JPWO2016114154A1 - 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
1.固体撮像素子の概略構成例
2.画素の第1の実施の形態(インナーレンズのない構成例)
3.第1の実施の形態に係る画素の製造方法
4.画素の第2の実施の形態(インナーレンズを有する第1構成例)
5.画素の第3の実施の形態(インナーレンズを有する第2構成例)
6.画素の第4の実施の形態(インナーレンズを有する第3構成例)
7.位相差画素の画素構造
8.インナーレンズの形成方法
9.オンチップレンズの形状について
10.OPB領域の遮光構造
11.固体撮像素子の基板構成例
12.電子機器への適用例
図1は、本開示に係る固体撮像素子の概略構成を示している。
<画素の断面構成図>
図2は、第1の実施の形態に係る画素2の断面構成図である。
次に、図4乃至図6を参照して、上述した第1の実施の形態に係る画素2の製造方法について説明する。
図7は、遮光壁61を一段で形成した場合と、本開示の画素構造のように、遮光壁61を複数段(二段)で形成した場合との受光特性分布を示している。
図8は、第2の実施の形態に係る画素2の断面構成図である。
図9は、第3の実施の形態に係る画素2の断面構成図である。
図10は、第4の実施の形態に係る画素2の断面構成図である。
図11を参照して、位相差画素2Pの画素構造について説明する。
図12を参照して、遮光壁レイヤにインナーレンズ121を設ける場合のインナーレンズ121の形成方法について説明する。
図13を参照して、オンチップレンズ72の形状について説明する。
次に、画素有効領域外のOPB領域の遮光構造について説明する。
図1の固体撮像素子1は、図19のAに示されるように、1枚の半導体基板12に、複数の画素2が配列されている画素領域221と、画素2を制御する制御回路222と、画素信号の信号処理回路を含むロジック回路223とが形成された構成とされている。
本開示は、固体撮像素子への適用に限られるものではない。即ち、本開示は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
(1)
複数の画素が行列状に2次元配置されており、画素間に複数段の遮光壁を有する画素アレイ部を備える固体撮像素子。
(2)
裏面照射型である
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記複数段の遮光壁それぞれは、瞳補正がされた位置に形成されている
前記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
カラーフィルタに最も近い遮光壁レイヤの前記遮光壁の瞳補正量C及び幅Xとして、前記カラーフィルタの瞳補正量Dは、C≦D≦C+X/2の条件を満たす
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記カラーフィルタの瞳補正量Dは、前記カラーフィルタに最も近い遮光壁レイヤの前記遮光壁の瞳補正量Cと同じである
前記(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記複数段の遮光壁のうち、第Q段目(Q>2)の瞳補正量は、その下の第Q−1段目の瞳補正量以上の補正量である
前記(3)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記複数段の遮光壁のうち、第Q段目(Q>2)の遮光壁は、その下の第Q−1段目の遮光壁と前記画素アレイ部内の少なくとも一部で接続されており、前記第Q段目の遮光壁と前記第Q−1段目の遮光壁は、電気的に同電位である
前記(1)乃至(6)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(8)
前記遮光壁は、平面方向の面積が底面から上方に行くほど大きくなる順テーパー形状である
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(9)
前記画素のオンチップレンズの斜め方向と水平方向との曲率半径比は、1乃至1.2の範囲である
前記(1)乃至(8)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(10)
前記複数段の遮光壁の形成層である複数段の遮光壁レイヤのうち、少なくとも1つの遮光壁レイヤの所定の画素にインナーレンズが形成されている
前記(1)乃至(9)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(11)
所定のカラーフィルタの色の画素に前記インナーレンズが形成されている
前記(10)に記載の固体撮像素子。
(12)
カラーフィルタの色によって、前記インナーレンズが形成されている前記遮光壁レイヤが異なる
前記(10)に記載の固体撮像素子。
(13)
通常画素と位相差画素で前記インナーレンズの有無が異なる
前記(10)に記載の固体撮像素子。
(14)
通常画素と位相差画素で前記インナーレンズが形成されている前記遮光壁レイヤが異なる
前記(10)に記載の固体撮像素子。
(15)
前記複数の画素の一部は、位相差画素である
前記(1)乃至(14)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(16)
前記画素アレイ部内の画素有効領域外のOPB領域にも、前記複数段の遮光壁が形成されている
前記(1)乃至(15)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(17)
前記OPB領域の前記複数段の遮光壁の断面形状は、テーパー形状に形成されている
前記(16)に記載の固体撮像素子。
(18)
前記OPB領域の前記複数段の遮光壁の平面方向の位置は、各段の遮光壁で異なる
前記(16)または(17)に記載の固体撮像素子。
(19)
複数の画素が行列状に2次元配置される画素アレイ部を形成する際に、画素間に複数段の遮光壁を形成する
固体撮像素子の製造方法。
(20)
複数の画素が行列状に2次元配置されており、画素間に複数段の遮光壁を有する画素アレイ部を有する固体撮像素子
を備える電子機器。
Claims (20)
- 複数の画素が行列状に2次元配置されており、画素間に複数段の遮光壁を有する画素アレイ部を備える固体撮像素子。
- 裏面照射型である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記複数段の遮光壁それぞれは、瞳補正がされた位置に形成されている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - カラーフィルタに最も近い遮光壁レイヤの前記遮光壁の瞳補正量C及び幅Xとして、前記カラーフィルタの瞳補正量Dは、C≦D≦C+X/2の条件を満たす
請求項3に記載の固体撮像素子。 - 前記カラーフィルタの瞳補正量Dは、前記カラーフィルタに最も近い遮光壁レイヤの前記遮光壁の瞳補正量Cと同じである
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 前記複数段の遮光壁のうち、第Q段目(Q>2)の瞳補正量は、その下の第Q−1段目の瞳補正量以上の補正量である
請求項3に記載の固体撮像素子。 - 前記複数段の遮光壁のうち、第Q段目(Q>2)の遮光壁は、その下の第Q−1段目の遮光壁と前記画素アレイ部内の少なくとも一部で接続されており、前記第Q段目の遮光壁と前記第Q−1段目の遮光壁は、電気的に同電位である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記遮光壁は、平面方向の面積が底面から上方に行くほど大きくなる順テーパー形状である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記画素のオンチップレンズの斜め方向と水平方向との曲率半径比は、1乃至1.2の範囲である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記複数段の遮光壁の形成層である複数段の遮光壁レイヤのうち、少なくとも1つの遮光壁レイヤの所定の画素にインナーレンズが形成されている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 所定のカラーフィルタの色の画素に前記インナーレンズが形成されている
請求項10に記載の固体撮像素子。 - カラーフィルタの色によって、前記インナーレンズが形成されている前記遮光壁レイヤが異なる
請求項10に記載の固体撮像素子。 - 通常画素と位相差画素で前記インナーレンズの有無が異なる
請求項10に記載の固体撮像素子。 - 通常画素と位相差画素で前記インナーレンズが形成されている前記遮光壁レイヤが異なる
請求項10に記載の固体撮像素子。 - 前記複数の画素の一部は、位相差画素である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記画素アレイ部内の画素有効領域外のOPB領域にも、前記複数段の遮光壁が形成されている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記OPB領域の前記複数段の遮光壁の断面形状は、テーパー形状に形成されている
請求項16に記載の固体撮像素子。 - 前記OPB領域の前記複数段の遮光壁の平面方向の位置は、各段の遮光壁で異なる
請求項16に記載の固体撮像素子。 - 複数の画素が行列状に2次元配置される画素アレイ部を形成する際に、画素間に複数段の遮光壁を形成する
固体撮像素子の製造方法。 - 複数の画素が行列状に2次元配置されており、画素間に複数段の遮光壁を有する画素アレイ部を有する固体撮像素子
を備える電子機器。
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Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7343356B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-03-11 | Commvault Systems, Inc. | Systems and methods for storage modeling and costing |
CN114447010A (zh) | 2015-01-13 | 2022-05-06 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态成像装置和电子设备 |
JPWO2016208403A1 (ja) * | 2015-06-23 | 2018-04-12 | ソニー株式会社 | イメージセンサ、および電子機器 |
JP2018046040A (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに、電子機器 |
US11075241B2 (en) * | 2017-03-30 | 2021-07-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
JP2019012739A (ja) * | 2017-06-29 | 2019-01-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP2019114728A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、距離計測装置、及び製造方法 |
JP6779929B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2020-11-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
CN108493204A (zh) * | 2018-03-14 | 2018-09-04 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法、成像系统 |
JPWO2019215986A1 (ja) * | 2018-05-08 | 2021-05-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像素子の製造方法 |
JP2019197839A (ja) * | 2018-05-10 | 2019-11-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、電子機器、および固体撮像素子の製造方法 |
WO2020003681A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子装置 |
KR102523851B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2023-04-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 더미 픽셀들을 포함하는 이미지 센싱 장치 |
JP2020145397A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-09-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および、それを含む機器 |
US11244978B2 (en) * | 2018-10-17 | 2022-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and equipment including the same |
US11121160B2 (en) | 2018-10-17 | 2021-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and equipment comprising a light shielding part in a light receiving region and a light shielding film in a light shielded region |
JP7008054B2 (ja) * | 2018-10-17 | 2022-01-25 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
JP7330687B2 (ja) * | 2018-11-19 | 2023-08-22 | キヤノン株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
EP3905330A4 (en) * | 2018-12-27 | 2022-03-30 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | IMAGING ELEMENT AND METHOD OF MAKING THE IMAGING ELEMENT |
WO2020137259A1 (ja) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
TWI717868B (zh) * | 2019-01-11 | 2021-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 成像模組與使用其之生物辨識裝置 |
CN111435213B (zh) | 2019-01-11 | 2021-12-31 | 财团法人工业技术研究院 | 成像模块与使用其的生物识别装置 |
JP7352359B2 (ja) * | 2019-02-06 | 2023-09-28 | キヤノン株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
CN110061025A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-26 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
TWM596977U (zh) * | 2019-09-23 | 2020-06-11 | 神盾股份有限公司 | 積體化光學感測器 |
KR20210048059A (ko) * | 2019-10-23 | 2021-05-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP2021077708A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子および測距装置 |
CN112839215B (zh) * | 2019-11-22 | 2022-05-13 | 华为技术有限公司 | 摄像模组、摄像头、终端设备、图像信息确定方法及存储介质 |
KR20210078632A (ko) | 2019-12-18 | 2021-06-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US11393861B2 (en) * | 2020-01-30 | 2022-07-19 | Omnivision Technologies, Inc. | Flare-suppressing image sensor |
US11469264B2 (en) * | 2020-01-30 | 2022-10-11 | Omnivision Technologies, Inc. | Flare-blocking image sensor |
WO2021157174A1 (ja) * | 2020-02-06 | 2021-08-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP7465120B2 (ja) | 2020-03-10 | 2024-04-10 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、その製造方法及び機器 |
JP2021166259A (ja) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
JP2021175048A (ja) * | 2020-04-22 | 2021-11-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電子機器 |
CN115244696A (zh) * | 2020-04-28 | 2022-10-25 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态成像装置和电子设备 |
KR20220068497A (ko) * | 2020-11-19 | 2022-05-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
JP2022089610A (ja) * | 2020-12-04 | 2022-06-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、及び電子機器 |
JP2022106151A (ja) * | 2021-01-06 | 2022-07-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置 |
JP2022124066A (ja) * | 2021-02-15 | 2022-08-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
US20220293655A1 (en) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | Visera Technologies Company Limited | Semiconductor device |
JP2023002902A (ja) * | 2021-06-23 | 2023-01-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
US20230378226A1 (en) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | Visera Technologies Company Ltd. | Image sensor |
WO2023234069A1 (ja) * | 2022-05-30 | 2023-12-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および電子機器 |
WO2024018904A1 (ja) * | 2022-07-19 | 2024-01-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009032953A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP2010267680A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2011176715A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nikon Corp | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 |
JP2011210981A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
JP2011258728A (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-22 | Sharp Corp | 固体撮像素子および電子情報機器 |
JP2012119377A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2013070030A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-04-18 | Sony Corp | 撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置 |
JP2013254763A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Sony Corp | 撮像素子、製造方法、及び電子機器 |
JP2014089432A (ja) * | 2012-03-01 | 2014-05-15 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置におけるマイクロレンズの形成方法、及び、電子機器 |
JP2014156378A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Asahi Glass Co Ltd | マイクロレンズアレイの製造方法及び製造装置並びにマイクロレンズアレイ |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3853562B2 (ja) | 2000-02-23 | 2006-12-06 | 松下電器産業株式会社 | 増幅型固体撮像装置 |
KR101036290B1 (ko) * | 2002-09-20 | 2011-05-23 | 소니 주식회사 | 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
US7215361B2 (en) * | 2003-09-17 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Method for automated testing of the modulation transfer function in image sensors |
JP2005294647A (ja) | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US7667174B2 (en) * | 2004-10-15 | 2010-02-23 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Solid state imaging device in which each photoelectric transducer of plural unit pixels being located axisymmetrically with a symmetrical axis of a centerline passing through an approximate center of the device |
JP4686201B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2011-05-25 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
WO2006082920A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Kyodo Printing Co., Ltd. | 吸湿インジケータ機能付き包装袋及び乾燥剤 |
US7683407B2 (en) * | 2005-08-01 | 2010-03-23 | Aptina Imaging Corporation | Structure and method for building a light tunnel for use with imaging devices |
US7803647B2 (en) * | 2007-02-08 | 2010-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical transmission improvement on multi-dielectric structure in advance CMOS imager |
US7755679B2 (en) * | 2007-03-07 | 2010-07-13 | Altasens, Inc. | Apparatus and method for reducing edge effect in an image sensor |
JP2009021415A (ja) | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US8228606B2 (en) * | 2008-01-08 | 2012-07-24 | United Microelectronics Corp. | Contiguous microlens array and photomask for defining the same |
JP5173496B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP2011135101A (ja) | 2011-03-22 | 2011-07-07 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP6016396B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2016-10-26 | キヤノン株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
US9294691B2 (en) * | 2011-09-06 | 2016-03-22 | Sony Corporation | Imaging device, imaging apparatus, manufacturing apparatus and manufacturing method |
JP5710510B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP6053505B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
CN103258829A (zh) * | 2012-02-16 | 2013-08-21 | 索尼公司 | 固态成像装置、图像传感器及其制造方法以及电子设备 |
JP2014096490A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Sony Corp | 撮像素子、製造方法 |
TWI636557B (zh) | 2013-03-15 | 2018-09-21 | 新力股份有限公司 | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic device |
JP2015015296A (ja) | 2013-07-03 | 2015-01-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
US9136298B2 (en) * | 2013-09-03 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mechanisms for forming image-sensor device with deep-trench isolation structure |
CN114447010A (zh) | 2015-01-13 | 2022-05-06 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态成像装置和电子设备 |
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2016
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2020
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2022
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009032953A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP2010267680A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2011176715A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nikon Corp | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 |
JP2011210981A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
JP2011258728A (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-22 | Sharp Corp | 固体撮像素子および電子情報機器 |
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