WO2017010262A1 - 撮像装置、製造装置、製造方法 - Google Patents

Abstract

本技術は、混色の発生を抑制することができるようにする撮像装置、製造装置、製造方法に関する。 有機材料で構成された有機光電変換膜と、有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極とを備え、有機光電変換膜、下部電極、および上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている。上部電極上にパッシベーション層をさらに有し、パッシベーション層と同一の材料が、分離部分に充填されている。本技術は、有機光電変換膜での混色を抑制した撮像装置に適用できる。

Description

撮像装置、製造装置、製造方法

　本技術は、撮像装置、製造装置、製造方法に関する。詳しくは、有機光電変換膜層を用いた撮像素子に用いて機構的な撮像装置、製造装置、製造方法に関する。

　ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサおよびＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ等の撮像装置では、画素サイズを縮小するにつれて単位画素（撮像素子）に入射するフォトン数が減少し、Ｓ／Ｎ比が低下する。画素は、例えばベイヤー配列等に代表されるように、カラーフィルタを用いて赤、緑および青の各色に分けられ、同一平面に配置される。この方法では、例えば緑、青の波長の光は赤の画素（カラーフィルタ）を透過できないため、光の損失が生じ、感度が低下する。また、赤、緑および青の画素間で補間処理を行って色信号を作るため、偽色が生じる可能性があった。

　そこで、３つの光電変換部を積層させて１つの画素で３色の光電変換信号を得る方法が提案されている。例えば、３つの光電変換部のうちの１つ（例えば緑色光に対応する光電変換部）はシリコン基板上、即ち、シリコン基板の外側に配置し、残りの２つ（例えば赤色光、青色光に対応する光電変換部）はシリコン基板の内部に設ける（例えば、特許文献１参照）。シリコン基板の外側の光電変換部は有機材料を含む光電変換層を有するものであり、この光電変換層が一対の電極の間に設けられている。一方、シリコン基板の内部の光電変換部はフォトダイオード（Photo Diode）により構成される。

　このような構造においては、各画素に対して下部電極は、例えば画素毎に分離独立した状態に形成されているものの、有機光電変換膜層や上部電極は分離されておらず、電気的、光学的な混色が発生する可能性があった。

　このような可能性を低減させるために、特許文献２では、リソグラフィやイオン注入などの手法を用いることで、有機光電変換層を、物理的に分離することを提案している。また、特許文献３では、電気的/光学的に分離することを提案している。

特開２０１１－２９３３７号公報 特開２００８－５３２５２号公報 特開２０１１－４０５１８号公報

　有機光電変換膜層や上部電極が分離されていないことにより生ずる電気的、光学的な混色を抑えるために、有機光電変換膜層や上部電極を分離することが考えられるが、従来の手法によると、有機光電変換膜層を構成する有機材料がむき出しの状態でリソグラフィ法などにより有機材料が分離されるため、有機材料へのプロセスダメージが発生する可能性があった。

　有機材料としては、近年、低分子系の有機材料が主流になりつつある。低分子系の有機材料は、極めて敏感な材料であり、大気中に放置しただけでもその特性が変化するため、有機材料をむき出しの状態でリソグラフィ法などにより、有機材料を加工することは好ましくない。

　マスク蒸着により有機材料をあらかじめ分離蒸着する手法も既知技術として使用されるが、イメージセンサの画素サイズの微細レベルで使用することは困難であった。

　有機光電変換膜層を設けた撮像素子において、混色が発生するようなことが抑制される構造が望まれている。また低分子系の有機材料などを用いても、混色が発生するようなことが抑制される構造となる製造方法が望まれている。

　本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、有機光電変換膜層において、混色が発生することを抑制することができるようにするものである。

　本技術の一側面の撮像装置は、有機材料で構成された有機光電変換膜と、前記有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、前記有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極とを備え、前記有機光電変換膜、前記下部電極、および前記上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている。

　前記上部電極上にパッシベーション層をさらに有し、前記パッシベーション層と同一の材料が、前記分離部分に充填されているようにすることができる。

　前記上部電極には、接地されている配線が接続されているようにすることができる。

　前記配線は、前記上部電極の分離された部分に、隣接する前記上部電極に跨って配置されているようにすることができる。

　前記配線は、前記有機光電変換膜の前記分離部分にも設けられているようにすることができる。

　前記上部電極は、隣接する画素間で接続部分を有するようにすることができる。

　前記接続部分は、画素の４頂点に設けられているようにすることができる。

　前記接続部分は、画素の辺の一部に設けられているようにすることができる。

　前記有機光電変換膜は、多層かつ積層されているようにすることができる。

　前記下部電極の下側の層に、半導体基板上に設けられた光電変換部をさらに備えるようにすることができる。

　前記画素間に、遮光膜を有し、前記遮光膜は、前記下部電極と前記半導体基板の間に設けられている請求項１０に記載の撮像装置。

　本技術の一側面の製造装置は、有機材料で構成された有機光電変換膜と、前記有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、前記有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極とを備え、前記有機光電変換膜、前記下部電極、および前記上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている撮像装置を製造する。

　本技術の一側面の製造方法は、有機材料で構成された有機光電変換膜と、前記有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、前記有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極とを備え前記有機光電変換膜、前記下部電極、および前記上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている撮像装置を製造する製造方法において、前記下部電極を形成し、前記有機光電変換膜を構成し、前記上部電極を形成し、前記上部電極上にパッシベーション層を形成した後に、前記分離部分を形成するステップを含む。

　形成された前記分離部分に、前記パッシベーション層を形成する材料を充填するステップをさらに含むようにすることができる。

　形成された前記分離部分に、前記上部電極に接する配線を形成するステップをさらに含むようにすることができる。

　前記形成される分離部分の幅は、前記上部電極間の分離している部分の幅よりも広く形成されるようにすることができる。

　前記有機光電変換膜の形成から、前記パッシベーション層の形成までは、真空一貫で行われるようにすることができる。

　本技術の一側面の撮像装置においては、有機材料で構成された有機光電変換膜と、有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極とが備えられ、有機光電変換膜、下部電極、および上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている。

　本技術の一側面の製造装置、および製造方法においては、前記撮像装置が製造される。

　本技術の一側面によれば、有機光電変換膜層において、混色が発生することを抑制することができる。

　なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

本技術を適用した撮像装置の一実施の形態の構成を示す図である。 配線について説明するための図である。 配線について説明するための図である。 上部電極の形状について説明するための図である。 分離部分について説明するための図である。 接続部分について説明するための図である。 混色について説明するための図である。 撮像装置の製造について説明するため図である。 撮像装置の製造について説明するため図である。 撮像装置の製造について説明するため図である。 撮像装置の製造について説明するため図である。 撮像装置の製造について説明するため図である。 撮像装置の製造について説明するため図である。 撮像装置の製造について説明するため図である。 撮像装置の製造について説明するため図である。 マスクパターンについて説明するための図である。 上部電極への配線について説明するための図である。 撮像装置の他の製造について説明するため図である。 撮像装置の他の製造について説明するため図である。 上部電極への他の配線について説明するための図である。 撮像装置の他の製造について説明するため図である。 多層積層構造の撮像装置について説明するための図である。 遮光膜を設けた撮像装置の構成について説明するための図である。 撮像装置の他の製造について説明するため図である。

　以下に、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は、以下の順序で行う。
　１．撮像素子の構成
　２．配線について
　３．上部電極同士の接続について
　４．混色について
　５．撮像装置の製造について
　６．他のマスクパターン
　７．上部電極の他の構成
　８．配線の他の構成
　９．多層積層構造
　１０．遮光膜がある構成

　＜撮像素子の構成＞
　本技術を適用した撮像装置について説明する。図１は、本技術の撮像装置を適用する一例としてＣＭＯＳイメージセンサを示した。

　撮像装置１は、図中下側に示した支持基板１１上に、配線層１２が形成され、配線層１２の上に、半導体基板１３が配置されている。この半導体基板１３には、入射光を電気信号に変換する光電変換部４１（例えばフォトダイオード）、ＭＯＳトランジスタからなるトランジスタ群等を有する複数の画素が形成されている。

　このトランジスタ群は、例えば、転送トランジスタ、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ等である。半導体基板１３には、例えばシリコン（Ｓｉ）基板を用いることができる。さらに、各光電変換部４１から読み出した信号電荷を処理する信号処理部（図示せず）が形成されている。

　配線層１２は、配線と、この配線を被覆する絶縁膜からなる。配線層１２の下側に形成されている支持基板１１は、例えばシリコン基板からなる。

　半導体基板１３（光電変換部４１）上には、絶縁層１４が形成されている。この絶縁層１４は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から構成される。絶縁層１４上には、下部電極１５が形成されている。下部電極１５は、画素毎に、独立して設けられている。

　下部電極１５には、透明電極が用いられる。例えば、酸化インジウム系のＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3にＳｎをドーパントとして添加）、酸化スズ系ではＳｎＯ2（ドーパント添加）、酸化亜鉛系材料ではアルミニウム亜鉛酸化物（ＺｎＯにＡｌをドーパントとして添加、例えばＡＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＺｎＯにＧａをドーパントとして添加、例えばＧＺＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＺｎＯにＩｎをドーパントとして添加、例えばＩＺＯ）、ＣｕＩ、ＩｎＳｂＯ4、ＺｎＭｇＯ、ＣｕＩｎＯ2、ＭｇＩＮ2Ｏ4、ＣｄＯ、ＺｎＳｎＯ3等を用いることができる。

　下部電極１５には、配線層１２に設けられている配線と接続されている配線３２が、下部電極１５毎に形成されている。

　さらに下部電極１５上には、有機光電変換膜層１６が形成されている。有機光電変換膜層１６は、例えば１００ｎｍの厚さに形成されている。この厚さは適宜選択される。この有機光電変換膜層１６としては、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、ジアセチレン等の重合体やその誘導体が用いられる。

　さらに、金属錯体色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、フェニルキサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、ロダシアニン系色素、キサンテン系色素、大環状アザアヌレン系色素、アズレン系色素、ナフトキノン、アントラキノン系色素、アントラセン、ピレン等の縮合多環芳香族および芳香環ないし複素環化合物が縮合した鎖状化合物、または、スクアリリウム基およびクロコニツクメチン基を結合鎖として持つキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール等の二つの含窒素複素環、または、スクアリリウム基およびクロコニツクメチン基により結合したシアニン系類似の色素等を用いることができる。

　また、上記金属錯体色素では、ジチオール金属錯体系色素、金属フタロシアニン色素、金属ポルフィリン色素、またはルテニウム錯体色素が用いられる。なお上記に限定されるものではない。

　有機光電変換膜層１６上には、上部電極１７が形成されている。上部電極１７には、透明電極材料が用いられる。上部電極１７は、下部電極１５と同一の材料で形成することができる。

　上部電極１７上には、パッシベーション層１８が形成されている。パッシベーション層１８は、光透過性を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の単層膜あるいはこれらの積層膜により構成される。

　上部電極１７には、配線３１が接続されている。後述するように、配線３１は接地されており、各上部電極１７は、接地状態とされている。

　パッシベーション層１８上には、さらにパッシベーション層１９が形成されている。またパッシベーション層１９上には、さらにパッシベーション層２０が形成されている。これらのパッシベーション層１８,１９,２０を同一の材料で形成しても良いし、異なる材料で形成してもよい。これらの層を設けるのは、後述するように、製造時に工程に係わる。

　例えば、パッシベーション層２０は、厚さが必要なときに形成され、パッシベーション層１８とパッシベーション層１９のみで、十分な厚さを得られるときには、形成しなくても良い。また、後述するように、パッシベーション層１８は、製造時に、上部電極１７が大気に触れ、特性が変化しないように保護する保護膜として機能する。パッシベーション層１９は、平坦化膜の機能を有している。

　各光電変換部４１に入射光を集光させる集光レンズ（オンチップレンズ）２１が、パッシベーション層２０上に形成されている。集光レンズ２１と有機光電変換膜層１６との間の層に反射防止層（図示せず）を形成してもよい。このように、撮像装置１が形成されている。

　上記撮像装置１が、例えば、緑（Green）を有機光電変換膜層１６から信号を取り出し、青（Blue）と赤（Red）をバルク分光で取り出すものであるとする。この場合の上記有機光電変換膜層１６とバルク分光の光電変換部４１の平面的配置（コーディング）の一例を説明する。

　上記有機光電変換膜層１６の緑系の色素としては、一例として、ローダミン系色素、フタロシアニン誘導体、キナクリドン、エオシンーＹ、メラシアニン系色素がある。

　上記有機光電変換膜層１６からなる緑は全画素に配置されている。またバルク分光で取り出す青と赤の各光電変換部４１は、例えば市松配列となっている。青と赤の分光は、以下の原理で達成する。

　青と赤のバルク分光を達成するために、光電変換部４１に形成されているフォトダイオードを構成するＮ-領域とＰ+領域の深さは、異なる深さとされている。すなわち、青は光入射側に近い（光の進入が浅い）領域にＮ-領域を形成し、青光を優先的に光電変換している。そして、深い領域にはＰ+領域を形成することで、赤光による光電変換を抑制している。

　一方、赤は，光入射側から遠い（光の進入が深い）領域にＮ-領域を形成し、赤光を優先的に光電変換している。そして、光入射から近い領域には、深いＰ+領域を形成して、青光による光電変換を抑制している。それぞれの画素における、Ｎ-領域とＰ+領域の深さは、波長により最適化がされている。

　以上の構成によって、撮像装置１では、緑、青、赤の分離された色信号を出力することができる。

　撮像装置１では、有機光電変換膜層１６を緑で形成し、青と赤をバルク分光にて取り出す例を示したが、そのほかの組合せでも良い。さらに、３原色に限らず、中間色での組合せや、４色以上の配列でも構わない。また光電変換部４１での分光を、有機カラーフィルタ層（図示せず）を用いて行うことも可能である。この場合、有機カラーフィルタ層を上記有機光電変換膜層１６下に透光性の絶縁膜を介して設けてもよく、または上記有機光電変換膜層１６上に絶縁膜を介して設けてもよい。

　＜配線について＞
　図１に示した撮像装置１では、配線３１は複数（図１では、２個）の上部電極１７に対して、１つだけ設けられているのに対し、配線３２は、複数の下部電極１５に対して、それぞれ設けられている。

　図１に示した撮像装置１は、有機光電変換膜層１６に光が入射し、有機光電変換膜層１６で発生した信号電荷（電子）は下部電極１５により取り出され、ホールは上部電極１７を介して排出される構成となっている。

　配線３１は、複数の上部電極１７で共有され、接地されているのに対し、配線３２は、下部電極１５のそれぞれに設けられ、それぞれの有機光電変換膜層１６で発生した信号電荷を、配線層１２に設けられている配線（その配線に接続されている処理部）に供給する構成とされている。

　配線３１を、複数の上部電極１７で共有される構成とした場合、図２に示すように、撮像装置１内の一部の上部電極１７は、接続された状態で形成されている。図２を参照するに、上部電極１７は、画素間で途切れることなく、接続された状態で形成されている。また上部電極１７上に形成されているパッシベーション層１８と、上部電極１７下に形成されている有機光電変換膜層１６も、画素間で途切れることなく、接続された状態で形成されている。

　有機光電変換膜層１６、上部電極１７、およびパッシベーション層１８は、同一の形状に形成されている。これは、後述するような製造工程で、製造されるからである。

　図２に示したように、隣接する上部電極１７のうち、一部分が繋がっている状態に、上部電極１７を形成することで、配線３１を複数の上部電極１７で共有することが可能な構成となり、全ての上部電極１７が接地された状態とすることが可能となる。

　なお、図４以降でさらに説明を加えるが、隣接する上部電極１７のうち、一部分が繋がっているだけであり、全体が繋がっているわけでない。隣接する上部電極１７の大部分は、図１に示したように独立して画素毎に設けられている。

　上部電極１７毎に配線３１を設ける（上部電極１７毎に導通を取る）構成とすることも可能である。図３に、上部電極１７毎に配線３１を設ける構成とした場合の撮像装置１の構成を示す。図３に示すように、各上部電極１７に配線３１が接続されており、その配線３１は、接地された構成とされている。

　各上部電極１７に配線３１を接続する構成とすることで、上部電極１７同士は、それぞれ独立した構成となる。すなわち、下部電極１５と同様に、画素毎に設けられた構成となる。このように、各上部電極１７に配線３１を接続する構成とすることも可能である。

　このような構成の場合、図３からもわかるように、各上部電極１７に、導通を取るための領域を設けなくてはならず、１画素の画素領域が減少してしまう可能性がある。

　撮像装置１が小型化されると、このような画素領域の減少はできるだけ抑えるようにした方が良いと考えられる。そこで、このような構成をとる場合、図１８を参照して後述するように構成することで、画素領域の減少を抑えることができる。

　またここでは、先に、図２を参照して説明したように、上部電極１７同士は大部分で接続されず、独立した構成とされているが、一部分で接続されている構成を有している場合を例に挙げて説明を続ける。

　＜上部電極同士の接続について＞
　図４を参照し、上部電極１７同士の接続について説明する。図４は、上記した撮像装置１を上側（集光レンズ２１側）から見たときの図である。上記したように、有機光電変換膜層１６、上部電極１７、およびパッシベーション層１８は、同一の形状に形成されているため、上側から見たとき、上部電極１７や有機光電変換膜層１６は、パッシベーション層１８と同一の形状となる。

　図４では、パッシベーション層１８を図示しているが、パッシベーション層１８と同一の形状で、パッシベーション層１８の下側に上部電極１７が形成され、さらにその下に有機光電変換膜層１６が形成されている。図４では、４画素分のパッシベーション層１８を図示している。ここでは、４画素のそれぞれに対応するパッシベーション層１８を、パッシベーション層１８－１、パッシベーション層１８－２、パッシベーション層１８－３、およびパッシベーション層１８－４とする。

　図４に示したように、例えばパッシベーション層１８－１とパッシベーション層１８－２との間には隙間（切れ目）があり、その隙間の部分（以下、分離部分と適宜記述する）は、パッシベーション層１９で充填されている。

　しかしながら、パッシベーション層１８－１の右下と、パッシベーション層１８－２の左下は、パッシベーション層１８’で繋がっている。以下、このような部分を接続部分と適宜記述する。

　同様に、パッシベーション層１８－２とパッシベーション層１８－３との間にも分離部分が設けられており、パッシベーション層１９で充填されているが、パッシベーション層１８－２の左下とパッシベーション層１８－３の左上は、パッシベーション層１８’で接続されている。

　同様に、パッシベーション層１８－３とパッシベーション層１８－４との間にも分離部分が設けられており、パッシベーション層１９で充填されているが、パッシベーション層１８－４の左上とパッシベーション層１８－４の右上は、パッシベーション層１８’で接続されている。

　さらに、パッシベーション層１８－４とパッシベーション層１８－１との間にも分離部分が設けられており、パッシベーション層１９で充填されているが、パッシベーション層１８－４の右上とパッシベーション層１８－１の右下は、パッシベーション層１８’で接続されている。

　このように、隣接するパッシベーション層１８同士の大部分は、パッシベーション層１９が充填された状態で分断されているが、わずかな領域で、繋がった状態に形成されている。

　図４中、ａ－ａ’で撮像装置１を切断した場合（分離部分がある位置で切断した場合）、図５に示したような断面になる。図５に示した撮像装置１では、パッシベーション層１８より上の層は図示していない。図５に示した撮像装置１は、図１に示した撮像装置１と同様であり、図５（図１）に示したように、下部電極１５、有機光電変換膜層１６、上部電極１７、およびパッシベーション層１８は、画素毎に設けられている。

　また、隣接する下部電極１５、有機光電変換膜層１６、上部電極１７、およびパッシベーション層１８の間の分離部分には、パッシベーション層１９（パッシベーション層１９と同一の材料で、パッシベーション層１９と一体化した状態）で充填されている。

　図４中、ｂ－ｂ’で撮像装置１を切断した場合（接続部分がある位置で切断した場合）、図６に示したような断面になる。図６に示した撮像装置１では、パッシベーション層１８より上の層は図示していない。図５に示した撮像装置１は、図２に示した撮像装置１と同様であり、図６（図２）に示したように、有機光電変換膜層１６、上部電極１７、およびパッシベーション層１８は、接続された状態で設けられている。

