TW201444069A - 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器 - Google Patents

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Abstract

本技術係關於一種可降低有機材料之塗佈不均之固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器。固體攝像裝置包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較配線區域更靠外側；及膜，其形成於基板上。關於膜，有效像素區域之剖面高度低於配線區域之剖面高度，且周邊區域、及夾於有效像素區域與配線區域間之中間區域之配線區域側之至少一部分之剖面高度，設為有效像素區域之剖面高度與配線區域之剖面高度之間之高度。本技術可應用於例如背面照射型之CMOS影像感測器。

Description

固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器
本技術係關於一種固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器，尤其關於一種可降低有機材料之塗佈不均之固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器。
近年來，提出有一種立體結構之背面照射型之固體攝像裝置，該固體攝像裝置係於形成有包括光電轉換部之像素之半導體基板之與受光面為相反側之面貼合形成有驅動電路之電路基板而成(例如，參照專利文獻1)。於此種立體結構之固體攝像裝置設置有用以將半導體基板與電路基板電性連接之連接電極。
圖1係表示先前之立體結構之背面照射型之固體攝像裝置之構成例的剖面圖。
於圖1中，電路基板11與半導體基板12貼合，且藉由連接電極13而分別電性連接。又，於半導體基板12之受光面側(圖中上側)形成有絕緣膜14。
圖1所示之固體攝像裝置中，絕緣膜14係以配置有複數個像素之像素區域之剖面高度與較設置有連接電極13之配線區域更靠外側之周邊區域之剖面高度低於配線區域之剖面高度之方式形成。藉由如此般使像素區域低背化，可改善感光度特性或混色特性。又，藉由使周邊區域低背化，可緩和周邊區域中之電路之配線或對準標記之配置之限制，且可抑制基板所受之應力。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-96851號公報
然而，於對如圖1所示之固體攝像裝置塗佈彩色濾光片(CF，color filter)材料等有機材料時，有因周邊區域與配線區域之階差或配線區域與像素區域之階差而產生有機材料之塗佈不均之虞。
本技術係鑒於如上所述之情況而完成者，其可降低有機材料之塗佈不均。
本技術之第1態樣之固體攝像裝置包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度低於上述配線區域之剖面高度，且上述周邊區域、及夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域之上述配線區域側之至少一部分之剖面高度，設為上述有效像素區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度之間之高度。
上述膜之上述中間區域中之階差部可位於較上述中間區域之寬度之中心更靠上述有效像素區域側。
上述膜之上述中間區域中之階差部可位於較上述中間區域之寬度之中心更靠上述配線區域側。
上述膜之上述中間區域中之階差部、上述中間區域與上述配線區域之階差部、及/或上述配線區域與上述周邊區域之階差部之平面形狀中之角部之至少1個可形成圓角形狀或倒角形狀。
可於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度大致相同之高度調整構件。
可於上述周邊區域及/或上述中間區域中之上述鄰接區域形成上述高度調整構件。
於上述配線區域之平面形狀具有至少1個間隙之情形時，能夠以連接上述間隙之方式形成上述高度調整構件。
上述高度調整構件可將上述鄰接區域之剖面高度設為與上述配線區域之剖面高度大致相同或大於其之高度，而且可使至少包含上述配線區域之區域之剖面高度高於上述鄰接區域之剖面高度。
上述高度調整構件之平面形狀中之角部之至少1個可呈圓角形狀或倒角形狀。
可於上述膜之上述中間區域中剖面高度與上述有效像素區域相同之區域，形成剖面高度低於上述有效像素區域之凹部。
可於上述膜之上述中間區域中剖面高度與上述周邊區域相同之區域，形成剖面高度與上述有效像素區域相同之凹部。
可形成為於上述有效像素區域中設置具有與上述有效像素各者之光電轉換部對應之開口部之遮光膜，且關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度設為低於上述遮光膜之剖面高度之高度。
本技術之第1態樣之固體攝像裝置之製造方法係包含如下各者之固體攝像裝置之製造方法：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；該製造方法包括如下步驟，即，關於上述膜，使上述有效像素區域之剖面高度低於上述配線區域之剖面高度，並將上述周邊區域、及夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域之上述配線區域側之 至少一部分之剖面高度，設為上述有效像素區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度之間之高度。
本技術之第1態樣之電子機器包括固體攝像裝置及信號處理電路，上述固體攝像裝置包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度低於上述配線區域之剖面高度，且上述周邊區域、及夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域之上述配線區域側之至少一部分之剖面高度，設為上述有效像素區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度之間之高度，上述信號處理電路處理自上述固體攝像裝置輸出之輸出信號。
於本技術之第1態樣中，關於形成於基板上之膜，有效像素區域之剖面高度低於配線區域之剖面高度，周邊區域、及夾於有效像素區域與配線區域間之中間區域之配線區域側之至少一部分之剖面高度設為有效像素區域之剖面高度與配線區域之剖面高度之間之高度。
本技術之第2態樣之固體攝像裝置包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域及上述周邊區域之剖面高度設為低於上述配線區域之剖面高度之高度，且於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成有高度調整構件，該高度調整構件使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度大致相同。
