JP2010267680A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010267680A JP2010267680A JP2009115919A JP2009115919A JP2010267680A JP 2010267680 A JP2010267680 A JP 2010267680A JP 2009115919 A JP2009115919 A JP 2009115919A JP 2009115919 A JP2009115919 A JP 2009115919A JP 2010267680 A JP2010267680 A JP 2010267680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor substrate
- solid
- imaging device
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換を行うセンサ部11と、センサ部の信号線を含む複数層の配線21とを半導体基板10に形成し、センサ部に光が入射するように構成された有効画素部31と、センサ部に光が入射しないように遮光されたオプティカルブラック部32とを備え、半導体基板の裏面側を受光面とした固体撮像装置であって、オプティカルブラック部は、センサ部と、センサ部よりも半導体基板の裏面側に配置された第1の遮光膜30と、センサ部よりも半導体基板の表面側に配置された第2の遮光膜24とを備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係わる固体撮像装置の構造を示す断面図である。本実施形態における固体撮像装置1は、CMOS型固体撮像装置である。本実施形態において半導体基板10は、P型ウエル領域12を含んでおり、このP型ウエル領域12に光電変換を行うセンサ部11が形成されている。センサ部11は、N型不純物拡散層(第1の不純物拡散層)であり、半導体基板10と共にPN接合ダイオードを構成している。各画素のセンサ部11の間は、一部がシリコン基板10に埋め込まれたSiO2層から成る不図示の素子分離層により、分離されている。センサ部11の下方には、絶縁層20を介して配線21が設けられている。
図2(a)は、本発明の第2の実施形態に係わる固体撮像装置の構造を示す断面図である。本実施形態の固体撮像装置2においては、有効画素部31とオプティカルブラック部32との境界に、遮光ダミー画素部33を設けている。また、遮光膜24が遮光膜30の遮光領域よりも内側に形成されている。すなわち、遮光膜24の遮光領域は、遮光膜30の遮光領域よりも狭くなっており、遮光膜30によりセンサ部11が遮光され、遮光膜24により遮光されていない領域が、遮光ダミー画素部33である。固体撮像装置2のその他の構成、および動作は、固体撮像装置1と同様である。
図3は、本発明の第3の実施形態に係わる固体撮像装置の構造を示す断面図である。固体撮像装置3においては、配線21の複数の層がオプティカルブラック部32における半導体基板20の表面側の遮光膜を兼ねている。固体撮像装置3のその他の構成、および動作は、固体撮像装置1と同様である。
Claims (6)
- 光電変換を行うセンサ部と、該センサ部の信号線を含む複数層の配線とを半導体基板に形成し、前記センサ部に光が入射するように構成された有効画素部と、前記センサ部に光が入射しないように遮光されたオプティカルブラック部とを備え、前記半導体基板の裏面側を受光面とした固体撮像装置であって、
前記オプティカルブラック部は、前記センサ部と、前記センサ部よりも前記半導体基板の裏面側に配置された第1の遮光膜と、前記センサ部よりも前記半導体基板の表面側に配置された第2の遮光膜とを備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第2の遮光膜は、前記有効画素部から入射して前記半導体基板の表面で反射し、前記オプティカルブラック部の前記センサ部に向かう光を遮光することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記有効画素部と前記オプティカルブラック部の間に、前記センサ部が前記第1の遮光膜により遮光され、前記第2の遮光膜により遮光されないダミー画素部を有することを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記第2の遮光膜は、前記半導体基板の前記表面側に形成された前記配線と同一の材料によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 光電変換を行うセンサ部と、該センサ部の信号線を含む複数層の配線とを半導体基板に形成し、前記センサ部に光が入射するように構成された有効画素部と、前記センサ部に光が入射しないように遮光されたオプティカルブラック部とを備え、前記半導体基板の裏面側を受光面とした固体撮像装置であって、
前記オプティカルブラック部は、前記センサ部と、前記センサ部よりも前記半導体基板の裏面側に配置された遮光膜と、前記センサ部よりも前記半導体基板の表面側に配置された複数層の配線とを備え、前記複数層の配線は、前記センサ部に入射する光を遮光するように配置されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記複数層の配線は、前記有効画素部から入射して前記半導体基板の表面で反射し、前記オプティカルブラック部の前記センサ部に向かう光を遮光することを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009115919A JP5438374B2 (ja) | 2009-05-12 | 2009-05-12 | 固体撮像装置 |
CN201080016816.3A CN102396066B (zh) | 2009-05-12 | 2010-03-31 | 固态摄像设备 |
PCT/JP2010/056276 WO2010131534A1 (en) | 2009-05-12 | 2010-03-31 | Solid-state image sensing apparatus |
US13/255,935 US8319305B2 (en) | 2009-05-12 | 2010-03-31 | Solid-state image sensing apparatus |
US13/646,976 US8653617B2 (en) | 2009-05-12 | 2012-10-08 | Solid-state image sensing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009115919A JP5438374B2 (ja) | 2009-05-12 | 2009-05-12 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010267680A true JP2010267680A (ja) | 2010-11-25 |
JP5438374B2 JP5438374B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=43084912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009115919A Active JP5438374B2 (ja) | 2009-05-12 | 2009-05-12 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8319305B2 (ja) |
JP (1) | JP5438374B2 (ja) |
CN (1) | CN102396066B (ja) |
WO (1) | WO2010131534A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015019931A1 (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
WO2016114154A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
US10498997B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus and driving method thereof |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5909051B2 (ja) * | 2011-04-26 | 2016-04-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP2013069958A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Sony Corp | 撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法 |
US20140071384A1 (en) * | 2012-09-10 | 2014-03-13 | Research In Motion Limited | Electrostatic discharge arrangement for an active matrix display |
KR102011102B1 (ko) | 2013-03-13 | 2019-08-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US9749553B2 (en) * | 2013-08-23 | 2017-08-29 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with stacked image sensors |
JP2015088691A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
CN104201181B (zh) * | 2014-09-01 | 2017-06-09 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | 一种改良黑电平校准的图像传感器及其制作方法 |
KR102471159B1 (ko) * | 2015-10-12 | 2022-11-25 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
US10165211B1 (en) | 2017-08-22 | 2018-12-25 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with optically black pixels |
JP2021190659A (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-13 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム及び移動体 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002290841A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Nikon Corp | 撮像装置および電子カメラ |
JP2005347708A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006032497A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Sony Corp | 固体撮像素子と固体撮像装置、固体撮像素子の製造方法 |
JP2006120805A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2008016733A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2009505437A (ja) * | 2005-08-22 | 2009-02-05 | マイクロン テクノロジー, インク. | イメージャにおける偽電荷から補正ピクセルを保護する方法及び装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6168965B1 (en) * | 1999-08-12 | 2001-01-02 | Tower Semiconductor Ltd. | Method for making backside illuminated image sensor |
JP4944399B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2012-05-30 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4193870B2 (ja) | 2006-05-09 | 2008-12-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置 |
JP2007335751A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
KR100784387B1 (ko) * | 2006-11-06 | 2007-12-11 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 형성방법 |
KR101411301B1 (ko) * | 2007-08-24 | 2014-06-25 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 블랙 레벨 안정화 방법 |
JP2009259934A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
JP5198150B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
-
2009
- 2009-05-12 JP JP2009115919A patent/JP5438374B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-31 WO PCT/JP2010/056276 patent/WO2010131534A1/en active Application Filing
- 2010-03-31 CN CN201080016816.3A patent/CN102396066B/zh active Active
- 2010-03-31 US US13/255,935 patent/US8319305B2/en active Active
-
2012
- 2012-10-08 US US13/646,976 patent/US8653617B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002290841A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Nikon Corp | 撮像装置および電子カメラ |
JP2005347708A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006032497A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Sony Corp | 固体撮像素子と固体撮像装置、固体撮像素子の製造方法 |
JP2006120805A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2009505437A (ja) * | 2005-08-22 | 2009-02-05 | マイクロン テクノロジー, インク. | イメージャにおける偽電荷から補正ピクセルを保護する方法及び装置 |
JP2008016733A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015019931A1 (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2015035492A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
US9954023B2 (en) | 2013-08-08 | 2018-04-24 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
US10498997B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus and driving method thereof |
WO2016114154A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
KR20170103624A (ko) * | 2015-01-13 | 2017-09-13 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
JPWO2016114154A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2017-10-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
US10658408B2 (en) | 2015-01-13 | 2020-05-19 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
US11482561B2 (en) | 2015-01-13 | 2022-10-25 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
KR102499585B1 (ko) * | 2015-01-13 | 2023-02-14 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
US11916092B2 (en) | 2015-01-13 | 2024-02-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120043636A1 (en) | 2012-02-23 |
WO2010131534A1 (en) | 2010-11-18 |
JP5438374B2 (ja) | 2014-03-12 |
CN102396066B (zh) | 2014-06-04 |
CN102396066A (zh) | 2012-03-28 |
US8653617B2 (en) | 2014-02-18 |
US20130032917A1 (en) | 2013-02-07 |
US8319305B2 (en) | 2012-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5438374B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US11716555B2 (en) | Light detecting device | |
US20220157870A1 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, and imaging apparatus | |
JP4826111B2 (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法および画像撮影装置 | |
KR102430114B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기 | |
JP4839008B2 (ja) | 単板式カラー固体撮像素子 | |
JP4193870B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置 | |
US9232162B2 (en) | Optical isolation of optically black pixels in image sensors | |
JP6724212B2 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
JP2009164385A (ja) | 裏面照射型撮像素子 | |
TW201523849A (zh) | 固態影像感測裝置 | |
WO2016031592A1 (ja) | 固体撮像装置、および電子装置 | |
JP5287923B2 (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法及び画像撮影装置 | |
JP4858210B2 (ja) | 撮像素子 | |
JP5331119B2 (ja) | 固体撮像素子および撮像装置 | |
JP2004186311A (ja) | Mos型イメージセンサ及びデジタルカメラ | |
JP5282797B2 (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法及び画像撮影装置 | |
JP6086715B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2013084786A (ja) | 固体撮像素子、及び、電子機器 | |
JP4976765B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2011040774A (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
WO2013111418A1 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP5432979B2 (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130722 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131213 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5438374 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |