JP2006261613A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置(10)は、半導体基板(11)と、前記半導体基板上の回路形成領域(A)と、配線層を利用して、前記回路形成領域を取り囲むように構成される耐湿リング(12)と、前記耐湿リングおよび前記回路形成領域を覆う非透水性の保護膜(19)とを備え、前記耐湿リングの最表面は、前記非透水性の保護膜により直接被覆される。回路形成領域は、透水性の保護膜(15)を介して、非透水性の保護膜で覆われ、透水性の保護膜は、前記耐湿リングの最表面を露出する開口部(29)を有し、耐湿リングの最表面は、前記開口部において、非透水性の保護膜で直接被覆される。
【選択図】 図2
Description
(a)半導体基板と、
(b)前記半導体基板上の回路形成領域と、
(c)配線層を利用して、前記回路形成領域を取り囲むように構成される耐湿リングと、
(d)前記耐湿リングおよび前記回路形成領域を覆う非透水性の保護膜と
を備え、前記耐湿リングの最表面は、前記非透水性の保護膜により直接被覆されることを特徴とする。
(a) 半導体基板上に積層される層間絶縁膜の各層において、回路形成領域を取り囲む導体パターンを、前記回路形成領域の配線と同時に形成し、
(b) 前記層間絶縁膜の最上層に、前記導体パターンおよび前記回路形成領域を覆う透水性の保護膜を形成し、
(c) 前記透水性の保護膜の一部を除去して、前記導体パターンの最表面を露出する開口部を形成し、
(d) 前記透水性の保護膜上に、非透水性の保護膜を形成し、前記開口部において、前記導体パターンの最表面を前記非透水性の保護膜で直接被覆する
工程を含む。
(付記1) 半導体基板と、
前記半導体基板上の回路形成領域と、
配線層を利用して、前記回路形成領域を取り囲むように構成される耐湿リングと、
前記耐湿リングおよび前記回路形成領域を覆う非透水性の保護膜と
を備え、前記耐湿リングの最表面は、前記非透水性の保護膜により直接被覆されることを特徴とする半導体装置。
(付記2) 前記耐湿リングは、
前記半導体基板上に積層される層間絶縁膜の各層で膜厚方向に延びる導体リングと、
前記各層の導体リングを相互接続するように、前記各層間絶縁膜上に配置されるリング配線パターンと
を含み、最上層に位置する前記リング配線パターンは、前記非透水性の保護膜により直接被覆されることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3) 前記回路形成領域は、透水性の保護膜を介して、前記非透水性の保護膜で覆われ、
前記透水性の保護膜は、前記耐湿リングの最表面を露出する開口部を有し、
前記耐湿リングの最表面は、前記開口部において、前記非透水性の保護膜で直接被覆されることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記4) 前記回路形成領域に形成されるボンディングパッドをさらに備え、
前記透水性の保護膜および非透水性の保護膜は、前記ボンディングパッドの表面を露出する第2の開口部を有し、
前記第2の開口部において、前記透水性の保護膜の断面は、前記非透水性の保護膜で被覆されていることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記5) 前記最上層に位置するリング配線パターンは、前記耐湿リングの外側に位置するスクライブ領域の端部まで延びることを特徴とする付記2に記載の半導体装置。
(付記6) 前記非透水性の保護膜は、ポリイミド膜、アルミナ膜、およびシリコン窒化膜を含むことを特徴とする付記1〜5のいずれかに記載の半導体装置。
(付記7) 前記透水性の保護膜は、シリコン酸化膜を含むことを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
(付記8) 前記回路形成領域は、強誘電体メモリ領域を含むことを特徴とする付記1〜7のいずれかに記載の半導体装置。
(付記9) 半導体基板上に積層される層間絶縁膜の各層において、回路形成領域を取り囲む導体パターンを、前記回路形成領域の配線と同時に形成し、
前記層間絶縁膜の最上層に、前記導体パターンおよび前記回路形成領域を覆う透水性の保護膜を形成し、
前記透水性の保護膜の一部を除去して、前記導体パターンの最表面を露出する開口部を形成し、
前記透水性の保護膜上に、非透水性の保護膜を形成し、前記開口部において、前記導体パターンの最表面を前記非透水性の保護膜で直接被覆する
工程を含む半導体装置の製造方法。
(付記10) 前記導体パターンの形成は、前記層間絶縁膜の各層の膜厚方向に延びる導体リングと、前記各層間絶縁膜上に位置するリング配線パターンとを、前記回路形成領域の配線形成と同時に形成することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
11 シリコン基板
12 耐水リング
12a、12c、12e 第1〜第3導体リング
12b、12d、12f 第1〜第3リング配線パターン
13 第1の層間絶縁膜
15 シリコン酸化膜(保護膜)
16 シリコン窒化膜(非透水性保護膜)
17 第2の層間絶縁膜
18 第3の層間絶縁膜
19 ポリイミド膜(非透水性保護膜)
20 トランジスタ
31 ボンディングパッド
29、33 開口部
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上の回路形成領域と、
配線層を利用して、前記回路形成領域を取り囲むように構成される耐湿リングと、
前記耐湿リングおよび前記回路形成領域を覆う非透水性の保護膜と
を備え、前記耐湿リングの最表面は、前記非透水性の保護膜により直接被覆されることを特徴とする半導体装置。 - 前記耐湿リングは、
前記半導体基板上に積層される層間絶縁膜の各層で膜厚方向に延びる導体リングと、
前記各層の導体リングを相互接続するように、前記各層間絶縁膜上に配置されるリング配線パターンと
を含み、最上層に位置する前記リング配線パターンは、前記非透水性の保護膜により直接被覆されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記回路形成領域は、透水性の保護膜を介して、前記非透水性の保護膜で覆われ、
前記透水性の保護膜は、前記耐湿リングの最表面を露出する開口部を有し、
前記耐湿リングの最表面は、前記開口部において、前記非透水性の保護膜で直接被覆されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記最上層に位置するリング配線パターンは、前記耐湿リングの外側に位置するスクライブ領域の端部まで延びることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に積層される層間絶縁膜の各層において、回路形成領域を取り囲む導体パターンを、前記回路形成領域の配線と同時に形成し、
前記層間絶縁膜の最上層に、前記導体パターンおよび前記回路形成領域を覆う透水性の保護膜を形成し、
前記透水性の保護膜の一部を除去して、前記導体パターンの最表面を露出する開口部を形成し、
前記透水性の保護膜上に、非透水性の保護膜を形成し、前記開口部において、前記導体パターンの最表面を前記非透水性の保護膜で直接被覆する
工程を含む半導体装置の製造方法。
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