　この接続部分を含む部分に関しては、隣接する有機光電変換膜層１６、上部電極１７、およびパッシベーション層１８の間には、パッシベーション層１９で充填されている部分はなく、分断されていない状態である。

　＜混色について＞
　ところで、図６に示したように、有機光電変換膜層１６が画素間で繋がっていると、混色が発生してしまう可能性がある。図７を参照するに、例えば、下部電極１５－１と下部電極１５－２の境界付近に位置する有機光電変換膜層１６内の電子１０１は、下部電極１５－１により取り出される場合と、下部電極１５－２により取り出される場合とがある。

　電子１０１が下部電極１５－１により取り出されるのが正しい場合であっても、下部電極１５－２により取り出される可能性がある。この場合、下部電極１５－２側の画素には、隣接する下部電極１５－１の画素による混色の影響が出ることになる。

　このように、有機光電変換膜層１６が繋がっていると、光学混色、電気混色が発生する可能性がある。

　しかしながら、図５（図１）に示したように、有機光電変換膜層１６を画素毎に分離することで、このような混色の発生を防ぐことができる。

　撮像装置１は、図５のような分離部分を有する部分と、図６のような接続部分を有する部分が存在するため、接続部分において、混色が発生する可能性はある。しかしながら、撮像装置１の大部分は、図５のような分離部分で構成され、図６のような接続部分は、撮像装置１のごく一部である。よって、接続部分における混色の発生は、撮像装置１内では無視できる程度に小さく抑えることが可能である。

　また、接続部分を設けることで、上記したように、上部電極１７で、配線３１を共有することが可能な構成となり、画素領域が、配線のために小さくなってしまうようなことを防ぐ構成とすることができる。

　＜撮像装置の製造について＞
　次に、上記したような構成を有する撮像装置１の製造について説明する。

　図８は、撮像装置１の製造途中の状態を示した図である。図８の上図は、製造中の最上位層の状態（上から見たときの図）を表し、下図は、製造中の断面図を表す。図８に示した撮像装置１は、既に、支持基板１１からパッシベーション層１８までが形成されている状態である。

　支持基板１１からパッシベーション層１８までの形成について簡便に説明を加える。なお以下の説明は、一例であり、本技術を適用した撮像装置１の製造が、この方法に限定されることを示す記載ではない。また、以下の説明においては、各層を形成する材料の一例を挙げるが、上記した材料を用いることも可能である。

　まず、半導体基板１３が形成される。半導体基板１３は、まず、シリコン基体とシリコン層との間にシリコン酸化膜を有する基板（所謂ＳＯＩ基板）が準備され、シリコン層に導電性プラグが形成される。

　シリコン層のうち、シリコン酸化膜との接触面を半導体基板１３の面Ｓ１とする。配線３２は、例えば、シリコン層に貫通ビアを形成し、この貫通ビア内に窒化シリコン等の絶縁膜およびタングステンが埋め込まれることで形成される。あるいは、配線３２として、シリコン層へのイオン注入により導電型不純物半導体層が形成されるようにしてもよい。

　次いで、シリコン層内の深さの異なる領域に、互いに重畳するようにして、光電変換部４１が形成される。半導体基板１３の面Ｓ１と対抗する面Ｓ２近傍には、転送トランジスタ等の画素トランジスタおよびロジック回路等の周辺回路が形成される。これにより半導体基板１３が形成される。

　続いて、半導体基板１３の面Ｓ２上に配線層１２が形成される。配線層１２には層間絶縁膜を介して複数の配線が形成される。次いで、配線層１２に支持基板１１が貼り付けられ、その後、シリコン層からシリコン酸化膜およびシリコン基体を剥離して、シリコン層の面Ｓ１が露出される。

　その後、半導体基板１３の面Ｓ１上に、例えば原子層堆積（ＡＬＤ:Atomic Layer Deposition）法によりハフニウム酸化膜、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により酸化シリコン膜をこの順に成膜して絶縁層１４が形成される。

　次いで、この絶縁層１４のうち、配線３２に対向する位置に接続孔が設けられた後、絶縁層１４上に導電膜を成膜してこの接続孔に導電材料を埋め込まれる。これにより、配線３２が形成される。

　続いて、絶縁層１４上に下部電極１５が形成される。下部電極１５は、例えばスパッタ法により厚み５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した後、これをフォトリソグラフィ技術によりパターニングしてドライエッチングまたはウェットエッチングを行うことにより形成される。

　下部電極１５と絶縁層１４上に有機光電変換膜層１６が形成される。有機光電変換膜層１６は、例えば１００ｎｍの厚さに形成される。この厚さは適宜選択される。この有機光電変換膜層１６としては、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、ジアセチレン等の重合体やその誘導体が用いられる。

　次いで、有機光電変換膜層１６上の全面に、上部電極１７およびパッシベーション層１８が、この順に成膜される（図８）。有機光電変換膜層１６は、水分、酸素および水素等の影響を受けて特性が変化し易い。このため、上部電極１７は、有機光電変換膜層１６と真空雰囲気中で連続して（真空一貫プロセスで）成膜される。

　上部電極１７は、例えばスパッタ法により成膜される。パッシベーション層１８は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜される。ここまでの処理で、図８に示したような撮像装置１が製造される。

　パッシベーション層１８が設けられた後、図９に示すように、パッシベーション層１８上に所定のマスクパターンのレジスト膜１０１が形成される。レジスト膜１０１の所定のパターンは、図９の上部に示したようなパターン（形状）とされている。この形状は、図４に示したパッシベーション層１８の形状と同じであり、上記したように、分離部分と接続部分を有する有機光電変換膜層１６、上部電極１７、およびパッシベーション層１８を形成するためのパターンである。

　図９に示した状態は、まだエッチングされていないため、図９の上図に示したように、撮像装置１を上側から見ると、レジスト膜１０１とパッシベーション層１８が見えている状態である。

　レジスト膜１０１のパターンの画素間の分離幅（分離部分の幅）は、例えば、５０乃至３００ｎｍとされる。また、上部電極１７の電気的接続を保つための画素間のクロス部分（図４においては、パッシベーション層１８’に該当する部分、接続部分）は、例えば、１５０乃至９００ｎｍとされる。

　パッシベーション層１８上に所定パターンのレジスト膜１０１が形成されることにより、パッシベーション層１８、上部電極１７および有機光電変換膜層１６がパターニングされる。これにより、互いに平面形状が略同一のパッシベーション層１８、上部電極１７および有機光電変換膜層１６が形成される（図１０）。

　例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて所定パターンのレジスト膜１０１が形成された後、例えばプラズマ照射により、パッシベーション層１８、上部電極１７および有機光電変換膜層１６のドライエッチングを行う。このとき、プラズマ照射により発生する紫外線は、パッシベーション層１８に遮られるので、有機光電変換膜層１６には到達しにくくなる。ドライエッチングを行った後、アッシングおよび有機溶媒による洗浄等を行って、レジスト膜１０１に由来する堆積物および残渣物等を除去される工程が含まれても良い。有機溶媒に代えて、希フッ酸等により洗浄するようにしてもよい。ただし、有機光電変換膜層１６が大気に触れることで、特性が変化してしまうようなことを防ぐために、真空中で行われるのが好ましく、残渣物等の除去は、真空中でのアッシングのみとし、洗浄に関しては、有機光電変換膜層１６に影響がない程度の洗浄とされ、これらは真空中で行われる。

　より具体的には、例えば、パッシベーション層１８にＳｉＮを用い、そのパッシベーション層１８をエッチングする際には、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、ＣＨ3Ｆ、Ｎ2、Ｏ2、Ａｒガスを用いることができる。また、上部電極１７にＩＴＯを用い、その上部電極１７をエッチングする際には、ｌ2、ＢＣｌ3、Ｈ2、Ａｒ、ＣＨ4、ＣＯ、ＣＦ4ガスを用いることができる。有機光電変換膜層１６のエッチングは、Ｈ2、Ｏ2、Ｎ2、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ａｒ、ＣＯを用いたプラズマでエッチングするようにすることができる。

　プラズマによる有機光電変換膜層１６を構成する有機材料の加工側面部へのダメージを抑制するため、有機材料との反応性が高いＦ、Ｃｌ、Ｏなどは、使用しない方が望ましい。加工時の表面温度は、有機材料の特性変動が抑えられる範囲、例えば200℃以下で行われる。紫外線も有機材料へのダメージ要因となるため、紫外線領域の紫外線発光が多い例えばＢＣｌ3やＮ2を含まないプラズマが用いられることが望ましい。

　エッチングが行われることで、図１０上図に示したように、レジスト膜１０１の間（分離部分）には、絶縁層１４が見える状態となる。なお、図１０の下図に示したように、この状態だと、有機光電変換膜層１６の側面は、大気に触れる状態である。よって、エッチングは、真空中で行われるようにし、有機光電変換膜層１６の側面が大気に触れることなく行われる。

　エッチングが行われた後、レジスト膜１０１が除去される（図１１）。レジストの除去は、エッチングと同一装置、または真空中で接続された異なる装置が用いられて、Ｎ2、Ｏ2、Ａｒ、ＣＦ4、ＣＨＦ3ガスなどを混合して行われる。なお、温度や紫外線に対する対策は、上記したエッチングのときと同様である。

　レジスト膜１０１が除去されることで、図１１の上図に示したように、上側から撮像装置１を見た場合、パッシベーション層１８と、パッシベーション層１８の隙間（分離部分）から、絶縁層１４が見える状態となる。

　このような状態になった撮像装置１に対して、さらに、パッシベーション層１９が形成される。パッシベーション層１９は、真空中で接続された成膜装置が用いられて、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮなどの材料で成膜される。幅の狭い分離部分のへの埋め込み、また有機材料の保護効果のため、カバレッジが高くシームの発生しにくいＡＬＤや、プラズマＣＶＤであればカバレッジ性の高いプリカーサ(例えばトリシリルアミン)などを使用しても良い。なお、温度や紫外線に対する対策は、上記したエッチングのときと同様である。

　この時点でのパッシベーション層１９の膜厚は、次工程までの有機材料を保護できる膜厚があれば良く、例えば、１０乃至１００ｎｍであれば良い。

　図１２の上図に示すように、上側から撮像装置１を見た場合、パッシベーション層１９のみが見える状態となる。また、図１２の下図に示すように、画素間（分離部分）には、パッシベーション層１９の材料が充填された状態となっている。すなわち、有機光電変換膜層１６の側面は、パッシベーション層１９を構成する材料で保護された状態となっている。

　よって、この後の工程が、仮に大気に触れるような状態で行われても、有機光電変換膜層１６は、パッシベーション層１９により、大気に触れないように遮断されているため、その特性が変化してしまうようなことはない。

　パッシベーション層１９が成膜された後、さらにパッシベーション層２０が成膜される（図１３）。パッシベーション層２０は、パッシベーション層１８とパッシベーション層１９で十分な膜厚が得られないときに、十分な膜厚にするために設けられている。よって、パッシベーション層１９を成膜する工程で、パッシベーション層１９を十分な膜厚が得られるときには、パッシベーション層２０を成膜する工程を行わないようにすることができる。

　パッシベーション層２０が成膜された後、配線３１が形成される（図１４）。上部電極１７と繋がる位置にパッシベーション層１８乃至２０を貫通する接続孔が形成される。次いで、この接続孔に埋め込むようにして、配線３１が形成される。配線３１は、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチングを用いて形成することができる。

　次いで、パッシベーション層２０上に集光レンズ２１が形成される（図１５）。以上の工程により図１に示した撮像装置１が製造される。

　＜他のマスクパターン＞
　図９を参照して説明したマスクパターンの他のパターンについて説明する。有機光電変換膜層１６の接続部分で混色が発生する可能性があるため、この接続部分は、できるだけ少なくするのが良い。そこで、図１６に示したようなマスクパターンが用いられて、撮像装置１が製造されるようにしても良い。

　図１６のＡに他のパターンを示し、比較のために、図１６のＢに、図９に示したパターンを示す。比較のために図示した図１６のＢを参照するに、例えば、レジスト膜１０１－１は、図示していないレジスト膜１０１を含め、レジスト膜１０１－１は、左上に位置するレジスト膜１０１、上に位置するレジスト膜１０１、右上に位置するレジスト膜１０１、右に位置するレジスト膜１０１－２、右下に位置するレジスト膜１０１－３、下に位置するレジスト膜１０１－４、左下に位置するレジスト膜１０１、および左に位置するレジスト膜１０１と接続されている。

　レジスト膜１０１－１は、隣接する８個の画素に対応するレジスト膜１０１と接続されている。換言すれば、１画素に対応するレジスト膜１０１は、８箇所の接続部分を有する。他のレジスト膜１０１も同様に、８箇所の接続部分を有するパターンとされている。このマスクパターンの場合、画素の４頂点に接続部分を有するパターンとされている。

　これに対して、図１６のＡに示したレジスト膜１０２のパターンにおいては、図示していないレジスト膜１０２を含め、レジスト膜１０２－１は、左に位置するレジスト膜１０２、右に位置するレジスト膜１０２－２と接続されている。すなわち、レジスト膜１０２－１は、隣接する２個のレジスト膜１０２と接続されている。換言すれば、２箇所の接続部分を有する。

　レジスト膜１０２－２は、上に位置するレジスト膜１０２、右に位置するレジスト膜１０２、下に位置するレジスト膜１０２－３、左に位置するレジスト膜１０２－１と接続されている。すなわち、レジスト膜１０２－２は、隣接する４個のレジスト膜１０２と接続されている。換言すれば、４箇所の接続部分を有する。

　レジスト膜１０２においては、１画素に対応するレジスト膜１０２は、２箇所または４箇所の接続部分を有するパターンとされている。換言すれば、このマスクパターンの場合、画素の辺の一部分に接続部分を有するパターンとされている。

　図１６のＢに示したレジスト膜１０１のパターンにおいては、１画素に対応するレジスト膜１０１に８箇所の接続部分が存在するのに対して、図１６のＡに示したレジスト膜１０２のパターンにおいては、１画素に対応するレジスト膜１０２に２箇所または４箇所の接続部分しか存在していない。

　レジスト膜１０１のパターンは、１画素に対応するレジスト膜１０１において、４隅に接続部分を設けていが、レジスト膜１０２のパターンは、１画素に対応するレジスト膜１０２の４辺のどこか一部に接続部分（５０乃至３００ｎｍ程度)が設けられているパターンとされている。

　このように、レジスト膜１０２のパターンは、レジスト膜１０１のパターンよりも、接続部分が少ないパターンとされている。このようなレジスト膜１０２のパターンによると、各画素間を分離する領域が拡大するため、混色をより抑制できるようになる。

　＜上部電極の他の構成＞
　上述した撮像装置１においては、上部電極１７に接続部分を設け、配線３１を共有する構成を例に挙げて説明したが、図３を参照して説明したように、上部電極１７を完全に分離し、個々の上部電極１７に配線３１を接続する構成とすることもできる。

　図３を参照した説明においては、上部電極１７毎に配線３１を設けると、画素領域が減少すると説明したが、図１７を参照して説明するように、分離部分に配線３１を設け、配線３１の一部が、上部電極１７と接続されるように構成することで、画素領域が減少するようなことを防ぐ構成とすることができる。

　図１７は、上部電極１７を分離し、配線３１を上部電極１７毎に設けたときの撮像装置１の構成を示す図である。図１７では、層に分割して図示してある。なお、図１７においては、図１において、有機光電変換膜層１６に該当する部分を有機光電変換膜層１１６とし、上部電極１７に該当する部分を上部電極１１７とし、パッシベーション層１９に該当する部分をパッシベーション層１１９とし、配線３１に該当する部分を配線１３１と記載する。他の層に関しては、図１と同様であるため、同一の符号を付し、その説明は省略する。

　図１７に示したように、有機光電変換膜層１１６は、パッシベーション層１１９と一体化されたパッシベーション層１１９により、囲まれているため、画素毎の有機光電変換膜層１１６は、分離された状態とされている。この構成の場合、有機光電変換膜層１１６に繋がっている部分（接続部分）は存在しないため、混色をより抑制できる構成とすることができる。

　有機光電変換膜層１１６上には、上部電極１１７が形成されているが、この上部電極１１７も、有機光電変換膜層１１６と同じく、パッシベーション層１１９と一体化されたパッシベーション層１１９により、囲まれた構成とされている。よって、上部電極１１７同士は、分離された状態とされている。

　上部電極１１７上には、パッシベーション層１１９（パッシベーション層１１９と上部電極１１７の間には、図示していないパッシベーション層１１８が存在する）が形成されている。このパッシベーション層１１９も、有機光電変換膜層１１６と同じく、画素毎のパッシベーション層１１９は、分離された状態とされている。個々のパッシベーション層１１９は、配線１３１により囲まれた状態とされている。

　配線１３１は、個々のパッシベーション層１１９を囲むように形成されている。換言すれば、配線１３１は、画素間（上述した説明においては、分離部分に相当する部分）を埋めるように形成されている。

　図１８に、図１７に示したような構成を有する撮像装置１の断面図を示す。断面で見たとき、配線１３１は、パッシベーション層１１８,１１９の分離部分に充填され、下側部分の一部が、上部電極１１７－１と上部電極１１７－２に接するように形成されている。

　配線１３１の分離部分の幅を幅Ｈ１とし、上部電極１１７間の分離部分の幅を幅Ｈ２とすると、幅Ｈ１＞幅Ｈ２の関係にある。配線１３１の幅Ｈ１を、上部電極１１７間の幅よりも少し大きくしておくことで、配線１３１が、２画素分の上部電極１１７に跨がり、２画素分の上部電極１１７に、それぞれ接する状態を作り出すことができる。

　このように構成することで、上部電極１１７－１と上部電極１１７－２を、配線１３１を介して接続した状態とすることができる。また、配線１３１を、隙間部分に設け、上部電極１１７－１のごく一部のみが接する状態となるように構成することで、画素領域を減少させることなく（少しの減少に抑え）、上部電極１１７同士を接続することが可能となる。

　このような配線１３１を設けるようにした場合であっても、基本的に、上記したような製造工程を経て撮像装置１を製造することができる。図１９を参照し、図１８に示した撮像装置１の製造工程について説明する。

　図１９のＡは、図１２の下図に示した状態である。すなわち、パッシベーション層１１９（パッシベーション層１９に該当）の成膜までの処理は、上記した場合と同様に行われ、パッシベーション層１１９までの各層が形成される。

　パッシベーション層１１９上に、リソグラフィとエッチングが行われることで、図１９のＢに示したように、配線１３１が充填される穴が形成される。マスクパターンは、例えば、図１６のＡに示したパターンでも良いし、図１６のＢに示したパターンでも良い。ただし、上記した幅の条件を満たすパターンである。

　形成された穴に、所定の材料が充填されることで、配線１３１が形成される。まず、配線１３１を形成するための材料が、スパッタリング、メッキなどにより成膜される。成膜後、ＣＭＰまたはエッチングバッグにより、不要な材料が除去されることで、図１９のＣに示したように、配線１３１が、分離部分に充填された状態の撮像装置１が製造される。この後、集光レンズ２１が形成されるまでの処理は、上記した場合と同様に行うことができるため、その説明は省略する。

　分離部分に充填される配線１３１の材料としては、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｒ等を用いることができる。これらの材料は、遮光性のある材料である。遮光性のある材料（金属、導電体）を分離部分に配置することで、隣接する画素に光が漏れるようなことを防ぎ、迷光成分を遮光することが可能となるため、この点からも、混色を抑制できる構成とすることができる。

　また、有機光電変換膜層１１６や、上部電極１１７は、画素毎に完全に分離された状態に構成することができるため、この点からも、混色を抑制できる構成とすることができる。さらに、上部電極１１７が、完全に分離されていても金属（配線１３１）を介して各上部電極１７１間を導通できる構成とすることができる。

　＜配線の他の構成＞
　図１７乃至図１９を参照した説明した撮像装置１においては、配線１３１を分離部分に充填する構成とした。さらに、図２０を参照して説明するように、充電する深さをより深い位置までにするようにしても良い。

　図１８に示した撮像装置１においては、配線１３１は、上部電極１１７の上側までであったが、図２０に示した撮像装置１においては、配線１３１は、絶縁膜１４の上側まで設けられている。

　配線１３１を、配線１３１－１と配線１３１－２に分けて説明する。配線１３１－１は、パッシベーション層１１９、パッシベーション層１１８の２層の分離部分に設けられ、上部電極１１７と接する部分がある。

　配線１３１－２は、上部電極１１７、有機光電変換膜層１１６の２層の分離部分に設けられている。また、配線１３１－２は、パッシベーション層１９に囲まれた状態で設けられており、配線１３１－２と有機光電変換膜層１１６（上部電極１１７）が接することがないように構成されている。

　配線１３１－１、配線１３１－２を図１８に示した配線１３１と同じく、遮光性を有する金属（導電体）で構成した場合、有機光電変換膜層１１６の分離を、金属を挟んで行う構成とすることができ、混色をより抑制することが可能となる。また、上記した場合と同じく、画素間の迷光成分を遮光することが可能となり、この点からも、混色をより抑制することが可能となる。

　また、有機光電変換膜層１１６の側面側に、金属の配線１３１が設けられる構成とされることで、有機光電変換膜層１１６の側面に電圧を印加できる構成となり、残像低減や、暗電流の抑制効果なども期待できる。

　このような配線１３１－１、配線１３１－２（以下、区別する必要が無い場合、単に配線１３１と記述する）を設けるようにした場合であっても、基本的に、上記したような製造工程を経て撮像装置１を製造することはできる。図２１を参照し、図２０に示した撮像装置１の製造工程について説明する。

　図２１のＡは、図１１の下図に示した状態である。すなわち、パッシベーション層１１８を成膜し、分離部分を形成するまでの工程は、上記した場合と同様に行われ、パッシベーション層１１８までの各層が形成される。図２１のＡに示したように、形成されている分離部分の幅は幅Ｈ２である。この幅Ｈ２は、図１８を参照して説明した場合と同じく、有機光電変換膜層１１６間の幅である。

　パッシベーション層１１８上に、パッシベーション層１１９’が形成される。パッシベーション層１１９’が成膜されるとき、分離部分が完全に埋まらないように成膜量が調整される。図２１のＢに示すように、分離部分の幅が幅Ｈ３となるように、成膜量が調整される。幅Ｈ３は、幅Ｈ２よりも狭い幅である。

　例えば、分離部分の幅Ｈ２が、１５０ｎｍである場合、２０乃至５０ｎｍの成膜量、換言すれば、幅Ｈ３が、１１０乃至５０ｎｍとなる成膜量に調整される。このような成膜量の調整がなされることで、幅Ｈ３の分離部分が形成される。

　また、この成膜により、有機光電変換膜層１１６は、パッシベーション層１１９’で囲まれた状態となるため、この後の工程において、有機光電変換膜層１１６が、直接大気に触れるようなことや、配線１３１の材料に触れるようなことを防ぐことができ、有機光電変換膜層１１６の特性が変化するようなことを防ぐことができる。

　幅Ｈ３の分離部分を有するパッシベーション層１１９’が成膜されると、リソグラフィとエッチングで分離部分上のパッシベーション層１１９’が加工される。図２１のＣに示すように、上部電極１７１に接するように、また幅が幅Ｈ１となるように開口される。この幅Ｈ１は、図１８を参照して説明した幅Ｈ１と同じである。

　このように、幅Ｈ１、幅Ｈ３を有する分離部分が形成されると、配線１３１を構成する材料が分離部分に対して充填される。例えば、遮光性のあるＷ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属材料でスパッタリングなどにより成膜され、その後、ＣＭＰもしくはエッチングバックにより画素上の不要な金属材料が除去されることで、図２０Ｄに示したような配線１３１－１、配線１３１－２が形成される。

　このようにして、図２０に示した撮像装置１を製造することができる。

　＜多層積層構造＞
　上述した撮像装置１は、有機光電変換膜層１６（１１６）を含む層が１層である場合であったが、有機光電変換膜層１６（１１６）を含む層が多層であっても良い。図２２に多層積層構造の撮像装置１を示す。

　図２２に示した撮像装置１は、有機光電変換膜層を含む層が２層設けられている。１層目は、絶縁層１４－１、下部電極１５－１、有機光電変換膜層１６－１、上部電極１７－１から構成されている。２層目は、絶縁層１４－２、下部電極１５－２、有機光電変換膜層１６－２、上部電極１７－２から構成されている。

　１層目の形成と２層目の形成は、上記した製造工程を繰り返すことで形成することができる。なお、分離部分の形成は、１層目と２層目の形成時に、それぞれ行われるようにしても良いし、２層目まで形成された後に、一括して形成されるようにしても良い。

　有機光電変換膜層１６の膜厚を厚くすると、光学混色を起こしやすい傾向にある。有機光電変換膜層１６を多層にし、１層あたりの有機光電変換膜層１６の膜厚を薄くすることで、光学混色を抑制することが可能となる。よって、このような多層積層構造にすることで、混色をより抑制することができる構造とすることができる。

　＜遮光膜がある構成＞
　上述した撮像装置１では、遮光膜については説明していないが、画素間の迷光成分で混色が発生することを抑制するために、遮光膜が画素間に設けられている場合がある。本技術は、遮光膜がある撮像装置１に対しても適用可能である。

　図２３に、遮光膜を有する撮像装置１の構成を示す。図２３に示すように、半導体基板１３の上に、かつ画素間（分離部分）に、遮光膜２０１が設けられている。遮光膜２０１は、分離部分の幅（例えば、図２１に示した幅Ｈ１）よりも広い幅で設けられている。

　遮光膜２０１が設けられていることで、有機光電変換膜層１６と半導体基板１３（半導体基板１３に設けられている光電変換部４１）とで、色分離を行う場合など、有機光電変換膜層１６から半導体基板１３までの光学的混色を抑制することが可能となる。

　このような遮光膜２０１を設けるようにした場合であっても、基本的に、上記したような製造工程を経て撮像装置１を製造することはできる。図２４を参照し、図２３に示した撮像装置１の製造工程について説明する。

　図２４のＡに示すように、半導体基板１３上に、遮光膜２０１が形成される。遮光膜２０１は、遮光膜２０１を形成する遮光性を有する材料が、半導体基板１３上に成膜され、その後、不必要な部分が除去されることで、形成される。

　遮光膜２０１が形成された後、上記した製造工程と同様の工程をへて、パッシベーション層１８まで成膜される。その後、図２４のＢに示すように、遮光膜２０１に分離部分の溝が到達するまでエッチングが行われる。上記した工程では、図１０、図１１を参照して説明したように、絶縁膜１４上までエッチングが行われるが、さらに、絶縁膜１４内までエッチングを継続し、遮光膜２０１に到達するまで加工される。

　その後、パッシベーション層１９が成膜されることで、図２３に示したように、分離部分の溝に、パッシベーション層１９が充填された状態で、かつ、その先端が遮光膜２０１に接している状態の撮像装置１が製造される。

　本技術によれば、有機光電変換膜層を電気的、光学的に遮断することができる構成であるため、混色や残像を改善することができる。また、製造時において、有機光電変換膜層を構成する有機材料へのプロセスダメージを抑制することも可能となる。

　また分離部分に金属を埋め込むようにすることで、各画素の側面にも電極を配置することができるため暗電流の低減など画素特性を電気的に安定させることも可能となる。

　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。

　なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

　なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
　有機材料で構成された有機光電変換膜と、
　前記有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、
　前記有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極と
　を備え、
　前記有機光電変換膜、前記下部電極、および前記上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている
　撮像装置。
（２）
　前記上部電極上にパッシベーション層をさらに有し、
　前記パッシベーション層と同一の材料が、前記分離部分に充填されている
　前記（１）に記載の撮像装置。
（３）
　前記上部電極には、接地されている配線が接続されている
　前記（１）または（２）に記載の撮像装置。
（４）
　前記配線は、前記上部電極の分離された部分に、隣接する前記上部電極に跨って配置されている
　前記（３）に記載の撮像装置。
（５）
　前記配線は、前記有機光電変換膜の前記分離部分にも設けられている
　前記（４）に記載の撮像装置。
（６）
　前記上部電極は、隣接する画素間で接続部分を有する
　前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の撮像装置。
（７）
　前記接続部分は、画素の４頂点に設けられている
　前記（６）に記載の撮像装置。
（８）
　前記接続部分は、画素の辺の一部に設けられている
　前記（６）に記載の撮像装置。
（９）
　前記有機光電変換膜は、多層かつ積層されている
　前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の撮像装置。
（１０）
　前記下部電極の下側の層に、半導体基板上に設けられた光電変換部をさらに備える
　前記（１）乃至（９）のいずれかに記載の撮像装置。
（１１）
　前記画素間に、遮光膜を有し、
　前記遮光膜は、前記下部電極と前記半導体基板の間に設けられている
　前記（１０）に記載の撮像装置。
（１２）
　有機材料で構成された有機光電変換膜と、
　前記有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、
　前記有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極と
　を備え、
　前記有機光電変換膜、前記下部電極、および前記上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている
　撮像装置を製造する製造装置。
（１３）
　有機材料で構成された有機光電変換膜と、
　前記有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、
　前記有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極と
　を備え
　前記有機光電変換膜、前記下部電極、および前記上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている
　撮像装置を製造する製造方法において、
　前記下部電極を形成し、
　前記有機光電変換膜を構成し、
　前記上部電極を形成し、
　前記上部電極上にパッシベーション層を形成した後に、
　前記分離部分を形成する
　ステップを含む製造方法。
（１４）
　形成された前記分離部分に、前記パッシベーション層を形成する材料を充填するステップをさらに含む
　前記（１３）に記載の製造方法。
（１５）
　形成された前記分離部分に、前記上部電極に接する配線を形成するステップをさらに含む
　前記（１３）に記載の製造方法。
（１６）
　前記形成される分離部分の幅は、前記上部電極間の分離している部分の幅よりも広く形成される
　前記（１５）に記載の製造方法。
（１７）
　前記有機光電変換膜の形成から、前記パッシベーション層の形成までは、真空一貫で行われる
　前記（１３）乃至（１６）のいずれかに記載の製造方法。

　１　撮像装置，　１１　支持基板，　１２　配線層，　１３　半導体基板，　１４　絶縁膜，　１５　下部電極，　１６　有機光電変換膜層，　１７　上部電極，　１８乃至２０　パッシベーション層，　２１　集光レンズ，　３１，３２　配線，　４１　光電変換部

Claims (17)

1. 　有機材料で構成された有機光電変換膜と、
   　前記有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、
   　前記有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極と
   　を備え、
   　前記有機光電変換膜、前記下部電極、および前記上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている
   　撮像装置。
2. 　前記上部電極上にパッシベーション層をさらに有し、
   　前記パッシベーション層と同一の材料が、前記分離部分に充填されている
   　請求項１に記載の撮像装置。
3. 　前記上部電極には、接地されている配線が接続されている
   　請求項１に記載の撮像装置。
4. 　前記配線は、前記上部電極の分離された部分に、隣接する前記上部電極に跨って配置されている
   　請求項３に記載の撮像装置。
5. 　前記配線は、前記有機光電変換膜の前記分離部分にも設けられている
   　請求項４に記載の撮像装置。
6. 　前記上部電極は、隣接する画素間で接続部分を有する
   　請求項１に記載の撮像装置。
7. 　前記接続部分は、画素の４頂点に設けられている
   　請求項６に記載の撮像装置。
8. 　前記接続部分は、画素の辺の一部に設けられている
   　請求項６に記載の撮像装置。
9. 　前記有機光電変換膜は、多層かつ積層されている
   　請求項１に記載の撮像装置。
10. 　前記下部電極の下側の層に、半導体基板上に設けられた光電変換部をさらに備える
    　請求項１に記載の撮像装置。
11. 　前記画素間に、遮光膜を有し、
    　前記遮光膜は、前記下部電極と前記半導体基板の間に設けられている
    　請求項１０に記載の撮像装置。
12. 　有機材料で構成された有機光電変換膜と、
    　前記有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、
    　前記有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極と
    　を備え、
    　前記有機光電変換膜、前記下部電極、および前記上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている
    　撮像装置を製造する製造装置。
13. 　有機材料で構成された有機光電変換膜と、
    　前記有機光電変換膜の下部に設けられている下部電極と、
    　前記有機光電変換膜の上部に設けられている上部電極と
    　を備え
    　前記有機光電変換膜、前記下部電極、および前記上部電極は、画素間に分離部分を有する状態で形成されている
    　撮像装置を製造する製造方法において、
    　前記下部電極を形成し、
    　前記有機光電変換膜を構成し、
    　前記上部電極を形成し、
    　前記上部電極上にパッシベーション層を形成した後に、
    　前記分離部分を形成する
    　ステップを含む製造方法。
14. 　形成された前記分離部分に、前記パッシベーション層を形成する材料を充填するステップをさらに含む
    　請求項１３に記載の製造方法。
15. 　形成された前記分離部分に、前記上部電極に接する配線を形成するステップをさらに含む
    　請求項１３に記載の製造方法。
16. 　前記形成される分離部分の幅は、前記上部電極間の分離している部分の幅よりも広く形成される
    　請求項１５に記載の製造方法。
17. 　前記有機光電変換膜の形成から、前記パッシベーション層の形成までは、真空一貫で行われる
    　請求項１３に記載の製造方法。

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