可於上述周邊區域及/或上述有效像素區域中之上述鄰接區域形成上述高度調整構件。
於上述配線區域之平面形狀具有至少1個間隙之情形時，能夠以連接上述間隙之方式形成上述高度調整構件。
上述高度調整構件可使上述鄰接區域之剖面高度為與上述配線區域之剖面高度大致相同或大於其之高度，而且可使至少包含上述配線區域之區域之剖面高度高於上述鄰接區域之剖面高度。
上述高度調整構件之平面形狀中之角部之至少1個可呈圓角形狀或倒角形狀。
可於上述膜之夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域形成剖面高度低於上述有效像素區域之凹部。
可形成為於上述有效像素區域中設置具有與上述有效像素各者之光電轉換部對應之開口部之遮光膜，且關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度設為低於上述遮光膜之剖面高度之高度。
本技術之第2態樣之固體攝像裝置之製造方法係包含如下各者之固體攝像裝置之製造方法：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；且該製造方法包括如下步驟，即，關於上述膜，將上述有效像素區域及上述周邊區域之剖面高度設為低於上述配線區域之剖面高度之高度，並於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度大致相同之高度調整構件。
本技術之第2態樣之電子機器包括固體攝像裝置及信號處理電路，上述固體攝像裝置包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域及上述周邊區域之剖面高度設為低於上述配線區域之剖面高度之高度，且於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成有使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域 之剖面高度大致相同之高度調整構件，上述信號處理電路處理自上述固體攝像裝置輸出之輸出信號。
於本技術之第2態樣中，關於形成於基板上之膜，有效像素區域及周邊區域之剖面高度設為低於配線區域之剖面高度之高度，且於膜上之鄰接於配線區域之鄰接區域形成有高度調整構件，該高度調整構件使鄰接區域之剖面高度與配線區域之剖面高度大致相同。
根據本技術之第1及第2態樣，可降低有機材料之塗佈不均。
11‧‧‧電路基板
12‧‧‧半導體基板
13‧‧‧連接電極
14‧‧‧絕緣膜
20‧‧‧固體攝像裝置
21‧‧‧感測器基板
31‧‧‧有效像素區域
32‧‧‧配線區域
32a‧‧‧區域
33‧‧‧周邊區域
34‧‧‧中間區域
34a‧‧‧階差部
41‧‧‧電路基板
42‧‧‧貫通孔
43‧‧‧遮光膜
43a‧‧‧開口部
44‧‧‧周邊電路
45‧‧‧絕緣膜
61‧‧‧抗蝕圖案
62‧‧‧抗蝕圖案
100‧‧‧固體攝像裝置
101a、101b、102、103、111‧‧‧有機構件
130‧‧‧固體攝像裝置
131‧‧‧凹部
150‧‧‧固體攝像裝置
151‧‧‧凹部
160‧‧‧固體攝像裝置
161‧‧‧抗反射膜
162‧‧‧透明保護膜
163‧‧‧光電轉換部
164‧‧‧彩色濾光片
165‧‧‧晶載透鏡
170‧‧‧固體攝像裝置
171‧‧‧感測器基板
172‧‧‧絕緣層
173‧‧‧透明保護膜
174‧‧‧光電轉換部
175‧‧‧彩色濾光片
176‧‧‧晶載透鏡
177‧‧‧Cu配線
178‧‧‧Al配線
180‧‧‧固體攝像裝置
200‧‧‧電子機器
201‧‧‧固體攝像裝置
202‧‧‧光學透鏡
203‧‧‧快門裝置
204‧‧‧驅動電路
205‧‧‧信號處理電路
圖1係表示先前之固體攝像裝置之構成例之剖面圖。
圖2係表示本技術之第1實施形態之固體攝像裝置之構成例之俯視圖。
圖3係表示本技術之第1實施形態之固體攝像裝置之構成例之剖面圖。
圖4係對固體攝像裝置之製造處理進行說明之流程圖。
圖5A-E係表示固體攝像裝置之製造步驟之圖。
圖6係表示固體攝像裝置之變化例之俯視圖。
圖7係表示固體攝像裝置之變化例之俯視圖。
圖8係表示固體攝像裝置之變化例之俯視圖。
圖9係表示本技術之第2實施形態之固體攝像裝置之構成例之剖面圖。
圖10係表示形成於配線區域之鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖11係表示形成於配線區域之鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖12係表示形成於配線區域之鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖13係表示形成於配線區域之鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖14係表示形成於配線區域之鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖15係對固體攝像裝置之製造處理進行說明之流程圖。
圖16係表示固體攝像裝置之變化例之剖面圖。
圖17係表示固體攝像裝置之變化例之剖面圖。
圖18係表示形成於配線區域及鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖19係表示固體攝像裝置之變化例之剖面圖。
圖20係表示形成於配線區域及鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖21係對有機構件之角部之形狀進行說明之圖。
圖22係表示形成於配線區域及鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖23係表示形成於配線區域及鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖24係表示形成於配線區域及鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖25係表示形成於配線區域及鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖26係表示形成於配線區域及鄰接區域之有機構件之例之圖。
圖27係表示固體攝像裝置之變化例之俯視圖。
圖28係表示本技術之第3實施形態之固體攝像裝置之構成例之剖面圖。
圖29係表示形成於中間區域之凹部之例之圖。
圖30係表示形成於中間區域之凹部之例之圖。
圖31係表示固體攝像裝置之變化例之剖面圖。
圖32係表示固體攝像裝置之變化例之剖面圖。
圖33係表示形成於中間區域之凹部之例之圖。
圖34係表示形成於中間區域之凹部之例之圖。
圖35係表示本技術之第4實施形態之固體攝像裝置之構成例之剖面圖。
圖36係表示固體攝像裝置之構成例之詳細之剖面圖。
圖37係表示固體攝像裝置之變化例之剖面圖。
圖38係表示固體攝像裝置之變化例之剖面圖。
圖39係表示固體攝像裝置之變化例之剖面圖。
圖40係表示本技術之第5實施形態之固體攝像裝置之構成例之剖面圖。
圖41係表示應用本技術之固體攝像裝置之其他構成例之俯視圖。
圖42係表示本技術之第6實施形態之電子機器之構成例之方塊圖。
以下，參照圖對本技術之實施形態進行說明。再者，說明係按照以下順序進行。
1.第1實施形態(複數之剖面高度之形成)
2.第2實施形態(高度調整構件之形成)
3.第3實施形態(凹部之形成)
4.第4實施形態(絕緣膜之薄膜化)
5.第5實施形態(正面照射型之固體攝像裝置)
6.第6實施形態(電子機器)
<1.第1實施形態>
(固體攝像裝置之構成例)
圖2係表示本技術之第1實施形態之固體攝像裝置之構成例之俯視圖。
圖2所示之固體攝像裝置20係具備形成有複數個像素之感測器基板21、及以積層於該感測器基板21上之狀態與感測器基板21貼合之電路基板(未圖示)的具有立體結構之背面照射型之CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)影像感測器。再者，固體攝像裝置20可為正面照射型之CMOS影像感測器，亦可為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)影像感測 器。
感測器基板21將一面設為受光面，且於該受光面內包含用於獲取攝像圖像之有效像素二維配置成矩陣狀之有效像素區域31。各有效像素包括包含光電轉換部、電荷儲存部、複數個電晶體、及電容元件等之像素電路。像素電路之一部分設置於感測器基板之與受光面為相反側之表面側。再者，亦可使複數個像素共有像素電路之一部分。
又，感測器基板21係於有效像素區域31之周圍包含配線區域32，進而於其外側包含周邊區域33，上述配線區域32中設置有將感測器基板21與電路基板電性連接之連接電極或連接於該連接電極之配線。於本實施形態中，配線區域32形成為包圍被劃分為矩形狀之有效像素區域31之矩形狀。
再者，於感測器基板21中，於夾於有效像素區域31與配線區域32間之中間區域34，配置有用於獲取黑位準之光學黑像素(OPB(Optical Black，光學黑)像素)。又，於中間區域34形成有作為剖面高度不同之邊界之階差部34a。
(固體攝像裝置之剖面圖)
圖3表示沿著圖2之A-A'線上之固體攝像裝置20之剖面圖。再者，圖3之固體攝像裝置20設為製造過程之狀態，具體而言，設為塗佈彩色濾光片(CF)之前之狀態。
圖3之固體攝像裝置20包含感測器基板21、貼合於感測器基板21之與受光面為相反側之電路基板41、作為將感測器基板21與電路基板41電性連接之連接電極之貫通孔42、及連接於貫通孔42之配線(未圖示)。
感測器基板21於有效像素區域31中包含二維配置而形成為矩陣狀之有效像素，且於中間區域34中包含OPB像素。
電路基板41包含用以驅動設置於感測器基板21之各像素之驅動 電路。該驅動電路係藉由貫通孔42而連接於構成設置於感測器基板21之各像素之像素電路。
又，於有效像素區域31及中間區域34中之感測器基板21上，藉由例如鎢(W)而形成有遮光膜43。於遮光膜43，設置有設置於有效像素區域31之各有效像素之光電轉換部之形成區域之複數個開口部43a，且該等開口部43a以將鄰接之像素間遮光之方式形成。於周邊區域33中之感測器基板21上設置有包含電極墊或配線之周邊電路44。
進而，於感測器基板21之受光面側，以將貫通孔42、遮光膜43、及周邊電路44埋入之方式，藉由例如氧化矽(SiO2)而形成有絕緣膜45。
絕緣膜45係以如下方式形成，即，其膜厚於配線區域32最厚，於周邊區域33、及中間區域34中之較階差部34a更靠配線區域32側之區域其次厚，於中間區域34中之較階差部34a更靠有效像素區域31側之區域、及有效像素區域31最薄。即，於圖3之固體攝像裝置20中，關於絕緣膜45，有效像素區域31之剖面高度低於配線區域32之剖面高度，周邊區域33及中間區域34之較階差部34a更靠配線區域32側之區域之剖面高度，設為有效像素區域31之剖面高度與配線區域32之剖面高度之間之高度。
根據以上結構，周邊區域33與配線區域32之階差變小，且使配線區域32與有效像素區域31之階差多階化，因此，塗佈CF材料等有機材料時，於其等階差產生之流體壓力得到抑制。藉此，可降低塗佈不均，從而可使所塗佈之有機材料之膜厚均勻。
再者，中間區域34中之階差部34a之位置設為中間區域34之寬度、即有效像素區域31之配線區域32側之端部與配線區域32之有效像素區域31側之端部之間。此處，有機材料之塗佈不均之降低與攝像圖像中之邊緣不均或陰影之降低為取捨關係，該關係受中間區域34中之 階差部34a之位置影響。
具體而言，藉由使中間區域34中之階差部34a較中間區域34之寬度之中心更靠有效像素區域31側，可進一步降低有機材料之塗佈不均。另一方面，藉由使中間區域34中之階差部34a較中間區域34之寬度之中心更靠配線區域32側，可進一步降低邊緣不均或陰影。
(固體攝像裝置之製造處理)
繼而，參照圖4及圖5，對固體攝像裝置20之製造處理進行說明。圖4係對固體攝像裝置20之製造處理進行說明之流程圖，圖5表示製造步驟中之固體攝像裝置20之剖面圖。
再者，以下，由於在感測器基板21之受光面側形成貫通孔42、遮光膜43、及周邊電路44之前之處理為通常所進行者，故省略其說明，而對其後之處理進行說明。
即，於步驟S11中，如圖5A所示，於感測器基板21之受光面側，以將貫通孔42、遮光膜43、及周邊電路44埋入之方式形成絕緣膜45。
於步驟S12中，如圖5B所示，於配線區域32形成抗蝕圖案61。
於步驟S13中，以抗蝕圖案61為遮罩實施蝕刻處理。其結果，如圖5C所示，於形成有抗蝕圖案61之區域以外之區域即有效像素區域31、周邊區域33、及中間區域34中，絕緣膜45被蝕刻。
於步驟S14中，如圖5D所示，於配線區域32形成抗蝕圖案62。
於步驟S15中，以抗蝕圖案62為遮罩實施蝕刻處理。其結果，如圖5E所示，於形成有抗蝕圖案62之區域以外之區域即有效像素區域31、中間區域34之一部分區域中，絕緣膜45被蝕刻。
於步驟S16中，於絕緣膜45上塗佈綠色之CF材料。進而，於步驟S17中，塗佈紅色之CF材料，於步驟S18中，塗佈藍色之CF材料。
繼而，於步驟S19中，對有效像素區域31之各有效像素形成晶載透鏡，而固體攝像裝置20之製造處理結束。
此處，於上述處理中，藉由蝕刻絕緣膜45，而於每個區域形成不同之剖面高度，但亦可藉由對形成於感測器基板上21之平坦化膜或保護膜等進行蝕刻而形成不同之剖面高度。
根據以上處理，周邊區域33與配線區域32之階差變小，且使配線區域32與有效像素區域31之階差多階化，因此，塗佈CF材料等有機材料時於其等階差產生之流體壓力得到抑制。藉此，可降低塗佈不均，從而可使所塗佈之有機材料之膜厚均勻。
再者，於上述處理中，以抗蝕圖案61或抗蝕圖案62為遮罩進行蝕刻之區域之平面形狀為矩形狀，但亦能夠以該矩形之角部成為圓角形狀之方式進行蝕刻。
例如，藉由使以抗蝕圖案62為遮罩進行蝕刻之矩形狀之區域之角部為圓角形狀，而如圖6所示，中間區域34中之階差部34a之平面形狀中之角部形成圓角形狀。
又，藉由使以抗蝕圖案61為遮罩進行蝕刻之矩形狀之區域之內側(有效像素區域31側)之角部為圓角形狀，而如圖7所示，配線區域32與中間區域34之階差部之平面形狀中之角部形成圓角形狀。
進而，藉由使以抗蝕圖案61為遮罩進行蝕刻之矩形狀之區域之外側(周邊區域33側)之角部為圓角形狀，而如圖8所示，配線區域32與周邊區域33之階差部之平面形狀中之角部形成圓角形狀。再者，關於配線區域32與周邊區域33之階差部，藉由切除其平面形狀中之角部，而角部亦可形成圓角形狀。
藉由如此般使階差部之平面形狀中之角部為圓角形狀，可使碰撞於角部而流動之有機材料之流動平滑，從而可進一步降低塗佈不均。
再者，藉由蝕刻使階差部之平面形狀中之角部為圓角形狀之處理可對參照圖6至圖8所說明之所有階差部進行，亦可對任一階差部進 行。
又，無需使矩形狀之階差部之所有角部(四角)為圓角形狀，亦可根據塗佈CF材料之方向而使特定之階差部之角部中之任一角部為圓角形狀。
<2.第2實施形態>
(固體攝像裝置之構成例)
圖9係表示本技術之第2實施形態之固體攝像裝置之構成例之剖面圖。
再者，於圖9之剖面圖中，對與圖3之剖面圖相同之構成標註相同名稱及相同符號，並適當省略其說明。
於圖9所示之固體攝像裝置100中，與圖1之固體攝像裝置同樣地，關於絕緣膜45，使周邊區域33及中間區域34之剖面高度與有效像素區域31之剖面高度相同。又，於鄰接於配線區域32之區域(以下，稱作鄰接區域)形成有作為用以使鄰接區域之剖面高度與配線區域32之剖面高度大致相同之高度調整構件之有機構件101a、101b。
即，如圖10所示，以擴寬剖面為凸形狀地延伸之配線區域32之寬度之方式，於周邊區域33及中間區域34之鄰接區域形成機構件101a、101b。有機構件101a、101b例如由與絕緣膜45相同之氧化矽(SiO2)形成。
藉由如此般擴寬剖面為凸形狀之配線區域32之寬度，可降低塗佈有機材料時之塗佈不均，從而可使所塗佈之有機材料之膜厚均勻。
再者，亦可如圖11所示，使形成於配線區域32之平面形狀中之角部之有機構件101a、101b以其角部成為圓角形狀之方式形成。該圓角形狀之曲率例如設為500μm以上。藉此，可使碰撞於角部而流動之有機材料之流動平滑而進一步降低塗佈不均。
於圖11中，使有機構件101a、101b兩者之角部成為圓角形狀，但 亦可使有機構件101a、101b中任一者之角部成為圓角形狀。
又，如圖12所示，於配線區域32之平面形狀於其一部分(圖12之例中為角部)具有間隙(被切斷)之情形時，亦可將間隙作為鄰接區域而以將該間隙連接之方式形成有機構件102。
藉由如此般將配線區域32之平面形狀之間隙連接，而塗佈CF材料等有機材料時於其間隙產生之流體之流動之混亂得到抑制，因此，可進一步降低塗佈不均。
再者，亦可如圖13所示，使形成於配線區域32之平面形狀中之間隙之有機構件102以其角部成為圓角形狀之方式形成。該圓角形狀之曲率例如設為500μm以上。藉此，可使碰撞於角部而流動之有機材料之流動平滑而進一步降低塗佈不均。
於圖13中，使有機構件102之內側及外側兩側之角部成為圓角形狀，但亦可使有機構件102之內側及外側中任一側之角部成為圓角形狀。
再者，亦可對圖12或圖13所示之構成以擴寬配線區域32之寬度之方式組合圖10或圖11之構成。
進而，亦可如圖14所示，以填埋配線區域32之平面形狀中之間隙之方式形成點狀之有機構件103。於此情形時，例如，各點之直徑設為2μm以上，各點彼此之間隔設為5μm以上。再者，點之形狀不限定於圓形，亦可為矩形或三角形等。
再者，於上述構成中，配線區域32之剖面高度與鄰接區域之剖面高度之差理想的是設為±400μm以內。
(固體攝像裝置之製造處理)
繼而，參照圖15之流程圖對固體攝像裝置100之製造處理進行說明。
再者，由於圖15之流程圖之步驟S31、S34至S37之處理分別與圖 4之流程圖之步驟S11、S16至S19之處理相同，故省略其說明。
即，於步驟S32中，於配線區域32及鄰接區域形成抗蝕圖案。
繼而，於步驟S33中，以所形成之抗蝕圖案為遮罩實施蝕刻處理。此處，以最終之有效像素區域31之剖面高度與鄰接區域以外之周邊區域33及中間區域34之剖面高度成為相同之方式蝕刻絕緣膜45。
根據以上處理，於配線區域32之鄰接區域形成有機構件，因此，如上所述，可降低塗佈CF材料等有機材料時之塗佈不均，從而可使所塗佈之有機材料之膜厚均勻。
再者，亦可利用例如綠色之CF材料形成形成於配線區域32之鄰接區域之有機構件。於此情形時，於圖15之流程圖之步驟S32中，僅於配線區域形成抗蝕圖案，於步驟S34中塗佈綠色之CF材料之前，使用綠色之CF材料於配線區域32之鄰接區域形成有機構件。
又，亦可如圖16所示，於第1實施形態之固體攝像裝置20中，於配線區域32之鄰接區域(周邊區域33及中間區域34)形成有機構件101a、101，或者，雖未圖示，但亦可於配線區域32之平面形狀中之間隙形成有機構件。藉此，可進一步降低有機材料之塗佈不均。
進而，亦可如圖17所示，形成有機構件111作為高度調整構件，該有機構件111使鄰接區域之剖面高度為與配線區域32之剖面高度大致相同之高度，而且使至少包含配線區域32之區域之剖面高度高於鄰接區域之剖面高度。即，圖17之固體攝像裝置100設為如下構成：於圖9之固體攝像裝置100中，於至少包含配線區域32之區域上設置有使該包含配線區域32之區域之剖面高度高於鄰接區域之剖面高度之凸部(有機構件)。
再者，於圖17之固體攝像裝置100中，鄰接區域之剖面高度可設為與配線區域32之剖面高度大致相同，亦可設為超過配線區域32之剖面高度之高度(但低於包含配線區域32之區域之剖面高度之高度)。
藉由如此般使周邊區域33與配線區域32之階差、及配線區域32與有效像素區域31之階差多階化，而可降低塗佈不均。
再者，亦可如圖18所示，與圖11同樣地使有機構件111以其角部成為圓角形狀之方式形成。藉此，可使碰撞於有機構件111之角部而流動之有機材料之流動平滑而進一步降低塗佈不均。
於圖18中，使有機構件111之內側及外側兩側之角部成為圓角形狀，但亦可使有機構件111之內側及外側中任一側之角部成為圓角形狀。
再者，於例如有機構件111為與絕緣膜45相同之材料之情形時，有機構件111之形成係藉由如下方式而進行：於圖15之流程圖之步驟S31中形成絕緣膜45之後，於包含配線區域32之區域(剖面高度最高之區域)形成抗蝕圖案而進行蝕刻處理，並執行步驟S32之後之處理。
進而，亦可如圖19所示，於第1實施形態之固體攝像裝置20中形成有機構件111。藉此，配線區域32與有效像素區域31之階差進一步多階化，從而可進一步降低有機材料之塗佈不均。
又，於圖19所示之構成中，亦可如圖20所示般使有機構件111以其角部成為圓角形狀之方式形成。藉此，可使碰撞於有機構件111之角部而流動之有機材料之流動平滑而進一步降低塗佈不均。
於圖20中，亦使有機構件111之內側及外側兩側之角部成為圓角形狀，但亦可使有機構件111之內側及外側中任一側之角部成為圓角形狀。
又，以上內容中，無需使有機構件之所有角部(四角)為圓角形狀，亦可根據塗佈CF材料之方向而使有機構件之角部中之任一角部為圓角形狀。
於以上內容中，為降低塗佈不均而使有機構件之角部為圓角形狀。然而，於對準標記或配線等之配置存在限制之情形時，有時無法 使有機構件之角部為對塗佈不均之降低有效之曲率之圓角形狀。
例如，如圖21之左側所示，根據配線區域32與未圖示之對準標記之配置之限制而形成有機構件111之情形時，若如上述般使有機構件111之角部為例如曲率500μm以上之圓角形狀，則於配線區域32之一部分區域32a未形成有機構件111。
再者，於有機構件由例如綠色之CF材料形成之情形時，該有機構件作為抑制眩光(flare)或重影(ghost)之抗反射膜發揮功能。為進一步提高作為抗反射膜之功能，理想的是以儘可能大之面積形成有機構件，但因使有機構件之角部為圓角形狀而其面積之損失變大。
因此，以下，對即便於對準標記或配線等之配置存在限制之情形或將有機構件用作抗反射膜之情形時亦有用之有機構件之例進行說明。再者，作為有機構件，列舉圖17所示之有機構件111為例進行說明。
(有機構件之變化例)
首先，亦可如圖22所示，使有機構件111以其角部成為受到倒角處理後之倒角形狀之方式形成。於圖22中，以於俯視時相對於形成有機構件111之角部之2邊各者以45°交叉之直線切掉其角部，新形成之2個角部之角度為135°。該受到倒角處理之部分之長度例如設為200μm以下。藉此，可使碰撞於角部而流動之有機材料之流動平滑而降低塗佈不均。
再者，於俯視時，切掉有機構件111之角部之直線之角度(斜率)不限定於45°。又，藉由進行倒角處理而新形成之角部亦可進一步進行倒角處理，藉由重複進行倒角處理，可使角部之形狀接近於圓角形狀。
又，亦可如圖23所示，以沿著於俯視時相對於形成有機構件111之角部之2邊各者以45°交叉之直線之鋸齒狀線切掉其角部。該鋸齒狀 線設為極短之直線(例如10μm以下之直線)以特定之角度(例如90°)交替地改變朝向而重複之三角波狀之鋸齒狀線。於此情形時，若粗略觀察，則有機構件111之角部係與圖22之例同樣地以直線受到倒角處理。
再者，亦可藉由使切掉有機構件111之角部之鋸齒狀線沿著特定曲率之圓弧狀之曲線，而使有機構件111之角部於粗略觀察時與圖17之例同樣地為圓角形狀。
又，亦可如圖24所示，以使於俯視時相對於形成有機構件111之角部之2邊各者以45°交叉之直線之一部分為曲線而成之線對其角部進行倒角處理，亦可如圖25所示，以使於俯視時相對於形成有機構件111之角部之2邊各者以45°交叉之直線之一部分為曲線及鋸齒狀線而成之線對其角部進行倒角處理。
進而，關於如圖21之左側所示之因對準標記之限制而角部形成為鋸齒狀之有機構件111，亦可如圖26所示，以使各個角之部分為曲線而成為波狀之方式進行倒角處理。
再者，上述變化例不限定於圖17所示之有機構件111，亦可應用於圖9及圖16所示之有機構件101a、101b或圖13所示之有機構件102、圖19所示之有機構件111。
又，於第1實施形態中，使中間區域34中之階差部34a之平面形狀中之角部(圖6)、配線區域32與中間區域34之階差部之平面形狀中之角部(圖7)、配線區域32與周邊區域33之階差部之平面形狀中之角部(圖8)形成圓角形狀，但亦可使該等階差部之平面形狀中之角部之至少1個形成如圖22至圖26中所說明之倒角形狀。
具體而言，例如，亦可如圖27所示，使配線區域32與周邊區域33之階差部之平面形狀中之角部形成受到倒角處理後之倒角形狀。
藉此，可使碰撞於階差部之平面形狀中之角部而流動之有機材 料之流動平滑而進一步降低塗佈不均。
<3.第3實施形態>
(固體攝像裝置之構成例)
圖28係表示本技術之第3實施形態之固體攝像裝置之構成例之剖面圖。
再者，於圖28之剖面圖中，對與圖3之剖面圖相同之構成標註相同名稱及相同符號，並適當省略其說明。
於圖28所示之固體攝像裝置130中，於絕緣膜45之於中間區域34中剖面高度與有效像素區域31相同之區域形成有剖面高度低於有效像素區域31之凹部131。
即，如圖29所示，於中間區域34中，以沿著被劃分為矩形狀之有效像素區域31之邊延伸之方式形成凹部131。
藉由如此般於中間區域34設置凹部131，可使塗佈CF材料等有機材料時因流體積存於階差部34a附近之中間區域34而產生之有機材料之傾斜變得平坦，從而可使所塗佈之有機材料之膜厚均勻。
尤其，於流體容易積存之階差部34a之平面形狀中之角部附近，亦可如圖29所示，使凹部131之角部為較大之矩形狀，亦可如圖30所示，使凹部131之角部之內側為圓角形狀。
再者，凹部131之形成係藉由如下方式而進行：於圖4之流程圖之步驟S15中於有效像素區域31與中間區域34之一部分區域對絕緣膜45進行蝕刻之後，於凹部131以外之區域形成抗蝕圖案，並再次實施蝕刻處理。
又，亦可如圖31所示，於第2實施形態之固體攝像裝置100中形成凹部131。
進而，亦可如圖32所示之固體攝像裝置150般，於絕緣膜45之於中間區域34中剖面高度與周邊區域33相同之區域形成剖面高度與有效 像素區域31相同之凹部151。
於此情形時，亦如圖33所示，與圖29同樣地於中間區域34中以沿著被劃分為矩形狀之有效像素區域31(階差部34a)之邊延伸之方式形成凹部151。
藉由如此般於中間區域34設置凹部151，可使塗佈CF材料等有機材料時因流體積存於配線區域32與中間區域34之階差部附近之中間區域34而產生之有機材料之傾斜變得平坦，從而可使所塗佈之有機材料之膜厚均勻。
尤其，於流體容易積存之中間區域34之平面形狀中之角部附近，亦可如圖33所示，使凹部151之角部為較大之矩形狀，亦可如圖34所示，使凹部151之角部之內側為圓角形狀。
再者，凹部151之形成係藉由如下方式而進行：於圖4之流程圖之步驟S15中，於有效像素區域31與中間區域34之一部分區域對絕緣膜45進行蝕刻，並且對凹部151進行蝕刻。
再者，於上述本實施形態之固體攝像裝置中，亦可使各區域之階差部之平面形狀中之角部之至少1個形成圓角形狀或倒角形狀。又，於本實施形態之固體攝像裝置中，亦可如第2實施形態之固體攝像裝置般設置有機構件，亦可使該有機構件之角部之至少1個形成圓角形狀或倒角形狀。
<4.第4實施形態>
(固體攝像裝置之構成例)
圖35係表示本技術之第4實施形態之固體攝像裝置之構成例之剖面圖。
再者，於圖35之剖面圖中，對與圖3之剖面圖相同之構成標註相同名稱及相同符號，並適當省略其說明。
於圖35所示之固體攝像裝置160中，與圖1之固體攝像裝置同樣 地，關於絕緣膜45，有效像素區域31之剖面高度低於配線區域32之剖面高度，周邊區域33及中間區域34之較階差部34a更靠配線區域32側之區域之剖面高度設為有效像素區域31之剖面高度與配線區域32之剖面高度之間之高度。又，關於絕緣膜45，有效像素區域31之剖面高度設為低於具有與各有效像素之光電轉換部對應之開口部43a之遮光膜43之剖面高度之高度。
圖36係將第1實施形態之固體攝像裝置之剖面與本實施形態之固體攝像裝置之剖面進行比較的圖。
於圖36A所示之第1實施形態之固體攝像裝置、及圖36B所示之本實施形態之固體攝像裝置中，除圖1及圖35之構成以外，而且分別於感測器基板21與遮光膜43之間形成有抗反射膜161，且於有效像素區域31及中間區域34中之絕緣膜45上形成有透明保護膜162。
進而，於圖36A及圖36B中，分別對各有效像素中之每一個設置有光電轉換部163、彩色濾光片164、及晶載透鏡165。
此處，與圖36A所示之第1實施形態之固體攝像裝置相比，圖36B所示之本實施形態之固體攝像裝置，其有效像素區域31中之絕緣膜45之膜厚較薄，因此，可實現各有效像素之感光度之提高。又，可縮短光電轉換部163與彩色濾光片164之間之距離，因此，亦可提高對於混色之耐受性。
再者，本實施形態中之絕緣膜45之形成係藉由如下方式而進行：於圖4之流程圖之步驟S13中進行對絕緣膜45之蝕刻(乾式蝕刻)加工時，將遮光膜43之露出作為利用終點偵測器(EPD，End Point Detector)進行之終點偵測，而使蝕刻加工結束。
藉此，可吸收相較於絕緣膜45為下層之膜厚之偏差或不將遮光膜43之露出作為利用EPD進行之終點偵測之情形時之蝕刻加工之偏差，從而可製造晶圓間穩定之固體攝像裝置。
再者，本實施形態之固體攝像裝置除採用圖36B所示之結構以外，亦可例如如圖37所示般，採用以覆蓋藉由蝕刻加工而露出之遮光膜43之方式形成有絕緣膜45之結構。
又，亦可如圖38A所示般，採用以覆蓋貫通孔42(配線區域32)上之絕緣膜45之方式形成有透明保護膜162之結構、或如圖38B所示般未形成透明保護膜162之結構。於未形成透明保護膜162之情形時，於形成絕緣膜45上之彩色濾光片164時使用密接助劑。
進而，亦可如圖39所示，於第2實施形態之固體攝像裝置100中，關於絕緣膜45，將有效像素區域31及中間區域34之剖面高度設為低於遮光膜43之剖面高度之高度。再者，於此情形時，周邊區域33之剖面高度如圖39所示，既可設為與有效像素區域31及中間區域34之剖面高度相同，亦可設為高於有效像素區域31及中間區域34之剖面高度之高度。
又，本實施形態之固體攝像裝置亦可應用於第2至第4實施形態之固體攝像裝置。
於以上內容中，對將本技術應用於背面照射型之CMOS影像感測器之構成進行了說明，但亦可應用於正面照射型之CMOS影像感測器或CCD影像感測器等固體攝像裝置。
<5.第5實施形態>
(固體攝像裝置之構成例)
圖40係表示本技術之第5實施形態之固體攝像裝置之構成例之剖面圖。
再者，圖40所示之固體攝像裝置170之平面構成與圖2所示之固體攝像裝置20相同。
固體攝像裝置170構成為所謂之正面照射型之CMOS影像感測器。圖40之固體攝像裝置170包含感測器基板171、形成於感測器基板 171之受光面之上層之絕緣層172、及形成於絕緣層172之上層之透明保護膜173。
感測器基板171係於有效像素區域31中針對二維配置而形成為矩陣狀之有效像素中之每一個包含光電轉換部174。又，於有效像素區域31中，於透明保護膜173上，針對每個有效像素形成有彩色濾光片175及晶載透鏡176。
又，絕緣膜172係於有效像素區域31及配線區域32中包含Cu配線177，且於配線區域32中進而包含Al配線178。
絕緣膜172係以如下方式形成，即，其膜厚於配線區域32最厚，於中間區域34中之較階差部34a更靠配線區域32側之區域第二個厚，於中間區域34中之較階差部34a更靠有效像素區域31側之區域與有效像素區域31最薄。即，於圖40之固體攝像裝置170中，關於絕緣膜172，亦形成為：有效像素區域31之剖面高度低於配線區域32之剖面高度，中間區域34之較階差部34a更靠配線區域32側之區域之剖面高度設為有效像素區域31之剖面高度與配線區域32之剖面高度之間之高度。
藉此，使配線區域32與有效像素區域31之階差多階化，因此，可降低塗佈CF材料等有機材料時之塗佈不均，從而可使所塗佈之有機材料之膜厚均勻。
再者，上述第1至第5實施形態之固體攝像裝置除可應用於如圖2所示之固體攝像裝置20般配線區域32設置於有效像素區域31之外側之構成以外，亦可應用於如圖41所示之固體攝像裝置180般配線區域32設置於有效像素區域31之內側之構成。
再者，本技術並不限定於對偵測可見光之入射光量之分佈並拍攝為圖像之固體攝像裝置之應用，亦可應用於將紅外線或X射線或者粒子等之入射量之分佈拍攝為圖像之固體攝像裝置。
進而，本技術並不限定於以列為單位依序掃描像素區域之各單位像素且自各單位像素讀出像素信號之固體攝像裝置。亦可應用於以像素為單位選擇任意之像素且自該選擇像素以像素為單位讀出信號的X-Y位址型之固體攝像裝置。再者，固體攝像裝置可為以單晶片形成之形態，亦可為將像素部與信號處理部或光學系統聚集地封裝而成之具有攝像功能之模組狀之形態。
又，本技術並不限定於對固體攝像裝置之應用，亦可應用於攝像裝置。此處，所謂攝像裝置，係指數位靜態相機或數位視訊攝影機等相機系統、或行動電話等具有攝像功能之電子機器。再者，亦有將搭載於電子機器之模組狀之形態即相機模組作為攝像裝置之情形。
<6.第6實施形態>
(電子機器之構成例)
此處，參照圖42，對本技術之第6實施形態之電子機器之構成例進行說明。
圖42所示之電子機器200包含應用本技術之固體攝像裝置201、光學透鏡202、快門裝置203、驅動電路204、及信號處理電路205。於圖42中表示將上述本技術之第1實施形態之固體攝像裝置20作為固體攝像裝置201設置於電子機器(數位靜態相機)之情形時之實施形態。
光學透鏡202係使來自被攝體之像光(入射光)於固體攝像裝置201之攝像面上成像。藉此，於固體攝像裝置201內於一定時間內儲存信號電荷。快門裝置203係控制對於固體攝像裝置201之光照射時間及遮光時間。
驅動電路204係供給控制固體攝像裝置201之信號轉移動作及快門裝置203之快門動作之驅動信號。根據自驅動電路204供給之驅動信號(時序信號)，固體攝像裝置201進行信號轉移。信號處理電路205係對自固體攝像裝置201輸出之信號進行各種信號處理。經信號處理之 影像信號係記憶於記憶體等記憶媒體或者輸出至監視器。
於本實施形態之電子機器200中，由於可於固體攝像裝置201中降低塗佈不均，故而，其結果，可實現畫質之提高。
再者，本技術之實施形態並不限定於上述實施形態，可於不脫離本技術之主旨之範圍內進行各種變更。
進而，本技術可採取如下所述之構成。
(1)
一種固體攝像裝置，其包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度低於上述配線區域之剖面高度，且上述周邊區域、及夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域之上述配線區域側之至少一部分之剖面高度，設為上述有效像素區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度之間之高度。
(2)
如(1)之固體攝像裝置，其中上述膜之上述中間區域中之階差部位於較上述中間區域之寬度之中心更靠上述有效像素區域側。
(3)
如(1)之固體攝像裝置，其中上述膜之上述中間區域中之階差部位於較上述中間區域之寬度之中心更靠上述配線區域側。
(4)
如(1)至(3)中任一項之固體攝像裝置，其中上述膜之上述中間區域中之階差部、上述中間區域與上述配線區域之階差部及/或上述配線區域與上述周邊區域之階差部之平面形狀中之角部之至少1個形成圓角形狀或倒角形狀。
(5)
如(1)之固體攝像裝置，其中於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成有高度調整構件，該高度調整構件使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度大致相同。
(6)
如(5)之固體攝像裝置，其中於上述周邊區域及/或上述中間區域中之上述鄰接區域形成有上述高度調整構件。
(7)
如(5)或(6)之固體攝像裝置，其中於上述配線區域之平面形狀具有至少1個間隙之情形時，以連接上述間隙之方式形成有上述高度調整構件。
(8)
如(5)之固體攝像裝置，其中上述高度調整構件係將上述鄰接區域之剖面高度設為與上述配線區域之剖面高度大致相同或大於其之高度，而且使至少包含上述配線區域之區域之剖面高度高於上述鄰接區域之剖面高度。
(9)
如(5)至(8)中任一項之固體攝像裝置，其中上述高度調整構件之平面形狀中之角部之至少1個呈圓角形狀或倒角形狀。
(10)
如(1)至(8)中任一項之固體攝像裝置，其中於上述膜之上述中間區域中剖面高度與上述有效像素區域相同之區域，形成有剖面高度低於上述有效像素區域之凹部。
(11)
如(1)之固體攝像裝置，其中於上述膜之上述中間區域中剖面高度與上述周邊區域相同之區域，形成有剖面高度與上述有效像素區域相同之凹部。
(12)
如(1)至(10)中任一項之固體攝像裝置，其中於上述有效像素區域中，包含具有與上述有效像素各者之光電轉換部對應之開口部之遮光膜，關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度設為低於上述遮光膜之剖面高度之高度。
(13)
一種固體攝像裝置之製造方法，其係包含如下各者之固體攝像裝置之製造方法：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；且該製造方法包括如下步驟：關於上述膜，使上述有效像素區域之剖面高度低於上述配線區域之剖面高度，並將上述周邊區域、及夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域之上述配線區域側之至少一部分之剖面高度，設為上述有效像素區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度之間之高度。
(14)
一種電子機器，其包括固體攝像裝置及信號處理電路，上述固體攝像裝置包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度低於上述配線區域之剖面高度，上述周邊區域、及夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域之上述配線區域側之至少一部分之剖面高度設為上述有效像素區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度之間之高度，上述信號處理電路處理自上述固體攝像裝置輸出之輸出信號。
(15)
一種固體攝像裝置，其包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域及上述周邊區域之剖面高度設為低於上述配線區域之剖面高度之高度，且於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成有高度調整構件，該高度調整構件使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度大致相同。
(16)
如(15)之固體攝像裝置，其中於上述周邊區域及/或上述有效像素區域中之上述鄰接區域形成 有上述高度調整構件。
(17)
如(15)之固體攝像裝置，其中於上述配線區域之平面形狀具有至少1個間隙之情形時，以連接上述間隙之方式形成有上述高度調整構件。
(18)
如(15)之固體攝像裝置，其中上述高度調整構件係使上述鄰接區域之剖面高度為與上述配線區域之剖面高度大致相同或大於其之高度，而且使至少包含上述配線區域之區域之剖面高度高於上述鄰接區域之剖面高度。
(19)
如(15)至(18)中任一項之固體攝像裝置，其中上述高度調整構件之平面形狀中之角部之至少1個呈圓角形狀或倒角形狀。
(20)
如(15)之固體攝像裝置，其中於上述膜之夾於上述有效像素區域與上述配線區域之間之中間區域形成有剖面高度低於上述有效像素區域之凹部。
(21)
如(15)至(19)中任一項之固體攝像裝置，其中於上述有效像素區域中，包含具有與上述有效像素各者之光電轉換部對應之開口部之遮光膜，關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度設為低於上述遮光膜之剖面高度之高度。
(22)
一種固體攝像裝置之製造方法，其係包含如下各者之固體攝像 裝置之製造方法：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；且該製造方法包括如下步驟：關於上述膜，將上述有效像素區域及上述周邊區域之剖面高度設為低於上述配線區域之剖面高度之高度，於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成高度調整構件，該高度調整構件使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度大致相同。
(23)
一種電子機器，其包括固體攝像裝置及信號處理電路，上述固體攝像裝置包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域及上述周邊區域之剖面高度設為低於上述配線區域之剖面高度之高度，且於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成有高度調整構件，該高度調整構件使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度大致相同，上述信號處理電路處理自上述固體攝像裝置輸出之輸出信號。
11‧‧‧電路基板
12‧‧‧半導體基板
13‧‧‧連接電極
14‧‧‧絕緣膜

Claims (23)

  1. 一種固體攝像裝置，其包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度低於上述配線區域之剖面高度，且上述周邊區域、及夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域之上述配線區域側之至少一部分之剖面高度，設為上述有效像素區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度之間之高度。
  2. 如請求項1之固體攝像裝置，其中上述膜之上述中間區域中之階差部位於較上述中間區域之寬度之中心更靠上述有效像素區域側。
  3. 如請求項1之固體攝像裝置，其中上述膜之上述中間區域中之階差部位於較上述中間區域之寬度之中心更靠上述配線區域側。
  4. 如請求項1之固體攝像裝置，其中上述膜之上述中間區域中之階差部、上述中間區域與上述配線區域之階差部及/或上述配線區域與上述周邊區域之階差部之平面形狀中之角部之至少1個形成圓角形狀或倒角形狀。
  5. 如請求項1之固體攝像裝置，其中於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成有高度調整構件，該高度調整構件使上述鄰接區域之剖面高度與上述配 線區域之剖面高度大致相同。
  6. 如請求項5之固體攝像裝置，其中於上述周邊區域及/或上述中間區域中之上述鄰接區域形成有上述高度調整構件。
  7. 如請求項5之固體攝像裝置，其中於上述配線區域之平面形狀具有至少1個間隙之情形時，以連接上述間隙之方式形成有上述高度調整構件。
  8. 如請求項5之固體攝像裝置，其中上述高度調整構件係將上述鄰接區域之剖面高度設為與上述配線區域之剖面高度大致相同或大於其之高度，而且使至少包含上述配線區域之區域之剖面高度高於上述鄰接區域之剖面高度。
  9. 如請求項5之固體攝像裝置，其中上述高度調整構件之平面形狀中之角部之至少1個呈圓角形狀或倒角形狀。
  10. 如請求項1之固體攝像裝置，其中於上述膜之上述中間區域中剖面高度與上述有效像素區域相同之區域，形成有剖面高度低於上述有效像素區域之凹部。
  11. 如請求項1之固體攝像裝置，其中於上述膜之上述中間區域中剖面高度與上述周邊區域相同之區域，形成有剖面高度與上述有效像素區域相同之凹部。
  12. 如請求項1之固體攝像裝置，其中於上述有效像素區域中，包含具有與上述有效像素各者之光電轉換部對應之開口部之遮光膜，關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度設為低於上述遮光膜之剖面高度之高度。
  13. 一種固體攝像裝置之製造方法，其係包含如下各者之固體攝像裝置之製造方法：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；且該製造方法包括如下步驟：關於上述膜，使上述有效像素區域之剖面高度低於上述配線區域之剖面高度，並將上述周邊區域、及夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域之上述配線區域側之至少一部分之剖面高度，設為上述有效像素區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度之間之高度。
  14. 一種電子機器，其包括固體攝像裝置及信號處理電路，上述固體攝像裝置包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度低於上述配線區域之剖面高度，且上述周邊區域、及夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域之上述配線區域側之至少一部分之剖面高度，設為上述有效像素區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度之間之高度，上述信號處理電路處理自上述固體攝像裝置輸出之輸出信號。
  15. 一種固體攝像裝置，其包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；關於上述膜，上述有效像素區域及上述周邊區域之剖面高度設為低於上述配線區域之剖面高度之高度，且於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成有高度調整構件，該高度調整構件使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度大致相同。
  16. 如請求項15之固體攝像裝置，其中於上述周邊區域及/或上述有效像素區域中之上述鄰接區域形成有上述高度調整構件。
  17. 如請求項15之固體攝像裝置，其中於上述配線區域之平面形狀具有至少1個間隙之情形時，以連接上述間隙之方式形成有上述高度調整構件。
  18. 如請求項15之固體攝像裝置，其中上述高度調整構件係使上述鄰接區域之剖面高度為與上述配線區域之剖面高度大致相同或大於其之高度，而且使至少包含上述配線區域之區域之剖面高度高於上述鄰接區域之剖面高度。
  19. 如請求項15之固體攝像裝置，其中上述高度調整構件之平面形狀中之角部之至少1個呈圓角形狀或倒角形狀。
  20. 如請求項15之固體攝像裝置，其中 於上述膜之夾於上述有效像素區域與上述配線區域間之中間區域，形成有剖面高度低於上述有效像素區域之凹部。
  21. 如請求項15之固體攝像裝置，其中於上述有效像素區域中，包含具有與上述有效像素各者之光電轉換部對應之開口部之遮光膜，關於上述膜，上述有效像素區域之剖面高度設為低於上述遮光膜之剖面高度之高度。
  22. 一種固體攝像裝置之製造方法，其係包含如下各者之固體攝像裝置之製造方法：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上；且該製造方法包括如下步驟：關於上述膜，將上述有效像素區域及上述周邊區域之剖面高度設為低於上述配線區域之剖面高度之高度，於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成高度調整構件，該高度調整構件使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度大致相同。
  23. 一種電子機器，其包括固體攝像裝置及信號處理電路，上述固體攝像裝置包含：有效像素區域，其於基板中配置有有效像素；配線區域，其於上述有效像素區域之周圍設置有電極或配線；周邊區域，其較上述配線區域更靠外側；及膜，其形成於上述基板上； 關於上述膜，上述有效像素區域及上述周邊區域之剖面高度設為低於上述配線區域之剖面高度之高度，且於上述膜上之鄰接於上述配線區域之鄰接區域形成有高度調整構件，該高度調整構件使上述鄰接區域之剖面高度與上述配線區域之剖面高度大致相同，上述信號處理電路處理自上述固體攝像裝置輸出之輸出信號。
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