23 反射防止膜
25 マイクロレンズ形成領域
26 ダミーマイクロレンズ形成領域
Claims (1)
- 半導体基板上にフォトダイオードをマトリクス状に配置してなる撮像素子と、撮像光を上記フォトダイオード上に集光させるマイクロレンズアレイと、上記マイクロレンズアレイの表面反射を低減させる反射防止膜とを備えた固体撮像装置において、
上記マイクロレンズアレイは、撮像素子の有効画素領域に対応するマイクロレンズ形成領域と、上記マイクロレンズ形成領域の周囲に形成されるクラック侵入防止領域とを含み、
上記クラック侵入防止領域として、上記マイクロレンズ形成領域の周囲に配置されるダミーマイクロレンズ形成領域を有し、
上記ダミーマイクロレンズ形成領域では、上記有効画素領域の少なくとも1辺に沿った領域で、上記マイクロレンズ形成領域および上記ダミーマイクロレンズ形成領域以外で、上記反射防止膜で発生したクラックが上記有効画素領域へ進入することを防止し得る配置パターンとされており、
上記ダミーマイクロレンズ形成領域における上記配置パターンは、
上記マイクロレンズ形成領域における最外周のマイクロレンズ列のさらに外側に、少なくとも2列のダミーマイクロレンズ列が形成されており、
隣接するダミーマイクロレンズ列同士では、ダミーマイクロレンズ間の境界線が一直線とならないようにダミーマイクロレンズの配置がずらされたパターンであることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010005255A JP5356263B2 (ja) | 2010-01-13 | 2010-01-13 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010005255A JP5356263B2 (ja) | 2010-01-13 | 2010-01-13 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011146481A JP2011146481A (ja) | 2011-07-28 |
JP5356263B2 true JP5356263B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=44461088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010005255A Expired - Fee Related JP5356263B2 (ja) | 2010-01-13 | 2010-01-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5356263B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013012518A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
CN107078140B (zh) * | 2014-11-04 | 2020-11-06 | 索尼公司 | 固态成像装置、相机模块、以及电子装置 |
WO2018131509A1 (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、製造方法、および電子機器 |
US20240120359A1 (en) * | 2021-02-25 | 2024-04-11 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Photodetection device and electronic apparatus |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005203617A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2007150260A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置とその製造方法 |
JP4344759B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2009-10-14 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、固体撮像装置、電子情報機器 |
JP4457142B2 (ja) * | 2007-10-17 | 2010-04-28 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子、カメラモジュールおよび電子情報機器 |
JP2009117570A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換装置 |
-
2010
- 2010-01-13 JP JP2010005255A patent/JP5356263B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011146481A (ja) | 2011-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6166640B2 (ja) | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ | |
KR101923740B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 | |
JP4621048B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
US9837455B2 (en) | Image sensor | |
US8334554B2 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
JP2006229217A (ja) | 組み込み式光学素子を有するイメージセンサ | |
JP5356263B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2008052004A (ja) | レンズアレイ及び固体撮像素子の製造方法 | |
JP2009289927A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JPWO2016103365A1 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
US20140191349A1 (en) | Solid-state imaging apparatus and method of manufacturing the same | |
JP2007123414A (ja) | 固体撮像素子 | |
KR100823031B1 (ko) | 이미지 센서 제조방법 | |
US9276028B2 (en) | Semiconductor device including pixels, microlenses, and a monitoring structure, and a method of manufacturing the same | |
JP2008016760A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
US20100159696A1 (en) | Microlens mask of image sensor and method for forming microlens using the same | |
US20120261731A1 (en) | Image sensor | |
US11923388B2 (en) | Image sensing device | |
JP6195369B2 (ja) | 固体撮像装置、カメラ、および、固体撮像装置の製造方法 | |
JP2009130215A (ja) | マイクロレンズ形成用マスク、及び、これにより形成される固体撮像素子 | |
JP4622526B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
US20090108309A1 (en) | Cmos image sensor and method for manufacturing the same | |
CN213519956U (zh) | 图像传感器 | |
US20090068599A1 (en) | Method of manufacturing image sensor | |
JP2011091253A (ja) | 撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130828 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5356263 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |