CN105027286A - 固态成像装置、其制造方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本技术涉及一种可以减少有机材料不均匀涂布的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。所述固态成像装置包括：基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；所述配线区域外侧的周边区域；和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。本技术可以适用于例如背面照射型CMOS图像传感器。

Description

固态成像装置、其制造方法和电子设备
技术领域
本技术涉及固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。更具体地，本技术涉及一种可以减少有机材料不均匀涂布的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。
背景技术
近年来，已经提出了具有三维结构的背面照射型固态成像装置，其中在其上形成有驱动电路的电路基板从其上形成有包括光电转换单元的像素的半导体基板的光接收面贴附到相对面上(参见，例如，专利文献1)。这种具有三维结构的固态成像装置包括用于将半导体基板和电路基板电气连接在一起的连接电极。
图1是示出常规的具有三维结构的背面照射型固态成像装置的构成例的断面图。
在图1中，电路基板11和半导体基板12贴合在一起，并且通过连接电极13电气连接在一起。此外，绝缘膜14形成在半导体基板12的光接收面侧(图1中的上侧)。
在图1所示的固态成像装置中，绝缘膜14形成为使得设置有多个像素的像素区域的横截面的高度(以下，称作“截面高度”)和作为设置有连接电极13的配线区域的外侧的周边区域的横截面的高度低于配线区域的横截面的高度。这样，通过减小像素区域的轮廓，感度特性或混色特性可以得到改善。此外，通过减小周边区域的轮廓，在周边区域中的电路配线或对准标记的配置方面的约束可以缓和，并且在基板上的应力可以减小。
引用文献列表
专利文献
专利文献1：JP 2011-96851A
发明内容
技术问题
然而，当将诸如滤色片(CF)材料等有机材料涂布到图1所示的固态成像装置时，由于周边区域和配线区之间的高度差或者配线区域和像素区域之间的高度差，可能会发生有机材料的不均匀涂布。
有鉴于这种情况，完成了本技术，以减少有机材料的不均匀涂布。
问题的解决方案
根据本技术的第一方面，提供了一种固态成像装置，包括：基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；所述配线区域外侧的周边区域；和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。
所述膜在所述中间区域中的台阶部可以比所述中间区域的宽度的中心更靠近所述有效像素区域。
所述膜在所述中间区域中的台阶部可以比所述中间区域的宽度的中心更靠近所述配线区域。
所述膜在所述中间区域中的台阶部、在所述中间区域和所述配线区域之间的台阶部和/或在所述配线区域和所述周边区域之间的台阶部的平面形状可以具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部。
在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中，所述配线区域可以形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
所述高度调整元件可以在所述周边区域和/或所述中间区域中形成在所述邻近区域中。
当所述配线区域的平面形状具有至少一个间隙时，所述高度调整元件可以被形成为连接所述间隙。
所述高度调整元件可以使得所述邻近区域的截面高度与所述配线区域的截面高度大致相同或者大于或等于所述配线区域的截面高度，并且使得包括至少所述配线区域的区域的截面高度大于所述邻近区域的截面高度。
所述高度调整元件的平面形状可以具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部。
截面高度小于所述有效像素区域的截面高度的凹部可以形成在所述膜的在所述中间区域中与所述有效像素区域具有相同截面高度的区域中。
截面高度与所述有效像素区域相同的凹部可以形成在所述膜的在所述中间区域中与所述周边区域具有相同截面高度的区域中。
还可以包括在所述有效像素区域中的遮光膜，所述遮光膜具有对应于所述各有效像素的光电转换单元的开口。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度可以小于所述遮光膜的截面高度。
根据本技术的第一方面，提供了一种制造固态成像装置的方法，所述固态成像装置包括基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，所述配线区域外侧的周边区域，和在所述基板上形成的膜，所述方法包括以下步骤：使所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且使所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。
根据本技术的第一方面，提供了一种电子设备，包括：固态成像装置，包括基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，所述配线区域外侧的周边区域，和在所述基板上形成的膜，其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间；和处理从所述固态成像装置输出的输出信号的信号处理电路。
根据本技术的第一方面，在所述基板上形成的所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。
根据本技术的第二方面，提供了一种固态成像装置，包括：基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；所述配线区域外侧的周边区域；和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域和所述周边区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度。在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中，形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
所述高度调整元件可以在所述周边区域和/或所述有效像素区域中形成在所述邻近区域中。
当所述配线区域的平面形状具有至少一个间隙时，所述高度调整元件可以被形成为连接所述间隙。
所述高度调整元件可以使得所述邻近区域的截面高度与所述配线区域的截面高度大致相同或者大于或等于所述配线区域的截面高度，并且使得包括至少所述配线区域的区域的截面高度大于所述邻近区域的截面高度。
所述高度调整元件的平面形状可以具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部。
截面高度小于所述有效像素区域的截面高度的凹部可以形成在所述膜的夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域中。
还可以包括在所述有效像素区域中的遮光膜，所述遮光膜具有对应于所述各有效像素的光电转换单元的开口。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度可以小于所述遮光膜的截面高度。
根据本技术的第二方面，提供了一种制造固态成像装置的方法，所述固态成像装置包括基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，所述配线区域外侧的周边区域，和在所述基板上形成的膜，所述方法包括以下步骤：使所述膜在所述有效像素区域和所述周边区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度；和在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中形成使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
根据本技术的第二方面，提供了一种电子设备，包括：固态成像装置，包括基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，所述配线区域外侧的周边区域，和在所述基板上形成的膜，其中所述膜在所述有效像素区域和所述周边区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，和其中，在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中，形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件；和处理从所述固态成像装置输出的输出信号的信号处理电路。
根据本技术的第二方面，在所述基板上形成的所述膜在所述有效像素区域和所述周边区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度。在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中，形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
发明的有益效果
根据本技术的第一和第二方面，可以减少有机材料的不均匀涂布。
附图说明
图1是示出常规的固态成像装置的构成例的截面图。
图2是示出本技术第一实施方案的固态成像装置的构成例的平面图。
图3是示出本技术第一实施方案的固态成像装置的构成例的截面图。
图4是说明制造固态成像装置的处理的流程图。
图5是示出固态成像装置的制造步骤的截面图。
图6是示出固态成像装置的变形例的平面图。
图7是示出固态成像装置的变形例的平面图。
图8是示出固态成像装置的变形例的平面图。
图9是示出本技术第二实施方案的固态成像装置的构成例的截面图。
图10是示出配线区域的邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图11是示出配线区域的邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图12是示出配线区域的邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图13是示出配线区域的邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图14是示出配线区域的邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图15是说明制造固态成像装置的处理的流程图。
图16是示出固态成像装置的变形例的截面图。
图17是示出固态成像装置的变形例的截面图。
图18是示出配线区域和邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图19是示出固态成像装置的变形例的截面图。
图20是示出配线区域和邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图21是用于说明有机元件的角部的形状的图。
图22是示出配线区域和邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图23是示出配线区域和邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图24是示出配线区域和邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图25是示出配线区域和邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图26是示出配线区域和邻近区域中形成的有机元件的例子的图。
图27是示出固态成像装置的变形例的平面图。
图28是示出本技术第三实施方案的固态成像装置的构成例的截面图。
图29是示出中间区域中形成的凹部的例子的图。
图30是示出中间区域中形成的凹部的例子的图。
图31是示出固态成像装置的变形例的截面图。
图32是示出固态成像装置的变形例的截面图。
图33是示出中间区域中形成的凹部的例子的图。
图34是示出中间区域中形成的凹部的例子的图。
图35是示出本技术第四实施方案的固态成像装置的构成例的截面图。
图36是示出固态成像装置的详细构成例的截面图。
图37是示出固态成像装置的变形例的截面图。
图38是示出固态成像装置的变形例的截面图。
图39是示出固态成像装置的变形例的截面图。
图40是示出本技术第五实施方案的固态成像装置的构成例的截面图。
图41是示出本技术适用的固态成像装置的另一个构成例的平面图。
图42是示出本技术第六实施方案的电子设备的构成例的方块图。
具体实施方式
下面将参照附图说明本技术的实施方案。请注意，将按照以下顺序进行说明。
1.第一实施方案(多个截面高度的形成)
2.第二实施方案(高度调整元件的形成)
3.第三实施方案(凹部的形成)
4.第四实施方案(绝缘膜厚度的减小)
5.第五实施方案(前面照射型固态成像装置)
6.第六实施方案(电子设备)
<1.第一实施方案>
(固态成像装置的构成例)
图2是示出本技术第一实施方案的固态成像装置的构成例的平面图。
图2的固态成像装置20是具有三维结构的背面照射型互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其包括其上形成有多个像素的传感器基板21和在电路基板被放置在传感器基板21的顶部上时贴合到传感器基板21上的电路基板(未示出)。请注意，固态成像装置20可以是前面照射型CMOS图像传感器或电荷耦合器件(CCD)图像传感器。
传感器基板21的一个表面是光接收面。在光接收面内，设置有其中用于获得捕获图像的有效像素以矩阵状二维配置的有效像素区域31。各有效像素具有包括光电转换单元、电荷累积单元、多个晶体管、电容器等的像素电路。像素电路的一部分设置在作为传感器基板的光接收面的相对侧的前表面上。请注意，多个像素可以共享像素电路的一部分。
此外，在传感器基板21在有效像素区域31周围包括设置有将传感器基板21和电路基板电气连接在一起的连接电极和与连接电极连接的配线的配线区域32，还包括在配线区域32外侧的周边区域33。在本实施方案中，配线区域32形成为包围分开的矩形有效像素区域31的矩形形状。
请注意，在传感器基板21中，用于获得黑电平的光学黑像素(OPB像素)设置在夹于有效像素区域31和配线区域32之间的中间区域34中。此外，作为不同截面高度之间的边界的台阶部34a设置在中间区域34中。
(固态成像装置的截面图)
图3是示出沿着图2的线A-A’的固态成像装置20的截面图。请注意，图3的固态成像装置20处于制造过程中的状态下，具体地，在涂布滤色片(CF)之前的状态下。
图3的固态成像装置20包括传感器基板21、贴合到传感器基板21的光接收面的相对面的电路基板41、将传感器基板21和电路基板41电气连接在一起的作为连接电极的通孔42和与通孔42连接的配线(未示出)。
传感器基板21包括在有效像素区域31中以矩阵状二维配置的有效像素和在中间区域34中的OPB像素。
电路基板41包括用于驱动设置在传感器基板21上的各像素的驱动电路。驱动电路通过通孔42与设置在传感器基板21上的各像素中包括的像素电路连接。
此外，在有效像素区域31和中间区域34中在传感器基板21上例如由钨(W)形成遮光膜43。遮光膜43具有设置在有效像素区域31的形成各有效像素的光电转换单元的区域中的多个开口43a，以遮住邻近像素之间的光。包括电极焊盘和配线的周边电路44在周边区域33中设置在传感器基板21上。
此外，在传感器基板21的受光面侧上由例如氧化硅(SiO2)形成绝缘膜45，使得通孔42、遮光膜43和周边电路44埋在绝缘膜45中。
绝缘膜45在配线区域32中最厚，在周边区域33和中间区域34的比台阶部34a更靠近配线区域32的区域中第二厚，在中间区域的比台阶部34a更靠近有效像素区域31的区域和有效像素区域31中最薄。具体地，在图3的固态成像装置20中，绝缘膜45在有效像素区域31中的截面高度小于绝缘膜45在配线区域32中的截面高度，并且绝缘膜45在周边区域33和中间区域34的比台阶部34a更靠近配线区域32的区域中的截面高度处于绝缘膜45在有效像素区域31中的截面高度与绝缘膜45在配线区域32中的截面高度之间。
根据上述结构，在周边区域33和配线区域32之间的高度差减小，并且在配线区域32和有效像素区域31之间设置多个台阶，因此，在诸如CF材料等有机材料的涂布时在台阶处发生的流体压力减小。这可以减少不均匀涂布，因此，涂布的有机材料可以具有均匀的厚度。
请注意，台阶部34a在中间区域34的宽度之间(即，在有效像素区域31的更靠近配线区域32的端部和配线区域32的更靠近有效像素区域31的端部之间)的位置处位于中间区域34中。这里，在有机材料的不均匀涂布降低和捕获图像的不均匀框或阴影的降低之间存在权衡关系，并且这种关系取决于台阶部34a在中间区域34中的位置。
具体地，如果在中间区域34中的台阶部34a比中间区域34的宽度的中心更靠近有效像素区域31，那么有机材料的不均匀涂布进一步降低。另一方面，如果在中间区域34中的台阶部34a比中间区域34的宽度的中心更靠近配线区域32，那么不均匀框或阴影进一步降低。
(制造固态成像装置的处理)
接着，参照图4和图5说明制造固态成像装置20的处理。图4是用于说明制造固体摄像装置20的处理的流程图。图5是在制造的步骤中固态成像装置20的断面图。
请注意，在下面的说明中，直到通孔42、遮光膜43和周边电路44形成在传感器基板21的受光面侧的处理按通常进行，因此，将不再进行说明，对随后的处理进行说明。
具体地，在步骤S11中，如图5A所示，在传感器基板21的光接收面侧上形成绝缘膜45，使得通孔42、遮光膜43和周边电路44埋在绝缘膜45中。
在步骤S12中，如图5B所示，在配线区域32中形成抗蚀剂图案61。
在步骤S13中，使用抗蚀剂图案61作为掩模进行蚀刻处理。其结果是，如图5C所示，在形成抗蚀剂图案61的区域之外的区域(即，有效像素区域31、周边区域33和中间区域34)中绝缘膜45被蚀刻。
在步骤S14中，如图5D所示，在配线区域32中形成抗蚀剂图案62。
在步骤S15中，使用抗蚀剂图案62作为掩模进行蚀刻处理。其结果是，如图5E所示，在形成抗蚀剂图案62的区域之外的区域(即，有效像素区域31和中间区域34的一部分)中绝缘膜45被蚀刻。
在步骤S16中，在绝缘膜45上涂布绿色CF材料。此外，在步骤S17中，涂布红色CF材料，在步骤S18中，涂布蓝色CF材料。
其后，在步骤S19中，针对有效像素区域31的各有效像素形成片上透镜，并且制造固态成像装置20的处理结束。
这里，在上述处理中，假设通过蚀刻绝缘膜45在不同的区域形成不同的截面高度。可选择地，通过蚀刻在传感器基板21上形成的平坦化膜、保护膜等可以形成不同的截面高度。
根据上述处理，在周边区域33和配线区域32之间的高度差减小，并且在配线区域32和有效像素区域31之间设置多个台阶，因此，在诸如CF材料等有机材料的涂布时在台阶处发生的流体压力减小。这可以减少不均匀涂布，因此，涂布的有机材料可以具有均匀的厚度。
请注意，在上述处理中，假设使用抗蚀剂图案61或抗蚀剂图案62作为掩模蚀刻的区域具有矩形平面形状。可选择地，蚀刻可以进行使得矩形的角部具有圆角形状。
例如，如果使用抗蚀剂图案62作为掩模蚀刻的矩形区域的角部具有圆角形状，那么在中间区域34中台阶部34a的平面形状的角部具有圆角形状，如图6所示。
此外，如果使用抗蚀剂图案61作为掩模蚀刻的矩形区域的内侧角部(更靠近有效像素区域31)具有圆角形状，那么在配线区域32和中间区域34之间的台阶部的平面形状的角部具有圆角形状，如图7所示。
此外，如果使用抗蚀剂图案61作为掩模蚀刻的矩形区域的外侧角部(更靠近周边区域33)具有圆角形状，那么在配线区域32和周边区域33之间的台阶部的平面形状的角部具有圆角形状，如图8所示。请注意，在配线区域32和周边区域33之间的台阶部的平面形状的角部可以通过切割角部而具有圆角形状。
这样，通过使台阶部的平面形状的角部具有圆角形状，流动和撞击角部的有机材料可以顺畅地流动，因此，不均匀涂布可以进一步降低。
请注意，通过蚀刻使台阶部的平面形状的一部分具有圆角形状的处理可以对参照图6～图8说明的所有台阶部进行，或者可以对任一个台阶部进行。
此外，并非矩形台阶部的所有角部(四角)都需要具有圆角形状。预定台阶部的任一个角部可以具有圆角形状，这取决于涂布CF材料的方向。
<2.第二实施方案>
(固态成像装置的构成例)
图9是示出本技术第二实施方案的固态成像装置的构成例的截面图。
请注意，在图9的截面图中，与图3的截面图相同的部分由相同的名称和相同的附图标记表示，并且除非必要将不再说明。
在图9所示的固态成像装置100中，与图1的固态成像装置同样，绝缘膜45在周边区域33和中间区域34中的截面高度与绝缘膜45在有效像素区域31中的截面高度相同。此外，在与配线区域32邻近的区域(以下，称作邻近区域)中，形成作为用于使邻近区域的截面高度与配线区域32的截面高度大致相同的高度调整元件的有机元件101a和101b。
具体地，如图10所示，有机元件101a和101b形成在周边区域33和中间区域34的邻近区域中，以增加具有凸形截面的延伸配线区域32的宽度。有机元件101a和101b与绝缘膜45相同例如由氧化硅(SiO2)形成。
这样，通过增加具有凸形截面的配线区域32的宽度，在有机材料的涂布时的不均匀涂布可以降低，因此，涂布的有机材料可以具有均匀的厚度。
请注意，如图11所示，在配线区域32的平面形状的角部形成的有机元件101a和101b可以具有圆角形状。圆角形状可以具有例如500μm以上的曲率。这使得流动并撞击角部的有机材料顺畅地流动，因此，不均匀涂布可以进一步降低。
尽管在图11中有机元件101a和101b都具有呈圆角形状的角部，但是有机元件101a和101b中的任一个可以具有呈圆角形状的角部。
此外，如图12所示，当配线区域32的平面形状在其一部分(图12中的角部)具有间隙(不连续部分)时，有机元件102可以形成作为邻近区域以连接该间隙。
这样，通过连接配线区域32的平面形状的间隙，在诸如CF材料等有机材料的涂布时将在间隙中发生的流体流动的扰乱被降低，因此，不均匀涂布可以进一步降低。
请注意，如图13所示，在配线区域32的平面形状的间隙中形成的有机元件102可以形成为具有圆角形状。圆角形状可以具有例如500μm以上的曲率。这使得流动并撞击角部的有机材料顺畅地流动，因此，不均匀涂布可以进一步降低。
尽管在图13中有机元件102的内侧和外侧角部都具有圆角形状，但是有机元件102的内侧和外侧角部的任一个可以具有圆角形状。
请注意，图12或图13所示的构成可以与图10或图11的构成组合，以增加配线区域32的宽度。
此外，如图14所示，可以形成点状的有机元件103以填充配线区域32的平面形状的间隙。在这种情况下，例如，各点具有2μm以上的直径，并且各点之间的间隔为5μm以上。请注意，点的形状不限于圆形，可以是矩形、三角形等。
请注意，在上述构成中，在配线区域32的截面高度和邻近区域的截面高度之间的差希望在±400μm的范围内。
(制造固态成像装置的处理)
接着，参照图15的流程图说明制造固态成像装置100的处理。
请注意，图15的流程图的步骤S31和S34～S37的处理与图4的流程图的步骤S11和S16～S19的处理类似，因此，不再进行说明。
具体地，在步骤S32中，在配线区域32和邻近区域中形成抗蚀剂图案。
其后，在步骤S33中，使用形成的抗蚀剂图案作为掩模进行蚀刻处理。这里，对绝缘膜45进行蚀刻，使得在最终的有效像素区域31中的截面高度与在邻近区域以外的周边区域33和中间区域34中的截面高度相同。
根据上述处理，有机元件形成在配线区域32的邻近区域中，这样，如上所述，在诸如CF材料等有机材料的涂布时的不均匀涂布可以降低，因此，涂布的有机材料具有均匀的厚度。
请注意，在配线区域32的邻近区域中形成的有机元件可以由例如绿色CF材料形成。在这种情况下，在图15的流程图的步骤S32中，抗蚀剂图案仅形成在配线区域中，并且在步骤S34中的绿色CF材料涂布之前，有机元件使用绿色CF材料在配线区域32的邻近区域中形成。
此外，如图16所示，在第一实施方案的固态成像装置20中，有机元件101a和101b可以形成在配线区域32的邻近区域(周边区域33和中间区域34)中，或者尽管未示出，但是有机元件可以形成在配线区域32的平面形状的间隙中。这样可以进一步降低有机材料的不均匀涂布。
此外，如图17所示，作为高度调整元件，可以形成有机元件111，使得邻近区域中的截面高度与配线区域32中的截面高度大致相同，并且此外，使得至少包括配线区域32的区域中的截面高度大于邻近区域中的截面高度。具体地，图17的固体摄像装置100是在图9的固态成像装置100中使得至少包括配线区域32的区域中的截面高度大于邻近区域中的截面高度的凸部(有机元件)设置在包括配线区域32的区域上。
请注意，在图17的固态成像装置100中，邻近区域中的截面高度可以与配线区域32中的截面高度大致相同，或者可以大于或等于配线区域32中的截面高度(请注意，邻近区域中的截面高度可以小于包括配线区域32的区域中的截面高度)。
这样，通过在周边区域33和配线区域32之间以及在配线区域32和有效像素区域31之间设置多个台阶，不均匀涂布可以降低。
请注意，与图11中相同，如图18所示，有机元件111可以形成为具有呈圆角形状的角部。这使得流动和撞击有机元件111的角部的有机材料顺畅地流动，因此，不均匀涂布可以进一步降低。
尽管在图18中有机元件111的内侧和外侧角部都具有圆角形状，但是有机元件111的内侧和外侧角部的任一个可以具有圆角形状。
请注意，当有机元件111例如由与绝缘膜45相同的材料形成时，有机元件111形成如下。在图15的流程图的步骤S31中形成绝缘膜45之后，在包括配线区域32的区域(截面高度最大的区域)中形成抗蚀剂图案，进行蚀刻处理，并且进行步骤S32的处理和后续处理。
此外，如图19所示，在第一实施方案的固态成像装置20中，可以形成有机元件111。其结果是，在配线区域32和有效像素区域31之间设置多个台阶，因此，有机材料的不均匀涂布可以进一步降低。
此外，在图19所示的构成中，如图20所示，有机元件111可以形成为具有呈圆角形状的角部。这使得流动和撞击有机元件111的角部的有机材料顺畅地流动，因此，不均匀涂布可以进一步降低。
尽管在图20中有机元件111的内侧和外侧角部都具有圆角形状，但是有机元件111的内侧和外侧角部的任一个可以具有圆角形状。
此外，在上述情况中，并非有机元件的所有角部(四角)都需要具有圆角形状。有机元件的任一个角部可以具有圆角形状，这取决于涂布CF材料的方向。
在上述情况中，有机元件的角部具有圆角形状，以降低不均匀涂布。然而，如果针对对准标记或配线的配置存在约束，那么不可能使有机元件的角部具有曲率有效地降低不均匀涂布的圆角形状。
例如，如图21的左侧所示，当有机元件111在配线区域32和对准标记(未示出)的配置的约束下形成时，如上所述，如果有机元件111的角部具有例如曲率500μm以上的圆角形状，那么有机元件111不形成在作为配线区域32的一部分的区域32a上。
请注意，如果有机元件由例如绿色CF材料形成，那么有机元件用作减少耀斑或重影的防反射膜。为了改善作为防反射膜的功能，希望形成具有尽可能大的面积的有机元件。然而，如果有机元件具有呈圆角形状的角部，那么面积大大降低。
因此，在下面的说明中，即使存在针对对准标记、配线等的配置的约束或者有机元件用作防反射膜，也说明有用的有机元件的例子。请注意，作为有机元件，举例说明图17所示的有机元件111。
(有机元件的变形例)
首先，如图22所示，有机元件111可以形成为具有被斜切而具有斜面形状的角部。在图22中，从上方观察，有机元件111的角部沿着与形成角部的两边以45°相交的直线切割，两个新形成的角部具有135°的角度。斜切部分的长度为例如200μm以下。这使得流动并撞击角部的有机材料顺畅地流动，因此，不均匀涂布可以进一步降低。
请注意，从上方观察，有机元件111的角部沿着其切割的直线的角度(斜率)不限于45°。此外，通过斜切而新形成的角部可以进一步斜切。通过重复地进行斜切，角部的形状可以接近圆角形状。
此外，如图23所示，从上方观察，有机元件111的角部可以沿着之字形线切割，该之字形线沿着与形成角部的两边以45°相交的直线延伸。该之字形线是方向以预定角度交替变化(例如，90°)的极短直线(例如，10μm以下的直线)重复的三角波状的之字形线。在这种情况下，从宏观观察，有机元件111的角部是与图22的例子相同的沿着直线斜切的角部。
请注意，如果有机元件111的角部沿着其切割的之字形线沿着具有预定曲率的圆弧状曲线延伸，那么有机元件111的角部从宏观观察可以与图17的例子相同具有圆角形状。
此外，如图24所示，从上方观察，有机元件111的角部可以沿着与形成角部的两边以45°相交的直线切割，该直线的一部分是曲线。可选择地，如图25所示，从上方观察，有机元件111的角部可以沿着与形成角部的两边以45°相交的直线切割，该直线的一部分是之字形线。
此外，如图21的左侧所示，在针对对准标记的约束下具有之字形状角部的有机元件111中，如图26所示，角部可以被斜切，使得各角部弯曲以形成波形状。
请注意，上述变形例不限于图17中所示的有机元件111，可以适用于图9和图16所示的有机元件101a和101b、图13所示的有机元件102以及图19所示的有机元件111。
此外，在第一实施方案中，在中间区域34中的台阶部34a的平面形状的角部(图6)、在配线区域32和中间区域34之间的台阶部的平面形状的角部(图7)以及在配线区域32和周边区域33之间的台阶部的平面形状的角部(图8)具有圆角形状。可选择地，这些台阶部的平面形状的角部中的至少一个可以具有参照图22～图26说明的斜面形状。
具体地，例如，如图27所示，在配线区域32和周边区域33之间的台阶部的平面形状的角部可以斜切成斜面形状。
这使得流动并撞击台阶部中的角部的有机材料顺畅地流动，因此，不均匀涂布可以进一步降低。
<3.第三实施方案>
(固态成像装置的构成例)
图28是示出本技术第三实施方案的固态成像装置的构成例的截面图。
请注意，在图28的截面图中，与图3的截面图相同的部分由相同的名称和相同的附图标记表示，并且除非必要将不再说明。
在图28所示的固态成像装置130中，截面高度小于有效像素区域31的凹部131形成在绝缘膜45的在中间区域34中与有效像素区域31具有相同截面高度的区域中。
具体地，如图29所示，凹部131形成在中间区域34中，沿着分开的矩形有效像素区域31的边延伸。
这样，通过在中间区域34中设置凹部131，当涂布诸如CF材料等有机材料时，由于在台阶部34a附近的中间区域34中保持的流体而发生的有机材料的倾斜可以变得平坦，因此，涂布的有机材料可以具有均匀的厚度。
特别地，在流体被容易地保持的台阶部34a的平面形状的角部附近，如图29所示，凹部131可以具有大的矩形角部。可选择地，如图30所示，凹部131的角部的内侧可以具有圆角形状。
请注意，凹部131在图4的流程图的步骤S15中形成如下。在有效像素区域31和作为中间区域34的一部分的区域中蚀刻绝缘膜45之后，在凹部131以外的区域中形成抗蚀剂图案，并且再次进行蚀刻处理。
此外，如图31所示，凹部131可以形成在第二实施方案的固态成像装置100中。
此外，像图32所示的固态成像装置150那样，截面高度与有效像素区域31相同的凹部151可以形成在绝缘膜45的在中间区域34中截面高度与周边区域33相同的区域中。
此外，在这种情况下，与图29相同，如图33所示，凹部151形成在中间区域34中，沿着分开的矩形有效像素区域31(台阶部34a)的边延伸。
这样，通过在中间区域34中设置凹部151，当涂布诸如CF材料等有机材料时，由于在配线区域32和中间区域34之间的台阶部附近的中间区域34中保持的流体而发生的有机材料的倾斜可以变得平坦，因此，涂布的有机材料可以具有均匀的厚度。
特别地，在流体被容易地保持的台阶部34a的平面形状的角部附近，如图33所示，凹部151可以具有大的矩形角部。可选择地，如图34所示，凹部151的角部的内侧可以具有圆角形状。
请注意，凹部151在图4的流程图的步骤S15中形成如下。在有效像素区域31和作为中间区域34的一部分的区域中蚀刻绝缘膜45，并且此外，蚀刻出凹部151。
请注意，在上述本实施方案的固态成像装置中，在各区域中的台阶部的平面形状的至少一个角部可以具有圆角形状或斜面形状。此外，在本实施方案的固态成像装置中，如第二实施方案的固态成像装置中那样，可以设置有机元件，并且有机元件的至少一个角部可以具有圆角形状或斜面形状。
<4.第四实施方案>
(固态成像装置的构成例)
图35是示出本技术第四实施方案的固态成像装置的构成例的截面图。
请注意，在图35的截面图中，与图3的截面图相同的部分由相同的名称和相同的附图标记表示，并且除非必要将不再说明。
在图35所示的固态成像装置160中，与图1的固态成像装置同样，绝缘膜45在有效像素区域31中的截面高度小于绝缘膜45在配线区域32中的截面高度，并且绝缘膜45在周边区域33和中间区域34的比台阶部34a更靠近配线区域32的区域中的截面高度处于绝缘膜45在有效像素区域31中的截面高度与绝缘膜45在配线区域32中的截面高度之间。此外，绝缘膜45在有效像素区域31中的截面高度小于具有对应于各有效像素的光电转换单元的开口43a的遮光膜43的截面高度。
图36是用于将第一实施方案的固态成像装置的截面与本实施方案的固态成像装置的截面相比较的图。
在图36A所示的第一实施方案的固态成像装置和图36B所示的本实施方案的固态成像装置中，除了图1和图35的构成之外，防反射膜161在传感器基板21和遮光膜43之间形成，透明保护膜162在有效像素区域31和中间区域34中在绝缘膜45上形成。
此外，在图36A和图36B中，光电转换单元163、滤色片164和片上透镜165针对各有效像素设置。
这里，与图36A所示的第一实施方案的固态成像装置相比，在图36B所示的本实施方案的固态成像装置中，在有效像素区域31中绝缘膜45的厚度更小，因此，各有效像素的感度可以得到改善。此外，光电转换单元163和滤色片164之间的距离可以减小，因此，对混色的耐性可以得到改善。
请注意，本实施方案的绝缘膜45形成如下。在图4的流程图的步骤S13中，当对绝缘膜45进行蚀刻(干蚀刻)加工时，在遮光膜43的露出被检测到作为终点检测器(EPD)的终点的情况下，蚀刻加工结束。
其结果是，可以吸收绝缘膜45之下的层厚的变化或者当遮光膜43的露出未被检测到作为EPD的终点时的蚀刻加工的变化，因此，可以制造不随晶片不同而变化的固态成像装置。
请注意，代替图36B所示的构成，本实施方案的固态成像装置可以例如具有其中如图37所示的绝缘膜45形成为覆盖由于蚀刻加工而露出的遮光膜43的构成。
此外，本实施方案的固态成像装置可以具有其中如图38A所示的透明保护膜162形成为覆盖通孔42(配线区域32)上方的绝缘膜45的构成或者其中如图38B所示的透明保护膜162未形成的构成。当透明保护膜162未形成时，滤色片164使用助粘剂形成在绝缘膜45上。
此外，如图39所示，在第二实施方案的固态成像装置100中，绝缘膜45在有效像素区域31和中间区域34中的截面高度可以小于遮光膜43的截面高度。请注意，在这种情况下，如图39所示，周边区域33的截面高度可以与有效像素区域31和中间区域34的截面高度相同，或者可以大于有效像素区域31和中间区域34的截面高度。
此外，本实施方案的固态成像装置可以适用于第二至第四实施方案的固态成像装置。
尽管在上述说明中对本技术适用于背面照射型CMOS图像传感器的构成进行了说明，但是本技术可以适用于诸如前面照射型CMOS图像传感器或CCD图像传感器等固态成像装置。
<5.第五实施方案>
(固态成像装置的构成例)
图40是示出本技术第五实施方案的固态成像装置的构成例的截面图。
请注意，假设图40所示的固态成像装置170具有类似于图2所示的固态成像装置20的平面构成。
固态成像装置170被构成为所谓的前面照射型CMOS图像传感器。图40的固态成像装置170包括传感器基板171、形成在传感器基板171的光接收面上的绝缘膜172和形成在绝缘膜172上的透明保护膜173。
传感器基板171包括在有效像素区域31中针对以矩阵状二维配置的有效像素的光电转换单元174。此外，在有效像素区域31中，滤色片175和片上透镜176针对各有效像素形成在透明保护膜173上。
此外，绝缘膜172还包括在有效像素区域31和配线区域32中的铜配线177和在配线区域32中的Al配线178。
绝缘膜172在配线区域32中最厚，在中间区域34的比台阶部34a更靠近配线区域32的区域中第二厚，在中间区域34的比台阶部34a更靠近有效像素区域31的区域和有效像素区域31中最薄。具体地，在图40的固态成像装置170中，绝缘膜172在有效像素区域31中的截面高度小于绝缘膜172在配线区域32中的截面高度，绝缘膜172在中间区域34的比台阶部34a更靠近配线区域32的区域中的截面高度处于绝缘膜172在有效像素区域31中的截面高度与绝缘膜172在配线区域32中的截面高度之间。
其结果是，在配线区域32和有效像素区域31之间设置多个台阶，因此，在诸如CF材料等有机材料的涂布时不均匀涂布可以降低，并且涂布的有机材料可以具有均匀的厚度。
请注意，上述第一至第五实施方案的固态成像装置也适用于其中如图2所示的固态成像装置20那样的配线区域32设置在有效像素区域31的外侧的构成以及其中如图41所示的固态成像装置180那样的配线区域32设置在有效像素区域31的内侧的构成。
请注意，本技术不限于适用到检测入射到装置而捕获图像的可见光的量的分布的固态成像装置，也适用于捕获入射到装置的红外光、X射线、粒子等的量的分布的固态成像装置。
此外，本技术不限于以行为单位顺次扫描像素区域中的单位像素以从各单元像素读出像素信号的固态成像装置。本技术也适用于以像素为单位选择任意的像素并以像素为单位从选择的像素读取信号的X-Y寻址型固态成像装置。请注意，固态成像装置可以形成为单个芯片，或者可以是具有成像功能的模块的形式，其中像素单元和信号处理单元或光学系统与固态成像装置封装在一起。
此外，本技术不限于适用于固态成像装置，还适用于成像装置。这里，成像装置是指诸如数字静态相机、数字摄像机等相机系统或者诸如移动电话等具有成像功能的电子设备。请注意，成像装置还可以指电子设备中包含的模块的模式，即，相机模块。
<6.第六实施方案>
(电子设备的构成例)
这里，参照图42说明本技术第六实施方案的电子设备的构成例。
图42所示的电子设备200包括本技术适用的固态成像装置201、光学透镜202、快门装置203、驱动电路204和信号处理电路205。图42示出上述本技术第一实施方案的固态成像装置20在电子设备中设置作为固态成像装置201的情况的实施方案(数字静态相机)。
光学透镜202使来自被写体的图像光(入射光)在固态成像装置201的成像面上聚焦。其结果是，信号电荷在固态成像装置201中累积预定时间。快门装置203控制相对于固态成像装置201的光照射时间和遮光时间。
驱动电路204提供用于控制固态成像装置201的信号传输操作和快门装置203的快门操作的驱动信号。固态成像装置201根据从驱动电路204供给的驱动信号(定时信号)进行信号传输。信号处理电路205对从固态成像装置201输出的信号进行各种信号处理。已经进行过信号处理的视像信号存储在诸如存储器等存储介质中，或者输出到监视器。
在本实施方案的电子设备200中，在固态成像装置201中不均匀涂布可以降低，其结果是，图像质量得到提高。
请注意，本技术的实施方案不限于上述实施方案，可以在不背离本技术的范围或精神内进行各种变化。
此外，本技术也可以如下构成。
(1)一种固态成像装置，包括：
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；
所述配线区域外侧的周边区域；和
在所述基板上形成的膜，
其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。
(2)如(1)所述的固态成像装置，
其中所述膜在所述中间区域中的台阶部比所述中间区域的宽度的中心更靠近所述有效像素区域。
(3)如(1)所述的固态成像装置，
其中所述膜在所述中间区域中的台阶部比所述中间区域的宽度的中心更靠近所述配线区域。
(4)如(1)～(3)中任一项所述的固态成像装置，
其中所述膜在所述中间区域中的台阶部、在所述中间区域和所述配线区域之间的台阶部和/或在所述配线区域和所述周边区域之间的台阶部的平面形状具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部。
(5)如(1)所述的固态成像装置，
其中，在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中，形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
(6)如(5)所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件在所述周边区域和/或所述中间区域中形成在所述邻近区域中。
(7)如(5)或(6)所述的固态成像装置，
其中当所述配线区域的平面形状具有至少一个间隙时，所述高度调整元件被形成为连接所述间隙。
(8)如(5)所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件使得所述邻近区域的截面高度与所述配线区域的截面高度大致相同或者大于或等于所述配线区域的截面高度，并且使得包括至少所述配线区域的区域的截面高度大于所述邻近区域的截面高度。
(9)如(5)～(8)中任一项所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件的平面形状具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部。
(10)如(1)～(8)中任一项所述的固态成像装置，
其中截面高度小于所述有效像素区域的截面高度的凹部形成在所述膜的在所述中间区域中与所述有效像素区域具有相同截面高度的区域中。
(11)如(1)所述的固态成像装置，
其中截面高度与所述有效像素区域相同的凹部形成在所述膜的在所述中间区域中与所述周边区域具有相同截面高度的区域中。
(12)如(1)～(10)中任一项所述的固态成像装置，还包括：
在所述有效像素区域中的遮光膜，所述遮光膜具有对应于所述各有效像素的光电转换单元的开口，
其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述遮光膜的截面高度。
(13)一种制造固态成像装置的方法，所述固态成像装置包括
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，
所述配线区域外侧的周边区域，和
在所述基板上形成的膜，
所述方法包括以下步骤：
使所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且使所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。
(14)一种电子设备，包括：
固态成像装置，包括
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，
所述配线区域外侧的周边区域，和
在所述基板上形成的膜，
其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间；和
处理从所述固态成像装置输出的输出信号的信号处理电路。
(15)一种固态成像装置，包括：
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；
所述配线区域外侧的周边区域；和
在所述基板上形成的膜，
其中所述膜在所述有效像素区域和所述周边区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，和
其中，在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中，形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
(16)如(15)所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件在所述周边区域和/或所述有效像素区域中形成在所述邻近区域中。
(17)如(15)所述的固态成像装置，
其中当所述配线区域的平面形状具有至少一个间隙时，所述高度调整元件被形成为连接所述间隙。
(18)如(15)所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件使得所述邻近区域的截面高度与所述配线区域的截面高度大致相同或者大于或等于所述配线区域的截面高度，并且使得包括至少所述配线区域的区域的截面高度大于所述邻近区域的截面高度。
(19)如(15)～(18)中任一项所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件的平面形状具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部。
(20)如(15)所述的固态成像装置，
其中截面高度小于所述有效像素区域的截面高度的凹部形成在所述膜的夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域中。
(21)如(15)～(19)中任一项所述的固态成像装置，还包括：
在所述有效像素区域中的遮光膜，所述遮光膜具有对应于所述各有效像素的光电转换单元的开口，
其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述遮光膜的截面高度。
(22)一种制造固态成像装置的方法，所述固态成像装置包括
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，
所述配线区域外侧的周边区域，和
在所述基板上形成的膜，
所述方法包括以下步骤：
使所述膜在所述有效像素区域和所述周边区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度；和
在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中形成使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
(23)一种电子设备，包括：
固态成像装置，包括
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，
所述配线区域外侧的周边区域，和
在所述基板上形成的膜，
其中所述膜在所述有效像素区域和所述周边区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，和
其中，在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中，形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件；和
处理从所述固态成像装置输出的输出信号的信号处理电路。
附图标记列表
20                        固态成像装置
21                        传感器基板
31                        有效像素区域
32                        配线区域
33                        周边区域
34                        中间区域
34a                       台阶部
42                        通孔
45                        绝缘膜
100                       固态成像装置
101a，101b，102，103，111 有机元件
130                       固态成像装置
131                       凹部
150   固态成像装置
151   凹部
160   固态成像装置
170   固态成像装置
180   固态成像装置

Claims (23)

1.一种固态成像装置，包括：
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；
所述配线区域外侧的周边区域；和
在所述基板上形成的膜，
其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。
2.如权利要求1所述的固态成像装置，
其中所述膜在所述中间区域中的台阶部比所述中间区域的宽度的中心更靠近所述有效像素区域。
3.如权利要求1所述的固态成像装置，
其中所述膜在所述中间区域中的台阶部比所述中间区域的宽度的中心更靠近所述配线区域。
4.如权利要求1所述的固态成像装置，
其中所述膜在所述中间区域中的台阶部、在所述中间区域和所述配线区域之间的台阶部和/或在所述配线区域和所述周边区域之间的台阶部的平面形状具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部。
5.如权利要求1所述的固态成像装置，
其中，在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中，形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
6.如权利要求5所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件在所述周边区域和/或所述中间区域中形成在所述邻近区域中。
7.如权利要求5所述的固态成像装置，
其中当所述配线区域的平面形状具有至少一个间隙时，所述高度调整元件被形成为连接所述间隙。
8.如权利要求5所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件使得所述邻近区域的截面高度与所述配线区域的截面高度大致相同或者大于或等于所述配线区域的截面高度，并且使得包括至少所述配线区域的区域的截面高度大于所述邻近区域的截面高度。
9.如权利要求5所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件的平面形状具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部。
10.如权利要求1所述的固态成像装置，
其中截面高度小于所述有效像素区域的截面高度的凹部形成在所述膜的在所述中间区域中与所述有效像素区域具有相同截面高度的区域中。
11.如权利要求1所述的固态成像装置，
其中截面高度与所述有效像素区域相同的凹部形成在所述膜的在所述中间区域中与所述周边区域具有相同截面高度的区域中。
12.如权利要求1所述的固态成像装置，还包括：
在所述有效像素区域中的遮光膜，所述遮光膜具有对应于所述各有效像素的光电转换单元的开口，
其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述遮光膜的截面高度。
13.一种制造固态成像装置的方法，所述固态成像装置包括
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，
所述配线区域外侧的周边区域，和
在所述基板上形成的膜，
所述方法包括以下步骤：
使所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且使所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。
14.一种电子设备，包括：
固态成像装置，包括
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，
所述配线区域外侧的周边区域，和
在所述基板上形成的膜，
其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间；和
处理从所述固态成像装置输出的输出信号的信号处理电路。
15.一种固态成像装置，包括：
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；
所述配线区域外侧的周边区域；和
在所述基板上形成的膜，
其中所述膜在所述有效像素区域和所述周边区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，和
其中，在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中，形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
16.如权利要求15所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件在所述周边区域和/或所述有效像素区域中形成在所述邻近区域中。
17.如权利要求15所述的固态成像装置，
其中当所述配线区域的平面形状具有至少一个间隙时，所述高度调整元件被形成为连接所述间隙。
18.如权利要求15所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件使得所述邻近区域的截面高度与所述配线区域的截面高度大致相同或者大于或等于所述配线区域的截面高度，并且使得包括至少所述配线区域的区域的截面高度大于所述邻近区域的截面高度。
19.如权利要求15所述的固态成像装置，
其中所述高度调整元件的平面形状具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部。
20.如权利要求15所述的固态成像装置，
其中截面高度小于所述有效像素区域的截面高度的凹部形成在所述膜的夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域中。
21.如权利要求15所述的固态成像装置，还包括：
在所述有效像素区域中的遮光膜，所述遮光膜具有对应于所述各有效像素的光电转换单元的开口，
其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述遮光膜的截面高度。
22.一种制造固态成像装置的方法，所述固态成像装置包括
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，
所述配线区域外侧的周边区域，和
在所述基板上形成的膜，
所述方法包括以下步骤：
使所述膜在所述有效像素区域和所述周边区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度；和
在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中形成使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
23.一种电子设备，包括：
固态成像装置，包括
基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中，
所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中，
所述配线区域外侧的周边区域，和
在所述基板上形成的膜，
其中所述膜在所述有效像素区域和所述周边区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，和
其中，在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中，形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件；和
处理从所述固态成像装置输出的输出信号的信号处理电路。
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