JP7301936B2 - 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7301936B2 JP7301936B2 JP2021195200A JP2021195200A JP7301936B2 JP 7301936 B2 JP7301936 B2 JP 7301936B2 JP 2021195200 A JP2021195200 A JP 2021195200A JP 2021195200 A JP2021195200 A JP 2021195200A JP 7301936 B2 JP7301936 B2 JP 7301936B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- electrode
- photoelectric conversion
- pixels
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 133
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14667—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
1.固体撮像素子の概略構成例
2.画素の第1の実施の形態(対の位相差画素それぞれがダミー画素を有する構成)
3.画素の第2の実施の形態(対の位相差画素で共通のダミー画素を有する構成)
4.画素の第3の実施の形態(位相差画素に素子分離電極が延長された構成)
5.画素の第4の実施の形態(光電変換膜が全波長の光を受光する構成1)
6.画素の第5の実施の形態(光電変換膜が全波長の光を受光する構成2)
7.画素の第6の実施の形態(光電変換膜が全波長の光を受光する構成3)
8.第1の実施の形態の製造方法
9.電子機器への適用例
図1は、本開示に係る固体撮像素子の概略構成を示している。
<通常画素の断面構成>
図2を参照して、固体撮像素子1の通常画素の断面構成について説明する。
図3は、画素アレイ部3内の下部電極の平面レイアウトを示す図である。
図4は、1つの通常画素2Xと位相差画素2PA及びダミー画素2DAのペアが含まれる図3のY1-Y1’線の断面構成を示している。
<下部電極の平面レイアウト>
次に、第2の実施の形態について説明する。なお、第2の実施の形態以降の説明では、それまでに上述した他の実施の形態と同一の符号を付して示した他の実施の形態と対応する部分についての説明は適宜省略し、異なる部分についてのみ説明する。第2の実施の形態における通常画素は、上述した第1の実施の形態と同様であるので、位相差画素についてのみ説明する。
図7は、位相差画素2PA、ダミー画素2DAB、及び、位相差画素2PBを含む図6のY11-Y11’線の断面構成を示している。
<下部電極の平面レイアウト>
次に、第3の実施の形態について説明する。
図9は、2つの通常画素2Xを含む図8のX11-X11’線の断面構成図である。
図8に示した例では、位相差画素2PAまたは2PBの垂直方向及び水平方向の隣りには、通常画素2Xが配置されるレイアウトとされていたが、図12に示されるように、位相差画素2PAと位相差画素2PBが、垂直方向または水平方向の隣りに配置されるレイアウトでもよい。
<画素の断面構成>
次に、第4の実施の形態について説明する。
<画素の断面構成>
次に、第5の実施の形態について説明する。
<画素の断面構成>
次に、第6の実施の形態について説明する。
次に、図18乃至図25を参照しながら、図4に示した第1の実施の形態に係る画素2の製造方法について説明する。
本開示の技術は、固体撮像素子への適用に限られるものではない。即ち、本開示の技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
(1)
光電変換膜と、それを上下で挟む第1電極及び第2電極とからなる光電変換部を有し、前記第1電極及び第2電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された分離電極となっている第1の画素と、
前記光電変換部を有し、前記分離電極が前記第1の画素よりも小さい平面サイズで形成され、それにより空いた領域に、少なくとも画素の境界まで延びる第3電極が形成されている第2の画素と
を備える固体撮像素子。
(2)
前記第3電極は、前記光電変換部で生成された電荷を保持する電荷保持部に接続されている
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記第3電極は、隣りの画素の前記分離電極である
前記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記第3電極は、前記第2の画素とその隣りの画素を含む3画素にまたがる
前記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(5)
前記第3電極は、固定電位を供給する配線と接続されている
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記第3電極は、隣りの画素の前記分離電極との間に形成された素子分離電極である
前記(1)または(5)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記第3電極は、配線と接続されない孤立パターンである
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(8)
前記第2の画素は、焦点検出用の信号を生成する位相差画素である
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(9)
前記光電変換膜は、所定の色の波長光を光電変換する膜である
前記(1)乃至(8)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(10)
前記光電変換膜は、緑色の波長光を光電変換する膜である
前記(9)に記載の固体撮像素子。
(11)
前記第2の画素は、半導体基板内に無機光電変換部をさらに備え、
前記無機光電変換部は、前記光電変換部で光電変換されない波長光を光電変換する
前記(1)乃至(10)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(12)
前記光電変換膜は、赤色、緑色、及び青色の波長光を光電変換可能な膜である
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(13)
前記光電変換膜の上方に、赤色、緑色、または青色のカラーフィルタが配置されており、
前記光電変換膜は、前記カラーフィルタを通過した光を光電変換する
前記(12)に記載の固体撮像素子。
(14)
光電変換膜と、それを上下で挟む第1電極及び第2電極とからなる光電変換部を有し、前記第1電極及び第2電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された分離電極となっている第1の画素と、
前記光電変換部を有し、前記分離電極が前記第1の画素よりも小さい平面サイズで形成され、それにより空いた領域に、少なくとも画素の境界まで延びる第3電極が形成されている第2の画素を形成する
固体撮像素子の製造方法。
(15)
光電変換膜と、それを上下で挟む第1電極及び第2電極とからなる光電変換部を有し、前記第1電極及び第2電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された分離電極となっている第1の画素と、
前記光電変換部を有し、前記分離電極が前記第1の画素よりも小さい平面サイズで形成され、それにより空いた領域に、少なくとも画素の境界まで延びる第3電極が形成されている第2の画素と
を有する固体撮像素子
を備える電子機器。
Claims (11)
- 光電変換膜と、それを上下で挟む第1電極及び第2電極とからなる光電変換部を有し、前記第1電極及び第2電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された分離電極となっている第1の画素と、
前記光電変換部を有し、前記分離電極が前記第1の画素よりも小さい平面サイズで形成され、それにより空いた領域に、少なくとも画素の境界まで延びる第3電極が形成されている第2の画素と、
前記光電変換部を有し、前記分離電極が前記第2の画素の前記分離電極と対称となる配置で前記第1の画素よりも小さい平面サイズで形成され、それにより空いた領域に、少なくとも画素の境界まで延びる第3電極が形成されている第3の画素と
を備え、
前記第1乃至第3の画素の前記分離電極は、前記光電変換部で生成された電荷を保持する電荷保持部に接続され、
前記第3電極は、前記第1乃至第3の画素の前記電荷保持部とは異なる電荷保持部に接続されている
固体撮像素子。 - 前記第3電極は、隣りの画素の前記分離電極である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第3電極は、前記第2の画素とその隣りの画素を含む3画素にまたがる
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の画素と前記第3の画素は、焦点検出用の信号を生成する位相差画素である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜は、所定の色の波長光を光電変換する膜である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜は、緑色の波長光を光電変換する膜である
請求項5に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の画素は、半導体基板内に無機光電変換部をさらに備え、
前記無機光電変換部は、前記光電変換部で光電変換されない波長光を光電変換する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜は、赤色、緑色、及び青色の波長光を光電変換可能な膜である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜の上方に、赤色、緑色、または青色のカラーフィルタが配置されており、
前記光電変換膜は、前記カラーフィルタを通過した光を光電変換する
請求項8に記載の固体撮像素子。 - 光電変換膜と、それを上下で挟む第1電極及び第2電極とからなる光電変換部を有し、前記第1電極及び第2電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された分離電極となっている第1の画素と、
前記光電変換部を有し、前記分離電極が前記第1の画素よりも小さい平面サイズで形成され、それにより空いた領域に、少なくとも画素の境界まで延びる第3電極が形成されている第2の画素と、
前記光電変換部を有し、前記分離電極が前記第2の画素の前記分離電極と対称となる配置で前記第1の画素よりも小さい平面サイズで形成され、それにより空いた領域に、少なくとも画素の境界まで延びる第3電極が形成されている第3の画素とを形成し、
前記第1乃至第3の画素の前記分離電極は、前記光電変換部で生成された電荷を保持する電荷保持部に接続され、
前記第3電極は、前記第1乃至第3の画素の前記電荷保持部とは異なる電荷保持部に接続されている
固体撮像素子の製造方法。 - 光電変換膜と、それを上下で挟む第1電極及び第2電極とからなる光電変換部を有し、前記第1電極及び第2電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された分離電極となっている第1の画素と、
前記光電変換部を有し、前記分離電極が前記第1の画素よりも小さい平面サイズで形成され、それにより空いた領域に、少なくとも画素の境界まで延びる第3電極が形成されている第2の画素と、
前記光電変換部を有し、前記分離電極が前記第2の画素の前記分離電極と対称となる配置で前記第1の画素よりも小さい平面サイズで形成され、それにより空いた領域に、少なくとも画素の境界まで延びる第3電極が形成されている第3の画素と
を備え、
前記第1乃至第3の画素の前記分離電極は、前記光電変換部で生成された電荷を保持する電荷保持部に接続され、
前記第3電極は、前記第1乃至第3の画素の前記電荷保持部とは異なる電荷保持部に接続されている
固体撮像素子
を備える電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023101488A JP2023118774A (ja) | 2014-11-05 | 2023-06-21 | 光検出素子 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014225190 | 2014-11-05 | ||
JP2014225190 | 2014-11-05 | ||
JP2016557699A JP6789820B2 (ja) | 2014-11-05 | 2015-10-22 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2020184271A JP6987950B2 (ja) | 2014-11-05 | 2020-11-04 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020184271A Division JP6987950B2 (ja) | 2014-11-05 | 2020-11-04 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023101488A Division JP2023118774A (ja) | 2014-11-05 | 2023-06-21 | 光検出素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022027813A JP2022027813A (ja) | 2022-02-14 |
JP7301936B2 true JP7301936B2 (ja) | 2023-07-03 |
Family
ID=55909008
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016557699A Active JP6789820B2 (ja) | 2014-11-05 | 2015-10-22 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2020184271A Active JP6987950B2 (ja) | 2014-11-05 | 2020-11-04 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2021195200A Active JP7301936B2 (ja) | 2014-11-05 | 2021-12-01 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2023101488A Pending JP2023118774A (ja) | 2014-11-05 | 2023-06-21 | 光検出素子 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016557699A Active JP6789820B2 (ja) | 2014-11-05 | 2015-10-22 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2020184271A Active JP6987950B2 (ja) | 2014-11-05 | 2020-11-04 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023101488A Pending JP2023118774A (ja) | 2014-11-05 | 2023-06-21 | 光検出素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10453890B2 (ja) |
JP (4) | JP6789820B2 (ja) |
KR (3) | KR102650235B1 (ja) |
CN (2) | CN107078147B (ja) |
TW (4) | TW202306133A (ja) |
WO (1) | WO2016072281A1 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202306133A (zh) * | 2014-11-05 | 2023-02-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固體攝像元件及其製造方法以及電子機器 |
US20160181309A1 (en) * | 2014-12-22 | 2016-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Microlens and method of manufacturing microlens |
US9973678B2 (en) | 2015-01-14 | 2018-05-15 | Invisage Technologies, Inc. | Phase-detect autofocus |
CN107210311B (zh) | 2015-01-29 | 2020-10-27 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态成像器件和电子设备 |
JP6595804B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2019-10-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP6706482B2 (ja) * | 2015-11-05 | 2020-06-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
US10063763B2 (en) | 2016-07-07 | 2018-08-28 | Tdk Taiwan Corp. | Camera module |
WO2018075581A1 (en) | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Invisage Technologies, Inc. | Noise mitigation in image sensors with selectable row readout |
WO2018075706A1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensor with pixels for phase difference-based autofocus |
JP6857341B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2021-04-14 | 株式会社シグマ | 撮像装置及び信号処理方法 |
KR102549541B1 (ko) * | 2017-01-11 | 2023-06-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102652981B1 (ko) * | 2017-01-16 | 2024-04-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102550831B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2023-07-04 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자, 전자 기기, 및 제조 방법 |
JP7026336B2 (ja) * | 2017-06-06 | 2022-02-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置、および、カメラシステム |
KR20190012812A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 위상차 검출 픽셀을 구비한 이미지 센서 |
JP2019041142A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
JP2019040897A (ja) | 2017-08-22 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び電子機器 |
DE112018004434T5 (de) * | 2017-10-04 | 2020-05-20 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Festkörper-bildgebungselement und elektronische vorrichtung |
CN107919374A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-04-17 | 德淮半导体有限公司 | 一种图像传感器及其形成方法 |
JP2019133982A (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム及び移動体 |
JP2019165136A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
DE112019002867T5 (de) * | 2018-06-05 | 2021-04-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Bildgebungsvorrichtung |
CN112204744A (zh) * | 2018-06-06 | 2021-01-08 | 索尼半导体解决方案公司 | 摄像元件和电子设备 |
DE112019003373T5 (de) * | 2018-07-03 | 2021-04-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Festkörper-bildsensor |
JP2020016681A (ja) * | 2018-07-23 | 2020-01-30 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、液晶装置の駆動方法、および電子機器 |
KR102553314B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2023-07-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN117037224A (zh) * | 2019-02-19 | 2023-11-10 | 群创光电股份有限公司 | 使电子装置接收指纹数据的方法及相关的电子装置 |
EP3936837A4 (en) * | 2019-03-06 | 2022-04-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | LIGHT DETECTION DEVICE AND SYSTEM, AND NETWORK OF FILTERS |
US11297219B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-04-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor |
CN113939910A (zh) * | 2019-07-24 | 2022-01-14 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像装置、电子设备和固态摄像装置的制造方法 |
KR20210047483A (ko) * | 2019-10-22 | 2021-04-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 복수의 촬영 모드를 지원하는 이미지 센서 |
JP7504630B2 (ja) * | 2020-03-09 | 2024-06-24 | キヤノン株式会社 | 撮像素子、撮像装置、コンピュータプログラム及び記憶媒体 |
JP2021190483A (ja) * | 2020-05-26 | 2021-12-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
JP2022000873A (ja) * | 2020-06-19 | 2022-01-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
US11728362B2 (en) | 2021-04-22 | 2023-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd | Image sensor pixel and metal shielding of charge storage device of image sensor pixel formed by one step process |
US20230029820A1 (en) * | 2021-08-02 | 2023-02-02 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor and method of forming the same |
US20230110102A1 (en) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | Visera Technologies Company Limited | Solid-state image sensor |
TWI792651B (zh) * | 2021-11-01 | 2023-02-11 | 友達光電股份有限公司 | 感光裝置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284562A (ja) | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | X線検出装置用アレイ基板およびその検査方法 |
JP2011029337A (ja) | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011210748A (ja) | 2010-03-26 | 2011-10-20 | Fujifilm Corp | Ccd型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
JP2011216701A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
WO2014208047A1 (ja) | 2013-06-24 | 2014-12-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60123059A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | 密着型カラ−イメ−ジセンサ |
JPH0258381A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd | 光電変換素子およびラインイメージセンサ |
JPH10115552A (ja) * | 1996-08-19 | 1998-05-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置および固体撮像装置 |
JPH1197664A (ja) * | 1997-09-20 | 1999-04-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器およびその作製方法 |
US8848047B2 (en) * | 2006-09-28 | 2014-09-30 | Fujifilm Corporation | Imaging device and endoscopic apparatus |
JP4961590B2 (ja) | 2007-04-13 | 2012-06-27 | 力晶科技股▲ふん▼有限公司 | イメージセンサー及びその製作方法 |
WO2008132812A1 (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Nikon Corporation | 固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置 |
JP5040458B2 (ja) * | 2007-06-16 | 2012-10-03 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP5359465B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-12-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
JP5537905B2 (ja) | 2009-11-10 | 2014-07-02 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP4779054B1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP5651986B2 (ja) * | 2010-04-02 | 2015-01-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器及びカメラモジュール |
JP2011249445A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
US8908070B2 (en) * | 2010-06-18 | 2014-12-09 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and digital camera |
JP5693082B2 (ja) | 2010-08-09 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP2014029351A (ja) * | 2010-11-18 | 2014-02-13 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP5682327B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2015-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
JP5539584B2 (ja) | 2011-03-24 | 2014-07-02 | 富士フイルム株式会社 | カラー撮像素子、撮像装置、及び撮像プログラム |
JP5466338B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
JP5556823B2 (ja) | 2012-01-13 | 2014-07-23 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置および電子カメラ |
CN104067393B (zh) * | 2012-01-23 | 2018-06-12 | 索尼公司 | 固态图像拾取装置及其制造方法、以及电子设备 |
JP2014067948A (ja) | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子および撮像装置 |
TWI636557B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-09-21 | 新力股份有限公司 | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic device |
JP6108172B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-04-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2015170620A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-28 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
KR102328769B1 (ko) * | 2014-06-20 | 2021-11-18 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서와 이를 포함하는 이미지 처리 시스템 |
TW202306133A (zh) * | 2014-11-05 | 2023-02-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固體攝像元件及其製造方法以及電子機器 |
-
2015
- 2015-09-11 TW TW111140058A patent/TW202306133A/zh unknown
- 2015-09-11 TW TW104130188A patent/TWI692090B/zh active
- 2015-09-11 TW TW110132803A patent/TWI788994B/zh active
- 2015-09-11 TW TW109109193A patent/TWI742573B/zh active
- 2015-10-22 WO PCT/JP2015/079820 patent/WO2016072281A1/ja active Application Filing
- 2015-10-22 JP JP2016557699A patent/JP6789820B2/ja active Active
- 2015-10-22 KR KR1020237031997A patent/KR102650235B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-22 CN CN201580057669.7A patent/CN107078147B/zh active Active
- 2015-10-22 CN CN202110417230.8A patent/CN113206118A/zh active Pending
- 2015-10-22 KR KR1020227024947A patent/KR102582168B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-22 US US15/521,718 patent/US10453890B2/en active Active
- 2015-10-22 KR KR1020177008446A patent/KR102430114B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-07-19 US US16/516,871 patent/US11217620B2/en active Active
-
2020
- 2020-11-04 JP JP2020184271A patent/JP6987950B2/ja active Active
-
2021
- 2021-10-19 US US17/504,807 patent/US20220059592A1/en active Pending
- 2021-12-01 JP JP2021195200A patent/JP7301936B2/ja active Active
-
2023
- 2023-06-21 JP JP2023101488A patent/JP2023118774A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284562A (ja) | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | X線検出装置用アレイ基板およびその検査方法 |
JP2011029337A (ja) | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011210748A (ja) | 2010-03-26 | 2011-10-20 | Fujifilm Corp | Ccd型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
JP2011216701A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
WO2014208047A1 (ja) | 2013-06-24 | 2014-12-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201618289A (zh) | 2016-05-16 |
CN107078147B (zh) | 2021-04-20 |
US10453890B2 (en) | 2019-10-22 |
JP2021028981A (ja) | 2021-02-25 |
KR102582168B1 (ko) | 2023-09-25 |
US11217620B2 (en) | 2022-01-04 |
US20200083276A1 (en) | 2020-03-12 |
TWI788994B (zh) | 2023-01-01 |
JPWO2016072281A1 (ja) | 2017-08-31 |
TW202306133A (zh) | 2023-02-01 |
JP2023118774A (ja) | 2023-08-25 |
CN107078147A (zh) | 2017-08-18 |
KR102650235B1 (ko) | 2024-03-25 |
US20220059592A1 (en) | 2022-02-24 |
TWI692090B (zh) | 2020-04-21 |
TW202029484A (zh) | 2020-08-01 |
CN113206118A (zh) | 2021-08-03 |
WO2016072281A1 (ja) | 2016-05-12 |
TWI742573B (zh) | 2021-10-11 |
JP6789820B2 (ja) | 2020-11-25 |
KR20170077116A (ko) | 2017-07-05 |
KR20230136704A (ko) | 2023-09-26 |
KR20220106236A (ko) | 2022-07-28 |
TW202147588A (zh) | 2021-12-16 |
JP6987950B2 (ja) | 2022-01-05 |
JP2022027813A (ja) | 2022-02-14 |
US20170243912A1 (en) | 2017-08-24 |
KR102430114B1 (ko) | 2022-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7301936B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
KR102327240B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 | |
WO2016114154A1 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2016127264A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2015065270A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2012033583A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置 | |
WO2016104177A1 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
WO2015079944A1 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JPWO2017159362A1 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230621 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7301936 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |