WO2016208403A1 - イメージセンサ、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
本開示は、受光素子層上に遮光体を配した構造を有するイメージセンサに起こり得る混色、迷光、輪郭解像度の低下等の不具合を抑止することができるようにするイメージセンサ、および電子機器に関する。 本開示の一側面であるイメージセンサは、遮光壁と前記遮光壁間の開口部に形成された透光部を有する遮光体と、前記遮光体の光の入射面側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第１の遮光層と、前記遮光体の光の入射面側であって、前記第１の遮光層の前記開口部毎に設けられているマイクロレンズと、前記マイクロレンズにより集光され、前記遮光体の前記透光部を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層とを備える。本開示は、例えば、複眼光学系に用いることができる。
Description
本開示は、イメージセンサ、および電子機器に関し、特に、例えば、複眼光学系に用いて好適なイメージセンサ、および電子機器に関する。
従来、例えば複眼光学系に用いるイメージセンサとして、マイクロレンズと受光素子との間に遮光体を設ける構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
図１は、マイクロレンズと受光素子との間に遮光体を設けた、従来のイメージセンサの構成の一例を示している。
このイメージセンサ１０は、受光素子層１１、透明絶縁層１３、遮光体１４、およびマイクロレンズアレイ１７が積層されて構成される。受光素子層１１は、縦横に配置された多数の受光素子１２から成る。遮光体１４は、光を透過する光重合性樹脂をリソグラフィによって柱状に形成した透光部１６と、透光部１６間に黒顔料樹脂を充填することにより形成された遮光壁１５から成る。マイクロレンズアレイ１７は、遮光体１４の各開口部（遮光壁に１５によって囲まれた透光部１６）に対して１つのマイクロレンズが配され、マイクロレンズ上に平坦化のためにカバーガラスなどが積層されて形成される。
イメージセンサ１０によれば、マイクロレンズアレイ１７により集光した入射光を、遮光壁１５で囲まれた透光部１６を介して、その直下の受光素子１２に入射させることができる。また、遮光体１４が配置されていることにより、集光された入射光が、隣接する区画の受光素子に漏れ出すことを抑止できる。さらに、遮光体１４を成す遮光壁１５間に透光部１６が配置されているので、温度変化等の周囲の環境変化によって遮光壁１５の側面に結露が発生することを防止できる。
上述したように、イメージセンサ１０では、遮光体１４が配置されることにより、入射光の漏れ出しが抑止されるものの、依然として混色や迷光の影響を受けやすい。
また、イメージセンサ１０の遮光体１４を成す遮光壁１５と透光部１６の位置は、光重合性樹脂をリソグラフィで柱状に形成することにより決まることになるが、透光部１６を成す光重合性樹脂の厚みが比較的厚いために透光部１６の形成精度を上げることが難しく、透光部１６を理想的な矩形に形成することが困難である。
このことは各マイクロレンズの直下の受光素子１２から得られる画像を連結するような場合に不具合が生じ得る。この不具合について図２を参照して説明する。
図２のＡは、イメージセンサ１０の遮光体１４を光の入射側から見たときの鳥瞰図である。図示するように、透光部１６は矩形性が低いものとなってしまう。そして、矩形性が低い透光部１６を透過した入射光が受光素子上に結像する画像も、図２のＢに示されるように、矩形性が低いものとなってしまうので、その輪郭解像度が低くなり、輪郭付近の画像合成が困難となってしまう。
本開示はこのような状況に鑑みてなされたものであり、受光素子層上に遮光体を配置した構造を有するイメージセンサに起こり得る混色、迷光、輪郭解像度の低下等の不具合を抑止できるようにするものである。
本開示の第１の側面であるイメージセンサは、遮光壁と前記遮光壁間の開口部に形成された透光部を有する遮光体と、前記遮光体の光の入射面側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第１の遮光層と、前記遮光体の光の入射面側であって、前記第１の遮光層の前記開口部毎に設けられているマイクロレンズと、前記マイクロレンズにより集光され、前記遮光体の前記透光部を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層とを備える。
本開示の第１の側面であるイメージセンサは、前記遮光体の受光素子層側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第２の遮光層をさらに備えることができる。
前記遮光体の前記遮光壁は、Ｓｉによって形成されているようにすることができる。
前記第１の遮光層は、前記遮光壁とは異なる遮光材によって形成されているようにすることができる。
前記第１の遮光層の開口部は、円形とすることができる。
前記第１の遮光層の開口部の壁面形状は、逆テーパー形状または垂直とすることができる。
前記第２の遮光層は、前記遮光壁とは異なる遮光材によって形成されているようにすることができる。
前記第２の遮光層の開口部は、矩形とすることができる。
前記遮光体の透光部は、前記遮光壁間の開口部に透光材が充填されることにより形成されているようにすることができる。
本開示の第１の側面であるイメージセンサは、前記遮光体と前記受光素子層とを接合する接合層と、前記接合層の側方を遮光する遮光部とをさらに備えることができる。
前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が延伸されて形成されているようにすることができる。
前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が前記接合層まで延伸されて形成されているようにすることができる。
前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が前記受光素子層まで延伸されて形成されているようにすることができる。
本開示の第２の側面である電子機器は、イメージセンサが搭載された電子機器において、前記イメージセンサは、遮光壁と前記遮光壁間の開口部に形成された透光部を有する遮光体と、前記遮光体の光の入射面側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第１の遮光層と、前記遮光体の光の入射面側であって、前記第１の遮光層の前記開口部毎に設けられているマイクロレンズと、前記マイクロレンズにより集光され、前記遮光体の前記透光部を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層とを備える。
本開示の第３の側面であるイメージセンサは、遮光材としてＳｉを採用する遮光壁と前記遮光壁間の開口部に透明材を充填することにより形成された形成された透光部を有する遮光体と、前記遮光体を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層とを備える。
本開示の第１乃至第３の側面においては、遮光体を介して入力された入射光が受光素子層に入射される。
本開示の第１乃至第３の側面によれば、受光素子層上に遮光体を配置した構造を有するイメージセンサに起こり得る混色、迷光、輪郭解像度の低下等の不具合を抑止することができる。
以下、本開示を実施するための最良の形態（以下、実施の形態と称する）について、図面を参照しながら詳細に説明する。
＜本開示の実施の形態であるイメージセンサの第１の構成例＞
図３は、本開示の実施の形態であるイメージセンサの構成例を示している。
図３は、本開示の実施の形態であるイメージセンサの構成例を示している。
このイメージセンサ２０は、別途生成される受光素子層２１と遮光体２３が薄膜接合樹脂層２２により接合されて形成される。受光素子層２１と遮光体２３を薄膜接合樹脂層２２により隙間なく接合することにより、従来その隙間に起こり得た結露を防止することができる。よって、得られる画像の劣化を抑止することができる。
受光素子層２１は、縦横に配置された多数の受光素子から成る。薄膜接合樹脂層２２は、透明材から成り、受光素子層２１と遮光体２３を隙間なく接合するために配置される。
遮光体２３は、Ｓｉなどの遮光材から成る遮光壁２６と、ガラスまたは樹脂などの透明材から成る透光部２５から構成される。遮光壁２６は、遮光材に対してリソグラフィとドライエッチングなどの加工によって貫通孔を開口することにより形成される。透光部２５は、遮光壁２６の間（すなわち、貫通孔）に透明材が充填されることにより形成される。
すなわち、遮光体２３は、遮光壁２６によって囲まれている開口部が透光部２５とされ、上辺側（光の入射面側）から入射される光を下辺側（受光素子側）に透過させるように形成されている。
遮光体２３の下辺側には、BLK CF（黒色カラーフィルタ）やＴｉ，Ｗなどの遮光材から成り、遮光体２３の各開口部（遮光壁２６によって囲まれている透光部２５）よりも狭い矩形の開口部を有する下辺遮光層２４が形成されている。
一方、遮光体２３の上辺側には、BLK CFやＴｉ，Ｗなどの遮光材から成り、遮光体２３の各開口部（遮光壁２６によって囲まれている透光部２５）よりも狭い円形の開口部を有する上辺遮光層２７が形成されている。上辺遮光層２７の円形の開口部には、マイクロレンズ２８が形成されている。
図４は、上辺遮光層２７に設けられている開口部の壁面形状の例を示している。
同図Ａは、上辺遮光層２７の開口部の壁面を下方向（受光素子方向）に加工した場合（本明細書では、この形状を逆テーパー形状と称する）を示している。逆テーパー形状の場合、上辺遮光層２７の開口部の壁面における入射光の反射の発生が抑止される。
同図Ｂは、上辺遮光層２７の開口部の壁面を上方向（マイクロレンズ方向）に加工した場合（本明細書では、この形状をテーパー形状と称する）を示している。テーパー形状の場合、上辺遮光層２７の壁面において入射光の反射が生じて迷光が発生し得る。したがって、上辺遮光層２７の開口部の壁面形状は、同図Ｂに示されたテーパー形状は避け、同図Ａに示された逆テーパー形状とするか、垂直（不図示）とすることが望ましい。
次に、上辺遮光層２７とマイクロレンズ２８を形成する工程について説明する。
図５は、先にマイクロレンズ２８を形成し、次に上辺遮光層２７を形成する場合の工程を示している。図６は、その場合におけるマイクロレンズ２８を形成する工程の詳細を示している。
上辺遮光層２７を形成する前にマイクロレンズ２８を形成する場合、図６のＢに示されるように、遮光体２３の透光部２５上にＰＲ（フォトリソグラフィ）によってレンズ材を配置し、同図Ｃに示されるように、レジストリフロ（加熱）によりレンズ材をマイクロレンズ２８の形状に加工する。
この場合、レンズ材の周囲にその滑りを制止する上辺遮光層２７が無いために滑り量にばらつきが生じてしまい各マイクロレンズ２８の形状やサイズに発生し得る。この結果、得られる画像に湾曲などの不具合が発生してしまう可能性が有る。このような不具合を防ぐため、マイクロレンズ２８は、上辺遮光層２７を形成した後に形成することが望ましい。
次に、図７および図８は、先に上辺遮光層２７を形成し、次にマイクロレンズ２８を形成する場合の工程を示している。図９は、その場合におけるマイクロレンズ２８を形成する工程の詳細を示している。
上辺遮光層２７をBLK CFで形成する場合、図７のＡに示されるように、ＰＲによりBLK CFを塗布して上辺遮光層２７を形成することができる。上辺遮光層２７をＴｉやＷで形成する場合、図８のＡに示されるように、Ｔｉなどを全面に塗布した後、同図Ｂに示されるように、上辺遮光層２７として残したい部分を覆うレジストをＰＲによって塗布し、同図Ｃに示されるように、ドライエッチングなどで余分なＴｉを除去して上辺遮光層２７を形成する。
上辺遮光層２７を形成した後は、図８のＢに示されるように、上辺遮光層２７の開口部にＰＲによってレンズ材を配置し、図８のＣに示されるように、レジストリフロ（加熱）によりレンズ材をマイクロレンズ２８の形状に加工する。
この場合、レンズ材の周囲にその滑りを制止する上辺遮光層２７が既に形成されているので、各マイクロレンズ２８の形状やサイズの均一性を向上させることができる。
図１０のＡは、このようにして形成されたイメージセンサ２０の遮光体２３を光の入射側から見たときの鳥瞰図である。
イメージセンサ２０においては、その周囲が上辺遮光層２７によって遮光されているマイクロレンズ２８によって集光された光が遮光体２３の開口部（透光部２５）を透過して受光素子層２１に入射される。このときの入射光は、遮光体２３の開口部よりも狭く、矩形に形成されている下辺遮光層２４の開口部を透過することになるので、隣接する区画に入射光が漏れ出すことを抑止できる。そして、受光素子上に結像される画像は、図１０のＢに示されるように、輪郭解像度の低減が抑止されたものとなるので、受光素子層２１の隣接する区画から得られる画像を合成する場合においても、図２のＢに示された場合に比較して、輪郭付近の画像合成を容易に実行することができる。
＜本開示の実施の形態であるイメージセンサ２０の第１の変形例＞
上述したように、遮光体２３の透光部２５は、ガラスまたは樹脂などの透明材から成るが、透明材がガラスである場合、その添加剤に起因してガラスからα線が放出されて、受光素子層２１の受光素子に悪影響を与え得る。
上述したように、遮光体２３の透光部２５は、ガラスまたは樹脂などの透明材から成るが、透明材がガラスである場合、その添加剤に起因してガラスからα線が放出されて、受光素子層２１の受光素子に悪影響を与え得る。
次に、図１１は、この悪影響を抑止できる、イメージセンサ２０の第１の変形例を示している。
該第１の変形例は、α線を遮蔽するために受光素子層２１と遮光体２３とを接合するための薄膜接合樹脂層２２の厚さを増したものである。この場合、薄膜接合樹脂層２２の厚さは５０μｍ程度とすればよい。
該第１の変形例においては、遮光体２３の透光部２５を成すガラスから放出されるα線が薄膜接合樹脂層２２によって遮蔽されるので、受光素子層２１の受光素子に対するα線による悪影響を抑止することができる。
ただし、薄膜接合樹脂層２２の厚みを増した場合には以下に説明する問題も生じ得る。
図１２は、イメージセンサ２０の第１の変形例に生じ得る問題点を示している。薄膜接合樹脂層２２の厚みを増した場合、同図に示されるように、薄膜接合樹脂層２２に対して側方から光が侵入し、その光が薄膜接合樹脂層２２内で多重反射して受光素子層２１の受光素子に入射してしまい、ゴーストやフレアなどの画質劣化の原因となってしまう。
＜本開示の実施の形態であるイメージセンサ２０の第２の変形例＞
次に、図１３は、厚みを増した薄膜接合樹脂層２２の側方からの光りの侵入を防止できる、イメージセンサ２０の第２の変形例を示している。
次に、図１３は、厚みを増した薄膜接合樹脂層２２の側方からの光りの侵入を防止できる、イメージセンサ２０の第２の変形例を示している。
該第２の変形例は、イメージセンサ２０の端における、遮光体２３の遮光壁２６を薄膜接合樹脂層２２の側方まで延長して凸部５１を形成したものである。
遮光体２３に凸部５１を形成する工程については、遮光材に透光部２５となる貫通孔を開口する前に、遮光材の凸部５１となる領域を残し、それ以外の領域を薄膜接合樹脂層２２の厚みと同じだけ掘り下げてから貫通孔を開口するようにすればよい。
該第２の変形例においては、凸部５１によって接合樹脂層２２の側方が遮光されるので、薄膜接合樹脂層２２の側方から光が侵入して受光素子まで入射することを防止でき、画質の劣化を抑止できる。
また、凸部５１によって薄膜接合樹脂層２２の外部露出面積が減少するので、水分の浸入も抑制し、信頼性（例えば、耐湿性）を向上させることができる。
さらに、凸部５１によって、凸部５１がない状態に比較してイメージセンサ２０の剛性が向上するので、イメージセンサ２０の反りを抑制することができる。
ウェファ上に複数形成されたイメージセンサ２０を個々に切断（ダイシング）する際、凸部５１が存在する位置で切断すれば、異種材料加工起因によるダイシングの品質低下を防止することかできる。
＜本開示の実施の形態であるイメージセンサ２０の第３の変形例＞
次に、図１４は、厚みを増した薄膜接合樹脂層２２の側方からの光りの侵入を防止できる、イメージセンサ２０の第３の変形例を示している。
次に、図１４は、厚みを増した薄膜接合樹脂層２２の側方からの光りの侵入を防止できる、イメージセンサ２０の第３の変形例を示している。
該第３の変形例は、イメージセンサ２０の端における、遮光体２３の遮光壁２６を、受光素子層２１の側方まで延長して凸部６１を形成したものである。
凸部６１の形成については、第２の変形例と同様であるが、第３の変形例の場合、受光素子層２１についても、凸部６１と接合する領域を凹状に形成する必要がある。
該第３の変形例においては、凸部６１によって接合樹脂層２２の側方が遮光されるので、薄膜接合樹脂層２２の側方から光が侵入して受光素子まで入射することを防止でき、画質の劣化を抑止できる。
また、凸部６１によって薄膜接合樹脂層２２の外部露出面積が減少するので、水分の浸入も抑制し、信頼性（例えば、耐湿性）を向上させることができる。
さらに、凸部６１によって、凸部６１がない状態に比較してイメージセンサ２０の剛性が向上するので、イメージセンサ２０の反りを抑制することができる。
ウェファ上に複数形成されたイメージセンサ２０を個々に切断（ダイシング）する際、凸部６１が存在する位置で切断すれば、異種材料加工起因によるダイシングの品質低下を防止することかできる。
＜イメージセンサの使用例＞
図１５は、上述したイメージセンサ２０を使用する使用例を示す図である。
図１５は、上述したイメージセンサ２０を使用する使用例を示す図である。
イメージセンサ２０は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
なお、本開示の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）
遮光壁と前記遮光壁間の開口部に形成された透光部を有する遮光体と、
前記遮光体の光の入射面側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第１の遮光層と、
前記遮光体の光の入射面側であって、前記第１の遮光層の前記開口部毎に設けられているマイクロレンズと、
前記マイクロレンズにより集光され、前記遮光体の前記透光部を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層と
を備えるイメージセンサ。
（２）
前記遮光体の受光素子層側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第２の遮光層を
さらに備える前記（１）に記載のイメージセンサ。
（３）
前記遮光体の前記遮光壁は、Ｓｉによって形成されている
前記（１）または（２）に記載のイメージセンサ。
（４）
前記第１の遮光層は、前記遮光壁とは異なる遮光材によって形成されている
前記（１）から（３）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（５）
前記第１の遮光層の開口部は、円形である
前記（１）から（４）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（６）
前記第１の遮光層の開口部の壁面形状は、逆テーパー形状または垂直である
前記（１）から（５）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（７）
前記第２の遮光層は、前記遮光壁とは異なる遮光材によって形成されている
前記（２）から（６）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（８）
前記第２の遮光層の開口部は、矩形である
前記（２）から（７）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（９）
前記遮光体の透光部は、前記遮光壁間の開口部に透光材が充填されることにより形成されている
前記（２）から（８）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（１０）
前記遮光体と前記受光素子層とを接合する接合層と、
前記接合層の側方を遮光する遮光部と
をさらに備える前記（１）から（９）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（１１）
前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が延伸されて形成されている
前記（１０）に記載のイメージセンサ。
（１２）
前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が前記接合層まで延伸されて形成されている
前記（１０）または（１１）に記載のイメージセンサ。
（１３）
前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が前記受光素子層まで延伸されて形成されている
前記（１０）または（１１）に記載のイメージセンサ。
（１４）
イメージセンサが搭載された電子機器において、
前記イメージセンサは、
遮光壁と前記遮光壁間の開口部に形成された透光部を有する遮光体と、
前記遮光体の光の入射面側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第１の遮光層と、
前記遮光体の光の入射面側であって、前記第１の遮光層の前記開口部毎に設けられているマイクロレンズと、
前記マイクロレンズにより集光され、前記遮光体の前記透光部を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層と
を備える
電子機器。
（１５）
遮光材としてＳｉを採用する遮光壁と前記遮光壁間の開口部に透明材を充填することにより形成された形成された透光部を有する遮光体と、
前記遮光体を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層と
を備えるイメージセンサ。
（１）
遮光壁と前記遮光壁間の開口部に形成された透光部を有する遮光体と、
前記遮光体の光の入射面側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第１の遮光層と、
前記遮光体の光の入射面側であって、前記第１の遮光層の前記開口部毎に設けられているマイクロレンズと、
前記マイクロレンズにより集光され、前記遮光体の前記透光部を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層と
を備えるイメージセンサ。
（２）
前記遮光体の受光素子層側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第２の遮光層を
さらに備える前記（１）に記載のイメージセンサ。
（３）
前記遮光体の前記遮光壁は、Ｓｉによって形成されている
前記（１）または（２）に記載のイメージセンサ。
（４）
前記第１の遮光層は、前記遮光壁とは異なる遮光材によって形成されている
前記（１）から（３）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（５）
前記第１の遮光層の開口部は、円形である
前記（１）から（４）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（６）
前記第１の遮光層の開口部の壁面形状は、逆テーパー形状または垂直である
前記（１）から（５）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（７）
前記第２の遮光層は、前記遮光壁とは異なる遮光材によって形成されている
前記（２）から（６）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（８）
前記第２の遮光層の開口部は、矩形である
前記（２）から（７）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（９）
前記遮光体の透光部は、前記遮光壁間の開口部に透光材が充填されることにより形成されている
前記（２）から（８）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（１０）
前記遮光体と前記受光素子層とを接合する接合層と、
前記接合層の側方を遮光する遮光部と
をさらに備える前記（１）から（９）のいずれかに記載のイメージセンサ。
（１１）
前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が延伸されて形成されている
前記（１０）に記載のイメージセンサ。
（１２）
前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が前記接合層まで延伸されて形成されている
前記（１０）または（１１）に記載のイメージセンサ。
（１３）
前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が前記受光素子層まで延伸されて形成されている
前記（１０）または（１１）に記載のイメージセンサ。
（１４）
イメージセンサが搭載された電子機器において、
前記イメージセンサは、
遮光壁と前記遮光壁間の開口部に形成された透光部を有する遮光体と、
前記遮光体の光の入射面側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第１の遮光層と、
前記遮光体の光の入射面側であって、前記第１の遮光層の前記開口部毎に設けられているマイクロレンズと、
前記マイクロレンズにより集光され、前記遮光体の前記透光部を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層と
を備える
電子機器。
（１５）
遮光材としてＳｉを採用する遮光壁と前記遮光壁間の開口部に透明材を充填することにより形成された形成された透光部を有する遮光体と、
前記遮光体を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層と
を備えるイメージセンサ。
２０ イメージセンサ， ２１ 受光素子層， ２２ 薄膜接合樹脂層， ２３ 遮光体， ２４ 下辺遮光層， ２５ 透光部， ２６ 遮光壁， ２７ 上辺遮光層， ２８ マイクロレンズ， ５１ 凸部，６１ 凸部
Claims (15)
- 遮光壁と前記遮光壁間の開口部に形成された透光部を有する遮光体と、
前記遮光体の光の入射面側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第１の遮光層と、
前記遮光体の光の入射面側であって、前記第１の遮光層の前記開口部毎に設けられているマイクロレンズと、
前記マイクロレンズにより集光され、前記遮光体の前記透光部を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層と
を備えるイメージセンサ。 - 前記遮光体の受光素子層側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第２の遮光層を
さらに備える請求項１に記載のイメージセンサ。 - 前記遮光体の前記遮光壁は、Ｓｉによって形成されている
請求項２に記載のイメージセンサ。 - 前記第１の遮光層は、前記遮光壁とは異なる遮光材によって形成されている
請求項２に記載のイメージセンサ。 - 前記第１の遮光層の開口部は、円形である
請求項２に記載のイメージセンサ。 - 前記第１の遮光層の開口部の壁面形状は、逆テーパー形状または垂直である
請求項２に記載のイメージセンサ。 - 前記第２の遮光層は、前記遮光壁とは異なる遮光材によって形成されている
請求項２に記載のイメージセンサ。 - 前記第２の遮光層の開口部は、矩形である
請求項２に記載のイメージセンサ。 - 前記遮光体の透光部は、前記遮光壁間の開口部に透光材が充填されることにより形成されている
請求項２に記載のイメージセンサ。 - 前記遮光体と前記受光素子層とを接合する接合層と、
前記接合層の側方を遮光する遮光部と
をさらに備える請求項２に記載のイメージセンサ。 - 前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が延伸されて形成されている
請求項１０に記載のイメージセンサ。 - 前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が前記接合層まで延伸されて形成されている
請求項１０に記載のイメージセンサ。 - 前記遮光部は、前記遮光体の前記遮光壁が前記受光素子層まで延伸されて形成されている
請求項１０に記載のイメージセンサ。 - イメージセンサが搭載された電子機器において、
前記イメージセンサは、
遮光壁と前記遮光壁間の開口部に形成された透光部を有する遮光体と、
前記遮光体の光の入射面側に形成され、前記遮光体の前記開口部毎に前記遮光体の前記開口部よりも狭い開口部を有する第１の遮光層と、
前記遮光体の光の入射面側であって、前記第１の遮光層の前記開口部毎に設けられているマイクロレンズと、
前記マイクロレンズにより集光され、前記遮光体の前記透光部を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層と
を備える
電子機器。 - 遮光材としてＳｉを採用する遮光壁と前記遮光壁間の開口部に透明材を充填することにより形成された形成された透光部を有する遮光体と、
前記遮光体を介して入力された入射光に応じて光電変換を行う多数の受光素子が配列された受光素子層と
を備えるイメージセンサ。
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