KR102499585B1 - 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 - Google Patents

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Abstract

본 개시는, 경사광 특성과 감도 향상의 양립을 도모할 수 있도록 하는 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기에 관한 것이다.
고체 촬상 소자는, 복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되어 있고, 화소 사이에 복수단의 차광벽을 갖는 화소 어레이부를 구비한다. 본 개시는, 예를 들면, 이면 조사형의 고체 촬상 소자 등에 적용할 수 있다.

Description

고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기{SOLID-STATE IMAGING DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 개시는, 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기에 관한 것으로, 특히, 경사광 특성과 감도 향상의 양립을 도모할 수 있도록 하는 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기에 관한 것이다.
CMOS 고체 촬상 소자로는, 표면 조사형과 이면 조사형이 알려져 있다. 표면 조사형의 CMOS 고체 촬상 소자에서는, 다층 배선층 및 화소 트랜지스터가 형성된 기판 표면을 수광면으로 하여, 그 기판 표면측부터, 광이 입사된다. 이면 조사형의 CMOS 고체 촬상 소자에서는, 다층 배선층 및 화소 트랜지스터가 형성된 기판 표면과는 반대측의 기판 이면을 수광면으로 하여, 기판 이면측부터, 광이 입사된다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
이면 조사형에서는, 광은 다층 배선층의 제약을 받는 일 없이, 포토 다이오드에 입사되기 때문에, 포토 다이오드의 개구를 넓게 취할 수 있고, 같은 화소 피치로 비교한 때에 표면 조사형보다도 고감도화가 도모될 수 있다. 또한, 이면 조사형은, 수광면측에 배선층이 없기 때문에, 표면 조사형보다도 집광 구조를 저배화할 수 있고, 우수한 경사광 특성이 실현될 수 있다(예를 들면, 비특허 문헌 1 참조).
특허 문헌 1 : 일본국 특개2011-135101호 공보
비특허 문헌 1 : CMOS 이미지 센서의 최신 동향 -고성능화, 고기능화로부터 응용 전개까지- (2007 씨엠씨 출판) P39-40, S. Iwabuchi, et al. ISSCC Dig. Tech. Papers. pp.302-303, (2006)
그러나, 예를 들면 디지털 일안(一眼) 카메라에 사용되는 바와 같은 이미지 센서에서는, 장착하는 렌즈의 주(主)광선 각도보다도 큰 각도의 광은, 카메라 몸체 내부에서의 반사광 등의 불필요광일 가능성이 높아, 필요 이상으로 경사광 특성이 높으면 불필요광을 검출하여 버리게 되어, 화질 열화를 초래하게 된다. 저배화한 상태에서 경사광 특성을 조정하는 경우에는, 화소 사이의 차광막의 폭을 조정하는 것이 생각되지만, 온 칩 렌즈와 차광막의 거리가 가깝기 때문에, 차광막 개구에서 비네팅되어 버려 감도를 열화시켜 버린다. 필요한 각도 범위의 광에만 감도를 갖고 싶은 경우에는, 고배화(高背化)하여, 어느 정도 수광면(차광막 개구)에 포커스 포인트를 맞춘 상태에서, 화소 사이의 차광막의 폭으로 조정할 수 있지만, 그 경우에는 온 칩 렌즈와 차광막의 사이에서의 경사 광에 의한 혼색이 우려된다.
본 개시는, 이와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로, 이면 조사형의 고체 촬상 소자에 있어서, 경사광 특성과 감도 향상의 양립을 도모할 수 있도록 하는 것이다.
본 개시의 제1의 측면의 고체 촬상 소자는, 복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되어 있고, 화소 사이에 복수단의 차광벽을 갖는 화소 어레이부를 구비한다.
본 개시의 제2의 측면의 고체 촬상 소자의 제조 방법은, 복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치된 화소 어레이부를 형성할 때에, 화소 사이에 복수단의 차광벽을 형성한다.
본 개시의 제3의 측면의 전자 기기는, 복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되어 있고, 화소 사이에 복수단의 차광벽을 갖는 화소 어레이부를 갖는 고체 촬상 소자를 구비한다.
본 개시의 제1내지 제3의 측면에서는, 복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치된 화소 어레이부에서, 화소 사이에 복수단의 차광벽이 형성된다.
고체 촬상 소자 및 전자 기기는, 독립한 장치라도 좋고, 다른 장치에 조립되는 모듈이라도 좋다.
본 개시의 제1내지 제3의 측면에 의하면, 경사광 특성과 감도 향상의 양립을 도모할 수 있다.
또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 개시 중에 기재된 어느 하나의 효과라도 좋다.
도 1은 본 개시에 관한 고체 촬상 소자의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 2는 제1의 실시의 형태에 관한 화소의 단면 구성도.
도 3은 차광막의 평면도.
도 4는 제1의 실시의 형태에 관한 화소의 제조 방법에 관해 설명하는 도면.
도 5는 제1의 실시의 형태에 관한 화소의 제조 방법에 관해 설명하는 도면.
도 6은 제1의 실시의 형태에 관한 화소의 제조 방법에 관해 설명하는 도면.
도 7은 차광벽을 1단으로 형성한 경우와 복수단으로 형성한 경우의 수광 특성을 설명하는 도면.
도 8은 제2의 실시의 형태에 관한 화소의 단면 구성도.
도 9는 제3의 실시의 형태에 관한 화소의 단면 구성도.
도 10은 제4의 실시의 형태에 관한 화소의 단면 구성도.
도 11은 위상차 화소의 화소 구조에 관해 설명하는 도면.
도 12는 이너 렌즈의 형성 방법에 관해 설명하는 도면.
도 13은 온 칩 렌즈의 형상에 관해 설명하는 도면.
도 14는 위상차 오토 포커스의 측거 허용 한계와 편평률의 관계를 도시하는 도면.
도 15는 OPB 영역의 차광 구조의 제1의 구성례를 설명하는 도면.
도 16은 OPB 영역의 차광 구조의 제2의 구성례를 설명하는 도면.
도 17은 도 16에 도시한 OPB 영역의 차광 구조의 제조 방법에 관해 설명하는 도면.
도 18은 OPB 영역의 차광벽의 기타의 구성례를 도시하는 도면.
도 19는 고체 촬상 소자의 기판 구성례를 도시하는 도면.
도 20은 본 개시에 관한 전자 기기로서의 촬상 장치의 구성례를 도시하는 블록도.
이하, 본 개시를 실시하기 위한 형태(이하, 실시의 형태라고 한다)에 관해 설명한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 고체 촬상 소자의 개략 구성례
2. 화소의 제1의 실시의 형태(이너 렌즈가 없는 구성례)
3. 제1의 실시의 형태에 관한 화소의 제조 방법
4. 화소의 제2의 실시의 형태(이너 렌즈를 갖는 제1 구성례)
5. 화소의 제3의 실시의 형태(이너 렌즈를 갖는 제2 구성례)
6. 화소의 제4의 실시의 형태(이너 렌즈를 갖는 제3 구성례)
7. 위상차 화소의 화소 구조
8. 이너 렌즈의 형성 방법
9. 온 칩 렌즈의 형상에 관해
10. OPB 영역의 차광 구조
11. 고체 촬상 소자의 기판 구성례
12. 전자 기기에의 적용례
<1. 고체 촬상 소자의 개략 구성례>
도 1은, 본 개시에 관한 고체 촬상 소자의 개략 구성을 도시하고 있다.
도 1의 고체 촬상 소자(1)는, 반도체로서 예를 들면 실리콘(Si)을 이용한 반도체 기판(12)에, 화소(2)가 행렬형상으로 2차원 배치된 화소 어레이부(3)와, 그 주변의 주변 회로부를 갖고 구성된다. 주변 회로부에는, 수직 구동 회로(4), 칼럼 신호 처리 회로(5), 수평 구동 회로(6), 출력 회로(7), 제어 회로(8) 등이 포함된다.
화소(2)는, 광전 변환 소자로서의 포토 다이오드와, 복수의 화소 트랜지스터를 갖고 이루어진다. 복수의 화소 트랜지스터는, 예를 들면, 전송 트랜지스터, 선택 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 및, 증폭 트랜지스터의 4개의 MOS 트랜지스터로 구성된다.
또한, 화소(2)는, 공유 화소 구조로 할 수도 있다. 이 공유 화소 구조는, 복수의 포토 다이오드와, 복수의 전송 트랜지스터와, 공유되는 하나의 플로팅 디퓨전(부유 확산 영역)과, 공유되는 하나씩의 다른 화소 트랜지스터로 구성된다. 즉, 공유 화소 구조에서는, 복수의 단위 화소를 구성하는 포토 다이오드 및 전송 트랜지스터가, 다른 하나씩의 화소 트랜지스터를 공유하여 구성된다.
제어 회로(8)는, 입력 클록과, 동작 모드 등을 지령하는 데이터를 수취하고, 또한 고체 촬상 소자(1)의 내부 정보 등의 데이터를 출력한다. 즉, 제어 회로(8)는, 수직 동기 신호, 수평 동기 신호 및 마스터 클록에 의거하여, 수직 구동 회로(4), 칼럼 신호 처리 회로(5) 및 수평 구동 회로(6) 등의 동작의 기준이 되는 클록 신호나 제어 신호를 생성한다. 그리고, 제어 회로(8)는, 생성한 클록 신호나 제어 신호를, 수직 구동 회로(4), 칼럼 신호 처리 회로(5) 및 수평 구동 회로(6) 등에 출력한다.
수직 구동 회로(4)는, 예를 들면 시프트 레지스터에 의해 구성되고, 소정의 화소 구동 배선(10)을 선택하고, 선택된 화소 구동 배선(10)에 화소(2)를 구동하기 위한 펄스를 공급하고, 행 단위로 화소(2)를 구동한다. 즉, 수직 구동 회로(4)는, 화소 어레이부(3)의 각 화소(2)를 행 단위로 순차적으로 수직 방향으로 선택 주사하고, 각 화소(2)의 광전 변환부에서 수광량에 응하여 생성된 신호 전하에 의거한 화소 신호를, 수직 신호선(9)을 통하여 칼럼 신호 처리 회로(5)에 공급시킨다.
칼럼 신호 처리 회로(5)는, 예를 들면, 화소(2)의 열마다 배치되어 있고, 1행분의 화소(2)로부터 출력되는 신호를 화소열마다 노이즈 제거 등의 신호 처리를 행한다. 칼럼 신호 처리 회로(5)는, 화소 고유의 고정 패턴 노이즈를 제거하기 위한 CDS(Correlated Double Sampling : 상관 이중 샘플링) 및 AD 변환 등의 신호 처리를 행한다.
수평 구동 회로(6)는, 예를 들면 시프트 레지스터에 의해 구성되고, 수평 주사 펄스를 순차적으로 출력함에 의해, 칼럼 신호 처리 회로(5)의 각각을 순번대로 선택하고, 칼럼 신호 처리 회로(5)의 각각으로부터 화소 신호를 수평 신호선(11)에 출력시킨다.
출력 회로(7)는, 칼럼 신호 처리 회로(5)의 각각으로부터 수평 신호선(11)을 통하여 순차적으로 공급되는 신호에 대해, 신호 처리를 행하여 출력한다. 출력 회로(7)는, 예를 들면, 버퍼링만 하는 경우도 있고, 흑레벨 조정, 열 편차 보정, 각종 디지털 신호 처리 등이 행하여지는 경우도 있다. 입출력 단자(13)는, 외부와 신호의 교환을 한다.
이상과 같이 구성된 고체 촬상 소자(1)는, CDS 처리와 AD 변환 처리를 행하는 칼럼 신호 처리 회로(5)가 화소열마다 배치된 칼럼 AD 방식이라고 불리는 CMOS 이미지 센서이다.
<2. 화소의 제1의 실시의 형태>
<화소의 단면 구성도>
도 2는, 제1의 실시의 형태에 관한 화소(2)의 단면 구성도이다.
고체 촬상 소자(1)는, 반도체 기판(12)의, 예를 들면, p형(제1 도전형)의 반도체 영역(41)에, n형(제2 도전형)의 반도체 영역(42)을 화소(2)마다 형성함에 의해, 포토 다이오드(PD)가, 화소 단위로 형성되어 있다. 반도체 기판(12)의 표리 양면에 임하는 p형의 반도체 영역(41)은, 암전류 억제를 위한 정공(正孔) 전하 축적 영역을 겸하고 있다.
반도체 기판(12)의 표면측(도면 중 하측)에는, 포토 다이오드(PD)에 축적된 전하의 판독 등을 행하는 복수의 화소 트랜지스터(Tr)과, 복수의 배선층(43)과 층간 절연막(44)으로 이루어지는 다층 배선층(45)이 형성되어 있다.
반도체 기판(12)의 다층 배선층(45)측에는 광이 입사되지 않기 때문에, 배선층(43)의 레이아웃은 제약되지 않고, 자유롭게 설정할 수 있다.
반도체 기판(12)의 이면측(도면 중 상측)의 계면에는, 절연층(46)이 형성된다. 도 2의 예에서는, 절연층(46)은, 굴절율이 다른 복수층, 예를 들면, 하프늄 산화(HfO2)막(48)과 실리콘 산화막(47)의 2층의 막으로 구성되어 있고, 절연층(46)은, 광학적으로는 반사 방지막으로서 기능한다.
절연층(46)의 상면에는, 평탄화막(49)이 형성되어 있고, 그 평탄화막(49)상의 화소 경계 부분에, 화소 사이 차광막(50)이 형성되어 있다. 화소 사이 차광막(50)은, 광을 차광하는 재료라면 좋고, 차광성이 강하고, 또한 미세 가공, 예를 들면 에칭으로 정밀도 좋게 가공할 수 있는 재료로서, 금속, 예를 들면 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 또는 구리(Cu)의 막으로 형성하는 것이 바람직하다.
화소 사이 차광막(50)은, 도 3에 도시되는 바와 같이, 화소 유효 영역의 외측의 OPB(Optical Black) 형성막(51) 및 위상차 화소(2P)(도 11)의 동분할(瞳分割) 차광막(52)과 동일층으로, 동시에 형성할 수 있다. 화소 사이 차광막(50)은, 화소 사이에서 혼색이나 상정하지 않은 각도로 입사하는 플레어 성분의 광을 억제한다. OPB 형성막(51)은, 화소 유효 영역 외를 덮음으로써 암흑시(暗時) 출력의 기준이 되는 흑레벨을 검출하는 OPB 클램프 영역을 형성한다. 동분할 차광막(52)은, 위상차 화소(2P)에서 다른 사출동(射出瞳)으로부터의 광을 분리한다.
위상차 화소(2P)는, 동분할 차광막(52)에 의해, 예를 들면, 도 3에 도시되는 바와 같이 포토 다이오드(PD)의 수광면의 좌측 반분이 개구된 타입(A)과, 우측 반분이 개구된 타입(B)의 2종류가 있고, 이들 2종류가 쌍(對)이 되어 화소 어레이부(3)의 소정의 위치에 배치되어 있다. 타입(A)로부터의 화소 신호와 타입(B)의 화소 신호에서는, 개구부의 형성 위치의 차이에 의해, 상(像)의 어긋남이 발생한다. 이 상의 어긋남으로부터, 위상 어긋남량을 산출하여 디포커스량을 산출하고, 촬영 렌즈를 조정(이동)함으로써, 오토 포커스를 달성할 수 있다.
또한 물론, 화소 사이 차광막(50), OPB 형성막(51), 및 동분할 차광막(52)은, 동시에 형성될 필요는 없고, 별개로 형성되도록 하여도 좋고. 또한, 예를 들면 혼색이나 플레어의 억제보다, 감도의 향상을 우선하여 도모하는 경우에는, 화소 사이 차광막(50)의 격자상의 폭을 작게 하도록 하여도 좋고.
도 2의 설명으로 되돌아와, 화소 사이 차광막(50)과 절연층(46)의 위에는, 차광벽(61)과 평탄화막(62)의 층이, 복수단(複數段), 형성되어 있다. 구체적으로는, 화소 사이 차광막(50)상의 일부분에, 제1의 차광벽(61A)이 형성됨과 함께, 그 제1의 차광벽(61A)끼리의 사이에 제1의 평탄화막(62A)이 형성되어 있다. 그리고 또한, 제1의 차광벽(61A)과 제1의 평탄화막(62A)의 위에, 제2의 차광벽(61B)과 제2의 평탄화막(62B)이 형성되어 있다.
제2의 차광벽(61B)과 제2의 평탄화막(62B)의 상면에는, 컬러 필터(71)가 화소마다 형성되어 있다. 컬러 필터(71)의 배열로서는, R(적), G(녹), B(청)의 각 색이, 예를 들면 베이어 배열에 의해 배치되는 것으로 하지만, 기타의 배열 방법으로 배치되어도 좋다.
제1의 차광벽(61A)과 제2의 차광벽(61B)은, 평면 방향에 관해서는, 도 3에 도시한 화소 사이 차광막(50)과 같이, 화소 경계 부분에 격자형상으로 형성되어 있다.
복수단 중의 최상단이 되는 제2의 차광벽(61B)에 관해서는, 이웃하는 컬러 필터(71) 사이를 차광한 목적으로, 제2의 평탄화막(62B)으로부터 컬러 필터(71)의 층으로 돌출하는 형태로 하여도 좋다.
컬러 필터(71)의 위에는, 온 칩 렌즈(72)가 화소마다 형성되어 있다. 이 온 칩 렌즈(72)의 재료로서는, 예를 들면, 스티렌계 수지나 아크릴계 수지, 스티렌-아크릴 공중합계 수지, 실록산계 수지 등의 유기 재료를 들 수 있다. 스티렌계 수지의 굴절율은 1.6 정도, 아크릴계 수지의 굴절율은 1.5 정도이다. 스티렌-아크릴 공중합계 수지의 굴절율은 1.5∼1.6 정도, 실록산계 수지의 굴절율은 1.45 정도이다.
또한 예를 들면, 유기계 재료로서, 상술한 수지나 폴리이미드 수지 중에 TiO 미립자를 분산시킨, 유기 무기 하이브리드의 것을 이용하여도 좋다.
또한, 이 온 칩 렌즈(72)의 재료로서, 예를 들면, SiN이나 SiON 등의 무기 재료를 사용하여도 좋다. SiN의 굴절율은 1.9∼2.0 정도이고, SiON의 굴절율은 1.45∼1.9 정도이다.
온 칩 렌즈(72)의 표면은, 반사 방지막(73)으로 피막되어 있다.
도면 중, 화소 사이 차광막(50)보다 상측에 형성된, 제1의 차광벽(61A), 제2의 차광벽(61B), 컬러 필터(71), 및 온 칩 렌즈(72)는, 동보정(瞳補正)을 행하도록 형성되어 있다.
즉, 화소 어레이부(3)의 중심부에서는, 광학 렌즈(도시 생략)로부터의 입사광의 주 광선의 입사각이 0도(度)가 되기 때문에, 동보정을 행할 필요는 없고, 포토 다이오드(PD)의 중심과, 컬러 필터(71)나 온 칩 렌즈(72)의 중심은 일치한다.
한편, 화소 어레이부(3)의 주변부(외주부)에서는, 광학 렌즈로부터의 입사광의 주 광선의 입사각이 렌즈의 설계에 응하여 소정의 각도가 되기 때문에, 동보정이 행하여진다. 즉, 도 2에 도시되는 바와 같이, 컬러 필터(71)나 온 칩 렌즈(72)의 중심이, 포토 다이오드(PD)의 중심보다, 화소 어레이부(3)의 중심측으로 어긋내어 배치된다. 이 컬러 필터(71)나 온 칩 렌즈(72)의 중심 위치와 포토 다이오드(PD)의 중심 위치의 어긋남량은, 화소 어레이부(3)의 외주로 갈수록 커진다.
그리고, 컬러 필터(71)나 온 칩 렌즈(72)의 어긋남에 맞추어서, 제1의 차광벽(61A)과 제2의 차광벽(61B)의 위치도, 화소 어레이부(3)의 외주로 갈수록, 중심측으로 어긋나 있다.
또한, 도 2에 도시되는 화소 구조는, 차광벽(61)이, 제1의 차광벽(61A)과 제2의 차광벽(61B)의 2단으로 형성되어 있는 예이지만, 임의의 단수(段數)(Q단(Q>2)로 형성할 수 있다. 이하, 차광벽(61)이 형성되어 있는 층을 차광벽 레이어라고도 한다.
차광벽(61)의 동보정에 관해서는, 어느 임의의 상고(像高)에서, 각각의 차광벽(61)의 높이로 최적의 보정량을 적용함에 의해, 화소 어레이부(3)의 주변부(화각단(畵角端))에서의 감도 로스를 최소한으로 억제하는 것이 가능하다.
동보정량은, 어느 임의의 상고에서, 차광벽(61)의 단수가 올라갈수록,, 환언하면, 컬러 필터(71)에 가까워질수록 커지지만, 최상단의 차광벽(61)의 동보정량은, 컬러 필터(71)의 동보정량 이하가 된다.
또한, 컬러 필터(71)의 동보정량에 관해서는, 보정량이 크면 인접 화소의 차광벽(61)으로 둘러싸여진 영역에 자화소(自畵素)의 컬러 필터(71)가 들어감에 의한 혼색의 영향이 우려된다. 그 때문에, 컬러 필터(71)의 동보정량은, 컬러 필터(71)에 가장 거리가 가까운 최상단의 차광벽(61)과 같은 보정량으로부터, 최상단의 차광벽(61)의 동보정량에 최상단의 차광벽(61)의 폭의 반분을 가한 보정량의 범위가 된다. 구체적으로는, 최상단의 차광벽(61)의 동보정량 및 폭을, C 및 X로 하면, 컬러 필터(71)의 동보정량(D)이 C ≤ D ≤ C+X/2가 되도록, 컬러 필터(71)가 형성된다.
또한, 동보정량은, 화소 사이 차광막(50) ≤ 1단째의 차광벽(61) ≤ 2단째의 차광벽(61) ≤ ‥‥ ≤ 최상단의 차광벽(61) ≤ 컬러 필터(71) ≤ 온 칩 렌즈(72)의 순서로 커진다.
또한, 1단분의 차광벽(61)의 높이가 같으며, 또한, 평탄화막(62)의 재료가 같은 경우에는, 차광벽(61)의 동보정량은, 차광벽(61)이 있는 레이어의 높이에 응하여 비례관계가 되는 것이 바람직하다.
또한, 화각단에 태양 등의 강한 광이 들어간 때에, 카메라 몸체 내부에서의 반사광에 의해, 렌즈로부터 들어오는 통상의 광과는 다른 방향(동보정의 방향과는 역방향도 있을 수 있다)로부터 입사하여 오는 광에 의해, 플레어 등의 혼색의 영향이 우려되기 때문에, 다양한 방향부터의 입사광에 대응하기 위해 컬러 필터(71)의 동보정은, 컬러 필터(71) 아래의 최상단의 차광벽(61)과 같은 보정량일 것이 바람직하다.
화각단에서는 동보정량이 커지기 때문에, 상단의 차광벽(61)과, 그 바로 아래의 단의 차광벽(61)이 완전히 겹쳐지지 않고, 상단의 차광벽(61)이 바로 아래의 단의 차광벽(61)을 벗어난 상태로 된다. 이와 같은 경우, 차광벽(61)을 패턴 가공할 때의 평탄화막(62) 에칭시의 아킹(arcing)이 우려될지도 모르다. 그러나, 상 고 중앙에서는, 각 단의 차광벽(61)의 동보정량은 같은 정도가 되고, 하단의 벽과 반드시 접속되어 있고, 접속되어 있는 상하의 차광벽(61)은 전기적으로는 동전위로 되어 있다. 그 때문에 아킹의 우려는 없다.
또한, 차광벽(61)을 패턴 가공할 때의 평탄화막(62) 에칭에 있어서, 차광벽(61)의 평면 방향의 면적이, 저면에서 상방으로 갈수록 커지는 순(順)테이퍼 가공을 함에 의해, 상단의 차광벽(61)이 작은 저면을, 그보다 넓은 하단의 차광벽(61)의 상면에서 지지할 수 있다. 그 결과, 상단의 차광벽(61)이, 그 아래의 차광벽(61)을 벗어남 리스크를 저감하는 것이 가능하고, 또한 메탈의 매입성을 개선하고, 프로세스 마진을 확보하는 것도 가능해진다.
고체 촬상 소자(1)의 화소 구조는 이상과 같이 구성되어 있고, 고체 촬상 소자(1)는, 화소 트랜지스터(Tr)이 형성되는 반도체 기판(12)의 표면측과 반대측의 이면측부터 광이 입사되는 이면 조사형의 MOS형 고체 촬상 소자이다.
또한, 고체 촬상 소자(1)는, 화소 사이 차광막(50)과는 별도로, 인접 화소로부터의 경사 광의 입사를 방지하는 차광벽(61)을 적어도 2단 갖는 구성으로 되어 있다.
<3. 제1의 실시의 형태에 관한 화소의 제조 방법>
다음에, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 상술한 제1의 실시의 형태에 관한 화소(2)의 제조 방법에 관해 설명한다.
먼저, 도 4의 A에 도시되는 바와 같이, 반도체 기판(12)의, p형의 반도체 영역(41)에 n형의 반도체 영역(42)을 화소(2)마다 형성함에 의해, 포토 다이오드(PD)가, 화소 단위로 형성된다. 반도체 기판(12)의 표면측(도면 중 하측)에, 포토 다이오드(PD)에 축적된 전하의 판독 등을 행하는 복수의 화소 트랜지스터(Tr)와, 복수의 배선층(43)과 층간 절연막(44)으로 이루어지는 다층 배선층(45)이 형성된다. 또한, 반도체 기판(12)의 이면측(도면 중 상측)에, 절연층(46) 및 평탄화막(49)이 형성된다. 이 공정까지는, 일반적인 이면 조사형의 고체 촬상 소자를 형성하는 경우와 같은 방법으로 작성할 수 있다.
다음에, 도 4의 B에 도시되는 바와 같이, 평탄화막(49)상의 화소 경계 부분에, 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 또는 구리(Cu) 등의 금속재료에 의해, 화소 사이 차광막(50)이 형성된다.
다음에, 평탄화막(62A)이 되는 무기 재료, 예를 들면 SiO2를 성막 후, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 등으로 평탄화함으로써, 화소 사이 차광막(50)의 상면에 평탄화층을 형성하고, 그 후, 화소 사이 차광막(50)상의 소정 부분을 에칭 가공함에 의해, 도 4의 C에 도시되는 바와 같이, 평탄화막(62A)에 대해 제1의 차광벽(61A)을 형성하는 부분이 개구된 개구부(101)가 형성된다.
그리고, 개구부(101)에 텅스텐이나 구리 등의 금속재료를 매입한 후, 표면 전체를 CMP(Chemical Mechanical Polishing)함에 의해, 도 4의 D에 도시되는 바와 같이, 제1의 차광벽(61A)이 형성된다.
또한, 개구부(101)에 금속재료를 매입할 때에는, 밀착층으로서, 예를 들면 TiN이 내주면에 형성되는데, 이 밀착층에 의해, 반사 저감에 의한 불필요광 저감 효과가 기대될 수 있다.
또한, 제1의 차광벽(61A)의 금속재료로서 알루미늄을 이용한 경우에는, 최초에 제1의 차광벽(61A)을 형성하고 나서, 평탄화막(62A)을 형성할 수 있다. 구체적으로는, 우선 처음에, 소망하는 높이까지 제1의 차광벽(61A)이 되는 알루미늄을 전면에 성막하고, 리소그래피로 패터닝을 행함에 의해 제1의 차광벽(61A)이 형성된다. 그 후, 평탄화막(62A)이 되는 무기 재료, 예를 들면 SiO2를, 형성한 제1의 차광벽(61A)의 사이에 매입하고, 표면 전체를 CMP로 평탄화함에 의해, 도 4의 D의 상태가 된다.
제1의 차광벽(61A)은, 화소 사이 차광막(50)을 에칭 가공시의 대좌(臺座)로서도 사용하고 있지만, 감도를 우선하여 화소 사이 차광막(50)을 형성하지 않는 경우라도, 제1의 차광벽(61A)을 패터닝할 때의 에칭 가공을 시간 고정으로 하거나, 포토 다이오드(PD)상의 절연층, 예를 들면 SiN을 스토퍼로서 이용하여 에칭 스톱함에 의해, 제1의 차광벽(61A)을 형성하는 것은 가능하다.
도 4의 C 및 도 4의 D를 참조하여 설명한 공정을 반복함에 의해, 도 5의 A에 도시되는 바와 같이, 2단째의 제2의 차광벽(61B)과 제2의 평탄화막(62B)이 형성된다. 차광벽(61)과 평탄화막(62)을 3단 이상으로 형성하는 경우에는, 같은 공정이 반복된다. 또한, 배리어 메탈의 커버리지, 레지스트 막두께의 제약으로부터, 1단의 차광벽(61)의 높이는 2㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
다음에, 도 5의 B에 도시되는 바와 같이, 2단째의 제2의 차광벽(61B)과 제2의 평탄화막(62B)의 위에, 예를 들면 안료나 염료 등의 색소를 포함한 감광성 수지를 회전 도포함에 의해 컬러 필터(71)가 형성된다. 컬러 필터(71)와 최상단의 제2의 차광벽(61B)과의 사이의 간극은, 고입사각시(高入射角時)의 혼색 내성(耐性)의 관점에서, 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하다.
이웃하는 컬러 필터(71) 사이를 차광하는 목적으로, 최상단이 되는 제2의 차광벽(61B)을, 제2의 평탄화막(62B)으로부터 컬러 필터(71)의 층으로 돌출하는 형태로 하는 경우에는, 제2의 차광벽(61B)이 되는 금속재료를 매입 성막한 후, 화소 사이의 차광벽의 상방에 금속재료가 남도록, 리소그래피에 의해 화소 개구부만 에칭 제거함에 의해 제2의 차광벽(61B)의 돌출부를 형성하고, 제2의 차광벽(61B)끼리의 사이에, 컬러 필터(71)가 매입된다.
다음에, 도 5의 C에 도시되는 바와 같이, 컬러 필터(71)의 위에, 온 칩 렌즈 재료(102)와 포토레지스트(103)가 형성된다. 온 칩 렌즈 재료(102)로는, 상술한 바와 같이, 수지계의 유기 재료나 SiN 등의 무기 재료, 유기 무기 하이브리드 재료 등을 사용할 수 있다. 또한, 포토레지스트(103)로는, 노볼락 수지를 주성분으로 하는 감광성 재료를 사용할 수 있다.
도 6의 A에 도시되는 바와 같이, 포토레지스트(103)를 열연화점보다 높은 온도로 열처리를 행함에 의해, 포토레지스트(103)가 렌즈 형상으로 형성된다. 그리고, 렌즈 형상의 포토레지스트(103)를 마스크로 하여, 드라이 에칭법을 이용하여, 렌즈 형상을 하지 온 칩 렌즈 재료(102)에 패턴 전사시킴에 의해, 도 6의 B에 도시되는 바와 같이, 온 칩 렌즈(72)가 형성된다.
단, 온 칩 렌즈(72)의 형성 방법은, 상술한 방법으로 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 감광성 수지로 이루어지는 렌즈재의 성막과, 프리베이크, 노광, 현상, 블리칭 노광 처리를 순차적으로 행한 후에, 감광성 수지의 열연화점 이상의 온도로 열처리를 행하는 방법을 이용하여도 좋다.
이상과 같이 하여, 도 2에 도시한 단면 구성을 갖는 화소(2)를 제조할 수 있다.
<1단 차광벽과의 비교>
도 7은, 차광벽(61)을 1단으로 형성한 경우와, 본 개시의 화소 구조와 같이, 차광벽(61)을 복수단(2단)으로 형성한 경우와의 수광 특성 분포를 도시하고 있다.
본 개시의 화소 구조는, 복수단의 차광벽(61)을 가지며, 각각의 차광벽(61)에 대해, 다른 동보정이 설정되어 있다. 즉, 화소 어레이부(3)의 중심 부근(화각 중앙)에서는, 복수단의 차광벽(61)은 겹겹이 쌓인 구조가 되고, 화소 어레이부(3)의 외주 부근(화각단(畵角端))이 될수록, 상단의 차광벽(61)은, 하단의 차광벽(61)보다도 화소 어레이부(3)의 중심측으로 어긋내어 간다. 동보정량은, 단수가 올라갈수록 커지고, 또한, 최상단의 동보정량은, 컬러 필터의 동보정량 이하가 된다.
도 7에 도시되는 바와 같이, 차광벽(61)을 1단으로 형성한 경우에는, 화각단에서 입사광의 비네팅이나 누설이 발생하고, 수광 특성 분포에 도시되는 바와 같이 감도(感度)가 저하되고, 화각단에서 셰이딩이 발생한다.
이에 대해, 본 개시의 화소 구조와 같이, 차광벽(61)을 복수단(적어도 2단)으로 형성한 경우에는, 각 단의 차광벽(61)에서 동보정량을 변화시킴으로써, 광을 빠짐없이 포토 다이오드(PD)에 입사시킬 수 있기 때문에, 화각단이라도 감도는 저하되지 않는다.
따라서 도 2에 도시한 제1의 실시의 형태에 관한 화소(2)의 화소 구조에 의하면, 인접 화소에의 혼색을 해소하고, 또한, 화각단에서의 셰이딩을 억제할 수 있다.
또한, 각 단의 차광벽(61)에서 동보정량을 변화시키기 때문에, 집광 설계의 자유도를 향상시킬 수 있다.
또한, 차광벽(61)을 복수단 형성함에 의해, 각 차광벽(61)의 애스펙트비(평면 방향의 폭과 깊이의 비)를 저감할 수가 있어서, 차광벽(61)을 형성할 때에, 금속재료의 매입성이나 가공 마진을 확보하는 것이 가능해지고, 프로세스 마진을 확대하여, 프로세스 구축을 용이하게 할 수 있다.
<4. 화소의 제2의 실시의 형태>
도 8은, 제2의 실시의 형태에 관한 화소(2)의 단면 구성도이다.
제2의 실시의 형태에 관한 화소(2)는, 차광벽(61)의 단수가 3단으로 구성되고, 또한, 그 중의 1단에 이너 렌즈(121)가 형성된 구성으로 되어 있다.
구체적으로는, 제1의 차광벽 레이어로서의 제1의 차광벽(61A)과 제1의 평탄화막(62A)의 위에, 제2의 차광벽 레이어로서의 제2의 차광벽(61B)과 제2의 평탄화막(62B)이 형성되고, 제2의 차광벽(61B)과 제2의 평탄화막(62B)의 위에, 제3의 차광벽 레이어로서의 제3의 차광벽(61C)과 제3의 평탄화막(62C)이 형성되어 있다.
그리고, 도 8의 A의 화소 구조에서는, 3단의 차광벽 레이어 중의 중간층(제2의 차광벽 레이어)에 이너 렌즈(121)가 형성되어 있다.
이에 대해, 도 8의 B의 화소 구조에서는, 3단의 차광벽 레이어 중의 최상층(제3의 차광벽 레이어)에 이너 렌즈(121)가 형성되어 있다.
또한, 도 8의 C의 화소 구조에서는, 3단의 차광벽 레이어 중의 최하층(제1의 차광벽 레이어)에 이너 렌즈(121)가 형성되어 있다.
또한, 도 8의 A 내지 도 8의 C의 예에서는, 각 화소(2)가, 3단의 차광벽 레이어의 어딘가의 차광벽 레이어에 이너 렌즈(121)를 갖고 있는 예이지만, 이너 렌즈(121)를 갖지 않는 화소(2)가 있어도 좋다.
<5. 화소의 제3의 실시의 형태>
도 9는, 제3의 실시의 형태에 관한 화소(2)의 단면 구성도이다.
제3의 실시의 형태의 화소 구조는, 차광벽(61)의 단수가 3단으로 구성되는 점은, 도 8에 도시한 제2의 실시의 형태와 마찬가지이다.
그러나, 제3의 실시의 형태의 화소 구조는, 3단의 차광벽 레이어 중, 이너 렌즈(121)가 형성되어 있는 차광벽 레이어가, 컬러 필터(71)의 색에 의해 다른 점이, 제2의 실시의 형태와 다르다.
도 9의 A는, G와 R의 컬러 필터(71)가 교대로 배치되어 있는 화소행의 2화소의 단면 구성도를 도시하고 있고, 도 9의 B는, G와 B의 컬러 필터(71)가 교대로 배치되어 있는 화소행의 2화소의 단면 구성도를 도시하고 있다.
도 9의 A 및 도 9의 B에 도시되는 바와 같이, R의 컬러 필터(71)가 형성되어 있는 화소(2)에서는, 3단의 차광벽 레이어 중의 최상층(제3의 차광벽 레이어)에 이너 렌즈(121)가 형성되어 있고, G의 컬러 필터(71)가 형성되어 있는 화소(2)에서는, 중간층(제2의 차광벽 레이어)에 이너 렌즈(121)가 형성되어 있다. 그리고, B의 컬러 필터(71)가 형성되어 있는 화소(2)에서는, 최하층(제1의 차광벽 레이어)에 이너 렌즈(121)가 형성되어 있다.
따라서 도 9의 이너 렌즈(121)의 배치는, 파장이 길어질수록, 이너 렌즈(121)의 위치가 상층측으로 되어 있다. 이너 렌즈(121)가 위의 차광벽 레이어에 있을수록, 광을 구부리는 점에서 효과는 커지기 때문에, 파장이 긴 광일수록, 미리(보다 상층측에서) 이너 렌즈(121)로 집광시킴에 의해, 색수차(色收差)를 저감시킬 수 있다.
<6. 화소의 제4의 실시의 형태>
도 10은, 제4의 실시의 형태에 관한 화소(2)의 단면 구성도이다.
제4의 실시의 형태의 화소 구조는, 차광벽(61)의 단수가 3단으로 구성되는 점은, 도 8에 도시한 제2의 실시의 형태와 마찬가지이다.
제4의 실시의 형태의 화소 구조는, 3단의 차광벽 레이어의 복수의 차광벽 레이어에 이너 렌즈(121)가 형성되어 있는 점이, 제2의 실시의 형태와 다르다.
도 10의 A의 화소 구조에서는, 3단의 차광벽 레이어 중의 중간층(제2의 차광벽 레이어)과 최하층(제1의 차광벽 레이어)에 이너 렌즈(121)가 형성되어 있다.
도 10의 B의 화소 구조에서는, 3단의 차광벽 레이어 중의 모든 층(제1 내지 제3의 차광벽 레이어)에 이너 렌즈(121)가 형성되어 있다.
도 10의 C의 화소 구조에서는, 3단의 차광벽 레이어 중, 컬러 필터(71)의 색에 의해, 이너 렌즈(121)가 형성되어 있는 차광벽 레이어가 다르다. 즉, R의 컬러 필터(71)가 형성된 화소(2)에서는, 최하층(제1의 차광벽 레이어)과 최상층(제3의 차광벽 레이어)에 이너 렌즈(121)가 형성되고, G의 컬러 필터(71)가 형성된 화소(2)에서는, 중간층(제2의 차광벽 레이어)과 최하층(제1의 차광벽 레이어)에 이너 렌즈(121)가 형성되어 있다.
또한, 도 8 내지 도 10에 도시한 예로 한정되지 않고, 차광벽 레이어의 단수와, 어느 차광벽 레이어에 이너 렌즈(121)를 설치하는지는, 적절히 선택하여 결정할 수 있다.
<7. 위상차 화소의 화소 구조>
도 11을 참조하여, 위상차 화소(2P)의 화소 구조에 관해 설명한다.
도 11에서는, 비교를 위해, 화상 생성용의 화소 신호를 출력하는 통상 화소(2X)와, 위상차 신호를 출력하는 위상차 화소(2P)를 나열하고 도시하고 있다.
도 11의 A는, 도 2에 도시한 제1의 실시의 형태와 같이, 이너 렌즈(121)가 없는 경우에 있어서의 위상차 화소(2P)의 화소 구조를 도시하고 있다.
도 11의 B는, 제2의 실시의 형태와 같이, 이너 렌즈(121)가 있는 경우에 있어서 위상차 화소(2P)의 화소 구조를 도시하고 있다. 도 11의 B는, 통상 화소(2X)와 위상차 화소(2P)에서 이너 렌즈(121)가 있는 차광벽 레이어가 같은 예이지만, 통상 화소(2X)와 위상차 화소(2P)에서 이너 렌즈(121)가 있는 차광벽 레이어가 달라도 좋다.
도 11의 C는, 통상 화소(2X)에는 이너 렌즈(121)를 마련하고, 위상차 화소(2P)에서는, 이너 렌즈(121)를 마련하지 않은 화소 구조를 도시하고 있다. 도 11의 C에서는, 위상차 화소(2P)에서, 이너 렌즈(121)의 재료를 평탄하게 형성하고 남겨 두고 있지만, 이너 렌즈(121)의 재료는 없애도 좋다.
위상차 화소(2P)에서는, 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 화소 사이 차광막(50)과 동일 평면상에, 동분할 차광막(52)이 형성되어 있다. 도 11의 예에서는, 동분할 차광막(52)은, 포토 다이오드(PD)의 우측 반분을 차광하고 있다.
또한, 위상차 화소(2P)에서는, 통상 화소(2X)의 컬러 필터(71) 부분에, 다른 재료(141)가 매입되어 있다. 위상차 화소(2P)의 컬러 필터(71) 부분의 재료(141)는, 예를 들면, 위상차 화소(2P)의 감도를 향상하고 저휘도 성능을 개선하기 위해, 시안색의 컬러 필터 재료로 할 수 있다. 또는 또한, 위상차 화소(2P)의 컬러 필터(71) 부분의 재료(141)는, 상층의 온 칩 렌즈(72)와 같은 재료를 매입하여도 좋다.
위상차 화소(2P)는, 통상 화소(2X)와 비교하여 동분할 차광막(52)이 추가적으로 마련되어 있음에 의해, 동분할 차광막(52)에 의한 차광이나 반사의 영향을 받아, 위상차 화소(2P)의 주변 부분이 들뜬 출력 화상으로 되어 버리는 문제가 있다.
그렇지만, 본 개시와 같이, 복수단의 차광벽(61)을 마련함에 의해, 통상 화소(2X)는 위상차 화소(2P)로부터의 광에 의한 혼색을 막는 것이 가능해진다. 또한, 복수단의 차광벽(61)을 마련함에 의해, 주변에의 영향을 걱정하는 일 없이 포커스 포인트를 임의로 설정할 수 있기 때문에, 포커스 포인트를 동분할 차광막(52)에 맞출 수가 있어서, 분리 특성도 최적화할 수 있다.
통상 화소(2X)에서는, 복수단의 차광벽(61) 각각의 동보정량을 변화시키기 때문에, 집광 설계의 자유도를 향상시킬 수 있고, 혼색이나 셰이딩을 악화시키는 일이 없다. 따라서 경사광 특성과 감도 향상의 양립을 도모할 수 있고, 통상 화소 특성과 위상차 화소 특성의 양립이 가능해진다.
또한, 도 11의 B 및 도 11의 C와 같이, 통상 화소(2X)에 이너 렌즈(121)를 마련하는 구성으로 한 경우에는, 위상차 화소(2P)의 분리 특성을 유지 또는 컨트롤하면서, 통상 화소(2X)의 경사광 특성을 향상시키는 것이 가능하다.
<8. 이너 렌즈의 형성 방법>
도 12를 참조하여, 차광벽 레이어에 이너 렌즈(121)를 마련하는 경우의 이너 렌즈(121)의 형성 방법에 관해 설명한다.
도 12는, 2단의 차광벽 레이어 중의 2단째의 차광벽 레이어에 이너 렌즈(121)를 마련하는 경우의 형성 방법을 도시하고 있다.
처음에, 도 12의 A에 도시되는 바와 같이, 1단째의 차광벽 레이어(제1의 차광벽(61A)과 제1의 평탄화막(62A))을 형성한 상태(도 4의 D와 같은 상태)까지 제조하고, 형성된 1단째의 차광벽 레이어의 위에, 이너 렌즈 재료(121A)가 성막된다. 이너 렌즈 재료(121A)로서는, SiN이나 SiON 등의 무기 재료를 들 수 있다.
그리고, 도 6의 A 및 도 6의 B를 참조하여 설명한 온 칩 렌즈(72)의 형성 방법과 마찬가지로 포토레지스트(도시 생략)의 렌즈 형상을 패턴 전사시킴에 의해, 도 12의 B에 도시되는 바와 같이, 이너 렌즈(121)가 형성된다.
이너 렌즈(121)의 동보정량에 관해서는, 각 차광벽 레이어에서, 프로세스 편차가 있는 경우라도 차광벽(61)이 이너 렌즈(121)상에 형성된 것을 방지하기 위해, 이너 렌즈(121)가 있는 차광벽 레이어의 차광벽(61)의 동보정량과 같은 보정량인 것이 바람직하다. 프로세스 쳔차에 여유가 있는 경우에는, 이너 렌즈(121)가 있는 차광벽 레이어의 차광벽(61)과 다른 동보정량을 이너 렌즈(121)의 동보정량으로서 적용하여도 문제는 없다.
다음에, 도 12의 C에 도시되는 바와 같이, 형성된 이너 렌즈(121)의 위에, 제2의 평탄화막(62B)을 성막하고, 도 12의 D에 도시되는 바와 같이, 성막된 제2의 평탄화막(62)이 CMP 등에 의해 평탄화된다.
그 후, 도 12의 E에 도시되는 바와 같이, 도 4의 C 및 도 4의 D를 참조하여 설명하는 방법과 마찬가지로 하여, 제2의 차광벽(61B)이 형성된다.
그 후는, 상술한 제1의 실시의 형태에 관한 화소(2)의 제조 방법과 마찬가지로, 컬러 필터(71), 온 칩 렌즈(72)(부도시)가, 차례로 형성된다.
도 12는, 2단째의 차광벽 레이어에 차광벽(61)을 형성하는 경우의 형성 방법이지만, 2단째로 한정하는 것이 아니고, 임의의 차광벽 레이어에서, 같은 형성 방법으로 형성할 수 있다.
<9. 온 칩 렌즈의 형상에 관해>
도 13을 참조하여, 온 칩 렌즈(72)의 형상에 관해 설명한다.
온 칩 렌즈(72)의 형상은, 임의의 형상을 선택할 수 있지만, 대표적인 형상으로서, 수평 방향 단면(斷面)과 경사 방향 단면에서 온 칩 렌즈(72)의 곡률이 같아지는 환형(丸型) 형상과, 수평 방향 단면과 경사 방향 단면에서 온 칩 렌즈(72)의 곡률이 다른 사각형 형상이 있다.
도 13은, 환형 형상과 사각형 형상 각각의 경우의 온 칩 렌즈(72)의 수평 방향과 경사 방향의 단면도와, 화소 사이 차광막(50)이나 동분할 차광막(52)과 동일한 차광막면에서의 집광 스폿 형상을 도시하고 있다.
온 칩 렌즈(72)의 형상을 사각형 형상으로 하는 경우, 수평 방향 단면과 경사 방향 단면으로 곡률이 다른 형상으로 되기 때문에, 입사광이 굴절하는 각도가 변하고 집광 스폿은 넓어진다. 그러나, 본 개시의 화소 구조에 의하면, 차광벽(61)을 복수단으로 하여, 각 차광벽(61)에서 각각 최적의 동보정을 걸 수 있기 때문에, 감도 로스를 1단의 차광벽(61)과 비교하고 작게 할 수 있다.
화소 어레이부(3) 내에 위상차 화소(2P)를 배치하고 있는 경우, 위상차 특성을 얻기 위해서는, 집광 스폿은 작게 조이는 것이 바람직하기 때문에, 온 칩 렌즈(72)의 형상은 환형 형상으로 하는 것이 바람직하다.
온 칩 렌즈(72)의 경사 방향과 수평 방향과의 곡률 반경비(=경사 방향의 곡률 반경/수평 방향의 곡률 반경)을 편평률(扁平率)이라고 부르는 것으로 하면, 도 14에 도시되는 바와 같이, 위상차 오토 포커스에 의한 측거(側距) 허용 한계를 저하되지 않는 레벨로 하기 위해서는, 편평률은 1 내지 1.2의 범위인 것이 바람직하다. 화소 사이즈가 3㎛ 이상의 고체 촬상 소자(1)에서는, 온 칩 렌즈(72)의 곡률을 수평 방향과 경사 방향에서 일치시키는 것이 곤란한 것이 많다. 그와 같은 경우, 위상차 특성을 유지하기 위해서는, 편평률을 1 내지 1.2로 하는 것이 좋다.
<10. OPB 영역의 차광 구조>
다음에, 화소 유효 영역 외의 OPB 영역의 차광 구조에 관해 설명한다.
도 15는, 화소 유효 영역 외의 OPB 영역의 차광 구조의 제1의 구성례를 설명하는 도면이다.
화소 유효 영역에서는, 상술한 바와 같이, 제1의 차광벽(61A)과 제2의 차광벽(61B)의 2단의 차광벽(61)이 형성되고, 화소 어레이부(3)의 중앙부(화각 중앙)로부터 주변부(화각단)로 갈수록, 동보정량이 커지도록 형성되어 있다.
이에 대해, 화소 유효 영역 외의 OPB 영역에서는, 도 15에 도시되는 바와 같이, 도 3에 도시한 OPB 형성막(51)만이 형성된 차광 구조로 할 수 있다. 또한, 도 15의 예에서는, OPB 영역에는, G의 컬러 필터(71)가 형성되어 있지만, OPB 영역은 수광하지 않는 영역이기 때문에, 컬러 필터(71)의 유무나 색은 한정되지 않는다.
도 16은, 화소 유효 영역 외의 OPB 영역의 차광 구조의 제2의 구성례를 설명하는 도면이다.
화소 유효 영역 외의 OPB 영역에서는, 도 15에 도시한 OPB 형성막(51)만의 차광 구조 외에, 예를 들면, 도 16에 도시되는 바와 같이, OPB 형성막(51)의 위에, 화소 유효 영역과 같은, 제1의 차광벽(61A)과 제2의 차광벽(61B)의 2단의 차광벽(61)이 형성된 차광 구조로 할 수 있다. 이에 의해, 도 15에 도시한 OPB 형성막(51)만이 형성된 경우와 비교하고, 차광성을 향상시킬 수 있다.
OPB 영역에서의 2단의 차광벽(61) 각각의 평면 방향의 위치가, 도 16에 도시되는 바와 같이, 제1의 차광벽(61A)과 제2의 차광벽(61B)에서 다르도록 형성함으로써, 평면 방향에 대해 조밀하게 패턴 형성이 가능해지고, 차광 효과를 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 차광벽(61)의 평면 방향의 간격(패턴 피치)은 작을수록, 차광 효과가 더욱 향상한다.
도 17을 참조하여, 도 16에 도시한 OPB 영역의 차광 구조의 제조 방법에 관해 설명하다. 또한, 도 17에서는, OPB 형성막(51), 제1의 차광벽(61A), 및 제2의 차광벽(61B)의 형성에 관해서만 설명한다. 기타의 부분에 관해서는, 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명한 제조 방법과 마찬가지이다.
처음에, 도 17의 A에 도시되는 바와 같이, 화소 유효 영역에 화소 사이 차광막(50)을 형성하는 동시에, OPB 영역에 대해서도, 화소 사이 차광막(50)과 동일 재료로, OPB 형성막(51)이 형성된다.
다음에, 도 17의 B에 도시되는 바와 같이, 화소 유효 영역에 제1의 차광벽(61A)을 형성하는 동시에, OPB 영역에 대해서도, 제1의 차광벽(61A)이 형성된다.
다음에, 도 17의 C에 도시되는 바와 같이, 화소 유효 영역에 제2의 차광벽(61B)을 형성하는 동시에, OPB 영역에 대해서도, 제2의 차광벽(61B)이 형성된다. 여기에서, 화소 유효 영역의 제1의 차광벽(61A) 및 제2의 차광벽(61B)은, 상고에 응하여 동보정이 걸려진 배치로 되어 있다. OPB 영역의 제1의 차광벽(61A) 및 제2의 차광벽(61B)은, 1단째의 제1의 차광벽(61A)과 2단째의 제2의 차광벽(61B)에서, 평면 방향의 위치가 어긋난 배치로 되어 있다.
이상과 같이, OPB 영역의 차광벽(61)은, 화소 유효 영역의 차광벽(61)과 동일 공정에서 동시에 형성할 수 있기 때문에, 공정수의 증가 없이, OPB 영역의 차광성을 향상시킬 수 있다. 또한, 화소 유효 영역과 OPB 영역에서 같은 패턴을 형성함으로써 가공 균일성이 향상한다.
또한, OPB 영역의 차광벽(61)의 상세한 형성 방법은, 도 4를 참조하여 설명한 화소 유효 영역의 차광벽(61)의 형성 방법과 마찬가지이다. 즉, 평탄화막(62)이 되는 무기 재료, 예를 들면 SiO2를 성막 후, 차광벽(61)을 형성하는 부분을 에칭 가공함으로써 개구부(101)를 형성하고, 개구부(101)에 텅스텐이나 구리 등의 금속재료를 매입한 후, 표면 전체를 CMP하는 공정을 반복함에 의해, 복수단의 차광벽(61)을 형성할 수 있다.
도 18은, OPB 영역에 형성 가능한 차광벽(61)의 기타의 구성례를 도시하고 있다.
도 18의 A는, 1단째의 제1의 차광벽(61A)과 2단째의 제2의 차광벽(61B)이 상하로 겹쳐지도록 배치된, 차광벽(61)의 구성례를 도시하고 있다.
도 18의 B는, 각 단의 차광벽(61)의 단면(斷面) 형상이 깊이 방향으로 경사(테이퍼)가 붙은 형상으로 된, 차광벽(61)의 구성례를 도시하고 있다. 도 18의 B는, 각 단의 차광벽(61)에서, 상면보다도 하면의 평면 면적이 큰 역테이퍼 형상의 차광벽(61)의 구성례를 도시하고 있지만, 상면보다도 하면의 평면 면적이 작은 순테이퍼 형상으로 할 수도 있다. 차광벽(61)의 단면 형상을 경사(테이퍼)를 붙인형상으로 함으로써, 더욱 조밀한 패턴 형성이 가능해진다. 또한, 차광벽(61)은 배선으로서 사용되지 않기 때문에, 상하의 차광벽(61)이 접촉하여도 문제는 없다. OPB 형성막(51)만으로는 성막, 가공이 불가능한 레벨의 차광 층두께를 실현할 수 있다.
또한, 도 16 내지 도 18에서는, OPB 영역에 형성된 차광벽(61)의 단수가 2단인 예에 관해 설명하였지만, 화소 유효 영역의 차광벽(61)의 단수가 3단 이상인 경우에는, OPB 영역의 차광벽(61)의 단수도 마찬가지로 3단 이상(화소 유효 영역의 차광벽(61)의 단수와 같은 단수)으로 된다. 각 단의 차광벽(61)의 평면 방향의 위치는, 도 16에 도시한 바와 같이 다르도록 형성하여도 좋고, 도 18의 A에 도시한 바와 같도록 형성하여도 좋다.
<11. 고체 촬상 소자의 기판 구성례>
도 1의 고체 촬상 소자(1)는, 도 19의 A에 도시되는 바와 같이, 1장의 반도체 기판(12)에, 복수의 화소(2)가 배열되어 있는 화소 영역(221)과, 화소(2)를 제어하는 제어 회로(222)와, 화소 신호의 신호 처리 회로를 포함하는 로직 회로(223)가 형성된 구성으로 되어 있다.
그렇지만, 고체 촬상 소자(1)는, 도 19의 B에 도시되는 바와 같이, 화소 영역(221)과 제어 회로(222)가 형성된 제1의 반도체 기판(231)과, 로직 회로(223)가 형성된 제2의 반도체 기판(232)을 적층한 구성으로 하는 것도 가능하다. 제1의 반도체 기판(231)과 제2의 반도체 기판(232)은, 예를 들면, 관통 비어나 Cu-Cu의 금속 결합에 의해 전기적으로 접속된다.
또는 또한, 고체 촬상 소자(1)는, 도 19의 C에 도시되는 바와 같이, 화소 영역(221)만이 형성된 제1의 반도체 기판(241)과, 제어 회로(222)와 로직 회로(223)가 형성된 제2의 반도체 기판(242)을 적층한 구성으로 한 것도 가능하다. 제1의 반도체 기판(241)과 제2의 반도체 기판(242)은, 예를 들면, 관통 비어나 Cu-Cu의 금속 결합에 의해 전기적으로 접속된다.
<12. 전자 기기에의 적용례>
본 개시는, 고체 촬상 소자에의 적용으로 한정되는 것이 아니다. 즉, 본 개시는, 디지털 스틸 카메라나 비디오 카메라 등의 촬상 장치나, 촬상 기능을 갖는 휴대 단말 장치나, 화상 판독부에 고체 촬상 소자를 이용하는 복사기 등, 화상 취입부(광전 변환부)에 고체 촬상 소자를 이용하는 전자 기기 전반에 대해 적용 가능하다. 고체 촬상 소자는, 원칩으로서 형성된 형태라도 좋고, 촬상부와 신호 처리부 또는 광학계가 통합하여 팩키징된 촬상 기능을 갖는 모듈형상의 형태라도 좋다.
도 20은, 본 개시에 관한 전자 기기로서의, 촬상 장치의 구성례를 도시하는 블록도이다.
도 20의 촬상 장치(300)는, 렌즈군 등으로 이루어지는 광학부(301), 도 1의 고체 촬상 소자(1)의 구성이 채용되는 고체 촬상 소자(촬상 디바이스)(302), 및 카메라 신호 처리 회로인 DSP(Digital Signal Processor) 회로(303)를 구비한다. 또한, 촬상 장치(300)는, 프레임 메모리(304), 표시부(305), 기록부(306), 조작부(307), 및 전원부(308)도 구비한다. DSP 회로(303), 프레임 메모리(304), 표시부(305), 기록부(306), 조작부(307) 및 전원부(308)는, 버스 라인(309)을 통하여 상호 접속되어 있다.
광학부(301)는, 피사체로부터의 입사광(상광)을 취입하고 고체 촬상 소자(302)의 촬상면상에 결상한다. 고체 촬상 소자(302)는, 광학부(301)에 의해 촬상면상에 결상된 입사광의 광량을 화소 단위로 전기 신호로 변환하여 화소 신호로서 출력한다. 이 고체 촬상 소자(302)로서, 도 1의 고체 촬상 소자(1), 즉, 복수단의 차광벽 레이어를 구비하고, 각 단의 차광벽 레이어에서 최적으로 동보정을 행하는 고체 촬상 소자를 이용할 수 있다.
표시부(305)는, 예를 들면, 액정 패널이나 유기 EL(Electro Luminescence) 패널 등의 패널형 표시 장치로 이루어지는고, 고체 촬상 소자(302)에서 촬상된 동화 또는 정지화를 표시한다. 기록부(306)는, 고체 촬상 소자(302)에서 촬상된 동화 또는 정지화를, 하드 디스크나 반도체 메모리 등의 기록 매체에 기록한다.
조작부(307)는, 유저에 의한 조작하에, 촬상 장치(300)가 갖는 다양한 기능에 관해 조작 지령을 발한다. 전원부(308)는, DSP 회로(303), 프레임 메모리(304), 표시부(305), 기록부(306) 및 조작부(307)의 동작 전원이 되는 각종의 전원을, 이들 공급 대상에 대해 적절히 공급한다.
상술한 바와 같이, 고체 촬상 소자(302)로서, 상술한 각 실시의 형태에 관한 고체 촬상 소자(1)를 이용함으로써, 통상 화소 특성과 위상차 화소 특성을 양립시키고, 고감도를 실현할 수 있다. 따라서, 비디오 카메라나 디지털 스틸 카메라, 나아가서는 휴대 전화기 등의 모바일 기기용 카메라 모듈 등의 촬상 장치(300)에서도, 촬상 화상의 고화질화를 도모할 수 있다.
상술한 예에서는, 제1 도전형을 p형, 제2 도전형을 n형으로 하여, 전자를 신호 전하로 한 고체 촬상 소자에 관해 설명하였지만, 본 개시는 정공을 신호 전하로 하는 고체 촬상 소자에도 적용할 수 있다. 즉, 제1 도전형을 n형으로 하고, 제2 도전형을 p형으로 하여, 전술의 각 반도체 영역을 반대의 도전형의 반도체 영역으로 구성할 수 있다.
또한, 본 개시는, 가시광의 입사광량의 분포를 검지하여 화상으로서 촬상하는 고체 촬상 소자에의 적용으로 한하지 않고, 적외선이나 X선, 또는 입자 등의 입사량의 분포를 화상으로서 촬상하는 고체 촬상 소자나, 광의의 의미로서, 압력이나 정전용량 등, 다른 물리량의 분포를 검지하여 화상으로서 촬상하는 지문 검출 센서 등의 고체 촬상 소자(물리량 분포 검지 장치) 전반에 대해 적용 가능하다.
본 개시의 실시의 형태는, 상술한 실시의 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 개시의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지의 변경이 가능하다.
예를 들면, 상술한 복수의 실시의 형태의 전부 또는 일부를 조합시킨 형태를 채용할 수 있다.
또한, 본 명세서에 기재된 효과는 어디까지나 예시이고 한정되는 것이 아니고, 본 명세서에 기재된 것 이외의 효과가 있어도 좋다.
또한, 본 개시는 이하와 같은 구성도 취할 수 있다.
(1)
복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되어 있고, 화소 사이에 복수단의 차광벽을 갖는 화소 어레이부를 구비하는 고체 촬상 소자.
(2)
이면 조사형인 상기 (1)에 기재된 고체 촬상 소자.
(3)
상기 복수단의 차광벽 각각은, 동보정이 된 위치에 형성되어 있는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 고체 촬상 소자.
(4)
컬러 필터에 가장 가까운 차광벽 레이어의 상기 차광벽의 동보정량(C) 및 폭(X)으로 하여, 상기 컬러 필터의 동보정량(D)은, C ≤ D ≤ C+X/2의 조건을 충족시키는 상기 (1) 내지 (3)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(5)
상기 컬러 필터의 동보정량(D)은, 상기 컬러 필터에 가장 가까운 차광벽 레이어의 상기 차광벽의 동보정량(C)과 같은 상기 (4)에 기재된 고체 촬상 소자.
(6)
상기 복수단의 차광벽 중, 제Q단째(Q>2)의 동보정량은, 그 아래의 제Q-1단째의 동보정량 이상의 보정량인 상기 (3)에 기재된 고체 촬상 소자.
(7)
상기 복수단의 차광벽 중, 제Q단째(Q>2)의 차광벽은, 그 아래의 제Q-1단째의 차광벽과 상기 화소 어레이부 내의 적어도 일부에서 접속되어 있고, 상기 제Q단째의 차광벽과 상기 제Q-1단째의 차광벽은, 전기적으로 동전위인 상기 (1) 내지 (6)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(8)
상기 차광벽은, 평면 방향의 면적이 저면부터 상방으로 갈수록 커지는 순테이퍼 형상인 상기 (1) 내지 (7)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(9)
상기 화소의 온 칩 렌즈의 경사 방향과 수평 방향과의 곡률 반경비는, 1 내지 1.2의 범위인 상기 (1) 내지 (8)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(10)
상기 복수단의 차광벽의 형성층인 복수단의 차광벽 레이어 중, 적어도 하나의 차광벽 레이어의 소정의 화소에 이너 렌즈가 형성되어 있는 상기 (1) 내지 (9)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(11)
소정의 컬러 필터의 색의 화소에 상기 이너 렌즈가 형성되어 있는 상기 (10)에 기재된 고체 촬상 소자.
(12)
컬러 필터의 색에 의해, 상기 이너 렌즈가 형성되어 있는 상기 차광벽 레이어가 다른 상기 (10)에 기재된 고체 촬상 소자.
(13)
통상 화소와 위상차 화소에서 상기 이너 렌즈의 유무가 다른 상기 (10)에 기재된 고체 촬상 소자.
(14)
통상 화소와 위상차 화소에서 상기 이너 렌즈가 형성되어 있는 상기 차광벽 레이어가 다른 상기 (10)에 기재된 고체 촬상 소자.
(15)
상기 복수의 화소의 일부는, 위상차 화소인 상기 (1) 내지 (14)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(16)
상기 화소 어레이부 내의 화소 유효 영역 외의 OPB 영역에도, 상기 복수단의 차광벽이 형성되어 있는 상기 (1) 내지 (15)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(17)
상기 OPB 영역의 상기 복수단의 차광벽의 단면 형상은, 테이퍼 형상으로 형성되어 있는 상기 (16)에 기재된 고체 촬상 소자.
(18)
상기 OPB 영역의 상기 복수단의 차광벽의 평면 방향의 위치는, 각 단의 차광벽에서 다른 상기 (16) 또는 (17)에 기재된 고체 촬상 소자.
(19)
복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되는 화소 어레이부를 형성할 때에, 화소 사이에 복수단의 차광벽을 형성하는 고체 촬상 소자의 제조 방법.
(20)
복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되어 있고, 화소 사이에 복수단의 차광벽을 갖는 화소 어레이부를 갖는 고체 촬상 소자를 구비하는 전자 기기.
1 : 고체 촬상 소자
2 : 화소
2P : 위상차 화소
2X : 통상 화소
3 : 화소 어레이부
51 : OPB 형성막
61(61A, 61B, 61C) : 차광벽
71 : 컬러 필터
72 : 온 칩 렌즈
231 : 제1의 반도체 기판
232 : 제2의 반도체 기판
241 : 제1의 반도체 기판
242 : 제2의 반도체 기판
300 : 촬상 장치
302 : 고체 촬상 소자

Claims (20)

  1. 복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치된 화소 어레이부를 구비하고,
    상기 화소 어레이부는,
    입사광의 수광량에 응한 전하를 생성하는 광전 변환 소자를 상기 화소마다 구비하는 반도체 기판과,
    상기 입사광이 입사되는 입사면측이 되는 상기 반도체 기판의 이면측의 화소 사이에 형성된, 복수단의 차광벽과,
    상기 입사면측과 반대측인 상기 반도체 기판의 표면측에 형성된, 상기 광전 변환 소자에서 생성된 상기 전하를 판독하는 회로를 포함하는 배선층을 가지고,
    상기 복수단의 차광벽 각각은, 동보정이 된 위치에 형성되고,
    상기 복수단의 차광벽 중, 제Q단째(Q>2)의 동보정량은, 그 아래의 제Q-1단째의 동보정량 이상의 보정량인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 입사면측의 화소 경계 부분에, 화소간 차광막을 더 구비하고,
    상기 복수단의 차광막은, 온 칩 렌즈보다 상기 반도체 기판측에 형성된 컬러 필터와, 상기 화소간 차광막과의 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    각 단의 상기 차광벽끼리의 사이에는 평탄화막이 형성되어 있고,
    상기 차광벽과 상기 평탄화막의 층이, 동보정된 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    컬러 필터에 가장 가까운 차광벽 레이어에 형성된 상기 차광벽의 동보정량(C) 및 폭(X)으로서, 상기 컬러 필터의 동보정량(D)은, C≤D≤C+X/2의 조건을 충족시키는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 컬러 필터의 동보정량(D)은, 상기 컬러 필터에 가장 가까운 차광벽 레이어에 형성된 상기 차광벽의 동보정량(C)과 같은 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수단의 차광벽 중, 제Q단째(Q>2)의 차광벽은, 그 아래의 제Q-1단째의 차광벽과 상기 화소 어레이부 내의 적어도 일부에서 접속되어 있고, 상기 제Q단째의 차광벽과 상기 제Q-1단째의 차광벽은, 전기적으로 동전위인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 차광벽은, 평면 방향의 면적이 저면부터 상방으로 갈수록 커지는 순테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 화소의 온 칩 렌즈의 경사 방향과 수평 방향과의 곡률 반경비는, 1 내지 1.2의 범위인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수단의 차광벽의 형성 층인 복수단의 차광벽 레이어 중, 적어도 하나의 차광벽 레이어의 소정의 화소에 이너 렌즈가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    소정의 컬러 필터의 색의 화소에 상기 이너 렌즈가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  11. 제9항에 있어서,
    컬러 필터의 색에 의해, 상기 이너 렌즈가 형성되어 있는 상기 차광벽 레이어가 다른 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  12. 제9항에 있어서,
    통상 화소와 위상차 화소에서 상기 이너 렌즈의 유무가 다른 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  13. 제9항에 있어서,
    통상 화소와 위상차 화소에서 상기 이너 렌즈가 형성되어 있는 상기 차광벽 레이어가 다른 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소의 일부는, 위상차 화소인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 화소 어레이부 내의 화소 유효 영역 외의 OPB 영역에는, 상기 복수단의 차광벽과 동일층에 형성된 복수단의 차광벽을 더 가지는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 OPB 영역의 상기 복수단의 차광벽의 단면 형상은, 테이퍼 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 OPB 영역의 상기 복수단의 차광벽의 평면 방향의 위치는, 각 단의 차광벽에서 다른 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  18. 복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치된 화소 어레이부를 형성할 때에,
    반도체 기판에, 입사광의 수광량에 응한 전하를 생성하는 광전 변환 소자를 상기 화소마다 형성하고,
    상기 입사광이 입사되는 입사면측과 반대측인 상기 반도체 기판의 표면측에, 상기 광전 변환 소자에서 생성된 상기 전하를 판독하는 회로를 포함하는 배선층을 형성하고,
    상기 입사면측이 되는 상기 반도체 기판의 이면측의 화소 사이에 복수단의 차광벽을 형성하는 스텝을 포함하고,
    상기 복수단의 차광벽 각각은, 동보정이 된 위치에 형성되고, 상기 복수단의 차광벽 중, 제Q단째(Q>2)의 동보정량이, 그 아래의 제Q-1단째의 동보정량 이상의 보정량이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  19. 복수의 화소가 행렬형상으로 2차원 배치된 화소 어레이부를 가지고,
    상기 화소 어레이부는,
    입사광의 수광량에 응한 전하를 생성하는 광전 변환 소자를 상기 화소마다 구비하는 반도체 기판과,
    상기 입사광이 입사되는 입사면측이 되는 상기 반도체 기판의 이면측의 화소 사이에 형성된, 복수단의 차광벽과,
    상기 입사면측과 반대측인 상기 반도체 기판의 표면측에 형성된, 상기 광전 변환 소자에서 생성된 상기 전하를 판독하는 회로를 포함하는 배선층을 가지고,
    상기 복수단의 차광벽 각각은, 동보정이 된 위치에 형성되고,
    상기 복수단의 차광벽 중, 제Q단째(Q>2)의 동보정량은, 그 아래의 제Q-1단째의 동보정량 이상의 보정량인 고체 촬상 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  20. 삭제
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