CN105144385B - 摄像装置 - Google Patents

摄像装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105144385B
CN105144385B CN201480023339.1A CN201480023339A CN105144385B CN 105144385 B CN105144385 B CN 105144385B CN 201480023339 A CN201480023339 A CN 201480023339A CN 105144385 B CN105144385 B CN 105144385B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photographing element
element chip
photographic device
interarea
image pickup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201480023339.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105144385A (zh
Inventor
藤森纪幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2013094284A external-priority patent/JP6270335B2/ja
Priority claimed from JP2013094285A external-priority patent/JP6270336B2/ja
Application filed by Olympus Corp filed Critical Olympus Corp
Publication of CN105144385A publication Critical patent/CN105144385A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105144385B publication Critical patent/CN105144385B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

摄像装置(1)具有：摄像元件芯片(10A)，以及与摄像元件芯片(10A)的第1主面(10SA)粘接的玻璃罩(30)，其中，所述摄像元件芯片(10A)在第一主面(10SA)上形成有：摄像部(13)；电路部(14)，其具有多个层，所述多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层(12C)；以及保护环(16)，其由从耐湿性比低介电常数材料优良的材料中选择的1种以上的材料构成。

Description

摄像装置
技术领域
本发明涉及具有摄像元件芯片的摄像装置，该摄像元件芯片形成有摄像部和包含低介电常数材料层的电路部。
背景技术
由于具有摄像元件芯片的芯片尺寸封装型的摄像装置为小径，所以能够用于内窥镜等，其中，该摄像元件芯片是在主面上形成有由CMOS摄像元件等构成的摄像部而成的。为了获得摄像部与连接信号缆线等的较大的接合电极的一致性，由导体层和绝缘层构成的再布线电路对摄像元件芯片来说是不可或缺的，其中，该摄像部由利用半导体技术制成的细微图案构成。近年来，为了实现摄像装置的高性能化，正在研究使用介电常数比氧化硅低的材料、所谓Low-k材料，作为再布线电路的绝缘层。
但是，Low-k材料的耐湿性、即水蒸气的渗透性比现有的绝缘层材料差。由于以Low-k材料为绝缘层的芯片尺寸封装型的摄像装置的Low-k材料露出于外周部，所以可靠性有可能不充分。即，当水渗透到由Low-k材料构成的绝缘层时，相对介电常数上升，寄生电容增加，并产生信号延迟，所以有可能会产生动作不良，或者产生金属布线的腐蚀。
在日本特开2008-78382号公报中，公开了如下半导体装置：由耐湿性比低介电常数绝缘材料优良的底填充材料覆盖并密封包含半导体元件芯片的低介电常数绝缘层在内的再布线电路的侧面。
但是，上述公报记载的半导体装置的俯视尺寸比半导体元件芯片大出底填充材料的嵌条(Fillet)长度的量。
此外，在日本特开2011-166080公报中，公开了将摄像元件芯片收纳在屏蔽箱中的摄像装置。在摄像元件芯片与屏蔽箱的间隙中填充有密封树脂。
但是，在上述公报中没有公开和揭示任何由于经由密封树脂而渗透的水带来的影响。推测这是由于没有使用Low-k材料来作为摄像元件芯片的绝缘层。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的实施方式的目的在于提供小径且可靠性高的摄像装置。
用于解决问题的手段
本发明的摄像装置具有：摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第1主面上形成有：摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；以及电极焊盘，其与所述电路部连接，并且，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电极焊盘连接；以及透明部件，其经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第1主面粘接，且俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同，其中，所述摄像装置在所述摄像元件芯片的所述第1主面上具有保护环，所述保护环包围所述摄像部、所述电路部和所述电极焊盘，由从耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料中选择的1种以上的材料构成，或者，所述摄像装置具有：屏蔽箱，其收纳所述摄像元件芯片，且内壁的角部的截面形状由曲线构成；以及密封树脂，其填充所述摄像元件芯片的侧面与所述屏蔽箱之间的间隙，且所述角部以外的厚度为100μm以下。
另一个实施方式的摄像装置具有：摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第1主面上形成有：摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；电极焊盘，其与所述电路部连接；以及保护环，其包围所述摄像部、所述电路部和所述电极焊盘，由从耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料中选择的1种以上的材料构成，并且，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电极焊盘连接；透明部件，其经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第1主面粘接，且俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同；以及后环，其配设在所述保护环的整周与所述透明部件之间，由耐湿性比所述粘接层的材料优良的材料构成。
