JP6920110B2 - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 95
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 559
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 490
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 143
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 94
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 106
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 77
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 77
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 59
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 23
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 22
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 18
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 241000724291 Tobacco streak virus Species 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 9
- 101000824892 Homo sapiens SOSS complex subunit B1 Proteins 0.000 description 8
- 102100022320 SPRY domain-containing SOCS box protein 1 Human genes 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 7
- 101000824890 Homo sapiens SOSS complex subunit B2 Proteins 0.000 description 6
- 102100022330 SPRY domain-containing SOCS box protein 2 Human genes 0.000 description 6
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本実施の形態の固体撮像素子は、受光素子(光電変換部、光電変換素子)であるフォトダイオードを、縦方向、つまり半導体基板の主面に対して垂直な方向(垂直方向、鉛直方向、上下方向)に複数設けた構造を有するものであり、特に、垂直方向および水平方向において隣り合うフォトダイオード同士の間を絶縁膜により分離することで、フォトダイオード同士の相互間における電子の移動を防ぐものである。縦方向に積層されたフォトダイオードを有する本実施の形態の固体撮像素子は、フォトダイオードを備えた半導体ウェハを2つ用意し、それの半導体ウェハの裏面同士を互いに貼り合わせることで形成することができる。
以下に、図1〜図4を用いて、本実施の形態1の固体撮像素子の構造と、固体撮像素子を構成する画素の動作を説明する。図1および図2は、本実施の形態である固体撮像素子の構成を示す平面図である。図3は、本実施の形態の固体撮像素子を示す等価回路図である。図4は、本実施の形態の固体撮像素子を示す断面図である。
以下に、本実施の形態の固体撮像素子の製造方法について、図5〜図12を用いて説明する。図5〜図12は、本実施の形態の固体撮像素子の製造工程中の断面図である。図5〜図12の各図では、左から順に画素領域PERおよび周辺回路領域CRを示している。また、図12では、周辺回路領域CRの右側にパッド領域PDRを示している。
以下に、本実施の形態の固体撮像素子の製造方法の効果について、図41〜43に示す比較例を用いて説明する。図41は、比較例の固体撮像素子である固体撮像素子の断面図である。図42および図43は、比較例の固体撮像素子の製造工程中の断面図である。
図13に、本実施の形態の変形例1である固体撮像素子の平面図を示す。図13は、図2と同様に画素の平面レイアウトを示すものであるが、図13では2つの画素を並べて示している。
図14に、本実施の形態の変形例2である固体撮像素子の断面図を示す。図14は、図4に対応する断面図である。ここでは、積層された2つのフォトダイオードに加えて、当該2つのフォトダイオードの上方にさらに光電変換膜からなる受光素子を形成することについて説明する。
以下に、図18〜図21を用いて、本実施の形態の変形例3である固体撮像素子の製造方法を説明する。図18〜図21は、本変形例の固体撮像素子の製造工程中の断面図である。ここでは、第1の半導体基板および第2の半導体基板のそれぞれをSOI(Silicon On Insulator)基板として用意し、これらを互いに接合する場合について説明する。
以下に、本実施の形態2の固体撮像素子の構造について、図22を用いて説明する。図22は、本実施の形態の固体撮像素子を示す断面図である。ここでは、第1半導体ウェハと第2半導体ウェハとの間に、負の電荷が固定された膜を形成することで、暗電流の発生を防ぐことについて説明する。
以下に、本実施の形態の変形例1である固体撮像素子の構造について、図24を用いて説明する。図24は、本変形例の固体撮像素子を示す断面図である。ここでは、第1半導体ウェハと第2半導体ウェハとの間に、負の電荷が固定された膜を2つ重ねて形成することで、暗電流の発生を防ぐことについて説明する。
本実施の形態の変形例2である固体撮像素子の構造について、図26を用いて説明する。また、本実施の形態の変形例2である固体撮像素子の製造方法について、図27および図28を用いて説明する。図26は、本変形例の固体撮像素子を示す断面図である。図27および図28は、本変形例の固体撮像素子の製造工程中の断面図である。本変形例は、第1半導体ウェハと第2半導体ウェハとの間に、短波長の光を反射し、長波長の光を透過する膜を形成するものである。
本実施の形態の変形例3である固体撮像素子の構造について、図29を用いて説明する。また、本実施の形態の変形例3である固体撮像素子の製造方法について、図30を用いて説明する。図29は、本変形例の固体撮像素子を示す断面図である。図30は、本変形例の固体撮像素子の製造工程中の断面図である。本変形例は、第1半導体ウェハと第2半導体ウェハとの間に、短波長の光を反射し、長波長の光を透過する膜を2層重ねて形成するものである。
以下に、本実施の形態3の固体撮像素子の構造について、図31および図32を用いて説明する。図31は、本実施の形態の固体撮像素子を示す断面図である。図31では、画素アレイ領域PERにおいて互いに隣り合う2つの画素PE1、PE2と周辺回路領域CRとを示している。図32は、本実施の形態の固体撮像素子を示す平面図である。図32では、アレイ状に並ぶ9つの画素における上層のフォトダイオードの平面レイアウトと下層のフォトダイオードの平面レイアウトとを並べて示している。ここでは、第1半導体ウェハと第2半導体ウェハとを重ねた積層イメージセンサにおいて、隣り合う2つの画素を用いて4種類の波長の光を検出することについて説明する。
以下に、本実施の形態の変形例1である固体撮像素子の構造について、図35を用いて説明する。図35は、本変形例の固体撮像素子を示す断面図である。ここでは、カラーフィルタを上層の配線層とマイクロレンズの間ではなく、上層のフォトダイオードと、上層の配線層との間に形成することについて説明する。
以下に、本実施の形態の変形例2である固体撮像素子の構造について、図37を用いて説明する。図37は、本変形例の固体撮像素子を示す断面図である。ここでは、図31を用いて説明したカラーフィルタを設け、さらに、下層のフォトダイオードの下に反射膜を形成することについて説明する。
以下に、本実施の形態の変形例3である固体撮像素子の構造について、図39を用いて説明する。図39は、本変形例の固体撮像素子を示す断面図である。ここでは、第2半導体ウェハの配線を反射膜として用いることについて説明する。
以下に、本実施の形態の変形例4である固体撮像素子の構造について、図40を用いて説明する。図40は、本変形例の固体撮像素子を示す断面図である。ここでは、前記実施の形態1の変形例2と、本実施の形態の変形例2とを組み合わせた構造について説明する。
互いに積層された第1半導体基板および第2半導体基板と、
前記第1半導体基板と前記第2半導体基板との間に介在し、かつ、前記第1半導体基板の下面および前記第2半導体基板の上面に接する第1絶縁膜と、
複数の前記画素のそれぞれにおいて前記第1半導体基板内に形成された第1受光素子と、
複数の前記画素のそれぞれにおいて前記第2半導体基板内に形成された第2受光素子と、
前記第1半導体基板の上面から前記下面に亘って貫通し、互いに隣り合う前記画素のそれぞれに形成された前記第1受光素子同士を分離する第1素子分離領域と、
前記第2半導体基板の前記上面から下面に亘って貫通し、互いに隣り合う前記画素のそれぞれに形成された前記第2受光素子同士を分離する第2素子分離領域と、
を有する、固体撮像素子。
前記第1半導体基板の前記上面に形成され、前記第1絶縁膜と離間する第3素子分離領域と、
前記第2半導体基板の前記下面に形成され、前記第1絶縁膜と離間する第4素子分離領域と、
をさらに有する、固体撮像素子。
前記第2受光素子は、前記第1受光素子が光電変換する光よりも長い波長の光を光電変換する、固体撮像素子。
前記第1絶縁膜は、
前記第2半導体基板上に順に形成された第3絶縁膜、負の電荷を有する第4絶縁膜、第6絶縁膜、負の電荷を有する第7絶縁膜および第2絶縁膜を有し、
前記第6絶縁膜の膜厚は、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜のいずれの膜厚よりも大きい、固体撮像素子。
前記第2受光素子の直下に形成された、前記第1受光素子が光電変換する第1波長領域の光および前記第2受光素子が光電変換する第2波長領域の光を反射する第2反射膜をさらに有する、固体撮像素子。
(a)第1主面および前記第1主面の反対側の第1裏面を有し、前記第1主面に形成された複数の第1受光素子と、複数の前記第1受光素子同士を分離し、前記第1主面に形成された第1素子分離領域とを備えた第1半導体基板を用意する工程、
(b)第2主面および前記第2主面の反対側の第2裏面を有し、前記第2主面に形成された複数の第2受光素子と、複数の前記第2受光素子同士を分離し、前記第2主面に形成された第2素子分離領域とを備えた第2半導体基板を用意する工程、
(c)前記第1半導体基板の前記第1裏面を研磨することで前記第1素子分離領域を露出させる工程、
(d)前記第2半導体基板の前記第2裏面を研磨することで前記第2素子分離領域を露出させる工程、
(e)前記(c)工程の後、前記第1半導体基板の前記第1裏面および前記第1素子分離領域に接して前記第1裏面を覆う第2絶縁膜を形成する工程、
(f)前記(d)工程の後、前記第2半導体基板の前記第2裏面および前記第2素子分離領域に接して前記第2裏面を覆う第3絶縁膜を形成する工程、
(g)前記第1裏面と前記第2裏面とを対向させて前記第1半導体基板および前記第2半導体基板を接合させることで、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜を含む第1絶縁膜を形成する工程、
を有し、
複数の前記画素のそれぞれは、前記第2受光素子および前記第2受光素子上の前記第1受光素子を有する、固体撮像素子の製造方法。
前記(a)工程では、第1基板、前記第1基板上の第9絶縁膜および前記第9絶縁膜上の第1半導体層を含む前記第1半導体基板であって、前記第1半導体層の上面である前記第1主面に形成された複数の前記第1受光素子と、前記第1主面から前記第1半導体層の下面に亘って貫通する前記第1素子分離領域とを備えた前記第1半導体基板を用意し、
前記(b)工程では、第2基板、前記第2基板上の第10絶縁膜および前記第10絶縁膜上の第2半導体層を含む前記第2半導体基板であって、前記第2半導体層の上面である前記第2主面に形成された複数の前記第2受光素子と、前記第2主面から前記第2半導体層の下面に亘って貫通する前記第2素子分離領域とを備えた前記第2半導体基板を用意し、
前記(c)工程では、前記第1半導体基板の前記第1裏面を研磨することで、前記第1基板を除去した後、前記第9絶縁膜を除去することで、前記第1素子分離領域を露出させ、
前記(d)工程では、前記第2半導体基板の前記第2裏面を研磨することで、前記第2基板を除去した後、前記第10絶縁膜を除去することで、前記第2素子分離領域を露出させる、固体撮像素子の製造方法。
(g3)前記(g)工程の前に、露出している前記第2絶縁膜の下面を覆うように、負の電荷を有する第4絶縁膜および第6絶縁膜を順に形成する工程、
(g4)前記(g)工程の前に、露出している前記第3絶縁膜の下面を覆うように、負の電荷を有する第7絶縁膜および第8絶縁膜を順に形成する工程、
をさらに有し、
前記(g)工程では、前記第1半導体基板および前記第2半導体基板を接合させることで、前記第2絶縁膜、前記第3絶縁膜、前記第4絶縁膜、前記第6絶縁膜、前記第7絶縁膜および前記第8絶縁膜を含む前記第1絶縁膜を形成する、固体撮像素子の製造方法。
EI、EI1、EI2 素子分離領域
IF1〜IF8 絶縁膜
PE、PE1、PE2 画素
PER 画素領域
PD1〜PD4 フォトダイオード
SB1、SB2 半導体基板
Claims (11)
- 平面視で複数並べられた画素を備えた固体撮像素子であって、
互いに積層された第1半導体基板および第2半導体基板と、
前記第1半導体基板と前記第2半導体基板との間に介在し、かつ、前記第1半導体基板の下面および前記第2半導体基板の上面に接する第1絶縁膜と、
複数の前記画素のそれぞれにおいて前記第1半導体基板内に形成された第1受光素子と、
複数の前記画素のそれぞれにおいて前記第2半導体基板内に形成された第2受光素子と、
前記第1半導体基板の上面から前記下面に亘って貫通し、互いに隣り合う前記画素のそれぞれに形成された前記第1受光素子同士を分離する第1素子分離領域と、
前記第2半導体基板の前記上面から下面に亘って貫通し、互いに隣り合う前記画素のそれぞれに形成された前記第2受光素子同士を分離する第2素子分離領域と、
を有し、
前記第1絶縁膜は、
前記第2半導体基板上に順に形成された第3絶縁膜、負の電荷を有する第4絶縁膜、第6絶縁膜、負の電荷を有する第7絶縁膜および第2絶縁膜を有し、
前記第6絶縁膜の膜厚は、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜のいずれの膜厚よりも大きい、固体撮像素子。 - 請求項1記載の固体撮像素子において、
前記第1素子分離領域の下面および前記第2素子分離領域の上面は、前記第1絶縁膜に接している、固体撮像素子。 - 請求項2記載の固体撮像素子において、
前記第1半導体基板上に形成され、前記第1受光素子の上面を覆う第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜内に形成された複数の第1配線と、
前記第2半導体基板の下に形成され、前記第2受光素子の下面を覆う第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜内に形成された複数の第2配線と、
をさらに有し、
前記第1素子分離領域の前記上面は、前記第1層間絶縁膜に接し、前記第2素子分離領域の前記下面は、前記第2層間絶縁膜に接している、固体撮像素子。 - 請求項1記載の固体撮像素子において、
前記第1半導体基板および前記第1素子分離領域のそれぞれの厚さは、前記第2半導体基板および前記第2素子分離領域のいずれの厚さよりも小さい、固体撮像素子。 - 請求項1記載の固体撮像素子において、
複数の前記画素のそれぞれにおいて、前記第1半導体基板上に形成された光電変換膜を含む第3受光素子をさらに有する、固体撮像素子。 - 請求項1記載の固体撮像素子において、
複数の前記画素のうち、第1画素および第2画素が互いに隣接しており、
前記第1画素の前記第1受光素子は、第1波長領域の光を光電変換する素子であり、
前記第1画素の前記第2受光素子は、第2波長領域の光を光電変換する素子であり、
前記第2画素の前記第1受光素子は、第3波長領域の光を光電変換する素子であり、
前記第2画素の前記第2受光素子は、第4波長領域の光を光電変換する素子であり、
前記第1画素の前記第1受光素子および前記第2受光素子と平面視で重なるように、前記第1画素の前記第1受光素子上に形成された第1カラーフィルタと、
前記第2画素の前記第1受光素子および前記第2受光素子と平面視で重なるように、前記第2画素の前記第1受光素子上に形成された第2カラーフィルタと、
をさらに有し、
前記第1カラーフィルタにおいて、前記第1波長領域の光および前記第2波長領域の光のそれぞれの透過率は、前記第4波長領域の光の透過率よりも高く、
前記第2カラーフィルタにおいて、前記第3波長領域の光および前記第4波長領域の光のそれぞれの透過率は、前記第1波長領域の光の透過率よりも高く、
前記第1波長領域、前記第2波長領域、前記第3波長領域および前記第4波長領域の順に波長が長くなる、固体撮像素子。 - 平面視で複数並べられた画素を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
(a)第1主面および前記第1主面の反対側の第1裏面を有し、前記第1主面に形成された複数の第1受光素子と、複数の前記第1受光素子同士を分離し、前記第1主面に形成された第1素子分離領域とを備えた第1半導体基板を用意する工程、
(b)第2主面および前記第2主面の反対側の第2裏面を有し、前記第2主面に形成された複数の第2受光素子と、複数の前記第2受光素子同士を分離し、前記第2主面に形成された第2素子分離領域とを備えた第2半導体基板を用意する工程、
(c)前記第1半導体基板の前記第1裏面を研磨することで前記第1素子分離領域を露出させる工程、
(d)前記第2半導体基板の前記第2裏面を研磨することで前記第2素子分離領域を露出させる工程、
(e)前記(c)工程の後、前記第1半導体基板の前記第1裏面および前記第1素子分離領域に接して前記第1裏面を覆う第2絶縁膜を形成する工程、
(f)前記(d)工程の後、前記第2半導体基板の前記第2裏面および前記第2素子分離領域に接して前記第2裏面を覆う第3絶縁膜を形成する工程、
(g1)露出している前記第2絶縁膜の下面を覆うように、負の電荷を有する第4絶縁膜と、第6絶縁膜とを順に形成する工程、
(g2)露出している前記第3絶縁膜の下面を覆うように、負の電荷を有する第7絶縁膜と、第8絶縁膜とを順に形成する工程、
(g)前記第1裏面と前記第2裏面とを対向させて前記第1半導体基板および前記第2半導体基板を接合させることで、前記第2絶縁膜、前記第3絶縁膜、前記第4絶縁膜、前記第6絶縁膜、前記第7絶縁膜および前記第8絶縁膜を含む第1絶縁膜を形成する工程、
を有し、
複数の前記画素のそれぞれは、前記第2受光素子および前記第2受光素子上の前記第1受光素子を有する、固体撮像素子の製造方法。 - 請求項7記載の固体撮像素子の製造方法において、
(a1)前記(a)工程の後、前記(c)工程の前に、前記第1半導体基板の前記第1主面上に、第1配線を内部に含み、前記第1受光素子の上面を覆う第1層間絶縁膜を形成する工程、
(b1)前記(b)工程の後、前記(d)工程の前に、前記第2半導体基板の前記第2主面上に、第2配線を内部に含み、前記第2受光素子の上面を覆う第2層間絶縁膜を形成する工程、
をさらに有する、固体撮像素子の製造方法。 - 請求項7記載の固体撮像素子の製造方法において、
前記(c)工程および前記(d)工程の後において、前記第1半導体基板および前記第1素子分離領域のそれぞれの厚さは、前記第2半導体基板および前記第2素子分離領域のいずれの厚さよりも小さい、固体撮像素子の製造方法。 - 請求項8記載の固体撮像素子の製造方法において、
(h)前記(g)工程の後、前記第1層間絶縁膜上であって、前記第1受光素子の直上に、光電変換膜からなる第3受光素子を形成する工程をさらに有する、固体撮像素子の製造方法。 - 請求項7記載の固体撮像素子の製造方法において、
複数の前記画素のうち、第1画素および第2画素が互いに隣接しており、
前記第1画素の前記第1受光素子は、第1波長領域の光を光電変換する素子であり、
前記第1画素の前記第2受光素子は、第2波長領域の光を光電変換する素子であり、
前記第2画素の前記第1受光素子は、第3波長領域の光を光電変換する素子であり、
前記第2画素の前記第2受光素子は、第4波長領域の光を光電変換する素子であり、
(i)前記(g)工程の後、前記第1画素の前記第1受光素子および前記第2受光素子と平面視で重なるように、前記第1画素の前記第1受光素子上に第1カラーフィルタを形成し、前記第2画素の前記第1受光素子および前記第2受光素子と平面視で重なるように、前記第2画素の前記第1受光素子上に第2カラーフィルタを形成する工程をさらに有し、
前記第1カラーフィルタにおいて、前記第1波長領域の光および前記第2波長領域の光のそれぞれの透過率は、前記第4波長領域の光の透過率よりも高く、
前記第2カラーフィルタにおいて、前記第3波長領域の光および前記第4波長領域の光のそれぞれの透過率は、前記第1波長領域の光の透過率よりも高く、
前記第1波長領域、前記第2波長領域、前記第3波長領域および前記第4波長領域の順に波長が長くなる、固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017116281A JP6920110B2 (ja) | 2017-06-13 | 2017-06-13 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
US15/937,162 US20180358393A1 (en) | 2017-06-13 | 2018-03-27 | Solid-state imaging element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017116281A JP6920110B2 (ja) | 2017-06-13 | 2017-06-13 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019004001A JP2019004001A (ja) | 2019-01-10 |
JP6920110B2 true JP6920110B2 (ja) | 2021-08-18 |
Family
ID=64563693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017116281A Active JP6920110B2 (ja) | 2017-06-13 | 2017-06-13 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180358393A1 (ja) |
JP (1) | JP6920110B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017112169A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | ソニー株式会社 | イメージセンサ、撮像システム及びイメージセンサの製造方法 |
JP2018186211A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2019212900A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP7326746B2 (ja) * | 2019-01-15 | 2023-08-16 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7326744B2 (ja) * | 2019-01-15 | 2023-08-16 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7326745B2 (ja) * | 2019-01-15 | 2023-08-16 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7326747B2 (ja) * | 2019-01-15 | 2023-08-16 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP2020182112A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
CN110335878A (zh) * | 2019-06-12 | 2019-10-15 | 芯盟科技有限公司 | 一种图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备 |
CN110691207A (zh) * | 2019-09-18 | 2020-01-14 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种图像传感器及图像处理方法、存储介质 |
CN110691208B (zh) * | 2019-09-24 | 2022-05-27 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像传感器、图像处理方法和装置、及存储介质 |
JPWO2021100338A1 (ja) * | 2019-11-20 | 2021-05-27 | ||
JP7437957B2 (ja) * | 2020-02-06 | 2024-02-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、固体撮像装置及び電子機器 |
DE102020105353A1 (de) | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren und Fotodiodenvorrichtung zur kohärenten Detektion eines optischen Signals |
US20210366952A1 (en) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | Vergence Automation, Inc. | In-pixel embedded analog image processing |
KR20220034973A (ko) * | 2020-09-11 | 2022-03-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR20220087678A (ko) * | 2020-12-18 | 2022-06-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센싱 회로 |
JP2022154326A (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置 |
US20220320173A1 (en) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reduced cross-talk in color and infrared image sensor |
US11619857B2 (en) | 2021-05-25 | 2023-04-04 | Apple Inc. | Electrically-tunable optical filter |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004221506A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-08-05 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4404561B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2010-01-27 | 富士フイルム株式会社 | Mos型カラー固体撮像装置 |
TWI436474B (zh) * | 2007-05-07 | 2014-05-01 | Sony Corp | A solid-state image pickup apparatus, a manufacturing method thereof, and an image pickup apparatus |
KR20080105641A (ko) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | 삼성전자주식회사 | 수직형 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
JP5268618B2 (ja) * | 2008-12-18 | 2013-08-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP5262823B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2013-08-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
JP2011198966A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP5663925B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-02-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
CN102893400B (zh) * | 2010-05-14 | 2015-04-22 | 松下电器产业株式会社 | 固体摄像装置及其制造方法 |
US20110317048A1 (en) * | 2010-06-29 | 2011-12-29 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with dual layer photodiode structure |
JP2013070030A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-04-18 | Sony Corp | 撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置 |
US20130075607A1 (en) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Manoj Bikumandla | Image sensors having stacked photodetector arrays |
TWI548073B (zh) * | 2011-12-14 | 2016-09-01 | Sony Corp | Solid-state imaging devices and electronic equipment |
JP2014011304A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP6126593B2 (ja) * | 2012-06-29 | 2017-05-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
US8878325B2 (en) * | 2012-07-31 | 2014-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Elevated photodiode with a stacked scheme |
US9105546B2 (en) * | 2012-09-19 | 2015-08-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with backside illuminated near infrared imaging pixels |
US10009552B2 (en) * | 2012-09-20 | 2018-06-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with front side illuminated near infrared imaging pixels |
KR102083550B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2020-04-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
JP2014232761A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
KR101334219B1 (ko) * | 2013-08-22 | 2013-11-29 | (주)실리콘화일 | 3차원 적층구조의 이미지센서 |
JP2015128131A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2015146364A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、固体撮像素子の製造方法および電子機器 |
JP2015192015A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2015195235A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、電子機器、および撮像方法 |
JP6469996B2 (ja) * | 2014-09-09 | 2019-02-13 | オリンパス株式会社 | 撮像素子および内視鏡装置 |
US20170237911A1 (en) * | 2014-11-06 | 2017-08-17 | Siliconfile Technologies Inc. | Image sensor having improved spectral characteristics |
JP2016100347A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
WO2016103365A1 (ja) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
WO2016111010A1 (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
KR102384890B1 (ko) * | 2015-01-13 | 2022-04-11 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
WO2016136502A1 (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
JP2016167530A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
US9564468B2 (en) * | 2015-03-20 | 2017-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Composite grid structure to reduce crosstalk in back side illumination image sensors |
JP6470404B2 (ja) * | 2015-05-22 | 2019-02-13 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
WO2016190217A1 (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子および固体撮像装置ならびに電子機器 |
JP6711573B2 (ja) * | 2015-08-10 | 2020-06-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
KR102531712B1 (ko) * | 2015-08-19 | 2023-05-11 | 삼성전자주식회사 | 적층형 이미지 센서와 그 제조방법 |
US9686457B2 (en) * | 2015-09-11 | 2017-06-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | High efficiency image sensor pixels with deep trench isolation structures and embedded reflectors |
JP2017076668A (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
US9818791B1 (en) * | 2016-10-04 | 2017-11-14 | Omnivision Technologies, Inc. | Stacked image sensor |
KR102570346B1 (ko) * | 2016-10-20 | 2023-08-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 쉴드들을 가진 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR102672607B1 (ko) * | 2016-11-28 | 2024-06-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102619669B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2023-12-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US10271037B2 (en) * | 2017-01-20 | 2019-04-23 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with hybrid three-dimensional imaging |
US10594965B2 (en) * | 2017-09-13 | 2020-03-17 | Semiconductor Components Industries, Llc | Avalanche photodiode image sensors |
-
2017
- 2017-06-13 JP JP2017116281A patent/JP6920110B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-27 US US15/937,162 patent/US20180358393A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180358393A1 (en) | 2018-12-13 |
JP2019004001A (ja) | 2019-01-10 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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