CN101834115B - 制造固态图像拾取装置的方法和固态图像拾取装置 - Google Patents
制造固态图像拾取装置的方法和固态图像拾取装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101834115B CN101834115B CN2009102624992A CN200910262499A CN101834115B CN 101834115 B CN101834115 B CN 101834115B CN 2009102624992 A CN2009102624992 A CN 2009102624992A CN 200910262499 A CN200910262499 A CN 200910262499A CN 101834115 B CN101834115 B CN 101834115B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- jog
- image pickup
- solid
- state image
- image pick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 abstract 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 13
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 210000004276 hyalin Anatomy 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007494 plate polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
本发明涉及制造固态图像拾取装置的方法和固态图像拾取装置。一种方法包括：制备盖构件；制备图像拾取元件，所述图像拾取元件包括：在主表面上包括具有多个光检测器的像素区域的基板；第一凹凸部分，所述第一凹凸部分包括被配置为将光聚集在所述多个光检测器上的多个第一凸部，所述第一凸部每一均具有透镜的形状；和围绕所述第一凹凸部分的第二凹凸部分，所述第二凹凸部分包括多个第二凸部；和使用固定构件将盖构件固定至所述图像拾取元件的区域，所述区域位于所述第一凹凸部分和所述第二凹凸部分之间。
Description
技术领域
本发明涉及一种制造固态图像拾取装置的方法。特别地，本发明涉及一种制造固态图像拾取装置的方法，该固态图像拾取装置包括固定至光检测器的盖构件。
背景技术
近年来，随着数字相机和移动电话的尺寸和厚度的减小，已经要求减小固态图像拾取装置的尺寸和厚度。
日本专利公开No.7-202152公开了一种固态图像拾取装置，其包括固态图像拾取元件芯片和密封该芯片的盖构件。由透明材料制成的该盖构件包括整体形成在该盖构件的下表面的边缘上的框架部分。日本专利公开No.2004-134672公开了一种固态图像拾取装置，其包括固态图像拾取元件和通过密封剂安装在该固态图像拾取元件上的透明基板。
这些装置包括在固态图像拾取元件的光检测器侧上形成的微透镜，每个微透镜与像素对应并且由具有数微米高度的凸部构成。近年来，已经要求减小固态图像拾取元件的像素区域外部的区域面积，以便于减小芯片尺寸和固态图像拾取元件的封装的尺寸。然而，在使用密封剂将透明基板安装在具有在光检测器侧上的微透镜的固态图像拾取元件上时，密封剂可能接触微透镜。如果密封剂接触微透镜，则密封剂可能因毛细管作用渗透到构成微透镜的凸部之间的空间中并且可能到达像素区域，这可能引起光学特性的劣化。
发明内容
根据本发明的一个方面，一种方法包括：制备盖构件；制备图像拾取元件，该图像拾取元件包括：在主表面上包括具有多个光检测器的像素区域的基板，包括被配置为将光聚集在所述多个光检测器上的多个第一凸部的第一凹凸部分，该凸部每一均具有透镜形状，和围绕该第一凹凸部分的第二凹凸部分，该第二凹凸部分包括多个第二凸部；和使用固定构件将盖构件固定至图像拾取元件的区域，该区域位于第一凹凸部分和第二凹凸部分之间。
通过下面参考附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将变得显而易见。
附图说明
图1A～1D是示出根据本发明实施例的制造固态图像拾取装置的方法的截面图。
图2A是根据本发明实施例的固态图像拾取装置的放大的截面图，并且图2B是其平面图。
图3A是根据本发明实施例的固态图像拾取装置的截面图，并且图3B是其平面图。
图4是根据本发明实施例的固态图像拾取装置的截面图。
图5A和5B是根据本发明实施例的固态图像拾取装置的截面图。
图6是根据本发明实施例的固态图像拾取装置的截面图。
图7A是根据本发明实施例的固态图像拾取装置的截面图，并且图7B是其平面图。
图8A和8B是根据本发明实施例的固态图像拾取装置的截面图，并且图8C是其平面图。
图9A是根据本发明实施例的固态图像拾取装置的截面图，并且图9B是其平面图。
具体实施方式
下面参考附图描述根据本发明实施例的制造固态图像拾取装置的方法和固态图像拾取装置。然而，本发明不限于实施例。
参考图1，描述了根据本发明的第一实施例的制造固态图像拾取装置的方法。
图1A是示出根据第一实施例的制造固态图像拾取装置1的方法中所包括的制备固态图像拾取元件2的步骤的截面图。如图1A中所示的，固态图像拾取元件2包括基板11、像素区域12和端子13。像素区域12包括设置于基板11的主表面上的多个光检测器。固态图像拾取元件2进一步包括设置于该像素区域上的滤色器14、设置于该滤色器上的平坦化层15、和设置于该平坦化层上的构成微透镜16的凸部。基板11是硅基板等。在基板11的主表面上形成的像素区域12包括多个像素，该像素由诸如CCD传感器或CMOS传感器的多个光检测器和开关构成。在本文中，像素区域12是指用于形成图像的像素。滤色器14被设置于包括像素区域12的基板11的主表面上。使用光刻法将配有红色、绿色和蓝色(RGB)的滤色器14布置在对应于像素的位置上。平坦化层15被设置于该滤色器上，使得其上可以均匀地形成微透镜16。如下制造该平坦化层上的微透镜16：使用光刻形成透明层，根据像素通过刻蚀对该层构图，通过诸如回流的方法熔化和加热该层，并通过表面张力的作用提供透镜形状。该微透镜用于将入射光聚集在光检测器上。可以通过将微透镜阵列接合到基板11来制作微透镜16，该微透镜阵列是通过纳米压印(nanoimprinting)工艺形成的，通过该纳米压印工艺利用模具将透镜形状转印在树脂层上。纳米压印允许相对广泛地选择凸部的形状，使得可以形成具有高的纵横比的凸部。
图1B是示出制造固态图像拾取装置1的方法中所包括的制备盖构件3的步骤的截面图。如图1B中所示的，盖部件3包括整体形成的平板部分21和框架部分22以及由这些部分形成的凹陷。盖构件3由玻璃、树脂或石英制成。盖构件3可以具有整体结构或组装结构。该整体结构可以通过以下方法制造：将由玻璃或树脂制成的板抛光、刻蚀和模塑成型，以形成平板部分21、框架部分22和凹陷。该组装结构可以通过以下方法制造：将由玻璃或树脂制成的透明平板附连到作为不同构件的框架。在组装结构的情况中，该框架部分可由金属制成。为了改善光学特性，可以将抗反射涂层或IR涂层施加到平板部分21的背表面。为了实现精细图像，要防止反射光从框架部分22进入像素区域12。因此，框架部分22可由具有接近空气的折射率(1)的材料制成，或者由具有高的光吸收性的材料制成。抗反射涂层和IR涂层可以施加到框架部分22的内壁或外壁，对于平板部分21亦是如此。
图1C是示出制造固态图像拾取装置1的方法中所包括的利用未固化的固定构件23将盖构件3接合至固态图像拾取元件2的步骤的截面图。用作固定构件23的未固化的粘合剂被施加到盖构件3的框架部分的固态图像拾取元件侧，并且朝向固态图像拾取元件2按压盖构件3。
图1D是示出在图1C中示出的接合步骤过程中用作固定构件23的粘合剂展布在该固态图像拾取元件上的状态的截面图。在固态图像拾取元件2和盖构件3之间形成空间25。随后使该粘合剂固化。
图2A是示出图1D的线IIA限定的区域的固态图像拾取装置1的放大截面图。图2B是图1D的固态图像拾取装置1的平面图。
在图2A和2B中示出的固态图像拾取装置1中，固态图像拾取元件2的固定区域B面对盖构件3的框架部分22。固态图像拾取元件2的像素区域12被设置于固定区域B内侧，并且微透镜16被设置于固态图像拾取元件2上。第一凹凸部分16是指构成位于固定区域B内侧并且至少面对像素区域12的微透镜16的凸部。与微透镜16相似的构件被设置于固定区域B外侧的区域C中的固态图像拾取元件2上。第二凹凸部分17是指构成设置于区域C中的具有微透镜形状的构件的凸部。即，固定区域B是该第一凹凸部分和该第二凹凸部分之间的区域。盖构件通过粘合剂安装在该固态图像拾取元件的固定区域B上。在本实施例中，具有微透镜形状的构件也设置于固定区域B中，由此从固定区域B的内侧到外侧以整体的形式连续设置具有微透镜形状的构件。第三凹凸部分18是指构成该固定区域中的微透镜的凸部。例如，如果微透镜仅被设置于该固定区域内侧，则固定构件23可能接触第一凹凸部分16并且渗透到像素区域12中。为了防止固定构件23接触第一凹凸部分16，第一凹凸部分16和框架部分22之间的距离须是大的。即，第一凹凸部分16须被设置得远离框架部分22使得固定构件23不能够接触第一凹凸部分16。然而，通过该配置，不能减小固态图像拾取装置的尺寸。
相反地，通过本实施例的配置，用作固定构件23的粘合剂渗透到固定区域内侧(像素区域侧)的区域中并且渗透到该固定区域外侧的区域C中。因此，抑制了固定构件23到对应于像素区域12的区域中的渗透，由此可以减小固态图像拾取装置的尺寸。即，该第二和第三凹凸部分中的毛细管作用用于抑制该固定构件到该第一凹凸部分中的渗透。该第二凹凸部分可被形成为使得通过强于第一凹凸部分的力，毛细管作用允许粘合剂渗透到该第二凹凸部分中。在本实施例中，该第二凹凸部分和该第三凹凸部分包括与该第一凹凸部分的相似的具有微透镜形状的构件。然而，该第二和第三凹凸部分中的构件可以具有任何形状，只要发生毛细管作用。
从像素区域到框架部分所固定于的区域外侧的区域，设置微透镜。因此，在通过加热和熔化形成微透镜时，像素区域中的微透镜可以均匀地形成为期望的形状。
从像素区域到该框架部分所固定于的区域外侧的区域，整体地设置微透镜。因此，即使在微透镜的外围处发生脱离，由于像素区域远离该外围，仍抑制了像素区域的光学特性的劣化。
图3A是封装之后的图1D中所示出的固态图像拾取装置1的截面图，并且图3B是其平面图。图中示出的固态图像拾取装置1的固态图像拾取元件通过固定构件33固定至与整体的盖构件侧相反的侧上的布线基板4。固态图像拾取元件2的端子13通过诸如金属线的导体连接至布线基板4的端子32。固态图像拾取装置1进一步包括密封构件35，其围绕并密封布线基板4、固态图像拾取元件2和盖构件3。布线基板4可以是引线框、印刷布线板、柔性布线板或金属基底布线板。如果布线基板4是引线框，则通过固定构件将该固态图像拾取元件固定至该引线框。图中示出的布线基板4是印刷布线板。该布线基板4包括由陶瓷或玻璃环氧树脂制成的基板31和设置于基板31上的端子32。用作布线基板4的印刷布线板包括设置于基板31上或设置于基板31中的布线。用作导体的金属线34用于在固态图像拾取元件2和布线基板4之间传输信号。通过该配置，进一步抑制了水到固态图像拾取装置中的空间中的渗透。
接着，描述第二实施例。图4是根据第二实施例的固态图像拾取装置的截面图。
图4中示出的固态图像拾取装置1与第一实施例的固态图像拾取装置的不同之处在于，与框架部分面对的固态图像拾取元件2的第三凹凸部分被平坦化。即，微透镜被设置于固态图像拾取元件2的固定区域B的内侧(像素区域侧)和外侧，并且微透镜未被设置于面对框架部分22的固定区域中。在制造固态图像拾取装置1的方法中，在制备固态图像拾取元件2的步骤中，制备包括如上文所述配置的第一凹凸部分16、第二凹凸部分17和平坦部分19的固态图像拾取元件2。通过该配置，用作固定构件的粘合剂可以渗透到固定区域B内侧(像素区域侧)的区域并且渗透到固定构件区域外侧的区域中。因此，可以抑制固定构件23到对应于像素区域12的区域中的渗透，由此可以减小固态图像拾取装置1的尺寸。
图1D中示出的固态图像拾取装置1中的第三凹凸部分18的凹部和框架部分22之间的距离，可以与图4中示出的固态图像拾取装置1中的平坦部分19和框架部分22的底部之间的距离相同。在该情况中，获得了可以抑制固定构件23的泄漏的益处。这是因为，具有第三凹凸部分18的凸部的体积的固定构件23可以被保持在固定区域B中。
当框架部分的底部平坦时，相比于框架部分的底部是球形的情况，摩擦增加，由此减小了框架部分的位移并且可以使框架部分在水平方向的位置稳定。
与像素区域12对应的第一凹凸部分16、与框架部分所固定于的区域对应的平坦部分19、以及与框架部分外侧的区域对应的第二凹凸部分17可以在同一步骤中形成。因此，获得了如下益处，即可以在不增加步骤数目和成本的情况下制造根据该实施例的固态图像拾取装置。
接着，描述第三实施例。图5是根据第三实施例的固态图像拾取装置的截面图。
图5中示出的固态图像拾取装置1与第一实施例的固态图像拾取装置1的不同之处在于，从固态图像拾取元件的表面移除面对框架部分的平坦化层和滤色器。即，用作微透镜的第一凹凸部分16被设置于固定区域B′内侧(像素区域侧)，并且第二凹凸部分17被设置于固定区域B′外侧，同时第一和第二凹凸部分16和17未被设置于固定区域B′中，该固定区域B′包括面对框架部分22的固态图像拾取元件2的区域和与框架部分22相邻的区域。更具体地，图5A中示出的固态图像拾取装置1包括从其移除了该固态图像拾取元件上的平坦化层15和滤色器14的固定区域B′中的平坦部分，并且该平坦部分由与用作微透镜的第一凹凸部分16相同的材料制成。图5B中示出的固态图像拾取装置1被配置为使得固态图像拾取元件表面上的固定区域B′中的、由与该微透镜相同的材料制成的平坦部分被从图5A中示出的固态图像拾取装置1移除。在制造该固态图像拾取装置1的方法中，在制备固态图像拾取元件2的步骤中，制备包括如上文所述配置的第一凹凸部分16、第二凹凸部分17和固定区域B′的固态图像拾取元件2。具体地，在图5A的情况中，在基板上形成滤色器14和平坦化层15，通过刻蚀与固定区域B′对应的部分或者通过用旋转切割器切割该部分形成凹槽，并且形成微透镜。在形成微透镜时，使对应于固定区域B′的部分平坦化。在图5B的情况中，在形成微透镜之后，通过刻蚀或者通过用旋转切割器切割，移除固态图像拾取元件2的框架部分22所固定到的区域附近的微透镜、滤色器14和平坦化层15，由此形成凹槽。通过该配置，固定构件可以渗透到固定区域B′内侧(像素区域侧)和外侧的区域中。因此，可以抑制该固定构件到像素区域12中的渗透，由此可以减小固态图像拾取装置的尺寸。在图5A的情况中，该微透镜的材料被整体设置以便从像素区域12通过具有锚固效果的凹槽延伸到盖构件3的外侧，由此可以减少像素区域12中的微透镜16的脱离。
该固态图像拾取元件中的凹槽用于促进该固态图像拾取元件上安放框架部分的位置的控制。
相比于图1D和4中示出的固态图像拾取装置1，获得了可以抑制固定构件的泄漏的益处。这是因为具有该微透镜、平坦化层和滤色器的体积的固定构件可以被保持在固定区域B′中。
接着，描述第四实施例。图6是根据第四实施例的固态图像拾取装置的截面图。
图6中示出的固态图像拾取装置1与第一实施例的固态图像拾取装置1的不同之处在于，在框架部分内侧(像素区域侧)的第一凹凸部分的表面上提供疏水(water-repellent)部分。疏水材料被施加到将成为面对像素区域12的微透镜的第一凹凸部分16的表面，同时疏水材料未被施加到固定区域B外侧的第二和第三凹凸部分的表面。在该情况中，可以抑制固定构件23到与像素区域12对应的区域中的渗透。在制造该固态图像拾取装置1的方法中，在制备固态图像拾取元件2的步骤中，制备包括如上文所述配置的第一凹凸部分16的固态图像拾取元件2。通过该配置，固定构件渗透到固定区域B外侧的区域中，由此可以抑制该固定构件到与像素区域对应的区域中的渗透。因而，可以减小固态图像拾取装置的尺寸。
接着，描述第五实施例。图7A是根据第五实施例的固态图像拾取装置的截面图，而图7B是其平面图。
图7A和7B中示出的固态图像拾取装置1与第一实施例的固态图像拾取装置1的不同之处在于，在框架部分内侧(像素区域侧)设置堤岸(bank)部分，该堤岸部分由围绕像素区域的连续的凸部构成。因此，固定构件23未与将成为发生毛细管作用的像素区域12中的微透镜的第一凹凸部分16接触。因此，可以抑制固定构件23到对应于像素区域12的区域中的渗透。在制造固态图像拾取装置1的方法中，在制备固态图像拾取元件的步骤中，制备包括如上文所述配置的堤岸部分20的固态图像拾取元件。通过该配置，固定构件23渗透到固定区域B外侧的区域中，由此可以抑制固定构件23到像素区域12中的渗透。因此，可以减小固态图像拾取装置的尺寸。
与像素区域12对应的第一凹凸部分16，围绕像素区域12的堤岸部分20、与框架部分22所固定到的固定区域B对应的第三凹凸部分18和与框架部分22外侧的区域对应的第二凹凸部分17在相同的步骤中形成。因此，获得了如下益处，即可以在不增加步骤数目和成本的情况下制造根据该实施例的固态图像拾取装置。
接着，描述第六实施例。图8A是根据第六实施例的固态图像拾取装置的截面图，图8B是由图8A的线VIIIB限定的区域的放大的截面图，并且图8C是其平面图。
图8A、8B和8C中示出的固态图像拾取装置1与第一实施例的固态图像拾取装置1的不同之处在于，与固定区域B和固定区域B外侧的区域对应的第二和第三凹凸部分具有比与像素区域12对应的第一凹凸部分16小的节距(pitch)。即，由于凸部的直径以及相邻凸部之间距离是较小的，因此第二和第三凹凸部分中的相邻凸部之间的面积小于第一凹凸部分中的相邻的凸部之间的面积。换言之，在垂直于基板的主表面的截面中，第二和第三凹凸部分中的凹部的最小截面积的平均值小于第一凹凸部分中的凹部的最小截面积的平均值。参考图8B，在侧视图中，该最小截面积是指由两点划线和包括连接相邻凹部的峰的线的在垂直截面中的相邻凹部的轮廓线限定的区域的面积。如果所述凸部的峰离开该垂直截面，则相比于峰位于垂直截面中时，截面积变大。只要第二凹凸部分中的凹部的最小截面积的平均值小于第一凹凸部分中的凹部的最小截面积的平均值，即使第三凹凸部分中的凹部的最小截面积的平均值大致与第一凹凸部分中的凹部的最小截面积的平均值相同，仍可以容易地使固定构件渗透到第二凹凸部分中。这同样适用于上文所述的凸部的直径之间的关系和相邻凸部之间的距离之间的关系。因此，固定构件23可以容易地渗透到像素区域12外侧的区域中，由此可以抑制固定构件23到与像素区域12对应的区域中的渗透。在制造该固态图像拾取装置1的方法中，在制备固态图像拾取元件的步骤中，制备包括如上文所述配置的微透镜的固态图像拾取元件。通过该配置，固定构件23可以容易地渗透到除像素区域12以外的区域中，由此抑制固定构件23到与像素区域12对应的区域中的渗透。因此，可以减小固态图像拾取装置的尺寸。
与像素区域12对应的微透镜16和与除该像素区域以外的区域对应的微透镜可以在同一步骤中形成。因此，获得了如下益处，即可以在不增加步骤数目和成本的情况下制造根据该实施例的固态图像拾取装置。
而且，在通过加热和熔化形成微透镜时，由于该微透镜从像素区域到面对框架部分的区域具有相同的结构，因此像素区域中的微透镜可以均匀地形成为期望形状。
接着，描述第七实施例。图9A是根据第七实施例的固态图像拾取装置的截面图，而图9B是其平面图。
图9中示出的固态图像拾取装置1与第一实施例的固态图像拾取装置1的不同之处在于，在除像素区域以外的区域中设置条带形凸部。在该条带形凸部的情况中，如上文所述，第二凹凸部分中的凹部的最小截面积的平均值可以小于第一凹凸部分中的凹部的最小截面积的平均值。在该条带形凸部的情况中，第二凹凸部分的最小截面积是指由在垂直于凹部的方向中延伸的垂直截面中的凹部(凹槽)限定的面积。通过该方式，不仅可以使用微透镜形状而且可以使用任何其他形状，以引发除像素区域以外的区域中的毛细管作用，以便于抑制固定构件23到与像素区域12对应的区域中的渗透。在制造该固态图像拾取装置1的方法中，在制备固态图像拾取元件的步骤中，制备包括如上文所述配置的第二和第三凹凸部分的固态图像拾取元件。通过该配置，固定构件23可以容易地渗透到除像素区域12以外的区域中，由此可以抑制固定构件23到与像素区域12对应的区域中的渗透。因此，可以减小固态图像拾取装置的尺寸。
用作与像素区域12对应的微透镜16的第一凹凸部分16和与除像素区域以外的区域对应的条带形凹凸部分可以在同一步骤中形成。因此，获得了如下益处，即可以在不增加步骤数目和成本的情况下制造根据本实施例的固态图像拾取装置。而且，在通过加热和熔化形成微透镜时，由于该微透镜从像素区域到面对框架部分的区域具有相同的结构，因此像素区域中的微透镜可以均匀地形成为期望的形状。
尽管通过参考示例性实施例描述了本发明，但是将理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应予以最广泛的解释，以便于涵盖所有该修改和等效结构及功能。
Claims (20)
1.一种制造固态图像拾取装置的方法，包括：
制备盖构件；
制备图像拾取元件，所述图像拾取元件包括：在主表面上包括具有多个光检测器的像素区域的基板；第一凹凸部分，所述第一凹凸部分在像素区域之上并且包括被配置为将光聚集在所述多个光检测器上的多个第一凸部，所述第一凸部每一均具有透镜的形状；和围绕所述第一凹凸部分的第二凹凸部分，所述第二凹凸部分包括多个第二凸部；和
使用固定构件将盖构件固定至所述图像拾取元件的区域，所述区域位于所述第一凹凸部分和所述第二凹凸部分之间。
2.如权利要求1所述的方法，
其中，在垂直于所述主表面的截面中，第二凹凸部分的第二凹部的最小截面积的平均值小于第一凹凸部分的第一凹部的最小截面积的平均值，第二凹部分别位于所述多个第二凸部之间，第一凹部分别位于所述多个第一凸部之间。
3.如权利要求1所述的方法，
其中所述多个第二凸部具有透镜形状。
4.如权利要求1所述的方法，
其中所述多个第二凸部具有条带形状。
5.如权利要求1所述的方法，
其中所述第一凹凸部分和所述第二凹凸部分是整体形成的。
6.如权利要求1所述的方法，
其中制备所述图像拾取元件包括在所述第一凹凸部分和所述第二凹凸部分之间的区域中形成平坦部分。
7.如权利要求1所述的方法，
其中制备所述图像拾取元件包括在所述第一凹凸部分和所述第二凹凸部分之间的区域中形成第三凹凸部分，所述第三凹凸部分包括多个第三凸部。
8.如权利要求7所述的方法，
其中所述多个第三凸部具有条带形状。
9.如权利要求1所述的方法，
其中制备所述图像拾取元件包括将滤色器设置于所述第一凹凸部分和所述基板之间，所述滤色器未设置于所述盖构件所固定到的区域中。
10.如权利要求1所述的方法，
其中制备所述图像拾取元件包括用堤岸部分围绕所述第一凹凸部分的外围。
11.如权利要求1所述的方法，
其中制备所述图像拾取元件包括在所述第一凹凸部分上形成疏水部分。
12.一种制造固态图像拾取装置的方法，包括：
制备盖构件；
制备图像拾取元件，所述图像拾取元件包括：在主表面上包括具有多个光检测器的像素区域的基板；第一凹凸部分，所述第一凹凸部分包括被配置为将光聚集在所述多个光检测器上的多个第一凸部，所述第一凸部每一均具有透镜的形状；和围绕所述第一凹凸部分的第二凹凸部分，所述第一凹凸部分被配置为通过所述第一凹凸部分处的毛细管作用，允许施加的粘合剂渗透到所述第一凹凸部分中，并且所述第二凹凸部分被配置为，通过在所述第二凹凸部分处的毛细管作用允许施加的粘合剂渗透到所述第二凹凸部分中，在所述第二凹凸部分处的毛细管作用的力等于或大于在所述第一凹凸部分处的毛细管作用的力；和
通过将所述盖构件安放在所述图像拾取元件的位于所述第一凹凸部分和所述第二凹凸部分之间的区域上而粘合剂在所述盖构件和所述图像拾取元件的该区域之间，通过使一部分所述粘合剂渗透到所述第二凹凸部分中，以及通过随后使所述粘合剂固化，将所述盖构件固定至所述图像拾取元件。
13.一种固态图像拾取装置，包括：
图像拾取元件，其包括：在主表面上的包括多个光检测器的像素区域和第一凹凸部分，所述第一凹凸部分在像素区域之上并且包括被配置为将光聚集在所述多个光检测器上的透镜；和
盖构件，其覆盖所述第一凹凸部分，使用固定构件将所述盖构件固定至所述图像拾取元件，
其中所述图像拾取元件包括设置于所述第一凹凸部分外围中和面对所述盖构件的区域外侧的第二凹凸部分，所述第二凹凸部分具有由一部分所述固定构件覆盖的表面。
14.如权利要求13所述的装置，进一步包括：
布线基板，其固定至所述图像拾取元件的与所述盖构件所固定到的侧相反的侧；
导体，其被配置为在所述图像拾取元件和所述布线基板之间传输信号；和
密封构件，其密封所述盖构件的外围和所述导体。
15.如权利要求13所述的装置，其中所述第一凹凸部分和所述第二凹凸部分是整体形成的。
16.如权利要求13所述的装置，
其中所述图像拾取元件包括在所述第一凹凸部分和所述第二凹凸部分之间形成的区域中的平坦部分。
17.如权利要求13所述的装置，所述图像拾取元件包括在所述第一凹凸部分和所述第二凹凸部分之间的区域中形成的第三凹凸部分，所述第三凹凸部分包括多个第三凸部。
18.如权利要求17所述的装置，其中所述多个第三凸部具有条带形状。
19.如权利要求13所述的装置，其中所述第二凹凸部分包括具有透镜形状和条带形状之一的多个凸部。
20.如权利要求13所述的装置，其中所述图像拾取元件包括围绕所述第一凹凸部分的外围的堤岸部分。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008324403A JP5511180B2 (ja) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 |
| JP2008-324403 | 2008-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101834115A CN101834115A (zh) | 2010-09-15 |
| CN101834115B true CN101834115B (zh) | 2012-06-20 |
Family
ID=42264797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009102624992A Expired - Fee Related CN101834115B (zh) | 2008-12-19 | 2009-12-18 | 制造固态图像拾取装置的方法和固态图像拾取装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8241951B2 (zh) |
| JP (1) | JP5511180B2 (zh) |
| CN (1) | CN101834115B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5694670B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| KR101849223B1 (ko) * | 2012-01-17 | 2018-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
| TWI612649B (zh) * | 2013-03-18 | 2018-01-21 | Sony Corp | 半導體裝置及電子機器 |
| JPWO2016072279A1 (ja) * | 2014-11-04 | 2017-08-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、カメラモジュール、及び、電子機器 |
| JP2017208468A (ja) * | 2016-05-19 | 2017-11-24 | キヤノン株式会社 | 電子部品 |
| JP6818468B2 (ja) * | 2016-08-25 | 2021-01-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びカメラ |
| JP2018046145A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法 |
| US20240170512A1 (en) * | 2021-03-26 | 2024-05-23 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101171688A (zh) * | 2005-04-29 | 2008-04-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有图像传感器的半导体器件和这种器件的制造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202152A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP3881888B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-02-14 | セイコーエプソン株式会社 | 光デバイスの製造方法 |
| JP2004063782A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2004134672A (ja) | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Sony Corp | 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置、並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法および製造装置 |
| WO2005020328A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Konica Minolta Opto, Inc. | 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置並びに固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法 |
| JP2005109092A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Konica Minolta Opto Inc | 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置 |
| US20080173792A1 (en) * | 2007-01-23 | 2008-07-24 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Image sensor module and the method of the same |
| JP5024992B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2012-09-12 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 表示装置 |
-
2008
- 2008-12-19 JP JP2008324403A patent/JP5511180B2/ja active Active
-
2009
- 2009-12-17 US US12/640,156 patent/US8241951B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-18 CN CN2009102624992A patent/CN101834115B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101171688A (zh) * | 2005-04-29 | 2008-04-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有图像传感器的半导体器件和这种器件的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100155869A1 (en) | 2010-06-24 |
| JP2010147327A (ja) | 2010-07-01 |
| US8241951B2 (en) | 2012-08-14 |
| JP5511180B2 (ja) | 2014-06-04 |
| CN101834115A (zh) | 2010-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101834115B (zh) | 制造固态图像拾取装置的方法和固态图像拾取装置 | |
| TWI394269B (zh) | 電子元件晶圓模組、電子元件晶圓模組之製造方法、電子元件模組及電子資訊裝置 | |
| CN101924115B (zh) | 固态图像拾取器件 | |
| KR101708807B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| US20100044815A1 (en) | Cmos image sensor package and camera module using same | |
| TW200541063A (en) | Image pickup device and production method thereof | |
| JPH10284710A (ja) | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 | |
| JP2007142194A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US8383447B2 (en) | Reverse image sensor module and method for manufacturing the same | |
| US9536915B2 (en) | Image sensor with embedded infrared filter layer | |
| EP1602959A1 (en) | Imaging device and electronic apparatus | |
| JP2008135551A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP6067262B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法、ならびにカメラ | |
| CN103928479B (zh) | 固态成像设备及其制造方法 | |
| JP2014053512A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| CN105027286A (zh) | 固态成像装置、其制造方法和电子设备 | |
| JP5694670B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP5658466B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2011009389A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| CN110752227B (zh) | 图像感测装置 | |
| US20090001493A1 (en) | Electronic imaging device | |
| US20050205898A1 (en) | Electronic imaging device | |
| JP2009170585A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2013225705A (ja) | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 | |
| WO2010143389A1 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120620 Termination date: 20201218 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |