JP6818468B2 - 光電変換装置及びカメラ - Google Patents
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Claims (19)
- 光電変換装置であって、
複数の光電変換部、および、前記複数の光電変換部の上に配されたマイクロレンズアレイを有する光電変換基板と、
透光板と、
前記光電変換基板と前記透光板との間に配され、単一の材料で形成され、前記光電変換基板と前記透光板とを結合する第1部材と、
前記第1部材と前記マイクロレンズアレイとの間に配された第2部材と、を備え、
前記第2部材は、前記マイクロレンズアレイよりも低い屈折率を有し、
前記第1部材の前記光電変換基板側の面は、前記複数の光電変換部の上にある部分から前記光電変換装置の側面にかけて、複数の段差を有し、
前記複数の段差は、前記第2部材と前記透光板との間から前記第2部材の端部を覆うように前記第1部材が延在することによって形成された段差を含むことを特徴とする光電変換装置。 - 光電変換装置であって、
複数の光電変換部、および、前記複数の光電変換部の上に配されたマイクロレンズアレイを有する光電変換基板と、
透光板と、
前記光電変換基板と前記透光板との間に配され、前記光電変換基板と前記透光板とを結合する第1部材と、
前記第1部材と前記マイクロレンズアレイとの間に配された第2部材と、を備え、
前記第2部材は、前記マイクロレンズアレイよりも低い屈折率を有し、
前記マイクロレンズアレイは、前記第2部材で覆われていない第1領域と、前記第2部材で覆われた第2領域とを含み、
前記第1部材の前記光電変換基板側の面は、前記第1領域において前記マイクロレンズアレイの凹部に結合されており、前記第2領域において前記第2部材によって前記マイクロレンズアレイのレンズのピークから隔てられており、
前記第1部材の前記光電変換基板側の面は、前記第2部材と前記透光板との間から前記第2部材の端部を覆うように前記第1部材が延在することによって形成された段差を含むことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第1部材の前記面の一部は、前記マイクロレンズアレイによって構成された凹凸に対応した凹凸を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換装置。
- 前記第2部材は、バインダによって結合された複数のフィラーを含み、
前記第2部材は、前記複数のフィラーの間に空隙を有することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第2部材は、バインダによって結合された複数のフィラーを含み、
前記複数のフィラーは、中空構造を有することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記複数のフィラーは、シリカ粒子を含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の光電変換装置。
- 前記第1部材は、前記第2部材に接触することを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換基板は、導電部材を更に有し、
前記第1部材は、前記導電部材に接触することを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換基板は、
前記複数の光電変換部が配された半導体層と、
前記半導体層の上に配され、配線層が配された絶縁層と、
前記絶縁層の上に配された第3部材と、を更に有し、
前記マイクロレンズアレイは前記第3部材の上に配され、
前記第3部材は複数の段差を有しており、
前記第1部材は、前記第3部材の前記複数の段差を覆うことを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第3部材は、
第1樹脂層と、
前記第1樹脂層の上に配されたカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層を覆う第2樹脂層と、を含み、
前記第3部材の前記複数の段差は、
前記第2樹脂層のうち前記カラーフィルタ層の端部を覆う部分によって構成された段差と、
前記第1樹脂層の端部及び前記第2樹脂層の端部によって構成された段差と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の光電変換装置。 - 前記絶縁層は段差を有しており、
前記第1部材は、前記絶縁層の前記段差を覆うことを特徴とする請求項9又は10に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換装置は、前記透光板とは反対側の面に、半田接合のための電極を有し、
前記透光板の上面に対する平面視において、前記電極と前記第2部材とは互いに間隔を置いて配されることを特徴とする請求項1乃至11の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換装置は、前記マイクロレンズアレイの少なくとも一部と前記第2部材との間に配された膜を更に備えることを特徴とする請求項1乃至12の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 前記膜は、前記マイクロレンズアレイと前記第2部材との間から、前記第2部材の端部よりも外側に延在した部分を有し、前記延在した部分が前記第1部材と前記光電変換基板との間に位置することを特徴とする請求項13に記載の光電変換装置。
- 前記膜は、前記マイクロレンズアレイと前記第2部材との間から、前記第2部材の端部よりも外側に延在した部分を有し、前記延在した部分の端部が前記光電変換装置の側面から離れていることを特徴とする請求項13に記載の光電変換装置。
- 前記第1部材は、有機材料で構成された部材であることを特徴とする請求項1乃至14の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換基板は、有機材料で構成された部分を含み、
前記有機材料で構成された部分によって段差が構成され、
前記第1部材は、前記有機材料で構成された部分による前記段差に接触することを特徴とする請求項1乃至16の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記マイクロレンズアレイは、前記光電変換装置の側面まで延びていることを特徴とする請求項1乃至17の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至18の何れか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
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JP2010040621A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 固体撮像デバイス及びその製造方法 |
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JP5511180B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2014-06-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 |
JP2010186870A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP5434252B2 (ja) * | 2009-05-14 | 2014-03-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP2011146633A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JP5694670B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
WO2014084288A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性樹脂組成物、これを用いたイメージセンサチップの製造方法及びイメージセンサチップ |
JP6103947B2 (ja) | 2013-01-16 | 2017-03-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP6270335B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2018-01-31 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
WO2014174994A1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
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