JP6342033B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は、複数の部材を貼り合わせて構成する固体撮像装置に関する。

固体撮像装置において、光電変換部と周辺回路部とを別の基板に分けて形成し、それらをマイクロバンプ等で電気的に接続する構成が知られている。

特許文献１には、光電変換部や信号読み出し用の読み出し回路を設けた画素を含む第１の半導体基板と、画素から読み出された信号を処理するための周辺回路を含む第２の半導体基板とを貼り合わせた裏面照射型の固体撮像装置が記載されている。

特開２００９−１７０４４８号公報

各種回路を有する半導体基板は、半導体基板の周囲の雰囲気等から侵入する水分やイオンから素子を保護する必要がある。そこで、特許文献１に記載されるような第１の半導体基板と第２の半導体基板を有する固体撮像装置において、周囲の雰囲気等から侵入する水分やイオンからの保護が求められていた。

そこで本発明においては、耐湿性が改善された固体撮像装置を提供することを目的とする。

本発明は、第１トランジスタおよび開口を有する第１半導体基板と、第２トランジスタを有し前記第１半導体基板に重なる第２半導体基板と、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板との間に配され、前記第１トランジスタに接続された第１導電パターンを含む第１層と、前記第１層と前記第２半導体基板との間に配され、前記第２トランジスタに接続された第２導電パターンを含む第２層と、を備える装置であって、前記装置は、平面視において前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタを含む第１部分と、前記開口と前記第２半導体基板との間に位置する第２部分と、シール部と、を有し、前記シール部は、前記第１層に含まれる第３導電パターンと、前記第２層に含まれる第４導電パターンと、で少なくとも構成されており、前記第３導電パターンの一部が前記第２部分と前記第１導電パターンの間に位置し、前記第４導電パターンの一部が前記第２部分と前記第２導電パターンとの間に位置していること。さらに本発明は、前記第３導電パターンおよび前記第４導電パターンは前記第２部分を囲むこと、あるいは、前記第３導電パターンは前記第１導電パターンを囲み、前記第４導電パターンは前記第２導電パターンを囲むことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、外部からの水分の浸入が抑制された固体撮像装置が提供可能である。

実施例１における固体撮像装置の斜視図及び平面図である。 実施例１における固体撮像装置の回路図である。 実施例１における固体撮像装置の平面レイアウトを説明する平面模式図である。 実施例１における固体撮像装置の断面模式図である。 実施例１における固体撮像装置の断面模式図である。 実施例１における固体撮像装置の製造方法を説明する断面模式図である。 実施例１における固体撮像装置の製造方法を説明する断面模式図である。 実施例１における固体撮像装置の製造方法を説明する断面模式図である。 実施例２における固体撮像装置の断面模式図である。 実施例３における固体撮像装置の断面模式図である。 実施例３における固体撮像装置の断面模式図である。 実施例４における固体撮像装置の断面模式図である。 実施例５における固体撮像装置の断面模式図である。

以下、本発明について図面を用いて詳細に説明を行う。なお、実施例の説明において、第１基板の一主面及び第２基板の一主面とは光電変換部もしくはトランジスタが配される基板表面である。該主面と対向する反対側の面が、第１基板の裏面及び第２基板の裏面である。また、特に説明上方向は裏面から主面に向かう方向とし、下方向及び深さ方向は基板の主面から裏面に向かう方向とする。

また本発明においては外部からの水分の侵入を抑制するシール部としてシールリングを例にとり説明するが水分などの侵入を抑制する機能を有していればリング形状に限られるものではない。

（実施例１）
本発明の実施例１について、図１から図８を用いて説明する。

図１は、実施例１の固体撮像装置を示しており、図１（Ａ）が固体撮像装置の斜視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の固体撮像装置を光入射側から見た平面図である。図１（Ａ）に示すように、本実施例の固体撮像装置は、第１部材３０８と第２部材３０９とが貼り合わされた構造を有する。第１部材３０８及び第２部材３０９はそれぞれが第１基板、第２基板を有している。第１基板と第２基板との間には配線構造が配され、好ましくはこの配線構造は複数の配線層を含む。以下、添え字でＡ、Ｂが振られている場合には、便宜上、第１部材３０８に配される構成にＡ、第２部材３０９に配される構成にＢを振ることとする。

第１部材３０８は、第２部材３０９よりも光入射側に配されている。図１（Ｂ）において、図の左半分が第１部材３０８を示し、右半分は第１部材３０８が存在する部分を図示せず、第２部材３０９を示している。第１部材３０８を図示していない右半分に関しても、左半分と同様にレイアウトすることができる。

図１において、３０１Ａ、３０１Ｂは画素部である。画素部３０１Ａにはそれぞれが画素に対応する複数の光電変換部が配されている。１１８はマイクロレンズである。マイクロレンズ１１８は各光電変換部に光を集光させる。１２０は周辺回路である。画素部３０１の信号を読み出すための種々の回路が配されている。周辺回路１２０の主たる部分は第２部材３０９に配されるが、周辺回路１２０の一部を第１部材３０８に配することもできる。

３１２Ａはパッド部である。パッド部３１２Ａには複数のパッド３１３が配置されている。複数のパッド３１３は、外部回路との信号等のやり取りを行う入力パッド、出力パッド（以下パッド）を含み得る。パッド３１３は、例えば、配線構造の一部である導電パターンにより構成されうる。通常、配線を構成する導電パターンは絶縁体により囲まれているが、パッドと外部回路とを電気的に接続するため、パッド上の絶縁体に開口１００が配置されている。

そして、外部からの水分の浸入を抑制するためのシールリング１５０Ａ、１５１Ａ、１５２Ａ、１５０Ｂが配置されている。第１部材３０８には、第１部材３０８の最外周にシールリング１５０Ａが配置され、シールリング１５０Ａの内側であって、パッド部３１２Ａと画素部３０１Ａとの間にシールリング１５２Ａが配置される。また、パッド部３１２Ａに配された各パッド３１３を囲むようにシールリング１５１Ａが配置されている。また、第２部材３０９には最外周にシールリング１５０Ｂが配置されている。つまり第１部材３０８はシールリング１５０Ａ〜１５２Ａを含んで構成される第１シール部を有し、第２部材は１５０Ｂを含んで構成される第２シール部を有している。シールリングは主にそれぞれが配される部材に対して外部からの水分の浸入を抑制する。後述するように、第１シール部の一部と第２シール部の一部とが接している。より具体的には第１シール部の第２部材３０９に対向する面と、前記第２シール部の第１部材３０８に対向する面とが接している。

ここでシールリングに関してさらに詳細に説明する。本発明におけるシールリングは配置により４種類に分類でき、以下の実施例ではこれら４種類のシールリングを適宜組み合わせてシール部を構成する。

まず一つ目の分類としては、それぞれの部材の最外周部に配されるシールリングである。以下の実施例では符号１５０Ａ、１５０Ｂが振られる。シールリング１５０Ａ、１５０Ｂは、各部材が有する、画素部、周辺回路部、パッド部よりも外側に配置される。

二つ目の分類としては、パッド部に配される各パッドの周囲に配され、該パッドを囲うように配されるシールリングである。以下の実施例では符号１５１Ａ、１５１Ｂが振られる。

三つ目の分類としては、パッド部と画素部もしくはパッドと周辺回路部との間に配されるシールリングである。以下の実施例では符号１５２Ａ，１５２Ｂが振られる。

四つ目の分類としては、それぞれの部材の貼り合わせ面に配された絶縁体により構成されたシール部である。このシール部はパッシベーション層と兼ねることができる。具体的にはＳｉＮ、ＳｉＯＮを用いることができる。これらはＳｉＯ２に比べて吸湿性が高いためシール機能も高い。

本発明においては以上の四つに分類されたシールリングを適宜組み合わせてシール部を構成する。より具体的には第１部材に配された第１シール部と第２部材に配された第２シール部とが互いに接してシール部を構成する。シール機能を高めるためには、それぞれの部材に配されるシール部のうち、同じ分類のシールリングどうしを接触させるのがよい。

次に、図２を用いて実施例１の固体撮像装置の等価回路図を説明する。本実施例では、信号電荷が電子の場合について説明を行う。図２の固体撮像装置３００は、各々が光電変換部と光電変換部で生じた信号を処理もしくは該信号を読み出すための読み出し回路を有する複数の画素が配列された画素部３０１を有する。更に、複数の画素からの信号を読み出すための周辺回路部３０２を有する。周辺回路部３０２には図１の複数の周辺回路１２０が配される。

画素部３０１には、光電変換部３０３と、転送トランジスタ３０４と、増幅トランジスタ３０６と、リセットトランジスタ３０７が複数配置されている。１つの光電変換部３０３を含む構成を画素とする。本実施例の１つの画素は、光電変換部３０３と、転送トランジスタ３０４と、増幅トランジスタ３０６と、リセットトランジスタ３０７を含む。転送トランジスタ３０４のソースは光電変換部３０３と接続しており、転送トランジスタ３０４のドレインは増幅トランジスタ３０６のゲートと接続している。この増幅トランジスタ３０６のゲートと同一のノードをノード３０５とする。リセットトランジスタ３０７のソースはノード３０５に接続し、ノード３０５の電位を任意の電位（例えば、リセット電位）に設定する。リセットトランジスタ３０７のドレインにはリセット電圧が供給可能な構成となっている。ここで、増幅トランジスタ３０６はソースフォロア回路の一部であり、ノード３０５の電位に応じた信号を信号線ＲＬに出力する。ノード３０５はフローティングディフュージョンを含んで構成することができる。

周辺回路部３０２は複数の周辺回路が配されている。例えば、画素部３０１のトランジスタのゲートへ制御信号を供給するための垂直走査回路ＶＳＲと、画素部３０１から出力された信号を増幅もしくは加算もしくはＡＤ変換などの信号処理を行う読み出し回路ＲＣを有する。また、周辺回路部３０２は、読み出し回路ＲＣから信号を順次出力するためのパルスを供給する水平走査回路ＨＳＲを有する。

ここで、実施例１の固体撮像装置は、複数の光電変換部３０３は第１部材３０８に配されており、少なくとも画素の読み出し回路の一部、及び前記周辺回路が第２部材３０９に配されている。具体的には光電変換部３０３と転送トランジスタ３０４とが第１部材３０８に配された画素部３０１Ａとなり、それ以外の画素の構成要素が第２部材３０９に配された画素部である。なお、第１基板と第２基板の画素部の各トランジスタの配置は上記の構成に限られず、適宜、状況に合わせて変更可能である。

接続部３１０は、第１基板に配された転送トランジスタ３０４のゲートと第２の部材に配された周辺回路１２０とを電気的に接続するノードである。接続部３１０の具体的な構成については後述する。

光電変換部３０３にて生じた電荷は、転送トランジスタ３０４のドレイン、即ちノード３０５に読み出される。ノード３０５は、第１部材３０８に配された構成と第２部材３０９に配された構成とを含み得る。具体的に第１部材３０８に含まれる構成は、フローティングディフュージョン、及びフローティングディフュージョンと電気的に接続された第１配線構造の一部である。第２部材３０９に含まれる構成は、リセットトランジスタ３０７のソース、増幅トランジスタ３０６のゲートと、及びこれらと第１配線構造の一部とを電気的に接続する第２配線構造の一部である。

このような構成によって、従来の１つの部材（即ち１つの基板）に画素部、周辺回路部の全てを配置する場合に比べて、光電変換部３０３の面積を大きくすることが可能となり感度を向上させることが可能となる。また、従来の構成に比べて、光電変換部の面積を同一とするならば、光電変換部３０３を多く設けることが可能となり、多画素化が可能となる。そして、第１部材３０８の第１配線構造の一部と、第２部材３０９の第２配線構造の一部とにより、固体撮像装置の外部から侵入する水分を抑制するシール部を構成することができる。

固体撮像装置の具体的な平面レイアウトを、図３の固体撮像装置の平面模式図を用いて説明する。図３（Ａ）は第１部材３０８の平面レイアウトを示すための上面図であり、図３（Ｂ）は第２部材３０９の平面レイアウトを示すための上面図である。図１と図２と同様の機能を有する部分には同様の符号を付し詳細な説明は省略する。

図３（Ａ）において、第１部材３０８には、複数の光電変換部３０３が配された画素部３０１Ａと、複数のパッド３１３が配されたパッド部３１２Ａとが配されている。画素部３０１Ａには、光電変換部３０３と転送トランジスタ３０４とが複数配されている。また、パッド３１３と平面的に同一位置に第２部材３０９との電気的接続のための接続部３１４Ａが配されている。接続部は配線構造に含まれる配線層と同一層で形成される導電パターンにより構成することができる。

パッド３１３が入力パッドの場合には、パッド３１３に入力された信号もしくは電源電圧等が、接続部３１４Ａを介して、第２の部材３０９の回路に供給される。パッド３１３が出力パッドの場合には、第２の部材３０９からの信号が接続部３１４Ａを介して、パッド３１３に伝達される。なお、パッドには、配線層に配置された、外部回路が電気的に接続される電極パッドや半導体基板の一方の面から対向する他方の面に貫通する貫通電極と接続される電極パッドが含まれる。

次に、図３（Ｂ）において、第２部材３０９には、画素部３０１Ｂと周辺回路部３０２Ｂとパッド部３１２Ｂとが配されている。パッド部３１２Ｂにはパッドそのものが配されるわけではなく、第２部材３０９においてパッド３１３と電気的接続を取るための導電パターンが配される領域である。画素部３０１Ｂには画素の読み出し回路を構成するトランジスタが配されており、例えば、図２における増幅トランジスタ３０６とリセットトランジスタ３０７が複数配置されている。周辺回路部３０２には水平走査回路ＨＳＲ、垂直走査回路ＶＳＲ、読み出し回路ＲＣが配されている。パッド部３１２Ｂには、第１部材３０８に配された接続部３１４Ａとの接続のための接続部３１４Ｂが配されている。水平走査回路ＨＳＲ、垂直走査回路ＶＳＲ、読み出し回路ＲＣと、夫々に対応する接続部３１４Ｂとは引き出し配線３１６を介して電気的に接続されている。

図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示した平面レイアウトを有する第１部材３０８と第２部材３０９とは、図１で示した２つの部材が貼り合わせられた本実施例の固体撮像装置を個々に説明するための図である。具体的には、画素部３０１Ａと画素部３０１Ｂとが重なるように配置される。そして、接続部３１４Ａと接続部３１４Ｂとが接続する。なお、図３では、第２部材３０９の周辺回路部３０２Ｂに対応する第１部材３０８の領域を周辺回路部３０２Ａとして示している。周辺回路部３０２Ａには走査回路の一部を配置してもよいし、回路素子を配さなくてもよい。なお、第１部材３０８と第２部材３０９との役割の関係において、第１部材３０８は少なくとも光電変換部を有し、第２部材３０９は画素の読み出し回路あるいは周辺回路の少なくとも一部を有する。

次に、第１部材３０８のシール部について説明する。以下の説明では、シール部は、第２部材３０９側から第１基板１０１に垂直に投影した場合における配置を示している。第１部材３０８は、最外周部にシールリング１５０Ａが配置されている。ここで最外周部とは、例えば、これよりも外側に回路素子が配されていない、もしくは導電パターンが配されていないことを示す。更に、画素部３０１の周辺に配置された複数のパッド３１３には、個々のパッド３１３の周囲を囲むようにシールリング１５１Ａが配置されている。シールリング１５１Ａは、パッド３１３と第１基板１０１に配された半導体領域との両者に電気的に接続させることができる。なお、シールリング１５１Ａが接続された半導体領域を含んで静電破壊保護回路を形成することが可能である。静電破壊保護回路の一例としては保護ダイオードを用いることができる。シールリング１５１Ａにより、パッド開口部１００からの水分浸入を抑制すると共に、外部からのノイズによる影響を抑制することができる。

そして、パッド部３１２Ａと画素部３０１との間にはシールリング１５２Ａが配置されている。シールリング１５１Ａを有する場合には、シールリング１５２Ａは、シールリング１５１Ａの画素部側の端部と、画素部３０１との間に配置されるのがよい。好ましくは、シールリング１５２Ａは画素部３０１の周囲を囲んでいる。

次に、第２部材３０９のシール部について説明する。以下の説明における配置は、第１部材３０８側から第２基板１２１に垂直に投影した場合における配置を示している。

第２部材３０９のシールリング１５０Ｂは、第２部材３０９の最外周部に配されている。各周辺回路１２０と各接続部３１４Ｂとを電気的に接続するための複数の引き出し配線３１６を有する場合は、複数の引き出し配線３１６よりも外側にシールリング１５０Ｂを配置するのがよい。好ましくはシールリング１５０Ｂは、図示するように複数の引き出し配線３１６を囲むように配するのがよい。また、第２部材３０９のパッド部３１２Ｂにパッド３１３が配置される場合は、第１部材３０８のシールリング１５１Ａと同様に配置されたシールリング１５１Ｂ（不図示）を設けてもよい。

第１部材３０８と第２部材３０９とが貼り合わされた時の各部材におけるシールリングの位置関係は、重なる配置、重ならない配置のどちらでも可能である。特に、パッシベーション層が配線構造の表面側に配置されている場合は、第１、第２部材の各シールリングは重ならなくても良い。これはパッシベーション層がシール部の一部を構成するためである。この時パッシベーション層は配線構造の他の絶縁膜よりも吸湿性が高い材料で構成されるのがよい。具体的な材料としては、窒素を含む材料であり、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどを用いることができる。

また、第１部材３０８及び第２部材３０９の、導電体で構成したシールリングどうしを接するように配置することで防湿性が向上し、更には、信頼性が向上する。また、第１、第２部材の導電体で構成したシールリングどうしを接触させ連続的に一体化してシール部を構成することも考えられる。この場合は、第１部材３０８のウエハと第２部材３０９のウエハとを結合させた後でダイシングする時に、チッピングの範囲の拡大をシールリングで抑えることができる。更には、歩留まりや信頼性が向上する。

図４は、図１のＸ−Ｘ’線での断面模式図であり、図２及び図３に示した回路、平面レイアウトを有する固体撮像装置を説明する図である。図４では、図１〜図３と同一の構成には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。

本実施例の固体撮像装置は、第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板の間に配置された配線構造と、を有する。第１基板は好ましくは半導体基板であり、第１の部材３０８に含まれる。第２基板は好ましくは半導体基板であり、第２の部材３０９に含まれる。

配線構造は、好ましくは、複数の配線層が絶縁層を介して積層された構造を有している。また、配線構造は、第１の部材３０８が第１の配線構造を有し第２の部材３０９が第２配線構造を有して構成されてもよい。この場合は第１配線構造及び第２配線構造の両者が複数の配線層が絶縁層を介して積層された構造を有しているとよい。もしくは第１及び第２の部材の一方のみが配線構造を有して構成されてもよい。

第１部材３０８は、絶縁層と配線層とを少なくとも有する第１配線構造と第１基板１０１とを有する。第１基板１０１は例えば半導体基板であり、主面１０２と裏面１０３とを有する。本実施例における第１基板１０１はｎ型のシリコン半導体基板である。第１基板の主面１０２には光電変換部３０３が配置されている。第１配線構造は、層間絶縁膜１０４〜１０６と、ゲート電極やゲート配線を含むゲート電極層１０７を含む。更に、複数の配線を含む配線層１０９、１１１と、複数のコンタクトプラグあるいはビアプラグを含むプラグ層１０８、１１０とを有する。層間絶縁膜１０６は、第１配線構造の最表面に配置されたパッシベーション層である。ここではパッシベーション層としてＳｉＮを有する絶縁膜を用いている。

第１基板１０１には、光電変換部３０３を構成するｎ型半導体領域１１２と、転送トランジスタのドレインつまりフローティングディフュージョンであるｎ型半導体領域１１４が配されている。更に、素子分離構造１１９が配されている。素子分離構造１１９は絶縁体を用いて構成してもよいし、絶縁体を用いずにＰＮ接合分離を用いてもよい。もしくは両者を組み合わせて用いてもよい。転送トランジスタ３０４はｎ型半導体領域１１２とｎ型半導体領域１１４とゲート電極層１０７に含まれるゲート電極１１３とを含んで構成される。ここで、ｎ型半導体領域１１２の電荷は、ゲート電極１１３に供給される駆動パルスによって、ｎ型半導体領域１１４に転送される。ｎ型半導体領域１１４に転送された電荷に基づく電位はプラグ層１０８、配線層１０９、プラグ層１１０、配線層１１１を介して、第２部材３０９へと伝達される。配線層１１１に含まれる導電パターンの一部が接続部３１１Ａを構成する。なお、光電変換部３０３は更に受光面側にｐ型半導体領域を有する埋込みフォトダイオードであってもよく、フォトゲートであってもよく、適宜変更可能である。

画素部３０１Ａの第１基板１０１の裏面１０３側には、平坦化層１１５、複数のカラーフィルタを含むカラーフィルタ層１１６、平坦化層１１７、複数のマイクロレンズを含むマイクロレンズ層１１８がこの順に配置されている。図４において、複数のカラーフィルタ及び複数のマイクロレンズはそれぞれが１つの光電変換部に対応して、すなわち画素毎に配置されているが、複数画素に対して１つずつ設けられていてもよい。本実施例の固体撮像装置は、このマイクロレンズ層１１８側から光が入射し光電変換部が受光する、所謂裏面照射型の固体撮像装置である。

第１部材３０８のパッド部３１２Ａには、パッド３１３と、パッド３１３上を露出する開口部１００とが配されている。また、パッド３１３と電気的に接続された接続部３１４Ａが配置されている。接続部３１４Ａは配線層１１１に含まれる導電パターンにより構成される。

第１部材３０８の第１配線構造の一部でシールリングが構成されている。シールリング１５０Ａ、１５１Ａ、１５２Ａは、配線層やプラグ層と同一工程で形成される導電パターンで形成することができる。

シールリング１５０Ａを第２部材３０９側から第１基板１０１に垂直に投影した領域は、第１部材の最外周に配される。したがって第１基板の複数の光電変換部が配された領域、つまり画素部３０１Ａはシールリング１５０Ａを投影した領域の内側に配される。シールリング１５０Ａは、画素部３０１Ａ及びパッド部３１２Ａの両者の外側に設けられ、それらの全体を囲んでいる。

シールリング１５２Ａを第２部材３０９側から第１基板１０１に垂直に投影した領域は、画素部３０２とパッド部３１２Ａとの間に配される。更に好ましくは、シールリング１５２Ａは画素部３０１Ａを囲んでいる。

この配置関係は、図４と図３（Ａ）とを参照すればより容易に理解される。そして、シールリング１５０Ａ，１５２Ａは第１基板１０１の主面１０２から層間絶縁膜１０６の第１基板１０１とは反対側の表面まで配置されている。言い換えると、シールリング１５０Ａ，１５２Ａは、半導体基板からパッシベーション膜として機能する層間絶縁膜１０６の第２部材３０９と接する面まで導電体が連続して配された構造である。

本実施例においては、更に、パッド部３１２Ａに配された各パッド３１３周囲にシールリング１５１Ａを有する。

シールリング１５０Ａと１５２Ａの少なくとも一方を有していれば、固体撮像装置の端部、およびパッド開口部から固体撮像装置内の素子への水分の浸入経路が狭くなるため、防湿性が確保できる。

また各シールリングは、第１基板１０１内に配置された、例えば、第１基板１０１と同じ導電型である半導体領域１１４´、１１２´を介して基板電位が供給されている。このような構成とすると、外来ノイズの影響を抑制することができる。

第２部材３０９は、第２配線構造と第２基板１２１とを有する。第２基板１２１は例えば半導体基板であり、主面１２２と裏面１２３とを有する。第２基板の主面１２２にはトランジスタが配置される。第２配線構造は、層間絶縁膜１２４〜１２７と、ゲート電極や配線を含むゲート電極層１２８と、複数の配線を含む配線層１３０、１３２、１３４と、複数のコンタクトあるいはビアを含むプラグ層１２９、１３１、１３３とを有する。更に、最上配線層である配線層１３４に含まれる導電パターンは、第１部材３０８との電気的接続部を含む。層間絶縁膜１２７は、第２配線構造の最表面に配置されたパッシベーション層である。ここではパッシベーション層として窒素を含むＳｉＮ，ＳｉＯＮを用いることができる。

第２基板１２１の画素部３０１Ｂには、増幅トランジスタ３０６のチャネルを提供するｐ型の半導体領域１３５と、増幅トランジスタ３０６のｎ型のソース領域、ドレイン領域１３８と、素子分離構造１３６とが配されている。増幅トランジスタ３０６は、ゲート電極層１２８に含まれるゲート電極１３７と、ソース領域、ドレイン領域１３８とで構成される。ここで、第１部材３０８の接続部３１１Ａと増幅トランジスタのゲート電極１３７とは、配線層１３４、プラグ層１３３、配線層１３２、プラグ層１３１、配線層１３０、プラグ層１２９とを介して電気的に接続される。ここで、図２のノード３０５は、図４のｎ型半導体領域１１４と、配線層１０９、１１１、１３４、１３２、１３０の配線と、プラグ層１０８、１１０、１３３、１３１、１２９のコンタクトプラグあるいはビアプラグと、ゲート電極１３７と、を含んで構成される。画素部３０１Ｂの他の回路（例えば、リセットトランジスタ）は不図示である。

第２部材３０９の周辺回路部３０２には、水平走査回路ＨＳＲや垂直走査回路ＶＳＲが配置されている。図４では、周辺回路部３０２に含まれる任意の回路のｎ型のトランジスタとｐ型のトランジスタを示している。ｎ型トランジスタは、ゲート電極層１２８に含まれるゲート電極１４０とＰ型の半導体領域１３９に配されたｎ型のソース領域、ドレイン領域１４１とを含んで構成されている。そして、ｐ型のトランジスタは、ゲート電極層１２８に含まれるゲート電極１４３とｎ型の半導体領域１４２に配されたｐ型のソース領域、ドレイン領域１４４とを含んで構成されている。

シールリング１５０Ｂは、第２配線構造を構成する配線層やプラグ層の一部を用いて構成することができる。シールリング１５０Ｂを第１部材３０８側から第２基板１２１に垂直に投影した領域は第２部材３０９の最外周部に配される。もしくは各種周辺回路を含む周辺回路部３０２の外側に配置されている。この配置関係は、図４と図３（Ｂ）とを参照すればより容易に理解される。そして、シールリング１５０Ｂは第２基板１２１の主面１２２からパッシベーション膜として機能する層間絶縁膜１２７の第２基板１２１とは反対側の表面まで配置されている。言い換えると、シールリング１５０Ｂは、半導体基板からパッシベーション膜として機能する層間絶縁膜１０６の第１部材３０８と接する面まで導電体が連続して配された構造である。

図４に示したようにシールリング１５０Ａと１５０Ｂとは互いに接している。より具体的には、シールリング１５０Ａの第２部材３０９側の最表面を構成する配線層１１１の導電パターンと、シールリング１５０Ｂの第１部材３０８側の最表面を構成する配線層１３４の導電パターンとが接している。

シールリング１５０Ｂは、第２基板１２１内に配置された、第２基板１２１と同じ導電型の半導体領域１３８´、１３９´を介して基板電位が供給されている。そのため、シールリング１５０Ｂによって、外来ノイズの影響を抑制することができる。

以上のような、第１基板１０１の主面１０２と第２基板１２１の主面１２２とが向かい合って、第１部材３０８と第２部材３０９とが貼り合わされ（対向配置）、固体撮像装置を構成している。

このような構成によって、第１部材３０８の画素部３０１Ａや、第２部材３０９の画素部３０１Ｂと周辺回路部３０２Ｂとを含む素子領域への水分の浸入を抑制することが可能となる。

また、第１部材３０８の裏面側にパッド３１３の露出面が配置されることにより、外部回路からパッド３１３への電気的接続が容易となり、接続不良が抑制される。

ここで、図４の固体撮像装置の変形例を示す断面模式図の図５（Ａ）及び図５（Ｂ）を用いて説明する。図５（Ａ）の固体撮像装置が、図４の固体撮像装置と異なる点は、第１及び第２配線構造の最表面にパッシベーション層としての機能がＳｉＮなどより小さい絶縁層１０６’が配置されている構成である。その他、図４の構成と同様の機能を有する部分には同様の符号を付し詳細な説明は省略する。

また、図５（Ａ）の構成においてはシールリング１５２Ａを設けていない。この場合であってもシールリング１５１Ａにより一定の防湿性を確保することが可能である。これに対してシールリング１５０Ａ、１５０Ｂは配置されている。この構成により、パッシベーション層が配置されていないことによる第１、第２部材３０８、３０９の各最表面からの水分などの浸入の可能性を抑制することができる。

次に、図５（Ｂ）の固体撮像装置を説明する。図５（Ｂ）の固体撮像装置が図４の固体撮像装置と異なる点は、シールリング１５０Ａ、１５１Ａを有さない点である。そして、パッシベーション層として機能する層間絶縁膜１０６´、１２７´が第１、第２部材３０８、３０９の各最表面に配置されている。シールリング１５２Ａ、１５０Ｂは配置されている。このような構造の場合には、パッド３１３と第２部材３０９との電気的接続を取るための、第１部材３０８の導電パターン、第２部材３０９の導電パターンもシール部の一部を構成している。この構成により、パッド開口１００での第１配線構造の断面からの水分などの浸入を抑制することができる。各シールリングは、配線構造に含まれる配線層とプラグ層と同じ材料で構成された導電パターンの積層構造を有する。

次に、本実施例の図４の固体撮像装置の製造方法を、図６〜８を用いて説明する。図６は第１部材３０８の製造工程を示す断面模式図であり、図７は第２部材３０９の製造工程を示す断面模式図であり、図８は第１部材３０８と第２部材３０９とを接合した後の製造工程を示す断面模式図である。

図４の第１部材３０８の製造工程を図６を用いて説明する。図６においては、後に図４の第１部材３０８になる構成を３０８’とし、図４の画素部３０１、周辺回路部３０２、パッド部３１２、回路素子になる領域を３０１’、３０２’、３１２’としている。そして、シールリング１５０Ａ、１５１Ａ、１５２Ａになる領域をシールリング１５０Ａ’、１５１Ａ’、１５２Ａ’としている。

まず、半導体基板４０１を準備し、半導体基板４０１に素子を形成する。半導体基板４０１は主面４０２と裏面４０３を有し、その厚みはＤ３である。半導体基板４０１を構成する主たる材料はシリコンである。

半導体基板４０１に、素子分離構造１１９を形成する。素子分離構造１１９は、絶縁体を有し、例えばＬＯＣＯＳやＳＴＩ構造である。もしくはＰＮ接合分離、絶縁体とＰＮ接合分離の両者を有する構造としてもよい。そして、半導体基板４０１にＰ型及びＮ型のウエルとして機能する半導体領域（不図示）を形成する。その後、光電変換部を構成するｎ型半導体領域１１２、１１４を形成する。また、シールリングを構成する導電体に電気的に接続されるｎ型半導体領域１１２’、１１４’を形成する。ｎ型半導体領域１１２’、１１４’は基板と同じ導電型とすることができる。

次にゲート電極層１０７を形成する。ゲート電極層１０７は例えば、ポリシリコンで形成され、ゲート電極のみではなく配線をも含みうる。ここで、ゲート電極、素子分離及び半導体領域の形成方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。以上によって、図６（Ａ）の構成が得られる。

次に、半導体基板４０１の主面上に第１配線構造３２１を形成する。第１配線構造３２１は、層間絶縁膜１０４、１０５、１０６と、プラグ層１０８、１１０と、配線層１０９、１１１とを有する。ここで、層間絶縁膜はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、あるいは有機樹脂等で形成され、配線層はアルミニウムを主成分とする配線や銅を主成分とする導電体からなる。最表面の層間絶縁膜である層間絶縁膜１０６は、パッシベーション膜としてシリコン酸窒化膜やシリコン窒化膜で形成されうる。コンタクトプラグは例えばタングステンで形成され、ビアプラグはタングステンで形成される。配線材料として銅を用いた場合にはいわゆるダマシン構造として、ビアプラグを構成する材料として銅を主成分とすることができる。ここで、配線層１１１を構成する導電パターンにより接続部３１４Ａが構成される。導電パターンの材料としては銅を主成分とすることができる。また、配線層１０９に含まれる導電パターンによりパッド３１３が構成される。パッドの材料はアルミニウムを主成分とする。これら配線層、プラグ層、層間絶縁膜の製造方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。以上によって、図６（Ｂ）の構成が得られる。

次に、図４の第２部材３０９の製造工程を、図７を用いて説明する。図７においては、後に図４の第２部材３０９となる構成を３０９’とし、図４の画素部３０１Ｂ、周辺回路部３０２Ｂ、パッド部３１２Ｂになる領域を３０１’、３０２’、３１２’としている。そして、シールリング１５０Ｂになる領域を１５０Ｂ´としている。

まず、半導体基板４０４を準備し、半導体基板４０４に素子を形成する。半導体基板４０４は主面４０５と裏面４０６を有し、その厚みはＤ４である。そして、半導体基板４０４にＬＯＣＯＳやＳＴＩ構造を用いて素子分離構造１３６を形成する。また、半導体基板４０４にｐ型のウエルとして機能するＰ型の半導体領域１３５、１３９やｎ型のウエルとして機能するｎ型の半導体領域１４２を形成する。その後、トランジスタを構成するソース領域、ドレイン領域となりうるｎ型半導体領域１３８、１４１、及びｐ型半導体領域１４４や、保護ダイオードを構成する半導体領域を形成する。また、シールリングを構成する導電体に電気的に接続されるｎ型半導体領域１３８’、１３９’を形成する。ｎ型半導体領域１３８’、１３９’は基板と同じ導電型とすることができる。そして、トランジスタのゲート電極１３７、１４０、１４３及び配線（抵抗）を含むゲート電極層１２８をポリシリコン層の堆積及びパターニングによって形成する。ここで、ゲート電極、素子分離及び半導体領域の形成方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。以上によって、図７（Ａ）の構成が得られる。

次に、半導体基板４０４の主面上に第２配線構造３２２を形成する。配線構造は、層間絶縁膜１２４〜１２７と、プラグ層１２９、１３１、１３３と、配線層１３０、１３２、１３４とを有する。ここで、層間絶縁膜はシリコン酸化膜である。シリコン窒化膜、あるいは有機樹脂等で形成され、配線層はアルミニウムを主成分とする配線や銅を主成分とする配線からなる。ここで、配線層１３４の導電パターンにより接続部３１４Ｂが構成され、銅を主成分とする材料から構成される。最表面の層間絶縁膜である層間絶縁膜１０６は、パッシベーション膜として機能するようにシリコン酸窒化膜やシリコン窒化膜で形成される。これら配線層、プラグ層、層間絶縁膜の製造方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。以上によって、図７（Ｂ）の構成が得られる。

次に、図６（Ｂ）及び図７（Ｂ）に示した第１部材３０８’と第２部材３０９’とを、互いの半導体基板の主面４０２及び主面４０５とが向かい合うように貼り合わせる。つまり、第１部材３０８’の配線構造の最上面と第２部材３０９’の配線構造の最上面とが接合される。ここで、第１接続部３１１及び３１４及び８０１は銅を主成分とする導電パターンから構成されているため、貼り合わせの際は銅の金属接合によって行うことが可能である。シールリング１５０Ａのシールリング１５０Ｂと直接接する最表面の導電パターンとシールリング１５１Ｂのシールリング１５０Ａと直接接する最表面の導電パターンとが接続部１５２を構成する。また、図６（Ｂ）で示した第１配線構造３２１と図７（Ｂ）で示した第２配線構造３２２とにより配線構造３２０が形成される。

第１部材３０８’と第２部材３０９’とが接合された後に、第１部材３０８’の半導体基板４０１の裏面４０３側を除去して厚みを減少させてもよい。すなわち第１部材３０８’を薄膜化する。また、第２部材３０９’の半導体基板４０４の裏面４０６側を除去して厚みを減少させてもよい。すなわち第２部材３０９’を薄膜化する。なお、本実施例の薄膜化は、ＣＭＰやエッチングによって行うことが可能である。そして、半導体基板４０１は半導体基板１０１となり、厚みがＤ３からＤ１（Ｄ１＜Ｄ３）となる（図８（Ａ））。このように半導体基板４０１を薄膜化し半導体基板１０１とすることで、後に入射光が光電変換部に効率良く入射することを可能にする。半導体基板４０４は半導体基板１２１となり、厚みがＤ４からＤ２（Ｄ２＜Ｄ４）となる（図８（Ａ））。また、この時、半導体基板１０１の厚みＤ１＜半導体基板１２１の厚みＤ２となる。第２部材３０９’の薄膜化を行わない場合は、半導体基板１０１の厚みＤ１＜半導体基板４０４の厚みＤ４となる。

次に、半導体基板１０１の裏面４０８に、樹脂からなる平坦化層１１５、カラーフィルタ層１１６、樹脂からなる平坦化層１１７、マイクロレンズ層１１８をこの順に形成する。これら平坦化層、カラーフィルタ層、マイクロレンズ層の製造方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。ここでマイクロレンズ層はパッド部となる３１２’の領域まで形成されていてもよい。以上の工程によって、図８（Ｂ）の構成が得られる。

そして、パッド３１３表面を露出するための開口１００を形成する。ここでは、フォトリソグラフィ技術を用いてマイクロレンズ層１１８の上に任意の開口を有するフォトレジストマスクを設ける。そして、ドライエッチング技術を用いて、マイクロレンズ層１１８、平坦化層１１７、カラーフィルタ層１１６、平坦化層１１５、半導体基板１０１及び層間絶縁膜１０４’を除去し、パッド３１３を露出させる開口１００を形成する。そして、マイクロレンズ層１１８、平坦化層１１７、１１５、カラーフィルタ層１１６、半導体基板１０１及び層間絶縁膜１０４が形成される。以上の工程によって、図８（Ｃ）の構成、すなわち図４と同じ構成が得られる。

以上のように、シールリング１５０Ａ、１５１Ａ、１５２Ａ、１５０Ｂは配線構造の配線と同一工程で形成可能である。なお、エッチングの際には、パッド３１３をエッチングストッパとして機能させることが可能である。

本発明は本実施例の製造方法において説明した工程に限定されるものではなく、工程順が変更されていてもよい。また、第２部材３０９は第１部材３０８に引き続いて形成してもよいし、並行して形成してもよい。更には、第１部材３０８と第２部材３０９とを購入し、貼り合わせて形成することも可能である。なお、半導体基板４０１、４０２にはＳＯＩ基板を適用することも可能である。

（実施例２）
本発明の実施例２について、図９を用いて説明する。図９（Ａ）、図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）は固体撮像装置の断面模式図であり、それぞれ図４で示した固体撮像装置の変形例を示す断面図である。図９において図４と同様の構成については同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。

本実施例において、実施例１と異なる点は、パッド３１３から第２部材への電気経路である。実施例１においては第１部材に配されたパッド３１３を第２部材方向に垂直投影した領域内にプラグ、配線を配していた。そして、第２部材の下層の配線層まで電気経路を形成した後、第２部材の回路素子との信号の受け取りが可能なように電気的接続を行なっていた。

これに対して本実施例においては、第１部材内でパッド３１３から周辺回路部まで電気経路を設けた後、プラグ等を介して第２部材との電気的接続を行なっている。

図９（Ａ）に示すように、第１部材８０８において、パッド３１３から周辺回路部まで水平方向に延伸した引き出し配線３１６を有する。また、第２部材８０９は第１部材８０８の引き出し配線３１６により水平方向に延伸された領域に接続部を有する。シールリング１５０Ａ、１５１Ａ、１５２Ａ、１５０Ｂは、実施例１と同様の構成である。なお、図９（Ａ）の固体撮像装置はシールリング１５１Ａを配することにより、シールリング１５０Ａと１５２Ａの少なくとも一方が配置されていれば良い。しかし、１５０Ａと１５２Ａが連続的に配されている構成は実施例１で説明したように防湿効果やチッピング対策として有効である。またパッド３１３は第２部材８０９の主面１２２よりも第１部材８０８側に配されていればどのような位置に配置されていてもよい。

次に、図９（Ｂ）について説明する。図９（Ｂ）の図９（Ａ）の固体撮像装置と異なる点は、パッシベーション層を有していない点である。配線構造の最表面にパッシベーション層としての機能がＳｉＮなどより小さい絶縁層１０６’が配置されている。この場合は、シールリング１５１Ａを有しているため、図９（Ｂ）で示すようにシールリング１５２Ａは必ずしも必要ではないが、シールリング１５０Ａ、１５１Ｂは配置され、各々の最表面を構成する導電パターンどうしが接している。この構成により、パッシベーション層が配置されていないことによる第１、第２部材の各最表面からの水分などの浸入を抑制することができる。また、第２部材８０９のシールリング１５０Ｂは、パッド部の内側の周辺回路部より外側で、パッド部より外側の外周部までの間に配置すればよい。図９（Ｂ）の固体撮像装置では、第２部材の最外周にシールリング１５０Ｂを配置して図９（Ａ）と同様な効果を得ている。

次に、図９（Ｃ）の固体撮像装置の説明をする。図９（Ｃ）の固体撮像装置が図９（Ａ）の固体撮像装置と異なる点は、シールリング１５１Ａを有さずに、パッシベーション層が第１、第２部材の各最表面に配置されている構成である。この場合は、シールリング１５０Ａ、１５０Ｂは必ずしも必要ではないが、シールリング１５２Ａは配置される。またこのような構成はパッシベーション層がシールリングの一部を構成しているともいえる。

この構成により、パッド部の開口での配線構造の断面からの水分などの浸入を抑制することができる。

（実施例３）
本発明の実施例３について、図１０、図１１を用いて説明する。図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）は固体撮像装置の断面模式図であり、それぞれ図４で示した固体撮像装置の変形例を示す断面図である。図１１は図１０の固体撮像装置の更なる変形例である。図１０、図１１において図４と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。

本実施例において、実施例１と異なる構成はパッドの配置である。

図１０（Ａ）が図４の固体撮像装置と異なる点はパッド１０１３を構成する導電パターンが第２部材９０９に配されている点である。そして第１部材９０８のパッド部に対応する第１部材９０８の一部が貫通されている。また、第２部材９０９は、パッド３１３から水平方向への引き回しを行う引き出し配線３１６を有する。シールリングは、実施例１と同様の構成を用いることができる。また、外部ノイズの影響も抑制できる。なお、図１０（Ａ）の固体撮像装置はシールリング１５１Ａを有するため、シールリング１５０Ａと１５２Ａの少なくとも一方が配置されていれば良い。１５０Ａと１５０Ｂとが全周で接続されている構成は実施例１で説明したように防湿効果やチッピング対策として有効である。

次に、図１０（Ｂ）が図１０（Ａ）の固体撮像装置と異なる点は、パッシベーション層を有していない点である。配線構造の最表面にパッシベーション層としての機能がＳｉＮなどより小さい絶縁層１０６’が配置されている。図９（Ｂ）と同様の趣旨の実施形態である。この場合は、シールリング１５１Ａ、１５１Ｂを有しているため、図９（Ｂ）で示すようなシールリング１５２Ａは必ずしも必要ではないが、シールリング１５０Ａ、１５０Ｂは配置する。この構成により、パッシベーション層が配置されていないことによる第１、第２部材の各最表面からの水分などの浸入の可能性を抑制することができる。また、第２部材８０９のシールリングは、パッド部の内側の周辺回路部より外側で、パッド部より外側の外周部までの間に配置すればよい。図１０（Ｂ）の固体撮像装置では、外周部にシールリング１５０Ａを配置して図１０（Ａ）と同様な効果を得ることができる。

次に図１０（Ｃ）の固体撮像装置について説明する。図１０（ｃ）が図１０（Ａ）の固体撮像装置と異なる点は、シールリング１５１Ａを有さずに、パッシベーション層が第１、第２部材の各最表面に配置されている構成である。図９（ｃ）の構成と同趣旨の実施形態である。この場合は、シールリング１５０Ａは必ずしも必要ではないが、シールリング１５２Ａ、１５０Ｂ、１５１Ｂは配置する。この構成により、パッド部の開口での配線構造の断面からの水分などの浸入を抑制することができる。なお、シールリング１５０Ａ、１５０Ｂとは、全周にわたって接続されていなくても良い。

図１１は、図１０の固体撮像装置の変形例で、第２部材１００９にパッド３１３が配されている。そしてパッド３１３に対して第２基板の裏面側から第２基板を貫通する貫通電極３１７を有する。パッド３１３は、配線層と同じ導電パターンで形成され、半導体基板の一方の面から対向する他方の面に貫通する貫通電極３１７と接続される電極パッドである。そして、他の実施例で説明したパッド部のシールリング１５１Ａを形成する必要がなく、シールリング１５０Ａ、１５０Ｂを有していればよい。固体撮像装置の裏面で他の回路基板と接続できるため、固体撮像装置の小型化が実現できる。

（実施例４）
本発明の実施例４について、図１２を用いて説明する。図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）は固体撮像装置の断面模式図であり、それぞれ図４で示した固体撮像装置の変形例を示す断面図である。図１２において図４と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。

本実施例において、実施例１と異なる構成は、引き出し配線３１６とパッド部の配置である。なお、図１２は図１０で示した固体撮像装置と同様にワイヤーボンディング用に、パッド上の第１部材１１０８、第２部材１１０９の一部が除去されている。

図１２（Ａ）が図４の固体撮像装置と異なる点は、第１部材１１０８のパッド部に対応する部分が除去されており、第２部材１１０９にパッド３１３を有する点である。また、第２部材１１０９のパッド３１３と周辺回路部とを電気的に接続するために第１部材１１０８に配置された引き出し配線３１６を有する。

第１部材１１０８に第１シール部として、シールリング１５０Ａ、１５１Ａ、１５２Ａが配される。そして、第２部材１１０９に第２シール部として１５０Ｂ、１５１Ｂ、１５２Ｂが配される。これまでの実施例と同様に第１シール部、第２シール部に外部からのノイズの影響を抑制する機能を持たせてもよい。また、第２部材１１０９のシールリング１５２Ｂはパッド部と周辺回路との間に配置される。更に、シールリング１５２Ｂは、第１部材１１０８側から第２部材１１０９の第２基板に垂直に投影した場合に、周辺回路部の周囲を囲むように配置されているのがよい。なお、図１２（Ａ）の固体撮像装置はシールリング１５１Ａを有するため、シールリング１５０Ａと１５２Ａの少なくとも一方が配置されていれば良い。そして、シールリング１５１Ｂを有するため、シールリング１５０Ｂと１５２Ｂの少なくとも一方が配置されていれば良い。

次に、図１２（Ｂ）の固体撮像装置の説明をする。図１２（Ｂ）の構成が図１２（Ａ）の固体撮像装置と異なる点は、パッシベーション層を有していない点である。配線構造の最表面にパッシベーション層としての機能がＳｉＮなどより小さい絶縁層１０６’が配置されている構成である。図９（Ｂ）、図１０（Ｂ）と同趣旨の実施形態である。この場合は、シールリング１５１Ａ、１５１Ｂを有しているため、図１２（Ｂ）で示すようにシールリング１５２Ａは必ずしも必要ではないが、シールリング１５０Ａは配置する。

この構成により、パッシベーション層が配置されていなくても第１、第２部材の各最表面からの水分などの浸入の可能性を抑制することができる。なお、シールリング１５０Ｂ、１５１Ｂが配置されていればシールリング１５２Ｂは必ずしも必要ではないが、シールリング１５２Ｂを配置すればより防湿性が向上する。

次に図１２（Ｃ）の固体撮像装置の説明を行う。図１２（Ｃ）の構成が図１２（Ａ）の固体撮像装置と異なる点は、配線構造が、シールリング１５１Ａを有さずに、パッシベーション層が第１、第２部材の各最表面に配置されている構成である。シールリング１５０Ａとシールリング１５２Ａは配置されている。そして、シールリング１５２Ｂも配置されている。この構成により、パッド部の開口での配線構造の断面からの水分などの浸入を抑制することができる。なお、パッド３１３が第２部材の最表面に配置されている場合は、シールリング１５２Ｂは配置されていなくても良いが、配置すれば、より防湿性が向上する。

以上、第１部材と第２部材とを重ねて接続した固体撮像装置の説明を行ったが、第１部材と第２部材のシールリング１５０Ａ、１５０Ｂが電気的に接続され、且つ、各々が基板に配された半導体領域と接続される場合にはそれら半導体領域は同じ導電型がよい。

第１部材のシールリングと第２部材のシールリングを接続せず、独立して配置する場合は、異なる導電型の半導体基板を用いることが可能である。この独立して配置する構成は、第１部材、第２部材の半導体基板が同じ導電型であっても異なる導電型であっても、どちらかの部材にノイズが混入した場合に、もう一方の基板はその影響を受けにくいという効果を有する。

（実施例５）
図１３を用いて実施例５の固体撮像装置に関して説明する。実施例５の固体撮像装置の実施例１〜４の固体撮像装置と異なる点は、第１部材と第２部材のシール部において、導電体で構成されたシールリングどうしは接触しておらず、第１部材、第２部材の最表面に配されたパッシベーション層が互いに接している点である。

第１部材１３０８は導電体により構成されたシールリング１５２Ａを有している。第２部材１３０９は導電体により構成されたシールリング１５０Ｂを有している。シールリング１５２Ａと１５０Ｂとは水平方向にオフセットして配されており、互いの最表面を構成する導電パターンどうしが接していない。しかしながら最表面を吸湿性の高いパッシベーション層１３０１Ａ，１３０１Ｂを配することにより、シール特性を維持している。

以下、上記の各実施形態に係る固体撮像装置の応用例として、固体撮像装置が組み込まれた撮像システムについて例示的に説明する。撮像システムには、撮影を主目的とするカメラなどの装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。例えば、カメラは、本発明に係る固体撮像装置と、固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含む。この処理部とは、例えば、Ａ／Ｄ変換器、及びＡ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。

以上述べてきたように、本発明の固体撮像装置によれば、光電変換部や周辺回路部への水分の浸入が抑制可能である。また、本発明の製造方法によれば、第１部材と第２部材との接続部による結合と同時にシールリングの結合を同時に行うことができるため、製造工程に必要な時間を増やすことなく防湿性向上やチッピング抑制が可能となる。

なお、本発明は明細書記載の構成に限定されるものではなく、導電型や回路も逆導電型にするなど変更可能である。また、接続部が画素部とは異なる領域（例えば、周辺回路部）にのみ配置されている場合においても、本発明は適用可能である。また、各実施例の構成を適宜組み合わせることも可能である。

３０１ 画素部
３０２ 周辺回路部
３０８ 第１部材
３０９ 第２部材
１５０ シールリング
１５１ シールリング
１５２ シールリング

Claims (20)

1. 第１トランジスタおよび開口を有する第１半導体基板と、
   第２トランジスタを有し前記第１半導体基板に重なる第２半導体基板と、
   前記第１半導体基板と前記第２半導体基板との間に配され、前記第１トランジスタに接続された第１導電パターンを含む第１層と、
   前記第１層と前記第２半導体基板との間に配され、前記第２トランジスタに接続された第２導電パターンを含む第２層と、を備える装置であって、
   前記装置は、平面視において前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタを含む第１部分と、前記開口と前記第２半導体基板との間に位置する第２部分と、シール部と、を有し、
   前記シール部は、前記第１層に含まれる第３導電パターンと、前記第２層に含まれる第４導電パターンと、で少なくとも構成されており、
   前記第３導電パターンおよび前記第４導電パターンは前記第２部分を囲み、
   前記第３導電パターンの一部が前記第２部分と前記第１導電パターンの間に位置し、前記第４導電パターンの一部が前記第２部分と前記第２導電パターンとの間に位置していることを特徴とする装置。
2. 第１トランジスタおよび開口を有する第１半導体基板と、
   第２トランジスタを有し前記第１半導体基板に重なる第２半導体基板と、
   前記第１半導体基板と前記第２半導体基板との間に配され、前記第１トランジスタに接続された第１導電パターンを含む第１層と、
   前記第１層と前記第２半導体基板との間に配され、前記第２トランジスタに接続された第２導電パターンを含む第２層と、を備える装置であって、
   前記装置は、平面視において前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタを含む第１部分と、前記開口と前記第２半導体基板との間に位置する第２部分と、シール部と、を有し、
   前記シール部は、前記第１層に含まれる第３導電パターンと、前記第２層に含まれる第４導電パターンと、で少なくとも構成されており、
   前記第３導電パターンは前記第１導電パターンを囲み、前記第４導電パターンは前記第２導電パターンを囲み、
   前記第３導電パターンの一部が前記第２部分と前記第１導電パターンの間に位置し、前記第４導電パターンの一部が前記第２部分と前記第２導電パターンとの間に位置していることを特徴とする装置。
3. 前記第１半導体基板の厚みは前記第２半導体基板の厚みよりも小さい、請求項１または２に記載の装置。
4. 前記第２部分は、前記開口と前記第２半導体基板との間に位置する第５導電パターンを含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
5. 前記開口と前記第５導電パターンとの間には、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板との間に配された絶縁体に開口が設けられている、請求項４に記載の装置。
6. 前記第５導電パターンと前記第２半導体基板との間には、前記第５導電パターンに接続された配線が設けられている、請求項４または５に記載の装置。
7. 前記第２部分は、前記開口と前記第２半導体基板との間に位置する第５導電パターンを含み、
   前記第３導電パターンは前記第５導電パターンと前記第１半導体基板との間に位置する、
   請求項１に記載の装置。
8. 前記第２部分は、前記開口と前記第２半導体基板との間に位置する第５導電パターンを含み、
   前記第３導電パターンの前記一部は前記第１導電パターンと前記第５導電パターンとの間に位置する、請求項２に記載の装置。
9. 前記第５導電パターンは前記第１層に含まれる、請求項８に記載の装置。
10. 前記第５導電パターンと前記第２半導体基板との距離は、前記第２導電パターンと前記第２半導体基板との距離よりも大きい、請求項４乃至９のいずれか１項に記載の装置。
11. 前記第５導電パターンと前記第２半導体基板との距離は、前記第２導電パターンと前記第２半導体基板との距離よりも小さい、請求項４乃至９のいずれか１項に記載の装置。
12. 前記第２層と前記第２半導体基板との間に配され、前記第２導電パターンに接合した第６導電パターンを含む第３層をさらに備える、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の装置。
13. 前記第３層は前記第２部分を囲む第７導電パターンを含み、前記第７導電パターンの一部は前記第２部分と前記第６導電パターンとの間に位置している、請求項１２に記載の装置。
14. 前記第１層は前記第１導電パターンおよび前記第３導電パターンを囲む導電パターンを含み、前記第２層は前記第２導電パターンおよび前記第４導電パターンを囲む導電パターンを含む、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の装置。
15. 前記第１導電パターンの主成分は銅であり、前記第５導電パターンの主成分はアルミニウムである、請求項４乃至１１のいずれか１項に記載の装置。
16. 前記第１半導体基板は光電変換部を有する、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の装置。
17. 前記第１トランジスタは前記光電変換部の電荷を転送する転送トランジスタである、請求項１６に記載の装置。
18. ＡＤ変換を行う回路を有する、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の装置。
19. 請求項１乃至１８のいずれかに記載の装置と、
    前記装置から出力された信号を処理する処理部と、を備えることを特徴とするシステム。
20. 請求項１乃至１８のいずれかに記載の装置を備えるカメラであって、
    前記装置が裏面照射型の固体撮像装置であるカメラ。

Images