KR20140107187A - 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140107187A
KR20140107187A KR1020147011751A KR20147011751A KR20140107187A KR 20140107187 A KR20140107187 A KR 20140107187A KR 1020147011751 A KR1020147011751 A KR 1020147011751A KR 20147011751 A KR20147011751 A KR 20147011751A KR 20140107187 A KR20140107187 A KR 20140107187A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
guard ring
functional region
solid
insulating film
Prior art date
Application number
KR1020147011751A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102163308B1 (ko
Inventor
케이스케 하타노
테츠지 야마구치
신타로우 히라타
Original Assignee
소니 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 주식회사 filed Critical 소니 주식회사
Publication of KR20140107187A publication Critical patent/KR20140107187A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102163308B1 publication Critical patent/KR102163308B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/87—Light-trapping means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

유기막이 마련된 기능 영역과, 상기 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 구비한 고체 촬상 장치.

Description

고체 촬상 장치 및 그 제조 방법{SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 개시는, 유기막을 광전 변환막으로서 이용하는 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기막으로 이루어지는 광전 변환막을 투명 화소 전극과 투명 대향 전극의 사이에 끼운 고체 촬상 장치가 제안되어 있다. 투명 대향 전극의 위에는, 수분이나 가스 등을 차단하기 위해, 무기 재료로 이루어지는 보호층이 마련되어 있다(예를 들면, 일본국 특개2006-245045호 공보(특허 문헌 1) 참조).
특허 문헌 1 : 일본국 특개2006-245045호 공보
특허 문헌 1에 기재된 보호층은, 고체 촬상 장치 윗면으로부터의 수분이나 가스(특히, 산소)의 침입을 억제할 수는 있다. 그러나, 칩을 다이싱한 때에 형성된 단면(端面)이나 본딩 패드를 노출시키기 위한 개구부의 측면 등, 횡방향으로부터 수분이나 가스가 침입한 경우에는, 특허 문헌 1에 기재된 보호층에서는 이것을 막을 수가 없어서, 유기막으로 이루어지는 광전 변환막의 특성이 열화되어 버린다는 문제가 있다.
따라서 칩 단면이나 본딩 패드상의 개구부의 측면 등, 횡방향으로부터의 수분이나 가스의 침입을 억제하는 것이 가능한 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법을 제공할 것이 요망된다.
본 개시된 한 실시의 형태에 의한 고체 촬상 장치는, 유기막이 마련된 기능 영역과, 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 구비한 것이다.
본 개시된 한 실시의 형태의 고체 촬상 장치에서는, 유기막을 갖는 기능 영역이, 가드 링으로 둘러싸지고 있다. 따라서, 칩 단면이나 본딩 패드상의 개구부의 측면 등, 횡방향으로부터 침입하여 온 수분이나 가스는, 가드 링에 의해 차단된다.
본 개시된 한 실시의 형태에 의한 제1의 고체 촬상 장치의 제조 방법은, 이하의 (A) 내지 (C)를 포함하는 것이다.
(A) 반도체 기판의 주면측(主面側)에, 유기막이 마련된 기능 영역을 형성하는 것
(B) 기능 영역의 주위에 1층 이상의 금속층을 적층함에 의해, 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하는 것
본 개시된 한 실시의 형태에 의한 제2의 고체 촬상 장치의 제조 방법은, 이하의 (A) 내지 (C)를 포함하는 것이다.
(A) 반도체 기판의 주면측에, 유기막이 마련된 기능 영역을 형성함과 함께, 기능 영역의 주위에 절연막을 형성하는 것
(B) 절연막에 홈을 마련하고, 홈의 내부에 금속막 또는 실리콘질화막으로 이루어지는 매입층을 형성함에 의해, 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하는 것
본 개시된 한 실시의 형태에 의한 제3의 고체 촬상 장치의 제조 방법은, 이하의 (A), (B)를 포함하는 것이다.
(A) 반도체 기판의 주면측에, 유기막이 마련된 기능 영역을 형성함과 함께, 기능 영역의 주위에 절연막을 형성하는 것
(B) 절연막에 홈을 마련하고, 홈의 내부에 패시베이션막을 피착(彼着)함에 의해, 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하는 것
본 개시된 한 실시의 형태의 고체 촬상 장치에 의하면, 유기막을 갖는 기능 영역을, 가드 링으로 둘러싸도록 하고 있다. 따라서, 칩 단면이나 본딩 패드상의 개구부의 측면 등, 횡방향으로부터의 수분이나 가스의 침입을 억제하는 것이 가능해진다.
본 개시된 한 실시의 형태의 제1의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 기능 영역의 주위에 1층 이상의 금속층을 적층함에 의해, 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하도록 하고 있다. 본 개시된 한 실시의 형태의 제2의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 기능 영역의 주위의 절연막에 홈을 마련하고, 홈의 내부에 금속막 또는 실리콘질화막으로 이루어지는 매입층을 형성함에 의해, 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하도록 하고 있다. 본 개시된 한 실시의 형태의 제3의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 기능 영역의 주위의 절연막에 홈을 마련하고, 홈의 내부에 패시베이션막을 피착함에 의해, 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하도록 하고 있다. 따라서, 상기 본 개시된 한 실시의 형태의 고체 촬상 장치를 용이하게 제조하는 것이 가능해진다.
본 개시된 한 실시의 형태의 고체 촬상 장치에서는, 유기막을 갖는 기능 영역이, 가드 링으로 둘러싸지고 있다. 따라서, 칩 단면이나 본딩 패드상의 개구부의 측면 등, 횡방향으로부터 침입하여 온 수분이나 가스는, 가드 링에 의해 차단된다.
본 개시된 한 실시의 형태의 고체 촬상 장치에 의하면, 유기막을 갖는 기능 영역을, 가드 링으로 둘러싸도록 하고 있다. 따라서, 칩 단면이나 본딩 패드상의 개구부의 측면 등, 횡방향으로부터의 수분이나 가스의 침입을 억제하는 것이 가능해진다.
본 개시된 한 실시의 형태의 제1의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 기능 영역의 주위에 1층 이상의 금속층을 적층함에 의해, 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하도록 하고 있다. 본 개시된 한 실시의 형태의 제2의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 기능 영역의 주위의 절연막에 홈을 마련하고, 홈의 내부에 금속막 또는 실리콘질화막으로 이루어지는 매입층을 형성함에 의해, 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하도록 하고 있다. 본 개시된 한 실시의 형태의 제3의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 기능 영역의 주위의 절연막에 홈을 마련하고, 홈의 내부에 패시베이션막을 피착함에 의해, 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하도록 하고 있다. 따라서, 상기 본 개시된 한 실시의 형태의 고체 촬상 장치를 용이하게 제조하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 개시된 제1의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 평면도.
도 2는 도 1에 도시한 고체 촬상 장치의 Ⅱ-Ⅱ선에서의 단면도.
도 3은 본 개시된 제2의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 4는 본 개시된 제3의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 5는 본 개시된 제4의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 평면도.
도 6은 본 개시된 제5의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 평면도.
도 7은 본 개시된 제6의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 평면도.
도 8은 본 개시된 제7의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 9는 도 2에 도시한 고체 촬상 장치의 변형례를 도시하는 단면도.
도 10은 도 1에 도시한 고체 촬상 장치의 다른 변형례를 도시하는 평면도.
이하, 본 개시된 실시의 형태에 관해 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 제1의 실시의 형태(기능 영역을 둘러싸고, 또한 개구부를 포함하지 않은 영역에 제1 가드 링을 마련하는 예. 기능 영역의 주위에 1층 이상의 금속층을 적층함에 의해 가드 링을 형성하는 예.)
2. 제2의 실시의 형태(기능 영역의 주위의 절연막에 홈을 마련하고, 홈의 내부에 금속막 또는 실리콘질화막으로 이루어지는 매입층을 형성함에 의해 가드 링을 형성하는 예)
3. 제3의 실시의 형태(기능 영역의 주위의 절연막에 홈을 마련하고, 홈의 내부에 패시베이션막을 피착함에 의해 가드 링을 형성하는 예)
4. 제4의 실시의 형태(개구부를 둘러싸는 제2 가드 링, 및 칩 외주에 따른 제3 가드 링을 마련하는 예)
5. 제5의 실시의 형태(제1 가드 링, 제2 가드 링 및 제3 가드 링의 전부를 병용하는 예)
6. 제6의 실시의 형태(제2 가드 링을 복수의 개구부에 걸쳐서 마련하는 예)
7. 제7의 실시의 형태(하부 투명 전극과 본딩 패드와의 접속 구성의 예)
8. 변형례
(제1의 실시의 형태)
도 1은, 본 개시된 제1의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 하나의 칩의 평면 구성을 도시한 것이다. 도 2는, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에서의 단면 구성의 한 예를 도시한 것이다. 이 고체 촬상 장치(1)는, 카메라 등의 전자 기기에 이용되는 것이고, 사각형의 칩(10)의 중앙부에, 광전 변환을 행한 기능 영역(광전 변환 영역)(11)을 갖고 있다. 기능 영역(11)에는, 광전 변환막인 유기막(11A)이 마련되어 있음과 함께, 이 유기막(11A)을 갖는 고체 촬상 소자로 이루어지는 화소가 복수개 매트릭스 형상(행렬형상)으로 배치되어 있다. 기능 영역(11)의 주위의 주변 영역(12)에는, 복수의 본딩 패드(13)가 기능 영역(11)을 둘러싸고 배치되어 있다. 이들의 본딩 패드(13)상에는, 각각 개구부(14)가 마련되어 있다.
유기막(11A)은, 유기 광전 변환막에 의해 구성되어 있다. 녹색의 파장광으로 광전 변환하는 유기 광전 변환막은, 예를 들면, 로다민계 색소, 메라시아닌계 색소, 퀴나크리돈 등을 포함하는 유기 광전 변환 재료에 의해 구성되어 있다. 적색의 파장광으로 광전 변환하는 유기 광전 변환막은, 예를 들면, 프탈로시아닌계 색소를 포함하는 유기 광전 변환 재료에 의해 구성되어 있다. 청색의 파장광으로 광전 변환하는 유기 광전 변환막은, 예를 들면, 쿠마린계 색소, 트리스-8-히드록시퀴놀린알미니움(Alq3), 메라시아닌계 색소 등을 포함하는 유기 광전 변환 재료에 의해 구성되어 있다.
유기막(11A)은, 하부 투명 전극(화소 전극)(11B)과 상부 투명 전극(대향 전극)(11C)과의 사이에 끼어져 있다. 하부 투명 전극(11B)은, 기능 영역(11) 내의 복수의 화소의 각각에 대해 분단되어 있다. 도 2에서는, 예를 들면 3개의 화소의 하부 투명 전극(11B)을 나타내고 있지만, 필요에 응하여 화소수를 임의로 설정할 수 있음은 말할 필요도 없다. 하부 투명 전극(11B)은, 도시하지 않은 배선을 통하여 본딩 패드(13)에 접속되어 있다. 이 하부 투명 전극(11B)과 본딩 패드(13)와의 접속에 관해서는, 제7의 실시의 형태에서 한 예를 들어 설명한다. 상부 투명 전극(11C)은, 기능 영역(11) 내의 복수의 화소의 전부에서의 공통 전극이다. 하부 투명 전극(11B) 및 상부 투명 전극(11C)은 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide ; 산화인듐주석) 등의 투명 도전 재료에 의해 구성되어 있다.
기능 영역(11)은, 실리콘(Si) 기판 등의 반도체 기판(21)의 주면(主面)(광입사면)측에 마련되어 있다. 기능 영역(11)의 주위(측방 및 하방)에는, 실리콘산화막(SiO2) 등으로 이루어지는 절연막(22A, 22B, 22C)(이하, 절연막(22)이라고 총칭한다.)이 마련되어 있다.
칩(10)의 윗면, 구체적으로는 기능 영역(11)의 윗면 및 절연막(22)의 윗면은, 패시베이션막(30)에 의해 전면에 걸쳐서 덮여 있다. 패시베이션막(30)은, 칩(10)의 윗면부터 수분이나 가스가 기능 영역(11)에 침입하는 것을 억제하기 위한 보호막으로서의 기능을 갖는 것이고, 수분 및 산소를 투과하지 않는 재료막에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 패시베이션막(30)은, 실리콘질화막, 실리콘산질화막 또는 산화알루미늄막, 또는 실리콘질화막, 실리콘산질화막 또는 산화알루미늄의 적층막에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다.
한편, 칩(10)의 사방의 단면(端面)(10A)은, 다이싱(절단)에 의해 형성된 것이고, 절연막(22) 등의 절단면이 노출하고 있다. 또한, 도 1에 도시한 개구부(14)의 측면에도, 절연막(22) 등의 절단면이 노출하고 있다.
그래서, 이 고체 촬상 장치(1)는, 기능 영역(11)을 둘러싸는 가드 링(40)을 갖고 있다. 이 가드 링(40)은, 구체적으로는, 수분 및 산소를 투과하지 않는 재료막에 의해 구성되어 있다. 이에 의해, 이 고체 촬상 장치(1)에서는, 칩(10)의 단면(10A)이나, 본딩 패드(13)상의 개구부(14)의 측면 등, 횡방향으로부터의 수분이나 가스의 침입 경로를 차단하여, 기능 영역(11)에의 수분이나 가스의 침입을 억제하는 것이 가능하게 되어 있다.
가드 링(40)의 평면 형상으로서는, 기능 영역(11)을 둘러싸고, 또한 개구부(14)를 포함하지 않은 영역에 마련된 제1 가드 링(41)을 포함하는 것이 바람직하다. 환언하면, 제1 가드 링(41)은, 기능 영역(11)보다도 외측, 또한 개구부(14)보다도 내측에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 개구부(14)가 제1 가드 링(41)으로 둘러싸여진 영역 내에 들어가 있는 경우에는, 그 개구부(14)의 측면으로부터 기능 영역(11)에 이르는 수분이나 가스의 침입 경로가 생겨 버리기 때문이다. 구체적으로는, 제1 가드 링(41)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 기능 영역(11)의 외형선에 따라서, 개구부(14)를 제외하고 배치되어 있다. 또한, 가드 링(40)의 평면 형상은, 도 1에 도시한 사각형으로 한정되지 않고, 기능 영역(11) 및 개구부(14)의 형상·배치에 맞추어서, 여러가지의 형상으로 하는 것이 가능하다. 가드 링(40)의 평면 형상의 생각할 수 있는 예로서는, 다각형, 원형, 타원형, 사각형의 모서리를 둥글게 한 형상 등 곡선을 포함하는 형태, 그 밖의 부정형 등이 있다.
가드 링(40)의 단면(斷面) 구성으로서는, 반도체 기판(21)의 주면측에서, 기능 영역(11)의 주위에 1층 이상의 금속층을 적층한 구성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 가드 링(40)은, 예를 들면 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(21)측부터 차례로, 제1의 금속 플러그(40A), 제1의 금속 배선(40B), 제2의 금속 플러그(40C) 및 제2의 금속 배선(40D)으로, 4층의 금속층을 세로로 적층한 구성을 갖고 있다. 이들의 금속층은, 예를 들면, 하부 투명 전극(11B)과 반도체 기판(21)을 접속한 플러그(도시 생략)나, 하부 투명 전극(11B) 및 상부 투명 전극(11C)에 전압을 인가하기 위한 배선(도시 생략) 등, 고체 촬상 장치(1)에 원래 마련되어 있는 금속 배선층을 유용(流用)하고, 이들과 동층에, 동일 공정으로 형성하는 것이 가능하다.
가드 링(40)을 구성하는 금속층은, 예를 들면, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리, 또는 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 합금막, 또는, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 금속막에 실리콘 또는 산소를 함유시킨 막에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다. 상기한 금속막에 실리콘을 함유시킨 막으로서는, 예를 들면, 실리콘 함유 알루미늄(AlSi), 텅스텐실리사이드(WSiX), 티탄실리사이드(TiSix)를 들 수 있다. 상기한 금속막에 산소를 함유시킨 막으로서는, 예를 들면 산화알루미늄막(Al2O3)을 들 수 있다.
가드 링(40)을 구성하는 최하층의 금속층(즉, 도 2에서는 제1의 금속 플러그(40A))는, 반도체 기판(21)에 접속되어 있는 것이 바람직하다. 수분 등의 침입을 확실하게 차단하는 것이 가능해지기 때문이다.
패시베이션막(30)은, 가드 링(40)을 구성하는 최상층의 금속층(즉, 도 2에서는 제2의 금속 배선(40D))의 바로 위에 직접 피착되어 있는 것이 바람직하다. 패시베이션막(30)과 가드 링(40)의 사이에 절연막(22) 등의 실리콘산화막이 끼어져 있는 경우에는, 그 실리콘산화막을 통하여 수분 등의 침입 경로가 생겨 버리기 때문이다.
또한, 가드 링(40)은, 적어도, 유기막(11A)과 동층(유기막(11A)의 바로 옆)에 1층 있으면, 유기막(11A)에의 수분이나 가스의 침입을 억제하는 것이 가능해진다. 그러나, 가드 링(40)은, 상술한 바와 같이 1층 이상의 금속층을 적층한 구성을 갖는 쪽이 바람직하다. 절연막(22)을 구성하는 실리콘산화막은 수분 등을 투과하기 쉽기 때문에, 가드 링(40)을 적층 구조로 함에 의해, 절연막(22)을 통한 수분 등의 전파를 확실하게 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 가드 링(40)을 적층 구조로 함에 의해, 칩(10)의 윗면의 요철이나 단차를 작게 하는 것이 가능해지고, 이 후의 제조 공정(평탄화막 형성, 컬러 필터 및 온 칩 렌즈 형성)을 용이하게 하는 것이 가능해진다.
이 고체 촬상 장치(1)는, 예를 들면, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다.
우선, 반도체 기판(21)에, 상술한 재료로 이루어지는 절연막(22A)을 형성한다. 절연막(22A)에 개구를 마련하고, 이 개구 내에, 가드 링(40)의 최하층이 되는 제1의 금속 플러그(40A)를 형성한다. 이와 함께, 필요에 응하여, 도시하지 않은 금속 플러그 또는 금속 배선을 형성한다.
뒤이어, 절연막(22A)의 위에, 상술한 재료로 이루어지는 절연막(22B)을 형성한다. 절연막(22B)에 개구를 마련하고, 제1의 금속 플러그(40A)의 위에, 가드 링(40)의 제2층째가 되는 제1의 금속 배선(40B)을 겹친다. 이와 동시에, 필요에 응하여, 도시하지 않은 금속 플러그 또는 금속 배선을 형성한다.
계속해서, 절연막(22B)의 위에, 상술한 재료로 이루어지는 하부 투명 전극(11B)을 형성한다. 그 후, 하부 투명 전극(11B)의 간극 및 주위에, 상술한 재료로 이루어지는 절연막(22C)를 형성한다. 절연막(22C)에 개구를 마련하고, 제1의 금속 배선(40B)의 위에, 가드 링(40)의 제3층째가 되는 제2의 금속 플러그(40C)를 적층한다. 이와 함께, 필요에 응하여, 도시하지 않은 금속 플러그 또는 금속 배선을 형성한다.
그 후, 하부 투명 전극(11B)의 위에 유기막(11A) 및 상부 투명 전극(11C)을 형성한다. 이에 의해, 유기막(11A)을 사이에 두고 하부 투명 전극(11B) 및 상부 투명 전극(11C)을 갖는 기능 영역(11)이 형성된다.
또한, 제2의 금속 플러그(40C)의 위에, 가드 링(40)의 최상층이 되는 제2의 금속 배선(40D)을 적층한다. 이에 의해, 기능 영역(11)의 주위에, 4층의 금속층을 적층한 가드 링(40)이 형성된다. 이와 동시에, 필요에 응하여, 도시하지 않은 금속 플러그 또는 금속 배선을 형성한다.
계속해서, 기능 영역(11)의 윗면 및 절연막(22)의 윗면에, 상술한 재료로 이루어지는 패시베이션막(30)을 전면에 걸쳐서 형성한다. 이 때, 패시베이션막(30)을, 가드 링(40)을 구성하는 최상층의 금속층(즉, 도 2에서는 제2의 금속 배선(40D))의 바로 위에 직접 피착하는 것이 바람직하다.
또한, 도시하지 않지만, 기능 영역(11)의 주위에 본딩 패드(13)를 형성한다. 절연막(22) 또는 반도체 기판(21)의, 본딩 패드(13)에 대향하는 위치에 개구부(14)를 마련하고, 개구부(14)의 저부에 본딩 패드(13)를 노출시킨다. 이상에 의해, 도 1 및 도 2에 도시한 고체 촬상 장치(1)가 완성된다.
이 고체 촬상 장치(1)에서는, 유기막(11A)에 광이 입사하면 전하가 발생한다. 하부 투명 전극(11B)과 상부 투명 전극(11C) 사이에는 소정의 전압이 인가되어 있고, 이 전압에 의해 발생한 전계에 의해, 신호 전하는 하부 투명 전극(11B)에 수집되고, 또한 도시하지 않은 전하 출력부로 이송되고, 도시하지 않은 다층 배선 및 본딩 패드(13)를 통하여, 칩(10)의 외부로 출력된다.
여기서는, 유기막(11A)을 갖는 기능 영역(11)을 둘러싸도록, 가드 링(40)이 마련되어 있다. 이 가드 링(40)은, 기능 영역(11)을 둘러싸고, 또한 개구부(14)를 포함하지 않은 영역에 마련된 제1 가드 링(41)을 포함하고 있다. 이 제1 가드 링(41)에 의해, 칩(10)의 단면(10A)이나, 본딩 패드(13)상의 개구부(14)의 측면으로부터, 절연막(22) 등을 통하여 기능 영역(11)에 이르는, 횡방향으로부터의 수분이나 가스의 침입 경로가 차단된다. 따라서, 칩(10)의 단면(10A)이나, 본딩 패드(13)상의 개구부(14)의 측면 등, 횡방향으로부터 침입하여 온 수분이나 가스는, 가드 링(40)에 의해 차단되어, 유기막(11A)의 특성 열화가 억제된다.
이와 같이 본 실시의 형태에서는, 유기막(11A)을 갖는 기능 영역(11)을, 가드 링(40)으로 둘러싸도록 하였기 때문에, 칩(10)의 단면(10A)이나 본딩 패드(13)상의 개구부(14)의 측면 등, 횡방향으로부터의 수분이나 가스의 침입을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 가드 링(40)을, 기능 영역(11)의 주위에 1층 이상의 금속층(금속 플러그(40A, 40C) 및 금속 배선(40B, 40D))을 적층한 구성으로 하였기 때문에, 고체 촬상 장치(1)에 원래 마련되어 있는 금속 배선층을 유용하여 가드 링(40)을 형성하는 것이 가능해저서, 상기 본 실시의 형태의 고체 촬상 장치(1)를 용이하게 제조하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 실시의 형태에서는, 가드 링(40)의 단면 구성으로서, 2층의 금속 배선(40B, 40D)을 2층의 금속 플러그(40A, 40C)에 의해 반도체 기판(21)에 접속한 경우에 관해 설명하였다. 그러나, 고체 촬상 장치(1)에 마련되어 있는 금속 배선층의 수에 응하여, 가드 링(40)을 구성하는 금속층의 수를 변경하여도 좋음은 말할 필요도 없다. 또한, 반드시, 고체 촬상 장치(1)가 갖는 모든 금속 플러그 또는 금속 배선층을 이용하여 가드 링(40)을 구성할 필요는 없고, 임의의 배선층을 이용하여 가드 링(40)을 구성하는 것이 가능하다.
(제2의 실시의 형태)
도 3은, 본 개시된 제2의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 단면 구성을 도시한 것이다. 이 고체 촬상 장치(1A)는, 가드 링(40)의 단면 구성에서 제1의 실시의 형태와 다른 것이다. 즉, 가드 링(40)은, 절연막(22)에 마련된 홈(23)의 내부에 매입된 매입층(40E)에 의해 구성되어 있다. 이와 같이 가드 링(40) 전용의 매입층(40E)을 마련함에 의해, 매입층(40E)의 재료나 두께를 자유롭게 설정하는 것이 가능해진다. 특히, 수분이나 가스의 투과를 억제하는 기능을 갖지 않는 ITO 등의 투명 전극층만으로 배선층을 형성하고 있는 경우에 알맞다.
가드 링(40)을 구성하는 매입층(40E)은, 금속막 또는 실리콘질화막에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 금속막은, 예를 들면, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리, 또는 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 합금막, 또는, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 금속막에 실리콘 또는 산소를 함유시킨 막에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다. 상기한 금속막에 실리콘을 함유시킨 막으로서는, 예를 들면 실리콘 함유 알루미늄(AlSi), 텅스텐 실리사이드(WSiX), 티탄 실리사이드(TiSix)를 들 수 있다. 상기한 금속막에 산소를 함유시킨 막으로서는, 예를 들면 산화알루미늄막(Al2O3)을 들 수 있다.
홈(23)은, 반도체 기판(21)에 도달하여 있는 것이 바람직하다. 수분 등의 침입을 확실하게 차단하는 것이 가능해지기 때문이다.
패시베이션막(30)은, 가드 링(40)을 구성하는 매입층(40E)의 바로 위에 직접 피착되어 있는 것이 바람직하다. 패시베이션막(30)과 매입층(40E)과의 사이에 절연막(22) 등의 실리콘산화막이 끼어져 있는 경우에는, 그 실리콘산화막을 통하여 수분 등의 침입 경로가 생겨 버리기 때문이다.
이 고체 촬상 장치(1A)는, 예를 들면, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다.
우선, 반도체 기판(21)에, 상술한 재료로 이루어지는 절연막(22A), 절연막(22B)을 형성한다. 이와 함께, 필요에 응하여, 도시하지 않은 금속 플러그 또는 금속 배선을 형성한다.
계속해서, 절연막(22B)의 위에, 상술한 재료로 이루어지는 하부 투명 전극(11B)을 형성한다. 그 후, 하부 투명 전극(11B)의 간극 및 주위에, 상술한 재료로 이루어지는 절연막(22C)를 형성한다.
그 후, 하부 투명 전극(11B)의 위에 유기막(11A) 및 상부 투명 전극(11C)을 형성한다. 이에 의해, 유기막(11A)을 사이에 두고 하부 투명 전극(11B) 및 상부 투명 전극(11C)을 갖는 기능 영역(11)이 형성된다.
기능 영역(11)을 형성한 후, 패시베이션막(30)을 피착하기 전에, 절연막(22)에 홈(23)을 마련하고, 이 홈(23)의 내부에 상술한 재료로 이루어지는 매입층(40E)을 매입한다. 이에 의해, 기능 영역(11)의 주위에, 절연막(22)에 마련된 홈(23)의 내부에 매입된 매입층(40E)으로 이루어지는 가드 링(40)이 형성된다.
계속해서, 기능 영역(11)의 윗면 및 절연막(22)의 윗면에, 상술한 재료로 이루어지는 패시베이션막(30)을 전면에 걸쳐서 형성한다. 이 때, 패시베이션막(30)을, 가드 링(40)을 구성하는 매입층(40E)의 바로 위에 직접 피착하는 것이 바람직하다.
또한, 도시하지 않지만, 기능 영역(11)의 주위에 본딩 패드(13)를 형성한다. 절연막(22) 또는 반도체 기판(21)의, 본딩 패드(13)에 대향하는 위치에 개구부(14)를 마련하고, 개구부(14)의 저부에 본딩 패드(13)를 노출시킨다. 이상에 의해, 도 1 및 도 3에 도시한 고체 촬상 장치(1A)가 완성된다.
이 고체 촬상 장치(1A)의 동작 및 작용은 제1의 실시의 형태와 마찬가지이다.
이와 같이 본 실시의 형태에서는, 가드 링(40)을, 절연막(22)에 마련된 홈(23)의 내부에 매입된 매입층(40E)에 의해 구성하도록 하였기 때문에, 제1의 실시의 형태의 효과에 더하여, 매입층(40E)의 재료나 두께를 자유롭게 설정하는 것이 가능해진다. 특히, 수분이나 가스의 투과를 억제하는 기능을 갖지 않는 ITO 등의 투명 전극층만으로 배선층을 형성하고 있는 경우에 알맞다.
(제3의 실시의 형태)
도 4는, 본 개시된 제3의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 단면 구성을 도시한 것이다. 이 고체 촬상 장치(1B)는, 가드 링(40)의 단면 구성에서 제1의 실시의 형태와 다른 것이다. 즉, 가드 링(40)은, 절연막(22)에 마련된 홈(23)의 내부에 피착된 패시베이션막(30)에 의해 구성되어 있다. 이와 같이 패시베이션막(30)이 가드 링(40)을 겸하도록 함에 의해, 가드 링(40) 형성용의 금속막을 이용할 필요가 없어져서, 가드 링(40)을 더욱 용이하게 형성하는 것이 가능해진다.
패시베이션막(30)은, 제1의 실시의 형태와 마찬가지로, 수분 및 산소를 투과하지 않는 재료막에 의해 구성되어 있다. 구체적으로는, 패시베이션막(30)은, 실리콘질화막, 실리콘산질화막 또는 산화알루미늄막, 또는 실리콘질화막, 실리콘산질화막 또는 산화알루미늄의 적층막에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다.
홈(23)은, 반도체 기판(21)에 도달하여 있는 것이 바람직하다. 수분 등의 침입을 확실하게 차단하는 것이 가능해지기 때문이다.
패시베이션막(30)은, 도 4에 도시한 바와 같이 홈(23)의 내면에 따르고 있어도 좋지만, 홈(23)을 완전하게 매입하고 있는 것이 바람직하다. 칩(10)의 윗면의 요철이나 단차가 작아져서, 이 후의 제조 공정(평탄화막 형성, 컬러 필터 및 온 칩 렌즈 형성)이 용이해지기 때문이다.
이 고체 촬상 장치(1B)는, 예를 들면, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다.
우선, 반도체 기판(21)에, 상술한 재료로 이루어지는 절연막(22A), 절연막(22B)을 형성한다. 이와 함께, 필요에 응하여, 도시하지 않은 금속 플러그 또는 금속 배선을 형성한다.
계속해서, 절연막(22B)의 위에, 상술한 재료로 이루어지는 하부 투명 전극(11B)을 형성한다. 그 후, 하부 투명 전극(11B)의 간극 및 주위에, 상술한 재료로 이루어지는 절연막(22C)를 형성한다.
그 후, 하부 투명 전극(11B)의 위에 유기막(11A) 및 상부 투명 전극(11C)을 형성한다. 이에 의해, 유기막(11A)을 사이에 두고 하부 투명 전극(11B) 및 상부 투명 전극(11C)을 갖는 기능 영역(11)이 형성된다.
기능 영역(11)을 형성한 후, 패시베이션막(30)을 피착하기 전에, 절연막(22)에 홈(23)을 마련한다. 그 후, 기능 영역(11)의 윗면 및 절연막(22)의 윗면에, 상술한 재료로 이루어지는 패시베이션막(30)을 전면에 걸쳐서 형성함과 함께, 홈(23)의 내부에 패시베이션막(30)을 매입한다. 이에 의해, 기능 영역(11)의 주위에, 절연막(22)에 마련된 홈(23)의 내부에 매입된 패시베이션막(30)으로 이루어지는 가드 링(40)이 형성된다.
또한, 도시하지 않지만, 기능 영역(11)의 주위에 본딩 패드(13)를 형성한다. 절연막(22) 또는 반도체 기판(21)의, 본딩 패드(13)에 대향하는 위치에 개구부(14)를 마련하고, 개구부(14)의 저부에 본딩 패드(13)를 노출시킨다. 이상에 의해, 도 1 및 도 4에 도시한 고체 촬상 장치(1B)가 완성된다.
이 고체 촬상 장치(1B)의 동작 및 작용은 제1의 실시의 형태와 마찬가지이다.
이와 같이 본 실시의 형태에서는, 가드 링(40)을, 절연막(22)에 마련된 홈(23)의 내부에 매입된 패시베이션막(30)에 의해 구성하도록 하였기 때문에, 제1의 실시의 형태의 효과에 더하여, 가드 링(40)을 더욱 용이하게 형성하는 것이 가능해진다.
(제4의 실시의 형태)
도 5는, 본 개시된 제4의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 평면 구성을 도시한 것이다. 이 고체 촬상 장치(1C)는, 가드 링(40)의 평면 형상에서 제1의 실시의 형태와 다른 것이다. 즉, 가드 링(40)은, 개구부(14)를 둘러싸는 제2 가드 링(42)과, 칩(10)의 외주에 따른 제3 가드 링(43)을 포함하고 있다. 구체적으로는, 제2 가드 링(42)은 개구부(14)의 외형선에 따라 마련되고, 하나의 제2 가드 링(42)이 하나의 개구부(14)를 둘러싸고 있다. 제3 가드 링(43)은, 칩(10)의 외형선에 따라서, 기능 영역(11) 및 개구부(14)의 전체를 둘러싸고 있다. 이에 의해, 본 실시의 형태에서는, 가드 링(40)이 기능 영역(11)으로부터 떨어진 개소에 배치되어, 기능 영역(11)의 주위에 레이아웃의 제약 없이 주변 회로부를 배치하는 것이 가능해지고, 신호 전달의 지연 등을 억제한 최적의 주변 회로의 레이아웃을 실현하는 것이 가능해진다.
가드 링(40)의 단면 구성에 관해서는, 상기 제1, 제2 또는 제3의 실시의 형태의 어느 것을 채용하는 것도 가능하다.
이 고체 촬상 장치(1C)는, 가드 링(40)의 단면 구성에 맞추어서 상기 제1, 제2 또는 제3의 실시의 형태와 마찬가지로 하여 제조할 수 있다. 본 실시의 형태에서는, 가드 링(40)이 기능 영역(11)으로부터 떨어진 개소에 배치되어 있기 때문에, 제조 공정에서 기능 영역(11)상에 컬러 필터나 온 칩 렌즈가 되는 재료막을 회전 도포에 의해 형성할 때에, 가드 링(40)의 단차에 기인한 막 얼룩 등을 야기하기 어려워진다. 따라서, 기능 영역(11)의 단부에서 컬러 필터나 온 칩 렌즈의 형상 얼룩을 억제하는 것이 가능해진다.
이 고체 촬상 장치(1C)에서는, 유기막(11A)에 광이 입사하면 전하가 발생하고, 이 전하는, 제1의 실시의 형태와 마찬가지로 하여 하부 투명 전극(11B)에 수집되고, 또한 도시하지 않은 전하 출력부로 이송되고, 도시하지 않은 다층 배선 및 본딩 패드(13)를 통하여, 칩(10)의 외부로 출력된다.
여기서는, 가드 링(40)이, 개구부(14)를 둘러싸는 제2 가드 링(42)과, 칩(10)의 외주에 따른 제3 가드 링(43)을 포함하고 있다. 따라서, 제1의 실시의 형태와 마찬가지로, 칩(10)의 단면(10A)이나, 본딩 패드(13)상의 개구부(14)의 측면 등, 횡방향으로부터 침입하여 온 수분이나 가스는, 제2 가드 링(42) 및 제3 가드 링(43)에 의해 차단되어, 유기막(11A)의 특성 열화가 억제된다.
이와 같이 본 실시의 형태에서는, 가드 링(40)이, 개구부(14)를 둘러싸는 제2 가드 링(42)과, 칩(10)의 외주에 따른 제3 가드 링(43)을 포함하도록 하였기 때문에, 제1의 실시의 형태의 효과에 더하여, 신호 전달의 지연 등을 억제한 최적의 주변 회로의 레이아웃을 실현하는 것이 가능해진다.
(제5의 실시의 형태)
도 6은, 본 개시된 제5의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 평면 구성을 도시한 것이다. 이 고체 촬상 장치(1D)는, 가드 링(40)의 평면 형상에 관해서, 제1 및 제4의 실시의 형태를 조합시킨 것이다. 즉, 가드 링(40)은, 기능 영역(11)을 둘러싸고, 또한 개구부(14)를 포함하지 않은 영역에 마련된 제1 가드 링(41)과, 개구부(14)를 둘러싸는 제2 가드 링(42)과, 칩(10)의 외주에 따른 제3 가드 링(43)을 포함하고 있다. 이에 의해, 본 실시의 형태에서는, 칩(10)의 단면(10A)이나, 본딩 패드(13)상의 개구부(14)의 측면 등으로부터 기능 영역(11)에 이르는 수분이나 가스의 침입 경로가, 제2 가드 링(42) 및 제3 가드 링(43)과, 제1 가드 링(41)에 의해 2단계로 차단되어, 고체 촬상 장치(1D)의 신뢰성을 더욱 높인 것이 가능해진다.
가드 링(40)의 단면 구성에 관해서는, 상기 제1, 제2 또는 제3의 실시의 형태의 어느 것을 채용하는 것도 가능하다.
이 고체 촬상 장치(1D)는, 가드 링(40)의 단면 구성에 맞추어서 상기 제1, 제2 또는 제3의 실시의 형태와 마찬가지로 하여 제조할 수 있다.
이 고체 촬상 장치(1D)에서는, 유기막(11A)에 광이 입사하면 전하가 발생하고, 이 전하는, 제1의 실시의 형태와 마찬가지로 하여 하부 투명 전극(11B)에 수집되고, 또한 도시하지 않은 전하 출력부로 이송되고, 도시하지 않은 다층 배선 및 본딩 패드(13)를 통하여, 칩(10)의 외부로 출력된다.
여기서는, 가드 링(40)이, 기능 영역(11)을 둘러싸고, 또한 개구부(14)를 포함하지 않은 영역에 마련된 제1 가드 링(41)과, 개구부(14)를 둘러싸는 제2 가드 링(42)과, 칩(10)의 외주에 따른 제3 가드 링(43)을 포함하고 있다. 따라서, 칩(10)의 단면(10A)으로부터 횡방향으로 침입하여 온 수분이나 가스는, 제3 가드 링(43)과 제1 가드 링(41)에 의해 2단계로 차단된다. 본딩 패드(13)상의 개구부(14)의 측면으로부터 횡방향으로부터 침입하여 온 수분이나 가스는, 제2 가드 링(42)과 제1 가드 링(41)에 의해 2단계로 차단된다. 따라서, 유기막(11A)의 특성 열화가 더욱 확실하게 억제된다.
이와 같이 본 실시의 형태에서는, 가드 링(40)이, 기능 영역(11)을 둘러싸고, 또한 개구부(14)를 포함하지 않은 영역에 마련된 제1 가드 링(41)과, 개구부(14)를 둘러싸는 제2 가드 링(42)과, 칩(10)의 외주에 따른 제3 가드 링(43)을 포함하도록 하였기 때문에, 제1의 실시의 형태의 효과에 더하여, 칩(10)의 단면(10A)이나 본딩 패드(13)상의 개구부(14)의 측면 등, 횡방향으로부터의 수분이나 가스의 침입을 더욱 확실하게 억제하는 것이 가능해진다.
(제6의 실시의 형태)
도 7은, 본 개시된 제6의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 평면 구성을 도시한 것이다. 이 고체 촬상 장치(1E)는, 가드 링(40)의 평면 형상에서 제1의 실시의 형태와 다른 것이다. 즉, 가드 링(40)은, 제4의 실시의 형태와 마찬가지로, 개구부(14)를 둘러싸는 제2 가드 링(42)과, 칩(10)의 외주에 따른 제3 가드 링(43)을 포함하고 있다. 제2 가드 링(42)은, 복수의 개구부(14)에 걸쳐서 마련되어 있다. 이에 의해, 본 실시의 형태에서는, 본딩 패드(13) 사이의 거리(패드 피치)의 축소가, 가드 링(40)에 의해 방해될 우려가 작아진다. 따라서, 패드 피치를 좁게 하여, 칩(10) 전체의 사이즈를 작게 하는 것이 가능해지고, 소형화 및 비용 삭감에 유리해진다.
가드 링(40)의 단면 구성에 관해서는, 상기 제1, 제2 또는 제3의 실시의 형태의 어느 것을 채용하는 것도 가능하다.
이 고체 촬상 장치(1E)는, 가드 링(40)의 단면 구성에 맞추어서 상기 제1, 제2 또는 제3의 실시의 형태와 마찬가지로 하여 제조할 수 있다.
이 고체 촬상 장치(1E)의 동작, 작용 및 효과는 제4의 실시의 형태와 마찬가지이다.
또한, 본 실시의 형태에서, 가드 링(40)이, 기능 영역(11)을 둘러싸고, 또한 개구부(14)를 포함하지 않은 영역에 마련된 제1 가드 링(41)을 또한 포함하는 것도 가능함은 말할 필요도 없다.
(제7의 실시의 형태)
도 8은, 본 개시된 제7의 실시의 형태에 관한 고체 촬상 장치의 단면 구성을 도시한 것이다. 본 실시의 형태는, 가드 링(40)을 마련한 경우에 있어서의 하부 투명 전극(11B)과 본딩 패드(13)와의 접속 구성의 한 예에 관한 것이고, 상기 제1 내지 제6의 모든 실시의 형태에 적용 가능하다. 또한, 도 8에서는, 가드 링(40)이 제1의 실시의 형태와 같은 평면 형상(도 1 참조.) 및 제2의 실시의 형태와 같은 단면 구성(도 3 참조.)을 갖고 있는 경우를 나타내고 있다. 그러나, 가드 링(40)의 평면 형상은, 제4 내지 제6의 실시의 형태와 마찬가지로 하는 것도 가능하고, 또한, 가드 링(40)의 단면 구성은, 제1 또는 제3의 실시의 형태와 마찬가지로 하는 것도 가능하다.
즉, 이 고체 촬상 장치(1F)는, 반도체 기판(21) 내의 전하 전송부(전하 이송부)(51)와, 반도체 기판(21)의 반대면측의 다층 배선(52)을 갖고 있다. 전하 전송부(50)는, 반도체 기판(21)의 주면으로부터 반대면에 관통하여 마련되고, 유기막(11A)에서 광전 변환된 신호 전하, 또는 신호 전하에 대응한 전위를, 다층 배선(52)을 통하여 본딩 패드(13)에 전송하는 것이다.
구체적으로는, 전하 전송부(51)의 주면측의 단부는, 금속 플러그(24)를 통하여 하부 투명 전극(11B)에 접속되어 있다. 전하 전송부(51)의 반대면측의 단부는, 다층 배선(52)을 통하여 본딩 패드(13)에 접속되어 있다. 다층 배선(52)은, 예를 들면, 전하 전송부(51)측부터, 제1 금속 플러그(52A), 금속 배선(52B) 및 제2 금속 플러그(52C)를 포함하고 있다. 다층 배선(52) 및 본딩 패드(13)는, 실리콘산화막 등의 절연막(53A 내지 53E)에 의해 절연되어 있다. 또한, 도 8에서는 전하 전송부(51)를 추상화하여 나타내고 있고, 전하 전송부(51)의 구성은 특히 한정되는 것이 아니다. 또한, 금속 플러그(24) 및 다층 배선(52)의 적층수나 구성도 특히 한정되지 않는다.
이 고체 촬상 장치(1F)에서는, 유기막(11A)에 의해 광전 변환된 신호 전하는, 하부 투명 전극(11B)에 수집되고, 또한 반도체 기판(21) 중에 마련된 전하 전송부(51)에 의해, 반도체 기판(21)의 광입사면과 반대측에 마련된 제1 금속 플러그(52A), 금속 배선(52B), 또한 제2 금속 플러그(52C)를 통하여 본딩 패드(13)로 이송되고, 외부로 출력된다.
또한, 본 실시의 형태에서는, 유기막(11A)에 의해 광전 변환한 신호를 직접 본딩 패드(13)까지 전달하는 구성을 나타내고 있지만, 본딩 패드(13)로부터의 신호 취출할 때까지의 과정에서 전하로부터 전압으로 변환하는 등, 일반적으로 이미지 센서로 취하여지고 있는 다양한 신호 출력 방법을 취하는 것이 가능하다.
또한, 도 8에서는, 본딩 패드(13)가 반도체 기판(21)의 주면(광입사면)과 반대면의측에 마련되어 있는 경우를 나타내고 있지만, 본딩 패드(13)는, 반도체 기판(21)의 주면의 측에 형성하여도 좋다. 그 경우에는, 한 번 반도체 기판(21)의 반대면측에 배치한 금속 배선에 신호 전하, 또는, 신호 전압을 전달하고 나서, 본딩 패드(13)의 하부에 마련한 반도체 기판(21)을 관통하는 전하 이송부, 또는, 전압 이송부에 의해, 반도체 기판(21)의 주면에 형성한 본딩 패드(13)에 접속하는 구성으로 할 수도 있다.
이상, 실시의 형태를 들어 본 개시를 설명하였지만, 본 개시는 상기 실시의 형태로 한정되는 것이 아니고, 여러가지의 변형이 가능하다.
예를 들면, 상기 제1의 실시의 형태에서는, 반도체 기판(21)과 제1의 금속 배선(40B)과의 사이에 제1의 금속 플러그(40A)가 1개 마련되어 있는 경우에 관해 설명하였지만, 제1의 금속 플러그(40A)는, 도 9에 도시한 바와 같이 2개 이상 마련되어 있어도 좋고. 다른 금속 플러그에 관해서도 마찬가지이다.
또한, 상기 실시의 형태에서는, 제1 가드 링(41), 제2 가드 링(42) 및 제3 가드 링(43)을 각각 외겹(一重)으로 마련한 경우에 관해 설명하였지만, 예를 들면, 도 10에 도시한 바와 같이, 제1 가드 링(41)을 이중으로 마련하는 것도 가능하다. 제2 가드 링(42) 및 제3 가드 링(43)에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 예를 들면, 상기 실시의 형태에서는, 하부 투명 전극(11B)이 화소마다 분단되고, 상부 투명 전극(11C)이 공통 전극인 경우에 관해 설명하였지만, 상부 투명 전극(11C)이 화소마다 분단되고, 하부 투명 전극(11B)이 공통 전극인 구성을 취하는 것도 가능하다. 이 경우에는, 광전 변환된 신호 전하는, 상부 투명 전극(11C)에서 수집되고, 상부 투명 전극(11C)에 접속된 전하 출력부(도시 생략)를 통하여 칩(10)의 외부로 출력된다.
더하여, 예를 들면, 상기 실시의 형태에서는, 고체 촬상 장치(1, 1A 내지 1F)의 구성을 구체적으로 들어 설명하였지만, 모든 구성 요소를 구비할 필요는 없고, 또한, 다른 구성 요소를 더욱 구비하고 있어도 좋다.
또한, 본 기술은 이하와 같은 구성을 취하는 것도 가능하다.
(1)
유기막이 마련된 기능 영역과,
상기 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을
구비한 고체 촬상 장치.
(2)
상기 기능 영역의 주위의 주변 영역에 마련된 본딩 패드와,
상기 본딩 패드에 대향하는 위치에 마련된 개구부를
구비한 상기 (1)에 기재된 고체 촬상 장치.
(3)
상기 가드 링은, 상기 기능 영역을 둘러싸고, 또한 상기 개구부를 포함하지 않은 영역에 마련된 제1 가드 링을 포함하는
상기 (2)에 기재된 고체 촬상 장치.
(4)
상기 가드 링은,
상기 개구부를 둘러싸는 제2 가드 링과,
칩 외주에 따른 제3 가드 링을
포함하는 상기 (2) 또는 (3)에 기재된 고체 촬상 장치.
(5)
상기 제2 가드 링은 복수의 개구부에 걸쳐서 마련되어 있는
상기 (4)에 기재된 고체 촬상 장치.
(6)
상기 가드 링은, 수분 및 산소를 투과하지 않는 재료막에 의해 구성되어 있는
상기 (1) 내지 (5)의 어느 한 항에 기재된 고체 촬상 장치.
(7)
상기 가드 링은, 상기 기능 영역의 주위에 1층 이상의 금속층을 적층한 구성을 갖는
상기 (1) 내지 (6)의 어느 한 항에 기재된 고체 촬상 장치.
(8)
상기 금속층은, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리, 또는 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 합금막, 또는, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 금속막에 실리콘 또는 산소를 함유시킨 막에 의해 구성되어 있는
상기 (7)에 기재된 고체 촬상 장치.
(9)
패시베이션막을 구비하고,
상기 패시베이션막은, 상기 가드 링을 구성하는 최상층의 금속층의 바로 위에 직접 피착되어 있는
상기 (7) 또는 (8)에 기재된 고체 촬상 장치.
(10)
상기 기능 영역의 주위에 절연막을 구비하고,
상기 가드 링은, 상기 절연막에 마련된 홈의 내부에 매입된 매입층에 의해 구성되어 있는
상기 (1) 내지 (6)의 어느 한 항에 기재된 고체 촬상 장치.
(11)
상기 매입층은, 금속막 또는 실리콘질화막에 의해 구성되어 있는
상기 (10)에 기재된 고체 촬상 장치.
(12)
상기 금속막은, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리, 또는 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 합금막, 또는, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 금속막에 실리콘 또는 산소를 함유시킨 막에 의해 구성되어 있는
상기 (11)에 기재된 고체 촬상 장치.
(13)
상기 기능 영역의 윗면 및 상기 절연막의 윗면을 덮는 패시베이션막을 구비하고,
상기 패시베이션막은, 상기 매입층의 바로 위에 직접 피착되어 있는
상기 (10) 내지 (12)의 어느 한 항에 기재된 고체 촬상 장치.
(14)
상기 기능 영역의 주위에 마련된 절연막과,
상기 기능 영역의 윗면 및 상기 절연막의 윗면을 덮는 패시베이션막과
를 구비하고,
상기 가드 링은, 상기 절연막에 마련된 홈의 내부에 피착된 패시베이션막에 의해 구성되어 있는
상기 (1) 내지 (6)의 어느 한 항에 기재된 고체 촬상 장치.
(15)
상기 패시베이션막은, 수분 및 산소를 투과하지 않는 재료막에 의해 구성되어 있는
상기 (9), (13) 및 (14)의 어느 한 항에 기재된 고체 촬상 장치.
(16)
상기 패시베이션막은, 실리콘질화막, 실리콘산질화막 또는 산화알루미늄막, 또는 실리콘질화막, 실리콘산질화막 또는 산화알루미늄의 적층막에 의해 구성되어 있는
상기 (15)에 기재된 고체 촬상 장치.
(17)
상기 기능 영역이 주면측에 마련된 반도체 기판과,
상기 반도체 기판내에 마련된 전하 전송부와,
상기 반도체 기판의 상기 주면이란 반대면측에 마련되고, 상기 본딩 패드에 접속된 다층 배선을
구비하고,
상기 전하 전송부는, 상기 유기막에서 광전 변환된 신호 전하, 또는 신호 전하에 대응한 전위를, 상기 다층 배선을 통하여 상기 본딩 패드에 전송하는
상기 (1) 내지 (16)의 어느 한 항에 기재된 고체 촬상 장치.
(18)
반도체 기판의 주면측에, 유기막이 마련된 기능 영역을 형성하는 것과,
상기 기능 영역의 주위에 1층 이상의 금속층을 적층함에 의해, 상기 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하는 것을
포함하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
(19)
반도체 기판의 주면측에, 유기막이 마련된 기능 영역을 형성함과 함께, 상기 기능 영역의 주위에 절연막을 형성하는 것과,
상기 절연막에 홈을 마련하고, 상기 홈의 내부에 금속막 또는 실리콘질화막으로 이루어지는 매입층을 형성함에 의해, 상기 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하는 것을 포함하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
(20)
반도체 기판의 주면측에, 유기막이 마련된 기능 영역을 형성함과 함께, 상기 기능 영역의 주위에 절연막을 형성하는 것과,
상기 절연막에 홈을 마련하고, 상기 홈의 내부에 패시베이션막을 피착함에 의해, 상기 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하는 것을
포함하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
본 출원은, 일본 특허청에서 2011년 12월 12일에 출원된 일본 특허출원 번호 2011-271195호를 기초로서 우선권을 주장하는 것이고, 이 출원의 모든 내용을 참조에 의해 본 출원에 원용한다.
당업자라면, 설계상의 요건이나 다른 요인에 응하여, 여러 가지의 수정, 콤비네이션, 서브 콤비네이션, 및 변경을 상도할 수 있는데, 그들은 첨부한 청구의 범위나 그 균등물의 범위에 포함되는 것이 이해된다.

Claims (20)

  1. 유기막이 마련된 기능 영역과,
    상기 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 구비한 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기능 영역의 주위의 주변 영역에 마련된 본딩 패드와,
    상기 본딩 패드에 대향하는 위치에 마련된 개구부를 구비한 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가드 링은, 상기 기능 영역을 둘러싸고, 또한 상기 개구부를 포함하지 않은 영역에 마련된 제1 가드 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 가드 링은,
    상기 개구부를 둘러싸는 제2 가드 링과,
    칩 외주에 따른 제3 가드 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 가드 링은 복수의 개구부에 걸쳐서 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가드 링은, 수분 및 산소를 투과하지 않는 재료막에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 가드 링은, 상기 기능 영역의 주위에 1층 이상의 금속층을 적층한 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 금속층은, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리, 또는 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 합금막, 또는, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 금속막에 실리콘 또는 산소를 함유시킨 막에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    패시베이션막을 구비하고,
    상기 패시베이션막은, 상기 가드 링을 구성하는 최상층의 금속층의 바로 위에 직접 피착되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기능 영역의 주위에 절연막을 구비하고,
    상기 가드 링은, 상기 절연막에 마련된 홈의 내부에 매입된 매입층에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 매입층은, 금속막 또는 실리콘질화막에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 금속막은, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리, 또는 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 합금막, 또는, 알루미늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 구리의 금속막에 실리콘 또는 산소를 함유시킨 막에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 기능 영역의 윗면 및 상기 절연막의 윗면을 덮는 패시베이션막을 구비하고,
    상기 패시베이션막은, 상기 매입층의 바로 위에 직접 피착되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기능 영역의 주위에 마련된 절연막과,
    상기 기능 영역의 윗면 및 상기 절연막의 윗면을 덮는 패시베이션막을
    구비하고,
    상기 가드 링은, 상기 절연막에 마련된 홈의 내부에 피착된 패시베이션막에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 패시베이션막은, 수분 및 산소를 투과하지 않는 재료막에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 패시베이션막은, 실리콘질화막, 실리콘산질화막 또는 산화알루미늄막, 또는 실리콘질화막, 실리콘산질화막 또는 산화알루미늄의 적층막에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 기능 영역이 주면측에 마련된 반도체 기판과,
    상기 반도체 기판내에 마련된 전하 전송부와,
    상기 반도체 기판의 상기 주면과는 반대면측에 마련되고, 상기 본딩 패드에 접속된 다층 배선을 구비하고,
    상기 전하 전송부는, 상기 유기막에서 광전 변환된 신호 전하, 또는 신호 전하에 대응한 전위를, 상기 다층 배선을 통하여 상기 본딩 패드에 전송하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  18. 반도체 기판의 주면측에, 유기막이 마련된 기능 영역을 형성하는 것과,
    상기 기능 영역의 주위에 1층 이상의 금속층을 적층함에 의해, 상기 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  19. 반도체 기판의 주면측에, 유기막이 마련된 기능 영역을 형성함과 함께, 상기 기능 영역의 주위에 절연막을 형성하는 것과,
    상기 절연막에 홈을 마련하고, 상기 홈의 내부에 금속막 또는 실리콘질화막으로 이루어지는 매입층을 형성함에 의해, 상기 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  20. 반도체 기판의 주면측에, 유기막이 마련된 기능 영역을 형성함과 함께, 상기 기능 영역의 주위에 절연막을 형성하는 것과,
    상기 절연막에 홈을 마련하고, 상기 홈의 내부에 패시베이션막을 피착함에 의해, 상기 기능 영역을 둘러싸는 가드 링을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
KR1020147011751A 2011-12-12 2012-11-30 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 KR102163308B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011271195A JP2013123000A (ja) 2011-12-12 2011-12-12 固体撮像装置およびその製造方法
JPJP-P-2011-271195 2011-12-12
PCT/JP2012/081082 WO2013088975A1 (ja) 2011-12-12 2012-11-30 固体撮像装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140107187A true KR20140107187A (ko) 2014-09-04
KR102163308B1 KR102163308B1 (ko) 2020-10-08

Family

ID=48612430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147011751A KR102163308B1 (ko) 2011-12-12 2012-11-30 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (6) US9443912B2 (ko)
JP (1) JP2013123000A (ko)
KR (1) KR102163308B1 (ko)
CN (2) CN103975435B (ko)
WO (1) WO2013088975A1 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010006377A1 (de) 2010-01-29 2011-08-04 Merck Patent GmbH, 64293 Styrolbasierte Copolymere, insbesondere für die Anwendung in optoelektronischen Bauteilen
DE102010054316A1 (de) 2010-12-13 2012-06-14 Merck Patent Gmbh Substituierte Tetraarylbenzole
DE102010055902A1 (de) 2010-12-23 2012-06-28 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102011011104A1 (de) 2011-02-12 2012-08-16 Merck Patent Gmbh Substituierte Dibenzonaphtacene
JP2013123000A (ja) * 2011-12-12 2013-06-20 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法
CN105144385B (zh) * 2013-04-26 2018-06-29 奥林巴斯株式会社 摄像装置
JP2015012239A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 ソニー株式会社 撮像素子および電子機器
JP6120094B2 (ja) 2013-07-05 2017-04-26 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
TWI692859B (zh) * 2015-05-15 2020-05-01 日商新力股份有限公司 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器
WO2017010262A1 (ja) * 2015-07-10 2017-01-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、製造装置、製造方法
JP6682327B2 (ja) * 2016-04-01 2020-04-15 キヤノン株式会社 電子デバイス、その製造方法及びカメラ
KR102577261B1 (ko) * 2017-01-09 2023-09-11 삼성전자주식회사 이미지 센서, 이미지 센서 제조 방법
CN207705199U (zh) * 2017-11-24 2018-08-07 昆山国显光电有限公司 显示器件
JP7040140B2 (ja) * 2018-03-07 2022-03-23 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器
US11756977B2 (en) * 2018-06-21 2023-09-12 Semiconductor Components Industries, Llc Backside illumination image sensors
KR102593777B1 (ko) * 2018-11-14 2023-10-26 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
JP2021044542A (ja) 2019-09-05 2021-03-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置
JP2020129688A (ja) * 2020-05-01 2020-08-27 キヤノン株式会社 撮像装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296904A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Toshiba Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法
JP2006245045A (ja) 2005-02-28 2006-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換膜積層型固体撮像素子とその製造方法
JP2006261613A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Fujitsu Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2009176949A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Fujifilm Corp 裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法
JP2010141020A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、電子機器並びに半導体装置
JP2011114261A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法、並びに固体撮像素子の製造方法及び半導体装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5514468A (en) * 1991-04-17 1996-05-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Magneto-optical recording medium
JP2917920B2 (ja) * 1996-06-27 1999-07-12 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6750517B1 (en) * 2000-11-06 2004-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Device layout to improve ESD robustness in deep submicron CMOS technology
JP2002353307A (ja) 2001-05-25 2002-12-06 Toshiba Corp 半導体装置
US7148089B2 (en) * 2004-03-01 2006-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming copper fuse links
JP2006261638A (ja) 2005-02-21 2006-09-28 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
KR101194040B1 (ko) * 2005-11-22 2012-10-24 페어차일드코리아반도체 주식회사 트랜지스터에 프리휠링 다이오드가 구현된 고집적회로
US7622364B2 (en) * 2006-08-18 2009-11-24 International Business Machines Corporation Bond pad for wafer and package for CMOS imager
WO2008126268A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Fujitsu Microelectronics Limited 半導体装置
JP5085241B2 (ja) * 2007-09-06 2012-11-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4655137B2 (ja) * 2008-10-30 2011-03-23 ソニー株式会社 半導体装置
JP5251736B2 (ja) * 2009-06-05 2013-07-31 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
US9123653B2 (en) * 2009-07-23 2015-09-01 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP5671789B2 (ja) * 2009-08-10 2015-02-18 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置
KR101084940B1 (ko) * 2009-09-28 2011-11-17 삼성전기주식회사 실리콘 광전자 증배관
JP5509846B2 (ja) * 2009-12-28 2014-06-04 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
US8581386B2 (en) * 2010-02-26 2013-11-12 Yu-Lin Yen Chip package
JP5533046B2 (ja) * 2010-03-05 2014-06-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
JP5622433B2 (ja) * 2010-04-28 2014-11-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2012033583A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置
US8338917B2 (en) * 2010-08-13 2012-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multiple seal ring structure
JP2012178496A (ja) * 2011-02-28 2012-09-13 Sony Corp 固体撮像装置、電子機器、半導体装置、固体撮像装置の製造方法
KR101861650B1 (ko) * 2011-10-17 2018-05-29 삼성전자주식회사 이미지 센서, 이를 포함하는 전자 시스템 및 그 이미지 센싱 방법
JP5730265B2 (ja) * 2011-10-31 2015-06-03 富士フイルム株式会社 撮像素子
JP2013123000A (ja) * 2011-12-12 2013-06-20 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2013157385A (ja) * 2012-01-27 2013-08-15 Semiconductor Components Industries Llc 半導体装置及びその自動外観検査方法
CN105493291A (zh) * 2013-06-06 2016-04-13 美国联合碳化硅公司 沟槽屏蔽连接结型场效应晶体管

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296904A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Toshiba Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法
JP2006245045A (ja) 2005-02-28 2006-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換膜積層型固体撮像素子とその製造方法
JP2006261613A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Fujitsu Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2009176949A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Fujifilm Corp 裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法
JP2010141020A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、電子機器並びに半導体装置
JP2011114261A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法、並びに固体撮像素子の製造方法及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9443912B2 (en) 2016-09-13
WO2013088975A1 (ja) 2013-06-20
US11081527B2 (en) 2021-08-03
US9478585B2 (en) 2016-10-25
US20160233272A1 (en) 2016-08-11
CN106340529B (zh) 2019-12-17
CN103975435B (zh) 2017-09-22
US20150041781A1 (en) 2015-02-12
CN106340529A (zh) 2017-01-18
US20180277606A1 (en) 2018-09-27
JP2013123000A (ja) 2013-06-20
US20170040383A1 (en) 2017-02-09
CN103975435A (zh) 2014-08-06
US20210408124A1 (en) 2021-12-30
US9735205B2 (en) 2017-08-15
KR102163308B1 (ko) 2020-10-08
US10014350B2 (en) 2018-07-03
US20170323932A1 (en) 2017-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210408124A1 (en) Solid-state image pickup device and manufacturing method thereof
JP6161258B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ
US8004020B2 (en) Solid-state image capturing device, camera module and electronic information device
JP6124502B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR20080053228A (ko) 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 촬상 장치
JP2012033894A (ja) 固体撮像装置
JP2009021415A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US9837463B2 (en) Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
JP6342033B2 (ja) 固体撮像装置
JP6083572B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2013214616A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
US10032821B2 (en) Imaging device and method of manufacturing the same
JP2020181953A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP6499400B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6701149B2 (ja) 撮像装置およびカメラ
JP2009130318A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2020129688A (ja) 撮像装置
JP2023004854A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2022019617A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2017126783A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
E801 Decision on dismissal of amendment
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)