JP2015050331A - 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像素子は、光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備える。光電変換部の光電変換領域が、対となる位相差画素どうしで異なる。本開示の技術は、例えば、裏面照射型の固体撮像素子等に適用できる。
【選択図】図2
Description
1.固体撮像素子の概略構成例
2.位相差画素の第1の実施の形態(下部電極の形状を変更する構成)
3.位相差画素の第2の実施の形態(排出用の下部電極を有する構成)
4.位相差画素の第3の実施の形態(光電変換膜と下部電極の間に層間膜を形成する構成)
5.位相差画素の第4の実施の形態(第1の実施の形態の変形例)
6.位相差画素の第5の実施の形態(第2の実施の形態の変形例)
7.位相差画素の第6の実施の形態(第3の実施の形態の変形例)
8.位相差画素の第7の実施の形態(フォトダイオード上に遮光膜を有する構成)
9.位相差画素の第8の実施の形態(フォトダイオード領域を変更する構成)
10.位相差画素の第9の実施の形態(光電変換膜上に遮光膜を形成する第1の構成)
11.位相差画素の第10の実施の形態(光電変換膜上に遮光膜を形成する第2の構成)
12.位相差画素の第11の実施の形態(赤外光で位相差信号を生成する第1の構成)
13.位相差画素の第12の実施の形態(赤外光で位相差信号を生成する第2の構成)
14.第1の実施の形態の製造方法
15.第2の実施の形態の製造方法
16.第9の実施の形態の製造方法
17.遮光膜の配置例
18.電子機器への適用例
図1は、本開示に係る固体撮像素子の概略構成を示している。
以下において、固体撮像素子1の通常画素2X、位相差画素2PA、及び位相差画素2PBの断面構成について詳しく説明する。
次に、図3を参照して、位相差画素2Pの第2の実施の形態について説明する。
次に、図4を参照して、位相差画素2Pの第3の実施の形態について説明する。
次に、図5を参照して、位相差画素2Pの第4の実施の形態について説明する。
次に、図6を参照して、位相差画素2Pの第5の実施の形態について説明する。
次に、図7を参照して、位相差画素2Pの第6の実施の形態について説明する。
上述した第1乃至第6の実施の形態では、位相差画素2Pの有機光電変換膜52による光電変換領域を通常画素2Xと変更させることで、光の入射角に対して感度が非対称性を有する焦点検出用の信号を生成することができる。
次に、図8を参照して、位相差画素2Pの第7の実施の形態について説明する。
次に、図9を参照して、位相差画素2Pの第8の実施の形態について説明する。
上述した第7及び第8の実施の形態では、有機光電変換膜52については焦点検出用の信号を生成する光電変換層としては利用せず、半導体基板12内のフォトダイオードPD1及びPD2を、焦点検出用の信号を生成する光電変換層として利用する構造が採用された。
次に、図10を参照して、位相差画素2Pの第9の実施の形態について説明する。
次に、図11を参照して、位相差画素2Pの第10の実施の形態について説明する。
上述した第9及び第10の実施の形態では、上部電極53bに所定の電圧を供給する接続配線124を形成する工程と同一工程で、有機光電変換膜52の上方に遮光膜121を形成することができる。これにより、縦方向分光型の固体撮像素子1において、工程数の増加を避けながら、位相差画素を実現することができる。
次に、図12を参照して、位相差画素2Pの第11の実施の形態について説明する。
次に、図13を参照して、位相差画素2Pの第12の実施の形態について説明する。
一般的には欠陥画素として扱われ補正処理が必要となる位相差画素が、上述した第11及び第12の実施の形態によれば、位相差画素2Pを含む全画素2で画像生成用の信号を出力することができるので、位相差画素2PAと位相差画素2PBが欠陥画素として扱われないで済む。これにより、位相差画素に対する補正処理が不要となり、欠陥画素の増加を抑制し、かつ、撮像画像の高画質化を図ることができる。
次に、図14乃至図21を参照しながら、図2に示した第1の実施の形態の製造方法について説明する。
次に、図22を参照しながら、図4に示した第2の実施の形態の製造方法について説明する。
次に、図23を参照しながら、図10に示した第9の実施の形態の製造方法について説明する。
本開示の技術は、固体撮像素子への適用に限られるものではない。即ち、本開示の技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
(1)
光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、
前記光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子。
(2)
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極の形状が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極は、画素内で少なくとも2つに分割されている
前記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
2つに分割されている前記電極の1つは、固定電位に接続されている
前記(3)に記載の固体撮像素子。
(5)
前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極と前記光電変換膜との接触位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記位相差画素は、前記光電変換部の上方に、入射光を遮光する遮光膜をさらに備え、
前記遮光膜の配置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記遮光膜は、光入射面側の前記電極と電気的に接続されている
前記(6)に記載の固体撮像素子。
(8)
前記光電変換膜は、緑色の波長光を光電変換する膜である
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(9)
前記位相差画素は、前記半導体基板内に無機光電変換部をさらに備え、
前記無機光電変換部は、赤色及び青色の波長光を光電変換する
前記(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記光電変換膜は、赤色、緑色、及び青色の波長光を光電変換可能な膜である
前記(1)乃至(9)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(11)
前記光電変換膜の上方に、赤色、緑色、または青色のカラーフィルタが配置されており、
前記光電変換膜は、前記カラーフィルタを通過した光を光電変換する
前記(10)に記載の固体撮像素子。
(12)
前記光電変換部の上方に、高屈折率層をさらに有する
前記(1)乃至(11)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(13)
光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を形成する際に、
前記光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なるように形成する
固体撮像素子の製造方法。
(14)
光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、
前記光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子
を備える電子機器。
(B1)
半導体基板内に形成された無機光電変換部と、有機光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる前記半導体基板の上方に配置された有機光電変換部とを有する位相差画素を備え、
前記無機光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子
(B2)
前記位相差画素は、前記半導体基板と前記有機光電変換部との間に、前記無機光電変換部の一部を遮光する遮光膜をさらに備え、
前記遮光膜の配置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
前記(B1)に記載の固体撮像素子。
(B3)
前記無機光電変換部の形成位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
前記(B1)に記載の固体撮像素子。
(B4)
前記有機光電変換膜は、緑色の波長光を光電変換する膜である
前記(B1)乃至(B3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(B5)
前記無機光電変換部は、赤色または青色の少なくとも1つの波長光を光電変換する
前記(B1)乃至(B4)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(B6)
前記有機光電変換膜は、赤色、緑色、及び青色の波長光を光電変換可能な膜である
前記(B1)乃至(B3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(B7)
前記有機光電変換膜の上方に、赤色、緑色、または青色のカラーフィルタが配置されており、
前記有機光電変換膜は、前記カラーフィルタを通過した光を光電変換する
前記(B6)に記載の固体撮像素子。
(B8)
前記無機光電変換部は、赤外光を光電変換する
前記(B1)乃至(B3)、(B6)、または(B7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(B9)
前記有機光電変換部の上方に、高屈折率層をさらに有する
前記(B1)乃至(B8)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(B10)
半導体基板内に形成された無機光電変換部と、有機光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる前記半導体基板の上方に配置された有機光電変換部とを有する位相差画素を形成する際に、
前記無機光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なるように形成する
固体撮像素子の製造方法。
(B11)
半導体基板内に形成された無機光電変換部と、有機光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる前記半導体基板の上方に配置された有機光電変換部とを有する位相差画素を備え、
前記無機光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子
を備える電子機器。
Claims (14)
- 光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、
前記光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子。 - 前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極の形状が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極は、画素内で少なくとも2つに分割されている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 2つに分割されている前記電極の1つは、固定電位に接続されている
請求項3に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部の画素ごとに分離された形状を有する前記電極と前記光電変換膜との接触位置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記位相差画素は、前記光電変換部の上方に、入射光を遮光する遮光膜をさらに備え、
前記遮光膜の配置が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記遮光膜は、光入射面側の前記電極と電気的に接続されている
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜は、緑色の波長光を光電変換する膜である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記位相差画素は、前記半導体基板内に無機光電変換部をさらに備え、
前記無機光電変換部は、赤色及び青色の波長光を光電変換する
請求項8に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜は、赤色、緑色、及び青色の波長光を光電変換可能な膜である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜の上方に、赤色、緑色、または青色のカラーフィルタが配置されており、
前記光電変換膜は、前記カラーフィルタを通過した光を光電変換する
請求項10に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部の上方に、高屈折率層をさらに有する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を形成する際に、
前記光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なるように形成する
固体撮像素子の製造方法。 - 光電変換膜と、それを上下で挟む電極とからなり、上下の電極のうちの少なくとも一方の電極が画素ごとに分離された形状を有し、光入射面側となる半導体基板の上方に配置された光電変換部を少なくとも有する位相差画素を備え、
前記光電変換部の光電変換領域が、対となる前記位相差画素どうしで異なる
固体撮像素子
を備える電子機器。
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Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016194620A1 (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
JPWO2014208047A1 (ja) * | 2013-06-24 | 2017-02-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2017073436A (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
WO2017077899A1 (en) | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
JP2017157816A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
WO2017169314A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、及び電子装置 |
JP2018006725A (ja) * | 2016-07-07 | 2018-01-11 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | カメラモジュール |
JPWO2017061273A1 (ja) * | 2015-10-05 | 2018-07-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、製造方法 |
WO2019039010A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
JP2020005001A (ja) * | 2019-10-01 | 2020-01-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
JPWO2018169009A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2020-01-16 | シャープ株式会社 | 撮像装置およびx線撮像装置 |
US10692904B2 (en) | 2015-03-13 | 2020-06-23 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image sensing device, drive method, and electronic apparatus |
JP2020174188A (ja) * | 2020-06-25 | 2020-10-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
JPWO2019069752A1 (ja) * | 2017-10-04 | 2020-11-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び電子装置 |
JP2020188269A (ja) * | 2016-03-01 | 2020-11-19 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
US10998355B2 (en) | 2015-05-27 | 2021-05-04 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus |
WO2021085227A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | ソニー株式会社 | 光電変換素子および撮像素子 |
WO2021157468A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子および撮像素子 |
WO2021172036A1 (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ素子およびセンサ装置 |
WO2022059415A1 (ja) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子および撮像装置 |
WO2022190867A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および測距システム |
US11509846B2 (en) | 2017-08-22 | 2022-11-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus for miniturization of pixels and improving light detection sensitivity |
JP2023037557A (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-15 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 | 固体撮像素子 |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012238648A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP6108172B2 (ja) | 2013-09-02 | 2017-04-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP6521586B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2019-05-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
JP2016058451A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | キヤノン株式会社 | センサおよびカメラ |
TWI742573B (zh) * | 2014-11-05 | 2021-10-11 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固體攝像元件及其製造方法以及電子機器 |
US9973678B2 (en) | 2015-01-14 | 2018-05-15 | Invisage Technologies, Inc. | Phase-detect autofocus |
JP6709738B2 (ja) * | 2015-01-29 | 2020-06-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
TWI700824B (zh) * | 2015-02-09 | 2020-08-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像元件及電子裝置 |
JP6536126B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-07-03 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP2017011002A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
US9832399B2 (en) * | 2016-01-29 | 2017-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor and method for manufacturing the same |
US10580814B2 (en) * | 2016-03-15 | 2020-03-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device having light shielding films, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP2018056517A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ニコン | 撮像素子および焦点調節装置 |
WO2018075581A1 (en) | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Invisage Technologies, Inc. | Noise mitigation in image sensors with selectable row readout |
WO2018075706A1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensor with pixels for phase difference-based autofocus |
JP6926450B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2021-08-25 | ソニーグループ株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
JP2018093052A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
US11282884B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-03-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and method for producing the same, and electronic device |
KR102619669B1 (ko) | 2016-12-30 | 2023-12-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102576338B1 (ko) | 2017-01-04 | 2023-09-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102577261B1 (ko) * | 2017-01-09 | 2023-09-11 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서, 이미지 센서 제조 방법 |
KR102652981B1 (ko) | 2017-01-16 | 2024-04-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP7193907B2 (ja) * | 2017-01-23 | 2022-12-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US12009379B2 (en) * | 2017-05-01 | 2024-06-11 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor |
KR102412617B1 (ko) | 2017-05-10 | 2022-06-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP2019012968A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
CN109300923B (zh) * | 2017-07-25 | 2023-11-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
JP7171199B2 (ja) * | 2017-08-03 | 2022-11-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
JP2019041018A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
KR102510520B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2023-03-15 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP2019114576A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子および固体撮像装置 |
US11011583B2 (en) * | 2018-02-05 | 2021-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors and electronic devices |
KR102506885B1 (ko) | 2018-02-27 | 2023-03-06 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102564457B1 (ko) * | 2018-04-02 | 2023-08-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR102632442B1 (ko) * | 2018-05-09 | 2024-01-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 전자 장치 |
CN109119434A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-01 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种像素结构及其制造方法 |
JP2022002229A (ja) * | 2018-09-05 | 2022-01-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、および撮像素子 |
KR102498503B1 (ko) | 2018-09-05 | 2023-02-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN109302565A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-02-01 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
JP7281895B2 (ja) | 2018-12-06 | 2023-05-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
JP2020113573A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
KR20200108133A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미징 장치 |
KR20210012437A (ko) * | 2019-07-25 | 2021-02-03 | 삼성전자주식회사 | 자동 초점 이미지 센서의 픽셀 어레이 및 이를 포함하는 자동 초점 이미지 센서 |
CN112466894A (zh) * | 2019-09-06 | 2021-03-09 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 半导体装置及其形成方法 |
KR20210053412A (ko) | 2019-11-01 | 2021-05-12 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US11271024B2 (en) * | 2019-12-09 | 2022-03-08 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor device and method for forming the same |
KR20220010891A (ko) * | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 전자 장치 |
TWI771149B (zh) * | 2021-08-13 | 2022-07-11 | 友達光電股份有限公司 | 指紋感測裝置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011029337A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011029932A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2011103335A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2011138927A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011171749A (ja) * | 2011-03-22 | 2011-09-01 | Nikon Corp | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 |
JP2013135123A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器 |
JP2013145292A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置および電子カメラ |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4961111B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2012-06-27 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換膜積層型固体撮像素子とその製造方法 |
JP4839008B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-12-14 | 富士フイルム株式会社 | 単板式カラー固体撮像素子 |
US7755123B2 (en) * | 2007-08-24 | 2010-07-13 | Aptina Imaging Corporation | Apparatus, system, and method providing backside illuminated imaging device |
JP2009099817A (ja) | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP2010160313A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Sony Corp | 撮像素子および撮像装置 |
JP5455397B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | 光学機器 |
JP2011176715A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nikon Corp | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 |
JP5533046B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-06-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
WO2013031537A1 (ja) | 2011-08-30 | 2013-03-07 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置及びデジタルカメラ |
WO2014208047A1 (ja) * | 2013-06-24 | 2014-12-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP6108172B2 (ja) | 2013-09-02 | 2017-04-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
-
2013
- 2013-09-02 JP JP2013181248A patent/JP6108172B2/ja active Active
-
2014
- 2014-08-26 KR KR1020227015536A patent/KR102568441B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-26 KR KR1020217036465A patent/KR102398120B1/ko active IP Right Grant
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- 2014-08-26 KR KR1020157033322A patent/KR102327240B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-03-31 US US15/087,884 patent/US10566557B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-08-27 US US16/113,190 patent/US11233210B2/en active Active
-
2021
- 2021-12-14 US US17/550,897 patent/US11839094B2/en active Active
-
2023
- 2023-10-19 US US18/490,304 patent/US20240049484A1/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011029337A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011029932A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2011103335A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2011138927A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011171749A (ja) * | 2011-03-22 | 2011-09-01 | Nikon Corp | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 |
JP2013135123A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器 |
JP2013145292A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置および電子カメラ |
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018014762A (ja) * | 2013-06-24 | 2018-01-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JPWO2014208047A1 (ja) * | 2013-06-24 | 2017-02-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US10692904B2 (en) | 2015-03-13 | 2020-06-23 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image sensing device, drive method, and electronic apparatus |
US10998355B2 (en) | 2015-05-27 | 2021-05-04 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus |
WO2016194620A1 (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
JPWO2017061273A1 (ja) * | 2015-10-05 | 2018-07-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、製造方法 |
KR20180066020A (ko) * | 2015-10-06 | 2018-06-18 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 이미지 센서, 및 전자 장치 |
KR102641556B1 (ko) * | 2015-10-06 | 2024-02-28 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 이미지 센서, 및 전자 장치 |
JP2017073436A (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
US11838662B2 (en) | 2015-11-05 | 2023-12-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
US10469780B2 (en) | 2015-11-05 | 2019-11-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
US11303834B2 (en) | 2015-11-05 | 2022-04-12 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus with enhanced conversion efficiency |
WO2017077899A1 (en) | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
JP2017092150A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
US10714532B2 (en) | 2016-03-01 | 2020-07-14 | Sony Corporation | Imaging device having first, second and third electrodes with an insulating material and a photoelectric conversion layer and driving method for imaging device having the same, and electronic apparatus |
JP2017157816A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
JP6992851B2 (ja) | 2016-03-01 | 2022-01-13 | ソニーグループ株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
JP2020188269A (ja) * | 2016-03-01 | 2020-11-19 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
US11348965B2 (en) | 2016-03-01 | 2022-05-31 | Sony Corporation | Imaging device having a plurality of electrodes with a photoelectric conversion layer forming a photoelectric conversion unit |
KR20180127327A (ko) * | 2016-03-31 | 2018-11-28 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자, 및 전자 장치 |
US11335722B2 (en) | 2016-03-31 | 2022-05-17 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
JPWO2017169314A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-02-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、及び電子装置 |
WO2017169314A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、及び電子装置 |
KR102653045B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2024-04-01 | 소니그룹주식회사 | 고체 촬상 소자, 및 전자 장치 |
US10063763B2 (en) | 2016-07-07 | 2018-08-28 | Tdk Taiwan Corp. | Camera module |
JP2018006725A (ja) * | 2016-07-07 | 2018-01-11 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | カメラモジュール |
JPWO2018169009A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2020-01-16 | シャープ株式会社 | 撮像装置およびx線撮像装置 |
US11240450B2 (en) | 2017-08-22 | 2022-02-01 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element, method for manufacturing solid-state imaging element, and electronic apparatus |
WO2019039010A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
US11743614B2 (en) | 2017-08-22 | 2023-08-29 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus with a charge storage unit electrically connected to each of a lower electrode of a phase difference detection pixel, an adjacent pixel and a normal pixel via a capacitance, wherein the capacitance connected to the adjacent pixel is greater than a capacitance connected to the normal pixel |
US11509846B2 (en) | 2017-08-22 | 2022-11-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus for miniturization of pixels and improving light detection sensitivity |
JPWO2019069752A1 (ja) * | 2017-10-04 | 2020-11-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び電子装置 |
JP2020005001A (ja) * | 2019-10-01 | 2020-01-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
WO2021085227A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | ソニー株式会社 | 光電変換素子および撮像素子 |
WO2021157468A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子および撮像素子 |
WO2021172036A1 (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ素子およびセンサ装置 |
JP2020174188A (ja) * | 2020-06-25 | 2020-10-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
JP7022174B2 (ja) | 2020-06-25 | 2022-02-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
WO2022059415A1 (ja) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子および撮像装置 |
WO2022190867A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および測距システム |
JP2023037557A (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-15 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 | 固体撮像素子 |
JP7357095B2 (ja) | 2021-09-03 | 2023-10-05 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 | 固体撮像素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102568441B1 (ko) | 2023-08-21 |
US11839094B2 (en) | 2023-12-05 |
US20160133865A1 (en) | 2016-05-12 |
CN105229791A (zh) | 2016-01-06 |
CN105229791B (zh) | 2019-06-07 |
US20220181567A1 (en) | 2022-06-09 |
US9882154B2 (en) | 2018-01-30 |
US20160293873A1 (en) | 2016-10-06 |
KR20160051687A (ko) | 2016-05-11 |
WO2015029425A1 (en) | 2015-03-05 |
KR20210135651A (ko) | 2021-11-15 |
JP6108172B2 (ja) | 2017-04-05 |
KR102327240B1 (ko) | 2021-11-17 |
KR102398120B1 (ko) | 2022-05-16 |
US20240049484A1 (en) | 2024-02-08 |
KR20230122179A (ko) | 2023-08-22 |
KR20220066188A (ko) | 2022-05-23 |
US11233210B2 (en) | 2022-01-25 |
US20190013489A1 (en) | 2019-01-10 |
US10566557B2 (en) | 2020-02-18 |
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