JP6711573B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6711573B2 JP6711573B2 JP2015158109A JP2015158109A JP6711573B2 JP 6711573 B2 JP6711573 B2 JP 6711573B2 JP 2015158109 A JP2015158109 A JP 2015158109A JP 2015158109 A JP2015158109 A JP 2015158109A JP 6711573 B2 JP6711573 B2 JP 6711573B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulating film
- interlayer insulating
- photoelectric conversion
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 197
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 164
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 139
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 92
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 62
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 45
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 42
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 230000006870 function Effects 0.000 description 29
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AIQCTYVNRWYDIF-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-9h-xanthene Chemical compound C=12CC3=CC=CC=C3OC2=CC=CC=1C1=CC=CC=C1 AIQCTYVNRWYDIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 phenylene vinylene, fluorene Chemical class 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
Description
1.第1の実施形態(層間絶縁膜に低誘電率材料を用いた固体撮像素子の例)
2.変形例1−1(層間絶縁膜の一部を低誘電率層とした例)
3.変形例1−2(層間絶縁膜が空隙を含む例)
4.第2の実施形態(基板の一面側に凹部を設けることにより層間絶縁膜の厚みを変化させた固体撮像素子の例)
5.変形例2(基板の一面側に低キャリア密度領域を設けた例)
6.第3の実施形態(第1電極と異なる仕事関数をもつシールド電極を設けた固体撮像素子の例)
7.変形例3(カラーフィルタ層を用いた固体撮像素子の例)
8.変形例4(カラーフィルタ層を用いた他の固体撮像素子の例)
9.変形例5−1〜5−3(シールド電極を設けない場合の例)
10.適用例1(撮像装置全体の機能構成例)
11.適用例2(電子機器(カメラ)の例)
[構成]
図1は、本開示の第1の実施形態の固体撮像素子(固体撮像素子1)の断面構成を表したものである。固体撮像素子1は、例えばCCDまたはCMOSイメージセンサなどに適用されるものである。尚、図1では、後述の画素部(図23に示した画素部10)のうちの3画素に相当する領域を示している。
光電変換素子10aは、例えば有機半導体を用いて、選択的な波長の光(例えば波長495nm〜570nm程度の緑色光)を吸収して、電子・ホール対を発生させる有機光電変換素子である。光電変換素子10aは、電荷を取り出すための一対の電極としての第1電極13と第2電極16との間に、光電変換層15を挟み込んだ構成を有している。光電変換層15は、全画素Pに共通する連続膜として設けられているが、第1電極13は、画素P毎に複数配置されている。この第1電極13の離散配置(画素電極の分離)によって、光電変換領域が画素P毎に電気的に分離される。本実施の形態では、層間絶縁膜12上の、隣り合う第1電極13同士の間隙(第1電極13の形成されていない領域)に、シールド電極14(第3電極)が設けられている。以下、各構成要素について具体的に説明する。
本実施の形態の固体撮像素子1では、第2電極16への電圧印加によって、第1電極13およびシールド電極14間に生じる電荷(ポテンシャル)障壁(障壁E)が増大するように構成されている。
上記のような固体撮像素子1では、レンズ17を介して光電変換素子10aへ光が入射すると、入射した光の一部(例えば緑色光)が、光電変換層15において吸収される。これにより、光電変換層15では、電子および正孔(ホール)の対が発生し(光電変換され)、それらのうちの一方が、例えば第1電極13の側に収集され、基板11内の電荷蓄積層112に蓄積される。電荷蓄積層112に蓄積された電荷は、図示しない画素回路を介して電気信号として読み出される。一方で、光電変換層15によって吸収されなかった光(例えば、青色光,赤色光)は、基板11内の光電変換素子110B,110Rにおいて順に吸収されて、光電変換され、色毎に電気信号として読み出される。
図11は、変形例1−1に係る固体撮像素子の要部構成を表したものである。上記第1の実施の形態では、層間絶縁膜12の全域を低誘電率層12Aとした構成を例示したが、低誘電率材料は、層間絶縁膜12の一部に設けられていてもよい。例えば、本変形例のように、層間絶縁膜12のうちの第1電極13とシールド電極14との間隙に対応する領域Daにのみ選択的に低誘電率層12A1が形成されていてもよい。この例では、領域Daにおいて、基板11(シリコン層11a)が、層間絶縁膜12(低誘電率層12A1)と光電変換層15とを介して、第2電極16と対向し、電気的に結合している。
図12は、変形例1−2に係る固体撮像素子の要部構成を表したものである。上記第1の実施の形態では、層間絶縁膜12に低誘電率材料を用いた構成を例示したが、必ずしも低誘電率材料を用いなくともよい。例えば、本変形例のように、層間絶縁膜12の一部に、空隙(エアーギャップ)12Bが設けられていてもよい。この例では、領域Daにおいて、基板11(シリコン層11a)が、層間絶縁膜12のうちの空隙12Bと光電変換層15とを介して、第2電極16と対向し、電気的に結合している。
図13は、本開示の第2の実施の形態に係る固体撮像素子の要部構成を表したものである。図14Aは、図13のA31−A32線における断面のポテンシャル図である。図14Bは、図13のB31−B32線における断面のポテンシャル図である。本実施の形態の固体撮像素子も、上記第1の実施の形態の固体撮像素子1と同様、例えばCCDまたはCMOSイメージセンサなどに適用されるものであり、光電変換素子110B,110Rを含む基板11上に、層間絶縁膜12を介して、複数の光電変換素子10a(第1電極13、光電変換層15、第2電極16)が形成されている。層間絶縁膜12上の第1電極13同士の間隙には、シールド電極14が設けられている。また、図13には図示しないが、光電変換素子10a上には、保護膜130およびレンズ17が形成されている。
図15は、変形例2に係る固体撮像素子の要部構成を表したものである。上記第2の実施の形態では、基板11の一面側に、周辺領域よりも厚みの薄い部分を形成したが、本変形例では、基板11の層間絶縁膜12の側の面(シリコン層11aの表面)に、低キャリア密度領域12Dが形成されていてもよい。この例では、領域Daにおいて、基板11(シリコン層11a)が、層間絶縁膜12と光電変換層15とを介して、第2電極16と対向し、電気的に結合している。
図16は、本開示の第3の実施の形態に係る固体撮像素子の要部構成を表したものである。図17Aは、図16のA41−A42線およびB41−B42線における断面のポテンシャル図である。図17Bは、図16のC41−C42線における断面のポテンシャル図である。本実施の形態の固体撮像素子も、上記第1の実施の形態の固体撮像素子1と同様、例えばCCDまたはCMOSイメージセンサなどに適用されるものであり、光電変換素子110B,110Rを含む基板11上に、層間絶縁膜12を介して、複数の光電変換素子10a(第1電極13、光電変換層15、第2電極16)が形成されている。層間絶縁膜12上の第1電極13同士の間隙には、シールド電極(シールド電極14A)が設けられている。また、図16には図示しないが、光電変換素子10a上には、保護膜130およびレンズ17が形成されている。
図18は、変形例3に係る固体撮像素子(固体撮像素子1A)の構成を表したものである。上記第1の実施の形態等では、1画素P内に、光電変換素子110B,110Rと光電変換素子10aとを形成した、いわゆる縦方向分光型の素子構造を例示したが、本開示は、上述した縦方向分光型以外の素子構造にも適用可能である。以下にその一例を示す。
図19は、変形例4に係る固体撮像素子(固体撮像素子1B)の構成を表したものである。上記第1の実施の形態等では、1画素P内に、光電変換素子110B,110Rと光電変換素子10aとを形成した、いわゆる縦方向分光型の素子構造を例示したが、本開示は、本変形例のような素子構造にも適用可能である。
図20は、変形例5−1に係る固体撮像素子(固体撮像素子1C)の構成を表したものである。上記第1の実施の形態等では、隣り合う第1電極13同士の間隙に、シールド電極14が設けられた構成を挙げたが、本変形例のように、シールド電極14は配置されていなくともよい。例えば、第1電極13間の容量結合が許容できる場合等には、シールド電極14は形成されていなくともよい。
図21は、変形例5−2に係る固体撮像素子(固体撮像素子1D)の構成を表したものである。本変形例の固体撮像素子1Dでは、上記変形例3に記載したようなカラーフィルタ層18を備えつつ、シールド電極14が配置されていない構成となっている。上述した内容は、このような構成の固体撮像素子1Dにも適用可能である。
図22は、変形例5−3に係る固体撮像素子の要部構成を表したものである。上記変形例5−1,5−2のように、シールド電極14を形成しない場合には、層間絶縁膜12内の第1電極13同士の間隙に対応する領域に、ビア122aおよび配線層122bを形成しておくとよい。工程数を増やさずに、光電変換層15のポテンシャルを制御することができる。ビア122aおよび配線層122bが積層されていることで、配線層122bの電位を固定すれば、ビア122aよりも配線層122bに到達するまでの層間絶縁膜12の膜厚が大きくなるので、上記第2の実施の形態と同様の理由から、リーク電流を抑制することができる。配線層122bは、層間絶縁膜12と光電変換層15とを介して第2電極16と対向し、電気的に結合している。尚、この配線層122bが、本開示の「導電体」の一具体例に相当する。
図23は、上記第1の実施の形態等において説明した固体撮像素子(固体撮像素子1を例に挙げる)を画素部10に用いた撮像装置全体の構成を表したものである。この撮像装置は、撮像エリアとしての画素部10を有すると共に、この画素部10の周辺領域に、例えば行走査部131、水平選択部133、列走査部134およびシステム制御部132からなる周辺回路部20を有している。
上述の固体撮像素子1は、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図24に、その一例として、電子機器3(カメラ)の概略構成を示す。この電子機器3は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像素子1と、光学系(光学レンズ)310と、シャッタ装置311と、固体撮像素子1およびシャッタ装置311を駆動する駆動部313と、信号処理部312とを有する。
(1)
複数の画素と、
各々が前記画素毎に設けられると共に、基板上に層間絶縁膜を介して配置された複数の第1電極と、
前記複数の第1電極上に、前記層間絶縁膜に接して形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された第2電極と
を備え、
前記基板は、前記光電変換層と前記層間絶縁膜とを間にして前記第2電極と対向し、
前記層間絶縁膜は、比誘電率が3.6以下の低誘電率層または空隙を含み、前記低誘電率層または前記空隙は、前記第1電極同士の間隙に対応する領域に設けられる
固体撮像素子。
(2)
前記低誘電率層は、酸化ケイ素(SiOx)と炭素(C),水素(H),フッ素(F),ホウ素(B)および窒素(N)のうちの少なくとも1つとを含む膜であるか、炭素,窒素,酸素(O),水素,フッ素およびホウ素のうちの少なくとも1つを含む有機膜であるか、または空孔を有する膜である
上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記基板の前記層間絶縁膜側の面のうちの前記第1電極同士の間隙に対応する領域に、周辺領域よりも厚みの薄い領域またはキャリア密度の低い領域を有する
上記(1)又は(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記層間絶縁膜上の前記第1電極同士の間隙に、第3電極を更に備えた
上記(1)〜(3)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(5)
前記第3電極の仕事関数は、前記第1電極の仕事関数と異なるものである
上記(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記層間絶縁膜内に、前記第2電極と容量結合にて電気的に結合する配線層が設けられている
上記(1)〜(5)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(7)
前記基板は、前記第1電極同士の間隙に対応する領域のうちの少なくとも一部において、前記第2電極と容量結合にて電気的に結合する
上記(1)〜(6)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(8)
前記基板内に、前記第1電極に電気的に接続された電荷蓄積層を有する
上記(1)〜(7)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(9)
前記基板内に、1または2以上の色光を吸収する他の光電変換層を更に備えた
上記(1)〜(8)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(10)
前記光電変換層よりも光入射側に、1または2以上の色光を選択的に透過させるカラーフィルタ層を更に備えた
上記(1)〜(9)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(11)
複数の画素と、
各々が前記画素毎に設けられると共に、基板上に層間絶縁膜を介して配置された複数の第1電極と、
前記複数の第1電極上に、前記層間絶縁膜に接して形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された第2電極と、
前記層間絶縁膜上の前記第1電極同士の間隙に設けられた第3電極と
を備え、
前記基板は、前記光電変換層と前記層間絶縁膜とを間にして前記第2電極と対向し、
前記基板の前記層間絶縁膜側の面のうちの前記第1電極及び前記第3電極の間に対応する領域に、周辺領域よりも厚みの薄い領域またはキャリア密度の低い領域を有する
固体撮像素子。
(12)
前記基板は、前記層間絶縁膜側の面に凹部を有し、
前記層間絶縁膜は、前記凹部を埋め込んで形成されている
上記(11)に記載の固体撮像素子。
(13)
複数の画素と、
各々が前記画素毎に設けられると共に、基板上に層間絶縁膜を介して配置された複数の
第1電極と、
前記複数の第1電極上に形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された第2電極と、
前記層間絶縁膜上の前記第1電極同士の間隙に設けられると共に、前記第1電極とは異
なる仕事関数を有する第3電極と
を備え、
前記層間絶縁膜は、比誘電率が3.6以下の低誘電率層または空隙を含み、前記低誘電率層または前記空隙は、前記第1電極同士の間隙に対応する領域に設けられ、
前記第1電極を通じて信号電荷が読み出されると共に、前記信号電荷が正孔の場合には、前記第3電極の仕事関数は、前記第1電極の仕事関数よりも小さく、
前記信号電荷が電子の場合には、前記第3電極の仕事関数は、前記第1電極の仕事関数よりも大きい
固体撮像素子。
Claims (13)
- 複数の画素と、
各々が前記画素毎に設けられると共に、基板上に層間絶縁膜を介して配置された複数の第1電極と、
前記複数の第1電極上に、前記層間絶縁膜に接して形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された第2電極と
を備え、
前記基板は、前記光電変換層と前記層間絶縁膜とを間にして前記第2電極と対向し、
前記層間絶縁膜は、比誘電率が3.6以下の低誘電率層または空隙を含み、前記低誘電率層または前記空隙は、前記第1電極同士の間隙に対応する領域に設けられる
固体撮像素子。 - 前記低誘電率層は、酸化ケイ素(SiOx)と炭素(C),水素(H),フッ素(F),ホウ素(B)および窒素(N)のうちの少なくとも1つとを含む膜であるか、炭素,窒素,酸素(O),水素,フッ素およびホウ素のうちの少なくとも1つを含む有機膜であるか、または空孔を有する膜である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記基板の前記層間絶縁膜側の面のうちの前記第1電極同士の間隙に対応する領域に、周辺領域よりも厚みの薄い領域またはキャリア密度の低い領域を有する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記層間絶縁膜上の前記第1電極同士の間隙に、第3電極を更に備えた
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第3電極の仕事関数は、前記第1電極の仕事関数と異なるものである
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 前記層間絶縁膜内に、前記第2電極と容量結合にて電気的に結合する配線層が設けられている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記基板は、前記第1電極同士の間隙に対応する領域のうちの少なくとも一部において、前記第2電極と容量結合にて電気的に結合する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記基板内に、前記第1電極に電気的に接続された電荷蓄積層を有する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記基板内に、1または2以上の色光を吸収する他の光電変換層を更に備えた
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換層よりも光入射側に、1または2以上の色光を選択的に透過させるカラーフィルタ層を更に備えた
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 複数の画素と、
各々が前記画素毎に設けられると共に、基板上に層間絶縁膜を介して配置された複数の第1電極と、
前記複数の第1電極上に、前記層間絶縁膜に接して形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された第2電極と、
前記層間絶縁膜上の前記第1電極同士の間隙に設けられた第3電極と
を備え、
前記基板は、前記光電変換層と前記層間絶縁膜とを間にして前記第2電極と対向し、
前記基板の前記層間絶縁膜側の面のうちの前記第1電極及び前記第3電極の間に対応する領域に、周辺領域よりも厚みの薄い領域またはキャリア密度の低い領域を有する
固体撮像素子。 - 前記基板は、前記層間絶縁膜側の面に凹部を有し、
前記層間絶縁膜は、前記凹部を埋め込んで形成されている
請求項11に記載の固体撮像素子。 - 複数の画素と、
各々が前記画素毎に設けられると共に、基板上に層間絶縁膜を介して配置された複数の第1電極と、
前記複数の第1電極上に形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された第2電極と、
前記層間絶縁膜上の前記第1電極同士の間隙に設けられると共に、前記第1電極とは異なる仕事関数を有する第3電極と
を備え、
前記層間絶縁膜は、比誘電率が3.6以下の低誘電率層または空隙を含み、前記低誘電率層または前記空隙は、前記第1電極同士の間隙に対応する領域に設けられ、
前記第1電極を通じて信号電荷が読み出されると共に、前記信号電荷が正孔の場合には、前記第3電極の仕事関数は、前記第1電極の仕事関数よりも小さく、
前記信号電荷が電子の場合には、前記第3電極の仕事関数は、前記第1電極の仕事関数よりも大きい
固体撮像素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015158109A JP6711573B2 (ja) | 2015-08-10 | 2015-08-10 | 固体撮像素子 |
US15/747,274 US10504965B2 (en) | 2015-08-10 | 2016-08-03 | Solid-state imaging device |
CN201680045325.9A CN107924928B (zh) | 2015-08-10 | 2016-08-03 | 固体摄像器件、电子设备和用于形成图像传感器的方法 |
PCT/JP2016/003580 WO2017026109A1 (en) | 2015-08-10 | 2016-08-03 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015158109A JP6711573B2 (ja) | 2015-08-10 | 2015-08-10 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017037952A JP2017037952A (ja) | 2017-02-16 |
JP6711573B2 true JP6711573B2 (ja) | 2020-06-17 |
Family
ID=56738150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015158109A Active JP6711573B2 (ja) | 2015-08-10 | 2015-08-10 | 固体撮像素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10504965B2 (ja) |
JP (1) | JP6711573B2 (ja) |
CN (1) | CN107924928B (ja) |
WO (1) | WO2017026109A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102577844B1 (ko) * | 2016-08-09 | 2023-09-15 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP6907029B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-07-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP7026336B2 (ja) * | 2017-06-06 | 2022-02-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置、および、カメラシステム |
JP6920110B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2021-08-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
CN109300923B (zh) * | 2017-07-25 | 2023-11-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
KR102008933B1 (ko) * | 2017-08-29 | 2019-08-08 | 현대오트론 주식회사 | 근적외선 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP7164532B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2022-11-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
KR102421726B1 (ko) * | 2017-09-25 | 2022-07-15 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102510520B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2023-03-15 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
FR3076082B1 (fr) * | 2017-12-21 | 2020-01-24 | Isorg | Capteur d'image |
CN110071126A (zh) * | 2018-01-23 | 2019-07-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
TW202018927A (zh) * | 2018-06-15 | 2020-05-16 | 日商索尼股份有限公司 | 固體攝像元件、固體攝像裝置、電子機器及固體攝像元件之製造方法 |
TW202008572A (zh) * | 2018-07-26 | 2020-02-16 | 日商索尼股份有限公司 | 固態攝像元件、固態攝像裝置及固態攝像元件之讀出方法 |
JP2020077848A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
FR3093233B1 (fr) * | 2019-02-25 | 2021-03-05 | Isorg | Dispositif matriciel pour capteur d'image, à transistors en couches minces et photodiodes organiques |
KR20200108133A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미징 장치 |
JP2020161717A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、光検出システム、発光システム、および移動体 |
JPWO2020203249A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | ||
JP2022177339A (ja) * | 2019-10-30 | 2022-12-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像素子 |
KR20210074654A (ko) * | 2019-12-12 | 2021-06-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
DE112021005042T5 (de) * | 2020-09-25 | 2023-09-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Festkörperbildgebungsvorrichtung und elektronische einrichtung |
TW202232743A (zh) * | 2020-09-25 | 2022-08-16 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固態攝像裝置及電子機器 |
WO2022074972A1 (ja) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2023038415A (ja) * | 2021-09-07 | 2023-03-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513748A (ja) * | 1991-07-03 | 1993-01-22 | Canon Inc | 固体撮像素子 |
US5936261A (en) * | 1998-11-18 | 1999-08-10 | Hewlett-Packard Company | Elevated image sensor array which includes isolation between the image sensors and a unique interconnection |
US6100158A (en) * | 1999-04-30 | 2000-08-08 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing an alignment mark with an etched back dielectric layer and a transparent dielectric layer and a device region on a higher plane with a wiring layer and an isolation region |
US6051867A (en) * | 1999-05-06 | 2000-04-18 | Hewlett-Packard Company | Interlayer dielectric for passivation of an elevated integrated circuit sensor structure |
JP2004320178A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体電子撮像素子の制御装置および方法 |
US7038232B2 (en) * | 2003-09-24 | 2006-05-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Quantum efficiency enhancement for CMOS imaging sensor with borderless contact |
JP2008112907A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Powerchip Semiconductor Corp | イメージセンサー及びその製作方法 |
JP2008172108A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP2009135208A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP5366396B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-12-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法、半導体装置の製造方法、光電変換装置、及び撮像システム |
EP2109143B1 (en) * | 2008-04-09 | 2013-05-29 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method thereof, and electronic device |
JP5533046B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-06-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
JP2011211121A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、撮像装置、固体撮像素子の駆動方法、及び固体撮像素子の製造方法 |
JP2013140190A (ja) * | 2010-04-21 | 2013-07-18 | Sharp Corp | 表示装置 |
JPWO2012117670A1 (ja) * | 2011-03-01 | 2014-07-07 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2013012556A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、および電子機器 |
WO2013001809A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
US9911772B2 (en) * | 2012-06-29 | 2018-03-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
KR102149937B1 (ko) * | 2013-02-22 | 2020-09-01 | 삼성전자주식회사 | 광전 소자 및 이미지 센서 |
KR102083550B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2020-04-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
JP6285667B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2018-02-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
TWI505455B (zh) * | 2013-09-27 | 2015-10-21 | Maxchip Electronics Corp | 光感測器 |
-
2015
- 2015-08-10 JP JP2015158109A patent/JP6711573B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-03 CN CN201680045325.9A patent/CN107924928B/zh active Active
- 2016-08-03 US US15/747,274 patent/US10504965B2/en active Active
- 2016-08-03 WO PCT/JP2016/003580 patent/WO2017026109A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107924928A (zh) | 2018-04-17 |
US10504965B2 (en) | 2019-12-10 |
US20180219046A1 (en) | 2018-08-02 |
WO2017026109A1 (en) | 2017-02-16 |
CN107924928B (zh) | 2022-08-16 |
JP2017037952A (ja) | 2017-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6711573B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
US10608051B2 (en) | Solid-state image pickup device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus | |
KR102517997B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 | |
US9614010B2 (en) | Solid-state image sensing device having an organic photoelectric conversion section fills a depression section and solid-state image pickup unit including same | |
US9786708B2 (en) | Unit pixel having an insulated contact penetrating a charge accumulation region, solid-state image pickup unit including the same, and method of manufacturing the unit pixel | |
JP6136663B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
CN104247021B (zh) | 固态摄像装置及其制造方法以及电子设备 | |
JP2013135123A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器 | |
US11127910B2 (en) | Imaging device and electronic apparatus | |
WO2017061176A1 (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 | |
KR101676972B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20160831 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160831 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200528 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6711573 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |