JP5533046B2 - 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 - Google Patents
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Description
1. 固体撮像装置の全体構成
2. 第1の実施形態:表面照射型の固体撮像装置
2−1 構成及び製造方法
2−2 駆動方法
3. 第2の実施形態:表面照射型の固体撮像装置
4. 第3の実施形態:表面照射型の固体撮像装置
5. 第4の実施形態:裏面照射型の固体撮像装置
6. 第5の実施形態:裏面照射型の固体撮像装置
7. 第6の実施形態:電子機器
まず、図1を用いて、以下に説明する実施形態が適用されるCMOS型の固体撮像装置、すなわち、CMOSイメージセンサの全体構造について説明する。
以下に説明する実施形態における固体撮像装置は、図1における固体撮像装置1を構成するものであり、特に有効撮像領域における画素の断面構成を示すものである。
本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。
まず、本実施形態例の固体撮像装置の構成、及び製造方法について説明する。図2は、本実施形態例の固体撮像装置1における画素2の概略断面構成図(一部回路ブロック図を含む)である。
次に、本実施形態例の固体撮像装置1の駆動方法について説明する。本実施形態例の固体撮像装置1は、図2に示すように、基板13表面側の光電変換素子21が形成された側から光Lを照射する表面型固体撮像装置であり、電子−ホール対のうち、電子を信号電荷として用いる例である。
また、第2の電極20には、電荷蓄積時において、第1の電極18の電圧Vよりも低い第1の電圧Vlを印加し、リセット時において、第1の電極18の電圧Vよりも高い第2の電圧Vh(リセットパルス)を印加する。
このとき、ホールは第1の電極18よりも低い電圧である第1の電圧Vlが印加されている第2の電極20に引かれ、図示しない所要の配線を通じて排出される。
これにより、第1の電極18側に蓄積された信号電荷である電子eが第2の電極20に移動し、電圧制御回路22に排出される。この場合、リセット時における光電変換素子21のバンド構造を適切に設定することで、第1の電極18からアンプゲート電極24にかけて蓄積されていた信号電荷を全て電圧制御回路22側に排出させることができる。
ところで、一般的に、固体撮像装置では、光電変換素子をリセットした直後に検出した信号出力(P相出力)と、電荷蓄積後に検出した信号出力(D相出力)に対して相間二重サンプリングを用いることにより、ノイズの低減が図られている。
次に、本実施形態例の固体撮像装置1において、相間二重サンプリングを用いる場合の駆動方法を説明する。
これにより、D相出力を得る。
本実施形態例の固体撮像装置1では、メカニカルシャッタを用いることで、グローバル露光が可能となる。図5、及び図6を用いて、グローバル露光について説明する。
このように、メカニカルシャッタを用い、D相出力の前にメカニカルシャッタの開閉動作をすることにより、信号電荷の蓄積の同時性を実現することができ、全画素2で同時刻の画像を取得することが可能となる。
図7は、変形例1に係る撮像領域に対する第2の電極20の平面構成図である。変形例1は、第1の実施形態とは、第2の電極20の構成のみを異ならせたものである。
変形例1では、図7に示すように、第2の電極20を、画素2の行ごとに形成している。このような第2の電極20は、光電変換膜19上に電極材料を形成した後、パターニングすることにより形成される。
図8は、変形例2に係る撮像領域3に対する第2の電極20の平面構成図である。変形例2は、第1の実施形態とは、第2の電極20の構成のみを異ならせたものである。
変形例2では、図8に示すように、第2の電極20を、画素2毎に形成している。このような第2の電極20は、光電変換膜19上に電極材料を形成した後、パターニングすることにより形成される。
次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図9は、本実施形態例の固体撮像装置50の1画素分の概略断面構成図である。図9において、図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。また、本実施形態例の固体撮像装置50の全体の構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。
次に、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図10は、本実施形態例の固体撮像装置51の1画素分の概略断面構成図である。図10において図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。また、本実施形態例の固体撮像装置51の全体に構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。
そして、本実施形態例においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図11は、本実施形態例の固体撮像装置52の1画素分の概略断面構成図である。図11において図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。また、本実施形態例の固体撮像装置52の全体に構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。
次に、本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図12は、本実施形態例の固体撮像装置53の1画素分の概略断面構成図である。図12において図2及び図11に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。また、本実施形態例の固体撮像装置53の全体に構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
次に、本発明の第6の実施形態に係る電子機器について説明する。図13は、本発明の第6の実施形態に係る電子機器200の概略構成図である。
本実施形態例の電子機器200は、上述した本発明の第1の実施形態における固体撮像装置1を電子機器(カメラ)に用いた場合の実施形態を示す。
シャッタ装置211は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御する。
駆動回路212は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置211のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路212から供給される駆動信号(タイミング信号)により、固体撮像装置1の信号転送を行なう。信号処理回路213は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。
Claims (11)
- 基板と、
基板の光入射面側に設けられ、有機材料、又は無機材料からなり、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜を、画素毎に別個に設けられた第1の電極と、前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極との間に挟持して構成された光電変換素子と、
前記第1の電極と接続されたアンプゲート電極を有するアンプトランジスタと、
前記第2の電極と接続され、前記第2の電極に所望の電圧を供給する電圧制御回路と、
を備え、
前記電圧制御回路は、電荷蓄積動作時に光電変換膜で生成された信号電荷を前記第1の電極側に移動させる第1の電圧を供給し、リセット動作時に、前記信号電荷を前記第2の電極側に移動させる第2の電圧を供給し、
前記光電変換素子は、基板裏面側に形成され、前記第1の電極とアンプゲート電極との接続は、基板を貫通する貫通電極と、基板の表面側に形成された配線層によってなされる
固体撮像装置。 - 前記第2の電極が画素毎に別個に設けられている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第2の電極が全画素共通に設けられている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記画素は2次元マトリクス状に配置され、前記第2の電極は前記画素の行毎に共通に設けられている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換素子が、基板の光入射面側に複数層積層して設けられている
請求項1〜4のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 基板内に、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成するフォトダイオードが、少なくとも1つ設けられている
請求項1〜5のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 基板に、複数のトランジスタを形成する工程と、
前記基板を貫通する貫通電極を形成する工程と、
前記基板上に、複数の配線が層間絶縁膜を介して積層された配線層であって、前記貫通電極と、前記複数のトランジスタのうちのアンプトランジスタのアンプゲート電極とを接続する配線を含む配線層を形成する工程と、
前記基板の光照射面側に、前記複数のトランジスタのうちのアンプトランジスタのアンプゲート電極に電気的に接続される第1の電極を画素毎に別個に形成する工程と、
前記第1の電極上部に、有機材料又は無機材料からなる光電変換膜を形成する工程と、
前記光電変換膜上部に、電圧制御回路に電気的に接続される第2の電極を形成する工程と、を含み、前記電圧制御回路は、電荷蓄積動作時に光電変換膜で生成された信号電荷を前記第1の電極側に移動させる第1の電圧を供給し、リセット動作時に、前記信号電荷を前記第2の電極側に移動させる第2の電圧を供給する
固体撮像装置の製造方法。 - 基板と、
基板の光入射面側に設けられ、有機材料、又は無機材料からなり、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜を、画素毎に別個に設けられた第1の電極と、前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極との間に挟持して構成された光電変換素子と、
前記第1の電極と接続されたアンプゲート電極を有するアンプトランジスタと、
前記第2の電極と接続され、前記第2の電極に所望の電圧を供給する電圧制御回路と、を備え、前記光電変換素子は、基板裏面側に形成され、前記第1の電極とアンプゲート電極との接続は、基板を貫通する貫通電極と、基板の表面側に形成された配線層によってなされる固体撮像装置の駆動方法であって、
電荷蓄積動作時には、前記第2の電極に、前記電圧制御回路から第1の電圧を供給することにより、前記光電変換膜に生成された信号電荷を前記第1の電極側に移動させ、前記アンプトランジスタで前記第1の電極の電位を検出することにより画素信号を出力し、
リセット動作時には、前記第2の電極に、前記電荷蓄積動作時とは異なる第2の電圧を前記電圧制御回路から供給することにより、前記第1の電極側に蓄積された信号電荷を排出する
固体撮像装置の駆動方法。 - 前記リセット動作により前記第1の電極側に蓄積された信号電荷を排出した直後に前記アンプトランジスタで前記第1の電極の電位を検出することによりリセット信号を読み出し、
前記画素信号とリセット信号とを比較することにより、ノイズ信号を検出する
請求項8に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記電荷蓄積動作時は、メカニカルシャッタを開けることで、全画素で同時に露光を開始し、前記メカニカルシャッタを閉じることで、全画素で同時に露光を終了する
請求項9に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 光学レンズと、
基板と、基板の光入射面側に設けられ、有機材料、又は無機材料からなり、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜を、画素毎に別個に設けられた第1の電極と、前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極との間に挟持して構成された光電変換素子と、前記第1の電極と接続されたアンプゲート電極を有するアンプトランジスタと、前記第2の電極と接続され、前記第2の電極に所望の電圧を供給する電圧制御回路とを備え、前記電圧制御回路は、電荷蓄積動作時に光電変換膜で生成された信号電荷を前記第1の電極側に移動させる第1の電圧を供給し、リセット動作時に、前記信号電荷を前記第2の電極側に移動させる第2の電圧を供給し、前記光電変換素子は、基板裏面側に形成され、前記第1の電極とアンプゲート電極との接続は、基板を貫通する貫通電極と、基板の表面側に形成された配線層によってなされる固体撮像装置であって、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
を含む電子機器。
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