此外，另一个实施方式的摄像装置具有：摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第1主面上形成有：摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；电极焊盘，其与所述电路部连接；以及保护环，其包围所述摄像部、所述电路部和所述电极焊盘，由耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料构成，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电极焊盘连接；以及透明部件，其经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第1主面粘接，覆盖比所述保护环的外缘更靠内侧的区域。
此外，另一个实施方式的摄像装置具有：俯视为矩形的摄像元件芯片，所述摄像元件芯片在第1主面上形成有：摄像部；以及电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，所述多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电路部连接；透明部件，其与所述摄像元件芯片的所述第1主面粘接，且俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同；屏蔽箱，其收纳所述摄像元件芯片，且内壁的角部的截面形状由曲线构成；以及密封树脂，其填充所述摄像元件芯片的侧面与所述屏蔽箱之间的间隙，且所述角部以外的厚度为100μm以下。
发明效果
根据本发明，能够提供一种小径且可靠性高的摄像装置。
附图说明
图1是第1实施方式的摄像装置的立体图。
图2是第1实施方式的摄像装置的俯视图。
图3是第1实施方式的摄像装置的沿着图2的III-III线的剖视图。
图4是第2实施方式的摄像装置的俯视图。
图5是第2实施方式的摄像装置的沿着图4的V-V线的分解剖视图。
图6是第2实施方式的变形例的摄像装置的剖视图。
图7是第3实施方式的摄像装置的立体图。
图8是第3实施方式的摄像装置的剖视图。
图9是第3实施方式的变形例的摄像装置的剖视图。
图10是第4实施方式的摄像装置的剖视图。
图11是第4实施方式的摄像装置的沿着图10的XI―XI线的剖视图。
图12是用于说明第4实施方式的摄像装置的立体图。
图13是示出图11所示的第4实施方式的摄像装置的部分放大剖视图。
图14是现有的摄像装置的部分放大剖视图。
图15是第5实施方式的摄像装置的部分放大剖视图。
图16是第6实施方式的摄像装置的剖视图。
具体实施方式
(第1实施方式)
如图1～图3所示，第1实施方式的摄像装置1具有：摄像元件芯片10；作为透明部件的玻璃罩30；以及将摄像元件芯片10与玻璃罩30粘接的粘接层20。
由在主面配设了层叠膜12的半导体基板11构成的摄像元件芯片10是晶圆级芯片尺寸封装型的芯片，摄像元件芯片10与玻璃罩30的俯视尺寸相同。即，通过对接合晶片进行切断并进行单片化来制造摄像装置1，其中，该接合晶片是将形成了多个摄像元件芯片10的摄像元件晶片与玻璃晶片粘接而成的。摄像元件芯片10能够一并进行大量生成，所以生产性优良。
在摄像元件芯片10的第1主面10SA上形成有摄像部13、电路部14、多个电极焊盘15和保护环16。另一方面，在摄像元件芯片10的第2主面10SB上形成有多个接合端子18，该多个接合端子18经由各个贯穿布线17与各个电极焊盘15连接。
由COMS摄像元件等构成的摄像部13通过公知的半导体制造技术，形成在由硅等构成的半导体基板11的主面上。
电路部14具有用于对摄像部13收发信号等的再布线功能等。电路部14可以包含对摄像部13的信号进行处理的半导体电路。这时，半导体电路与摄像部13同样，通过公知的半导体制造技术，形成在由硅等构成的半导体基板11的主面上。电路部14也是层叠膜12的一部分，该层叠膜12具有多个导体层12A和多个绝缘层12B、12C。另外，在图3中示意性示出了多个层的一部分。
并且，电路部14的至少1个绝缘层12C由低介电常数材料(Low-k材料)构成。电极焊盘15经由电路部14与摄像部13连接。
另外，多个导体层12A的导电性材料可以由不同的材料构成。此外，多个绝缘层12B的绝缘材料可以由不同的材料构成。并且，至少1个绝缘层12C由低介电常数材料(Low-k材料)构成。
低介电常数材料是指，相对介电常数k比氧化硅(k＝4.0)低的材料，优选为相对介电常数k为3.0以下的材料。由于技术性限制，低介电常数材料的相对介电常数k的下限值为2.0以上，优选为1.5以上。
在摄像装置1中，绝缘层12C的低介电常数材料为多孔SiOC(k＝2.7)。多孔SiOC是主要大量含有Si-CH3基的含甲基聚硅氧烷，由于CH3的存在而在分子结构内产生间隙，所以是多孔质，相对介电常数k低。
作为绝缘层12C的材料，也能够使用SiOF或SiOCH基底的多孔材料、纳米二氧化硅集群(Nano Clustering Silica)膜等多孔二氧化硅系材料、被称作多孔HSQ的含氢聚硅氧烷、或者、有机聚合物或有机聚合物的多孔材料等。
包围摄像部13、电路部14和电极焊盘15的保护环16是切断水向比保护环16的内缘靠内侧的区域的渗透的环状的防湿壁。如已经说明的那样，由低介电常数材料构成的绝缘层12C的耐湿性不充分。保护环16由耐湿性比绝缘层12C的低介电常数材料优良的材料构成，切断了水向保护环16的内侧的低介电常数材料的渗透。
根据制造工序和摄像装置1的规格，从耐湿性比低介电常数材料优良的材料中选择保护环16的材料。在摄像装置1中，保护环16和电路部14都是层叠膜12的一部分，在半导体基板11上形成电路部14时，同时形成保护环16。即，保护环16依照具有多个层的电路部14的形成工序，由通过层叠多个层而形成的环状的层叠膜构成。
在将绝缘层12C层叠在电路部14上时，不在保护环16上层叠与绝缘层12C相同的低介电常数材料层。例如，可以在形成电路部14时，对除绝缘层12C以外的层进行层叠而形成保护环16。另一方面，在仅由多个导体层12A和多个绝缘层12C构成了电路部14的情况下，保护环16由多个导体层12A形成。
此外，保护环16的一部分可以由与电路部14的构成层一体的层构成。例如，可以由电路部14的绝缘层12B的延伸设置部构成保护环16的一个层。
保护环16由从构成电路部14的多个材料中选择的1种以上的材料构成。例如，电路部14的导体层12A由铜等金属构成，所以耐湿性优良。并且，在形成多个导体层12A时，同时形成层叠了铜层的保护环16。
此外，在电路部14的绝缘层12B由氧化硅或氮化硅构成的情况下，在形成多个绝缘层12B时，同时形成层叠了氧化硅层等的保护环16。
此外，保护环16可以是例如铜层和氧化硅层的层叠膜。即，保护环16可以通过由多个不同材料构成的多个层构成。
虽然由构成绝缘层12C的低介电常数材料构成的层优选不位于保护环16的外侧，但是也可以位于保护环16的外侧。这是为了防止水向保护环16的内部的渗透。
可以在形成电路部14(层叠膜12)之后，配设保护环。例如，也可以是，在形成层叠膜12时，预先设置槽部作为保护环配设部，在进行玻璃罩粘接之前，将O型环作为保护环嵌入到槽部。此外，保护环可以是由内侧环和外侧环构成的双层结构。
并且，经由粘接层20粘接在摄像元件芯片10的第1主面10SA上的作为透明部件的玻璃罩30的俯视尺寸与摄像元件芯片10相同。因此，玻璃罩30覆盖比保护环16的外缘靠内侧的区域。如果透明部件是在摄像部13接收的光的波长区域中透光率较高的材料，则可以由树脂等构成。厚度足够厚的玻璃罩30切断水从上部向电路部14等的渗透。
粘接层20由耐湿性比绝缘层12C的低介电常数材料优良的环氧树脂或者硅树脂等透明树脂构成。
形成在摄像装置1的第1主面10SA上的摄像部13、电路部14和电极焊盘15等通过保护环16切断了来自侧面的水的渗透，并通过玻璃罩30切断了来自上表面的水的渗透。因此，摄像装置1是俯视尺寸较小且生产性优良的芯片尺寸封装，可靠性较高。
即使将摄像装置1放置在例如85℃且湿度为85％的高温多湿环境中1000小时，特性也不会劣化。
进而，在摄像装置1中，在形成作为层叠膜12的一部分的电路部14时，作为层叠膜12的另一个部分，同时形成保护环16，所以生产性较好。
(第2实施方式)
接着，说明第2实施方式的摄像装置1A。因为摄像装置1A与摄像装置1类似，所以对相同的结构要素标注相同的符号，并省略其说明。
在摄像装置1中，摄像部13等通过保护环16防止来自侧面的水的渗透。但是，贯穿插入至中央区域的粘接层20的端面露出，该中央区域在摄像装置1的侧面形成了摄像部13等。粘接层20的耐湿性不差。但是，根据摄像装置的规格的不同，对粘接层20要求较高的透光性，所以有时候使用耐湿性足够高的材料并不容易。因此，根据使用环境的不同，水有可能经由粘接层20渗透到摄像部13等。
与此相对，如图4和图5所示，在摄像装置1A中，后环31被保护环16和玻璃罩30挟持。后环31是沿着保护环16的上表面无缝连接的环形。在保护环16的上表面与玻璃罩30之间配设有后环31，所以粘接层20通过后环31被完全分隔成中央部和外周部。
后环31由耐湿性比粘接层20的材料更优良的材料构成，其中，该粘接层20的耐湿性比低介电常数材料优良。例如，后环31由铜、镍、铝等金属、或者氧化硅等无机物构成。
优先在将玻璃罩30与摄像元件芯片10A粘接之前，预先在玻璃罩30上形成后环31。例如，通过蒸镀法在玻璃罩30上形成金属膜，并进行构图，从而形成期望的厚度的环形的后环31。
摄像装置1A具有摄像装置1的效果，进而通过后环31防止水经由粘接层20的渗透，所以可靠性较高。
另外，在摄像装置1A中，在摄像元件芯片10A的摄像部13之上配设有彩色滤光片13F、微透镜13L。
(第2实施方式的变形例)
在图6所示的第2实施方式的变形例的摄像装置1B中，玻璃罩30B的俯视尺寸比摄像元件芯片10的俯视尺寸大。
即，如果玻璃罩30B覆盖了比保护环16的外缘靠内侧的区域，则能够防止水向形成于内侧的区域的电路部14的渗透。即，如果玻璃罩的俯视尺寸大于保护环16的外缘的俯视尺寸，则无论俯视尺寸大于还是小于摄像元件芯片10的俯视尺寸，都具有与摄像装置1相同的效果。
另外，在微透镜13L与玻璃罩30B之间配设有粘接层20B。因此，微透镜13L的聚光效率提高，灵敏度较高。另外，由于在摄像部13的上侧未配设粘接层20B，所以无需透明，也可以是具有遮光功能的树脂等。
(第3实施方式)
接着，说明第3实施方式的摄像装置1C。因为摄像装置1C与摄像装置1、1A、1B类似，所以对相同的结构要素标注相同的符号，并省略其说明。
如图7和图8所示，在摄像装置1C中，在摄像元件芯片10C的第1主面10SA上形成有与电路部14连接的作为金属凸块(bump)的接合电极15C。在接合电极15C上接合有用于向摄像部13传递输入输出信号的信号取出导线50。
并且，通过密封树脂40对未被玻璃罩30C隔着粘接层20C覆盖的区域进行密封。密封树脂40从环氧树脂或者硅树脂等耐湿性优良的树脂中选择。另外，在图7等中，图示了将密封树脂40作为透明材料，但是，密封树脂40可以是遮光性材料。
摄像装置1C也可配设直角棱镜等来代替玻璃罩30C。
保护环16包围摄像部13、电路部14和接合电极15C。保护环16的上表面的一部分由玻璃罩30C覆盖，未由玻璃罩30C覆盖的部分由密封树脂40覆盖。
因此，摄像装置1C具有与摄像装置1等相同的效果。而且，摄像装置1C无需形成贯穿布线等，所以制造比摄像装置1等容易。
接着，图9示出第3实施方式的变形例的摄像装置1D。虽然摄像装置1D与摄像装置1C类似，但是，摄像元件芯片10C的第1主面10SA的摄像部13的外周部未被玻璃罩30D覆盖。
即，除形成了接合电极15C的区域以外的外周部也未由玻璃罩30D覆盖。但是，即使在未由玻璃罩30C覆盖的外周部中，也与形成了接合电极15C的区域同样，保护环16的上表面由密封树脂40覆盖。
摄像装置1D与摄像装置1C同样，保护环16的上表面的一部分由玻璃罩30D覆盖，未由玻璃罩30D覆盖的部分由密封树脂40覆盖。
由玻璃罩30D和密封树脂40完全覆盖比保护环16的外缘靠内侧的区域的摄像装置1D具有与摄像装置1等相同的效果。进而，摄像装置1D的玻璃罩30D的尺寸和形状等的自由度较高，外观设计和结构设计容易。
另外，在摄像装置1D中，以矩形的摄像部13为中心的4个方向的外周部区域之中，形成了接合电极15C的区域以及隔着摄像部13与形成接合电极15C的区域相对的区域这2个区域未由玻璃罩30D覆盖。但是，即使4个方向的外周部区域之中的包含接合电极形成区域的2个区域、3个区域、或者4个区域未由玻璃罩30D覆盖，只要该区域的保护环16的上表面由密封树脂40覆盖，则当然也具有与摄像装置1D相同的效果。
(第4实施方式)
如图10～图12所示，第4实施方式的摄像装置1E具有：摄像元件芯片10、玻璃罩30、收纳了摄像元件芯片10的屏蔽箱70以及填充摄像元件芯片10的侧面与屏蔽箱70的内壁之间的间隙的密封树脂69。
在摄像元件芯片10的第1主面10SA上形成有摄像部13和由多个层12A、12B、12C构成的电路部14。另外，虽然在图10中，图示了如在第1主面10SA的整个面上形成了电路部14那样，但是，没有在摄像部13的正上方上等形成电路部14的功能部。例如，在摄像部13的正上方等形成有绝缘层12A等，该绝缘层12A不妨碍受光且由构成电路部14的透明材料构成。并且，在摄像元件芯片10的第2主面10SB上形成有多个接合端子18，多个接合端子18分别经由贯穿布线17与电路部14连接。
并且，经由粘接层20，在摄像元件芯片10的第1主面10SA上粘接有作为透明部件的玻璃罩30。粘接层20由环氧树脂或者硅树脂等透明树脂构成。此外，在摄像元件芯片10的第2主面10SB的接合端子18上接合有布线板61。在摄像元件芯片10的第2主面侧的屏蔽箱70的内部填充有密封树脂62。密封树脂62从环氧树脂或者硅树脂等耐湿性优良的树脂中选择。
摄像部13是使用半导体制造技术在硅基板上制成的CMOS摄像元件等。电路部14具有用于接收发送摄像部13的信号等的再布线功能，并具有层叠了多个导体层12A和多个绝缘层12B、12C的多层构造。另外，电路部14与摄像部13同样，可以包含使用半导体制造技术在硅基板上制成的信号处理电路。并且，在电路部14的绝缘层中包含由低介电常数材料构成的绝缘层12C。
即，多个绝缘层的绝缘材料分别可以由不同的材料构成。并且，至少1个绝缘层12C由低介电常数材料(Low-k材料)构成。这里，低介电常数材料是指介电常数k比氧化硅(k＝4.0)低的材料，优选为相对介电常数k为3.0以下，进一步优选为2.7以下的材料。由于技术性限制，低介电常数材料的相对介电常数k的下限值为1.5以上，优选为2.0以上。
在摄像装置1E中，绝缘层12C的低介电常数材料是碳掺杂硅氧化膜(SiOC)。SiOC是主要大量含有Si-CH3基的含甲基聚硅氧烷，由于CH3的存在而在分子结构内产生间隙，所以能够设为多孔质(多孔状)，并可将相对介电常数k设为2.7以下。
作为绝缘层12C的材料，除SiOC以外，还可使用氟掺杂氧化硅膜(SiOF/FSG)、含氢聚硅氧烷(HSQ)系、甲基含有聚硅氧烷(MSQ)系、有机系(聚酰亚胺系、聚对亚苯基二甲基系、特氟龙(注册商标)系)聚合物等，通过将这些设为具有多孔质体或空隙(air gap)的形态等，从而能够构成更低相对介电常数的绝缘层。
屏蔽箱70由不锈钢等金属构成，具有遮光功能和电磁噪声耐性改善功能，并且，具有防止水的渗透的较高的耐湿性。屏蔽箱70的内壁和外壁的截面形状为大致矩形。另外，截面形状是指与长度方向(摄像部的光轴方向)垂直的方向的形状。但是，严格来说，如图13所示，内壁的角部79的截面形状为曲率半径R的曲线。
摄像元件芯片10是在将形成了多个摄像部13等的硅晶片和玻璃晶片粘接在一起之后，进行切断并进行单片化而制成的晶圆级芯片尺寸封装型。
晶圆级芯片尺寸封装型的摄像元件芯片10的俯视尺寸较小，但是，由低介电常数材料构成的绝缘层12C的侧面在外周部露出。此外，玻璃罩30、粘接层20和摄像元件芯片10的俯视形状和尺寸、即截面形状和尺寸相同，角部为直角。
如图14所示，即使在现有的摄像装置101中，也与摄像装置1E同样，摄像元件芯片110的外周部卷绕有屏蔽箱70。但是，在角部的截面形状为直角的摄像元件芯片110与角部的截面形状为曲线的屏蔽箱70之间形成有较大的间隙。因此，填充在摄像元件芯片110与屏蔽箱70之间的间隙中的密封树脂69的厚度T较厚。
例如，如果角部79的截面形状的曲率半径R为500μm，则密封树脂69的厚度T为150μm。密封树脂69的耐湿性比低介电常数材料高。但是，当水经由密封树脂69少量渗透时，也有可能渗透到露出于摄像元件芯片110的侧面的由低介电常数材料构成的绝缘层12C，可靠性降低。
与此相对，如图13所示，在摄像装置1E中，摄像元件芯片10等的截面的俯视形状大致为矩形，但是，与屏蔽箱70的内壁的角部79相对的角部19被倒角加工。因此，即使角部79的曲率半径R较大，除角部以外，也能够将密封树脂69的厚度T设为100μm以下。厚度T优选为50μm以下，更优选为25μm以下。
如果在所述范围以下，则不会由于水经由密封树脂69渗透而导致摄像装置1E的可靠性下降。
即使将摄像装置1E放置在例如85℃且湿度为85％的高温多湿环境中1000小时，特性也不会劣化。
另外，如果产生未在摄像元件芯片10与屏蔽箱70之间填充密封树脂69的空间，则摄像装置的可靠性下降。因此，密封树脂69的厚度T优选为1μm以上，更优选为5μm以上。
如图13所示，在进行直线状的倒角加工(所谓的C倒角加工)的情况下，屏蔽箱70的角部79与曲率半径R相同，或者稍大地加工为例如(R+0.05R)。
当然，也可以进行曲线状的倒角加工(所谓的R倒角加工)，在该情况下，屏蔽箱70的角部79与曲率半径R相同，或者稍小地加工为例如(R-0.05R)。
即，为了使密封树脂69的厚度T变薄，因此优选倒角加工量为R±10％以内。
本实施方式的摄像装置1E由于具有芯片尺寸封装型的摄像元件芯片10，所以是小径，并且，摄像元件芯片10虽然包含由耐湿性不充分的低介电常数材料构成的绝缘层12C，但是，由于被屏蔽箱70和规定厚度的密封树脂69保护，所以可靠性较高。
另外，在图10所示的摄像装置1E中，玻璃罩30的侧面也由屏蔽箱70和密封树脂69覆盖。换言之，粘接了玻璃罩30的摄像元件芯片10收纳在屏蔽箱70中。但是，在屏蔽箱70中至少收纳有摄像元件芯片10即可，例如玻璃罩30的一部分也可以位于屏蔽箱70的外部。
此外，为了进一步提高摄像装置1E的可靠性，也可以如第1实施方式的摄像装置1那样，以包围摄像元件芯片10的第1主面的摄像部13等的方式，形成由从耐湿性比低介电常数材料优良的材料中选择的1种以上的材料构成的所谓的保护环。即使水从摄像元件芯片10的侧面渗透，也能够防止向保护环的内部的渗透。
(第5实施方式)
接着，说明第5实施方式的摄像装置1F。因为摄像装置1F与摄像装置1E类似，所以对相同的结构要素标注相同的符号，并省略其说明。
如已经说明的那样，为了保证包含由低介电常数材料构成的绝缘层12C的摄像装置的可靠性，需要将密封树脂69的厚度设为100μm以下。
如图15所示，在摄像装置1F中，通过将屏蔽箱70A的内壁的角部79的截面形状的曲率半径R设为340μm以下，从而将密封树脂69的厚度设为100μm以下。
即，替代对摄像元件芯片10(玻璃罩30)的角部进行倒角加工，摄像装置1F通过对屏蔽箱70A进行精密加工来确保可靠性。
另外，角部79的曲率半径R优选为170μm以下，从而使密封树脂的厚度T为50μm以下，更优选为85μm以下，从而使密封树脂的厚度T为25μm以下。
摄像装置1F与摄像装置1E同样，小径且可靠性较高，并且密封树脂的最大厚度为100μm以下，所以可靠性比摄像装置1E高。
当然，为了进一步提高可靠性，当然也可以如摄像装置1E那样，对摄像元件芯片10(玻璃罩30)的角部进行倒角加工，进而，将屏蔽箱70A的内壁的角部79的曲率半径R精密加工到340μm以下。
(第6实施方式)
接着，说明第6实施方式的摄像装置1G。因为摄像装置1G与摄像装置1E、1F类似，所以对相同的结构要素标注相同的符号，并省略其说明。
如图16所示，摄像装置1G具有配设于玻璃罩30的前方的物镜光学系统71。并且，屏蔽箱70B与物镜光学系统71的透镜框构成一体。即，屏蔽箱70B向前方延伸设置，延伸设置部的内周部与物镜光学系统71的透镜组的侧面紧贴。
另外，在图16中，也示出了在图10中省略的摄像装置的后部。即，在布线板61的端部接合有信号缆线63。信号缆线63在进行摄像装置的控制等的同时，与对摄像信号进行处理的处理器(未图示)连接。
摄像装置1G与摄像装置1E、1F同样，密封树脂69的厚度为100μm以下，所以具有相同的效果。进而，屏蔽箱70B与延伸设置部具有防止水的渗透的功能，所以可靠性比摄像装置1E、1F高。
本发明不限于上述实施方式，能够在不改变本发明主旨的范围内进行各种变更、改变等。
本申请以2013年4月26日在日本申请的日本特愿2013-094284号和特愿2013-094285号为优先权的基础进行申请，上述公开内容被引用到本申请说明书、权利要求书、附图中。

Claims (11)

1.一种摄像装置，其具有：
摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第1主面上形成有：摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；以及电极焊盘，其与所述电路部连接，并且，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电极焊盘连接；以及
透明部件，其经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第1主面粘接，且俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同，
所述摄像装置的特征在于，
所述摄像装置在所述摄像元件芯片的所述第1主面上具有保护环，该保护环包围所述摄像部、所述电路部和所述电极焊盘，由从耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料中选择的1种以上的材料构成，或者
所述摄像装置具有：屏蔽箱，其收纳所述摄像元件芯片，且内壁的角部的截面形状由曲线构成；以及密封树脂，其填充所述摄像元件芯片的侧面与所述屏蔽箱之间的间隙，且所述角部以外的厚度为100μm以下。
2.一种摄像装置，其特征在于，所述摄像装置具有：
摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第1主面上形成有：摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；电极焊盘，其与所述电路部连接；以及保护环，其包围所述摄像部、所述电路部和所述电极焊盘，由从耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料中选择的1种以上的材料构成，并且，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电极焊盘连接；
透明部件，其经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第1主面粘接，且俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同；以及
后环，其配设在所述保护环的整周与所述透明部件之间，由耐湿性比所述粘接层的材料优良的材料构成。
3.一种摄像装置，其特征在于，所述摄像装置具有：
摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第1主面上形成有：摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；电极焊盘，其与所述电路部连接；以及保护环，其包围所述摄像部、所述电路部和所述电极焊盘，由耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料构成，并且，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电极焊盘连接；以及
透明部件，其经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第1主面粘接，覆盖比所述保护环的外缘更靠内侧的区域。
4.根据权利要求3所述的摄像装置，其特征在于，
所述透明部件的俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同。
5.根据权利要求4所述的摄像装置，其特征在于，
所述保护环由从所述电路部的所述多个层的材料中选择的1种以上的材料构成。
6.根据权利要求5所述的摄像装置，其特征在于，
在所述保护环与所述透明部件之间配设有后环，该后环由耐湿性比所述粘接层的材料优良的材料构成，对所述粘接层进行分隔。
7.一种摄像装置，其特征在于，所述摄像装置具有：
摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第1主面上形成有：摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；接合电极，其与所述电路部连接；以及保护环，其包围所述摄像部、所述电路部和所述接合电极，由耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料构成；
导线，其与所述接合电极接合；
密封树脂，其对所述接合电极与所述导线之间的接合部进行密封；以及
透明部件，其以覆盖未由所述密封树脂覆盖的所述保护环的方式，经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第1主面粘接。
8.一种摄像装置，其特征在于，所述摄像装置具有：
俯视时为矩形的摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第1主面上形成有：摄像部；以及电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层，并且，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电路部连接；
透明部件，其与所述摄像元件芯片的所述第1主面粘接，且俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同；
屏蔽箱，其收纳所述摄像元件芯片，内壁的角部的截面形状由曲线构成；以及
密封树脂，其填充所述摄像元件芯片的侧面与所述屏蔽箱之间的间隙，且所述角部以外的厚度为100μm以下。
9.根据权利要求8所述的摄像装置，其特征在于，
所述摄像元件芯片的与所述屏蔽箱的所述内壁的角部相对的角部被倒角加工。
10.根据权利要求9所述的摄像装置，其特征在于，
所述内壁的角部的截面形状的曲率半径为340μm以下。
11.根据权利要求9或10所述的摄像装置，其特征在于，
所述摄像装置具有物镜光学系统，该物镜光学系统配设在所述透明部件的前方，
所述屏蔽箱与所述物镜光学系统的透镜框构成一体。
CN201480023339.1A 2013-04-26 2014-03-28 摄像装置 Expired - Fee Related CN105144385B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013094284A JP6270335B2 (ja) 2013-04-26 2013-04-26 撮像装置
JP2013-094285 2013-04-26
JP2013-094284 2013-04-26
JP2013094285A JP6270336B2 (ja) 2013-04-26 2013-04-26 撮像装置
PCT/JP2014/059257 WO2014174994A1 (ja) 2013-04-26 2014-03-28 撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105144385A CN105144385A (zh) 2015-12-09
CN105144385B true CN105144385B (zh) 2018-06-29

Family

ID=51791576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480023339.1A Expired - Fee Related CN105144385B (zh) 2013-04-26 2014-03-28 摄像装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9520428B2 (zh)
EP (1) EP2991111A4 (zh)
CN (1) CN105144385B (zh)
WO (1) WO2014174994A1 (zh)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6182985B2 (ja) * 2013-06-05 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
US10085352B2 (en) 2014-10-01 2018-09-25 Qorvo Us, Inc. Method for manufacturing an integrated circuit package
WO2016113885A1 (ja) * 2015-01-15 2016-07-21 オリンパス株式会社 内視鏡および撮像装置
JP6209288B2 (ja) * 2015-03-11 2017-10-04 オリンパス株式会社 撮像装置の小型化
US10276495B2 (en) 2015-09-11 2019-04-30 Qorvo Us, Inc. Backside semiconductor die trimming
US10784149B2 (en) 2016-05-20 2020-09-22 Qorvo Us, Inc. Air-cavity module with enhanced device isolation
US10773952B2 (en) 2016-05-20 2020-09-15 Qorvo Us, Inc. Wafer-level package with enhanced performance
US10103080B2 (en) 2016-06-10 2018-10-16 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package with thermal additive and process for making the same
TWI622937B (zh) * 2016-06-22 2018-05-01 致伸科技股份有限公司 電容式指紋辨識模組
US10079196B2 (en) 2016-07-18 2018-09-18 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package having field effect transistors with back-gate feature
US10109550B2 (en) 2016-08-12 2018-10-23 Qorvo Us, Inc. Wafer-level package with enhanced performance
WO2018031999A1 (en) 2016-08-12 2018-02-15 Qorvo Us, Inc. Wafer-level package with enhanced performance
WO2018031994A1 (en) 2016-08-12 2018-02-15 Qorvo Us, Inc. Wafer-level package with enhanced performance
JP6818468B2 (ja) * 2016-08-25 2021-01-20 キヤノン株式会社 光電変換装置及びカメラ
US10109502B2 (en) 2016-09-12 2018-10-23 Qorvo Us, Inc. Semiconductor package with reduced parasitic coupling effects and process for making the same
WO2018087872A1 (ja) * 2016-11-11 2018-05-17 オリンパス株式会社 撮像モジュールおよび内視鏡
US10749518B2 (en) 2016-11-18 2020-08-18 Qorvo Us, Inc. Stacked field-effect transistor switch
US10068831B2 (en) 2016-12-09 2018-09-04 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package and process for making the same
EP3599983B1 (en) 2017-03-24 2023-11-15 Covidien LP Endoscopes
US10755992B2 (en) * 2017-07-06 2020-08-25 Qorvo Us, Inc. Wafer-level packaging for enhanced performance
US10784233B2 (en) 2017-09-05 2020-09-22 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly
US10366972B2 (en) 2017-09-05 2019-07-30 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly
US10340306B1 (en) * 2018-02-08 2019-07-02 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package with chamfered corners and related methods
WO2019171460A1 (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 オリンパス株式会社 内視鏡用撮像装置、内視鏡、および内視鏡用撮像装置の製造方法
US11152363B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk CMOS devices with enhanced performance and methods of forming the same utilizing bulk CMOS process
CN110392187B (zh) * 2018-04-17 2023-01-13 宁波舜宇光电信息有限公司 具有倒角的摄像模组、感光组件、制备方法和电子设备
US11758253B2 (en) * 2018-04-17 2023-09-12 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module having chamfer, photosensitive assembly, preparation method, and electronic device
US10804246B2 (en) 2018-06-11 2020-10-13 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with vertically stacked dies
US11069590B2 (en) 2018-10-10 2021-07-20 Qorvo Us, Inc. Wafer-level fan-out package with enhanced performance
US10964554B2 (en) 2018-10-10 2021-03-30 Qorvo Us, Inc. Wafer-level fan-out package with enhanced performance
CN111221200B (zh) * 2018-11-27 2022-01-07 三营超精密光电(晋城)有限公司 固定环、镜头模组及电子装置
US11646242B2 (en) 2018-11-29 2023-05-09 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package with at least one heat extractor and process for making the same
US20200235040A1 (en) 2019-01-23 2020-07-23 Qorvo Us, Inc. Rf devices with enhanced performance and methods of forming the same
US20200235066A1 (en) 2019-01-23 2020-07-23 Qorvo Us, Inc. Rf devices with enhanced performance and methods of forming the same
WO2020153983A1 (en) 2019-01-23 2020-07-30 Qorvo Us, Inc. Rf semiconductor device and manufacturing method thereof
US11387157B2 (en) 2019-01-23 2022-07-12 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
CN110266934B (zh) * 2019-07-24 2021-03-23 Oppo（重庆）智能科技有限公司 摄像头的芯片组件、摄像头及电子设备
US11646289B2 (en) 2019-12-02 2023-05-09 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
US11923238B2 (en) 2019-12-12 2024-03-05 Qorvo Us, Inc. Method of forming RF devices with enhanced performance including attaching a wafer to a support carrier by a bonding technique without any polymer adhesive

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001094843A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Olympus Optical Co Ltd 撮像装置
CN101299433A (zh) * 2007-05-01 2008-11-05 奥林巴斯映像株式会社 图像拾取元件模块、利用图像拾取元件模块的透镜单元及便携式电子装置
WO2012001935A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and method for manufacturing the solid-state imaging apparatus
JP2012033718A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 On Semiconductor Trading Ltd 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002169233A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Fuji Photo Film Co Ltd 画像形成方法およびシステム
JP4521194B2 (ja) * 2004-01-16 2010-08-11 株式会社フジクラ スチレン系樹脂組成物およびそれを用いた樹脂成形品並びに電子・通信機器用成形部品。
JP2008078382A (ja) 2006-09-21 2008-04-03 Toshiba Corp 半導体装置とその製造方法
JP2008130738A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Fujifilm Corp 固体撮像素子
JP2008219854A (ja) * 2007-02-05 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス，光学デバイスウエハおよびそれらの製造方法、ならびに光学デバイスを搭載したカメラモジュールおよび内視鏡モジュール
JP5085241B2 (ja) * 2007-09-06 2012-11-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5198150B2 (ja) * 2008-05-29 2013-05-15 株式会社東芝 固体撮像装置
JP4873001B2 (ja) * 2008-12-10 2012-02-08 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、電子機器並びに半導体装置
JP5439901B2 (ja) * 2009-03-31 2014-03-12 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9123653B2 (en) * 2009-07-23 2015-09-01 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2011060933A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Panasonic Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP5452273B2 (ja) 2010-02-15 2014-03-26 オリンパス株式会社 半導体装置
JP2011192808A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Fujifilm Corp 撮像モジュール及びその製造方法並びに内視鏡装置
JP2012178496A (ja) * 2011-02-28 2012-09-13 Sony Corp 固体撮像装置、電子機器、半導体装置、固体撮像装置の製造方法
JP5951960B2 (ja) 2011-10-28 2016-07-13 株式会社岡村製作所 張材の張設構造
JP5730265B2 (ja) * 2011-10-31 2015-06-03 富士フイルム株式会社 撮像素子
JP2013123000A (ja) * 2011-12-12 2013-06-20 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP6110734B2 (ja) * 2013-06-06 2017-04-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001094843A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Olympus Optical Co Ltd 撮像装置
CN101299433A (zh) * 2007-05-01 2008-11-05 奥林巴斯映像株式会社 图像拾取元件模块、利用图像拾取元件模块的透镜单元及便携式电子装置
WO2012001935A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and method for manufacturing the solid-state imaging apparatus
JP2012033718A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 On Semiconductor Trading Ltd 半導体装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160043122A1 (en) 2016-02-11
US9520428B2 (en) 2016-12-13
EP2991111A4 (en) 2017-04-05
EP2991111A1 (en) 2016-03-02
WO2014174994A1 (ja) 2014-10-30
CN105144385A (zh) 2015-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105144385B (zh) 摄像装置
KR102664356B1 (ko) 칩 패키지 구조체 및 그 제조 방법
KR100869832B1 (ko) 반도체칩 패키지 및 이를 이용한 인쇄회로기판
CN104078479B (zh) 图像传感器的晶圆级封装方法和图像传感器封装结构
CN101847664B (zh) 电子器件封装和制造电子器件封装的方法
CN101159279A (zh) 半导体摄像元件及其制法、半导体摄像元件模块及装置
CN104684456B (zh) 摄像装置及具有该摄像装置的内窥镜
US10243014B2 (en) System-in-package image sensor
CN102530824B (zh) 具微机电元件的封装结构及其制法
CN105702696A (zh) 影像传感芯片的封装结构及其制作方法
CN112820725B (zh) 激光雷达芯片封装结构及封装方法
CN102084480A (zh) 封装器件装置及封装件用基底构件
CN103413815B (zh) 晶圆级图像传感器封装结构和晶圆级图像传感器封装方法
US20170179182A1 (en) Semiconductor package and method of fabricating the same
CN105355641B (zh) 高像素影像传感芯片的封装结构及封装方法
CN107665872A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN105609491B (zh) 装置嵌入式影像传感器及其晶圆级制造方法
JP6270335B2 (ja) 撮像装置
JP2008300554A (ja) 半導体装置
JP2006294681A (ja) 光半導体装置、光半導体装置の製造方法および電子機器
JP6270336B2 (ja) 撮像装置
CN105810705B (zh) 高像素影像传感芯片的封装结构及其制作方法
CN102398886A (zh) 具微机电元件的封装结构及其制法
US20220163368A1 (en) Angle Detection Device
CN108206195A (zh) 半导体结构及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180629

Termination date: 20200328