JP6108172B2 - 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Description
本開示の第4の側面の固体撮像素子は、光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極と前記光電変換膜との接触位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる。
本開示の第5の側面の固体撮像素子の製造方法は、光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を形成する際に、前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極と前記光電変換膜との接触位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なるように形成する。
本開示の第6の側面の電子機器は、光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極と前記光電変換膜との接触位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる固体撮像素子を備える。
本開示の第4乃至第6の側面においては、光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素が設けられ、前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極と前記光電変換膜との接触位置が、対となる位相差画素どうしで異なるように形成される。
1.固体撮像素子の概略構成例
2.位相差画素の第1の実施の形態(下部電極の形状を変更する構成)
3.位相差画素の第2の実施の形態(排出用の下部電極を有する構成)
4.位相差画素の第3の実施の形態(光電変換膜と下部電極の間に層間膜を形成する構成)
5.位相差画素の第4の実施の形態(第1の実施の形態の変形例)
6.位相差画素の第5の実施の形態(第2の実施の形態の変形例)
7.位相差画素の第6の実施の形態(第3の実施の形態の変形例)
8.位相差画素の第7の実施の形態(フォトダイオード上に遮光膜を有する構成)
9.位相差画素の第8の実施の形態(フォトダイオード領域を変更する構成)
10.位相差画素の第9の実施の形態(光電変換膜上に遮光膜を形成する第1の構成)
11.位相差画素の第10の実施の形態(光電変換膜上に遮光膜を形成する第2の構成)
12.位相差画素の第11の実施の形態(赤外光で位相差信号を生成する第1の構成)
13.位相差画素の第12の実施の形態(赤外光で位相差信号を生成する第2の構成)
14.第1の実施の形態の製造方法
15.第2の実施の形態の製造方法
16.第9の実施の形態の製造方法
17.遮光膜の配置例
18.電子機器への適用例
図1は、本開示に係る固体撮像素子の概略構成を示している。
以下において、固体撮像素子1の通常画素2X、位相差画素2PA、及び位相差画素2PBの断面構成について詳しく説明する。
次に、図3を参照して、位相差画素2Pの第2の実施の形態について説明する。
次に、図4を参照して、位相差画素2Pの第3の実施の形態について説明する。
次に、図5を参照して、位相差画素2Pの第4の実施の形態について説明する。
次に、図6を参照して、位相差画素2Pの第5の実施の形態について説明する。
次に、図7を参照して、位相差画素2Pの第6の実施の形態について説明する。
上述した第1乃至第6の実施の形態では、位相差画素2Pの有機光電変換膜52による光電変換領域を通常画素2Xと変更させることで、光の入射角に対して感度が非対称性を有する焦点検出用の信号を生成することができる。
次に、図8を参照して、位相差画素2Pの第7の実施の形態について説明する。
次に、図9を参照して、位相差画素2Pの第8の実施の形態について説明する。
上述した第7及び第8の実施の形態では、有機光電変換膜52については焦点検出用の信号を生成する光電変換層としては利用せず、半導体基板12内のフォトダイオードPD1及びPD2を、焦点検出用の信号を生成する光電変換層として利用する構造が採用された。
次に、図10を参照して、位相差画素2Pの第9の実施の形態について説明する。
次に、図11を参照して、位相差画素2Pの第10の実施の形態について説明する。
上述した第9及び第10の実施の形態では、上部電極53bに所定の電圧を供給する接続配線124を形成する工程と同一工程で、有機光電変換膜52の上方に遮光膜121を形成することができる。これにより、縦方向分光型の固体撮像素子1において、工程数の増加を避けながら、位相差画素を実現することができる。
次に、図12を参照して、位相差画素2Pの第11の実施の形態について説明する。
次に、図13を参照して、位相差画素2Pの第12の実施の形態について説明する。
一般的には欠陥画素として扱われ補正処理が必要となる位相差画素が、上述した第11及び第12の実施の形態によれば、位相差画素2Pを含む全画素2で画像生成用の信号を出力することができるので、位相差画素2PAと位相差画素2PBが欠陥画素として扱われないで済む。これにより、位相差画素に対する補正処理が不要となり、欠陥画素の増加を抑制し、かつ、撮像画像の高画質化を図ることができる。
次に、図14乃至図21を参照しながら、図2に示した第1の実施の形態の製造方法について説明する。
次に、図22を参照しながら、図4に示した第2の実施の形態の製造方法について説明する。
次に、図23を参照しながら、図10に示した第9の実施の形態の製造方法について説明する。
本開示の技術は、固体撮像素子への適用に限られるものではない。即ち、本開示の技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
(1)
光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、
前記光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子。
(2)
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極の形状が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極は、画素内で少なくとも2つに分割されている
前記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
2つに分割されている前記電極の1つは、固定電位に接続されている
前記(3)に記載の固体撮像素子。
(5)
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極と前記光電変換膜との接触位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記位相差画素は、前記光電変換部の上方に、入射光を遮光する遮光膜をさらに備え、
前記遮光膜の配置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記遮光膜は、光入射面側の前記電極と電気的に接続されている
前記(6)に記載の固体撮像素子。
(8)
前記光電変換膜は、緑色の波長光を光電変換する膜である
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(9)
前記位相差画素は、前記半導体基板内に無機光電変換部をさらに備え、
前記無機光電変換部は、赤色及び青色の波長光を光電変換する
前記(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記光電変換膜は、赤色、緑色、及び青色の波長光を光電変換可能な膜である
前記(1)乃至(9)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(11)
前記光電変換膜の上方に、赤色、緑色、または青色のカラーフィルタが配置されており、
前記光電変換膜は、前記カラーフィルタを通過した光を光電変換する
前記(10)に記載の固体撮像素子。
(12)
前記光電変換部の上方に、高屈折率層をさらに有する
前記(1)乃至(11)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(13)
光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を形成する際に、
前記光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なるように形成する
固体撮像素子の製造方法。
(14)
光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、
前記光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子
を備える電子機器。
(B1)
半導体基板内に形成された無機光電変換部と、有機光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる前記半導体基板の上方に配置された有機光電変換部とを有する位相差画素を備え、
前記無機光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子
(B2)
前記位相差画素は、前記半導体基板と前記有機光電変換部との間に、前記無機光電変換部の一部を遮光する遮光膜をさらに備え、
前記遮光膜の配置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
前記(B1)に記載の固体撮像素子。
(B3)
前記無機光電変換部の形成位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
前記(B1)に記載の固体撮像素子。
(B4)
前記有機光電変換膜は、緑色の波長光を光電変換する膜である
前記(B1)乃至(B3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(B5)
前記無機光電変換部は、赤色または青色の少なくとも1つの波長光を光電変換する
前記(B1)乃至(B4)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(B6)
前記有機光電変換膜は、赤色、緑色、及び青色の波長光を光電変換可能な膜である
前記(B1)乃至(B3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(B7)
前記有機光電変換膜の上方に、赤色、緑色、または青色のカラーフィルタが配置されており、
前記有機光電変換膜は、前記カラーフィルタを通過した光を光電変換する
前記(B6)に記載の固体撮像素子。
(B8)
前記無機光電変換部は、赤外光を光電変換する
前記(B1)乃至(B3)、(B6)、または(B7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(B9)
前記有機光電変換部の上方に、高屈折率層をさらに有する
前記(B1)乃至(B8)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(B10)
半導体基板内に形成された無機光電変換部と、有機光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる前記半導体基板の上方に配置された有機光電変換部とを有する位相差画素を形成する際に、
前記無機光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なるように形成する
固体撮像素子の製造方法。
(B11)
半導体基板内に形成された無機光電変換部と、有機光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる前記半導体基板の上方に配置された有機光電変換部とを有する位相差画素を備え、
前記無機光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子
を備える電子機器。
Claims (13)
- 光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極の形状が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子。 - 前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極は、画素内で少なくとも2つに分割されている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 2つに分割されている前記電極の1つは、固定電位に接続されている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極と前記光電変換膜との接触位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子。 - 前記光電変換膜は、緑色の波長光を光電変換する膜である
請求項1乃至4のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 前記位相差画素は、前記半導体基板内に無機光電変換部をさらに備え、
前記無機光電変換部は、赤色及び青色の波長光を光電変換する
請求項5に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜は、赤色、緑色、及び青色の波長光を光電変換可能な膜である
請求項1乃至4のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜の上方に、赤色、緑色、または青色のカラーフィルタが配置されており、
前記光電変換膜は、前記カラーフィルタを通過した光を光電変換する
請求項7に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部の上方に、高屈折率層をさらに有する
請求項1乃至8のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を形成する際に、
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極の形状が、対となる前記位相差画素どうしで異なるように形成する
固体撮像素子の製造方法。 - 光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極の形状が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子
を備える電子機器。 - 光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を形成する際に、
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極と前記光電変換膜との接触位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子の製造方法。 - 光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極と前記光電変換膜との接触位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子
を備える電子機器。
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