WO2019093245A1 - 装置、有機層形成用組成物 - Google Patents

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ray
organic layer
layer
alpha
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哲志 宮田
大貴 瀧下
大橋　秀和
沢野　充
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富士フイルム株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an apparatus and a composition for forming an organic layer.
  • a solid-state imaging device including a solid-state imaging device (corresponding to an electronic circuit) is given as an example of the device.
  • a soft error may occur under the influence of an alpha ray emitted from an alpha ray source in the apparatus.
  • the cover glass may include an ⁇ -ray emitting atom, and the solid-state imaging device, which is an electronic circuit, may cause a transient malfunction.
  • Patent Document 1 proposes a near-infrared absorbing glass in which the content of U and Th is set to a predetermined value or less.
  • An object of the present invention is to provide a new apparatus in which the influence of alpha rays is reduced in view of the above-mentioned situation.
  • Another object of the present invention is to provide a composition for forming an organic layer.
  • the alpha source is a glass substrate
  • the electronic circuit is a solid-state imaging device including a photoelectric conversion unit
  • An organic layer is disposed between the alpha radiation source and the electronic circuit,
  • the device according to (1) which functions as a solid-state imaging device.
  • the device according to (2) wherein the thickness of the organic layer is 20 ⁇ m or less.
  • the electronic circuit is one selected from the group consisting of a logic circuit, a memory circuit, and a communication circuit,
  • the device according to (1) which functions as an electronic module.
  • Solder balls electrically connected to the electronic circuit, Solder bumps electrically connected to the electronic circuit, and It further has at least one selected from the group consisting of a mold comprising a filler, covering at least a part of the electronic circuit,
  • the device according to (5), wherein the ⁇ ray source is at least one of a solder ball, a solder bump, and a filler.
  • the ⁇ -ray blocking agent is a polymer.
  • the organic matter content in the total solid content is 15% by mass or more,
  • the composition for organic layer formation whose organic substance contains the alpha ray blocking agent whose alpha ray shielding ability X calculated by the method mentioned later is 0.50 or less.
  • the present invention it is possible to provide a new device in which the influence of alpha rays is reduced. Moreover, according to this invention, the composition for organic layer formation can also be provided.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a solid-state imaging device which is an apparatus of the present invention. It is sectional drawing which shows other embodiment of the solid-state imaging device which is an apparatus of this invention. It is sectional drawing which shows other embodiment of the solid-state imaging device which is an apparatus of this invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of an electronic module which is an apparatus of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the electronic module which is the device of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the electronic module which is the device of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the electronic module which is the device of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the electronic module which is the device of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the electronic module which is the device of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the electronic module which is the device of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the electronic module which is the device of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the electronic module which is the device of the present invention.
  • a numerical range represented using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as the lower limit value and the upper limit value. Also, in the present invention, 1 ⁇ (angstrom) corresponds to 0.1 nm.
  • FIG. 1 A first embodiment of the device of the invention is shown in FIG.
  • the apparatus shown in FIG. 1 is a solid-state imaging device 10A
  • the solid-state imaging device 10A includes a solid-state imaging device 12 having a photoelectric conversion unit (not shown), a color filter 14, a microlens 16, a transparent resin layer 18, and And an organic layer 20 containing a predetermined ⁇ -ray blocking agent, and a glass substrate 22 in this order.
  • the glass substrate 22 corresponds to an alpha ray source in the device of the present invention
  • the solid-state imaging device 12 having a photoelectric conversion part corresponds to an electronic circuit affected by alpha rays in the device of the present invention.
  • FIG. 1 A first embodiment of the device of the invention is shown in FIG.
  • the solid-state imaging device 10A includes a solid-state imaging device 12 having a photoelectric conversion unit (not shown), a color filter 14, a microlens 16, a transparent resin layer 18, and And an organic layer 20 containing a predetermined ⁇ -
  • the organic layer 20 is disposed between the glass substrate 22 and the solid-state imaging element 12 so that ⁇ rays emitted from the glass substrate 22 do not reach the solid-state imaging element 12.
  • each member which comprises solid-state imaging device 10A is explained in full detail.
  • the organic layer 20 which is a feature of the present invention will be described in detail below.
  • the organic layer 20 contains an ⁇ -ray shielding agent having an ⁇ -ray shielding ability X of 0.50 or less.
  • the alpha ray blocking ability of the alpha ray blocking agent is calculated by the following method.
  • ⁇ -ray shielding ability X calculation method preparing a laminate having a glass substrate and a layer consisting of an ⁇ -ray shielding agent disposed on the surface of the glass substrate, and preparing a glass substrate on which a layer consisting of an ⁇ -ray shielding agent is not disposed Then, using an ⁇ -ray measurement device, calculate the ⁇ dose A1 on the layer side of the layered product consisting of the ⁇ ray blocking agent and the ⁇ dose A0 of the glass substrate on which the layer composed of the ⁇ ray blocking agent is not disposed.
  • the alpha ray shielding ability X which is the ratio of the alpha dose A1 to the alpha dose A0, is calculated.
  • the above calculation method will be described in detail below.
  • a laminate having a glass substrate and a layer composed of an ⁇ -ray blocking agent disposed on the surface of the glass substrate (hereinafter also referred to as “specific layer”), and a glass substrate having no specific layer disposed thereon (untreated Prepare for the glass substrate of The specific layer in the laminate is made of an ⁇ -ray blocking agent.
  • the specific layer is a layer substantially composed of only the ⁇ -ray shielding agent.
  • substantially composed only of the alpha ray shielding agent intends a form in which the content of the alpha ray shielding agent is 99% by mass or more with respect to the total mass of the specific layer, and a small amount of impurities (for example, , Solvent) may be included.
  • the method of forming the specific layer is not particularly limited, and a method of forming a specific layer on a glass substrate by bringing a composition containing an ⁇ ray shielding agent and a solvent to be used into contact with the glass substrate may be mentioned.
  • a method of bringing the above into contact a method of applying a composition on a glass substrate can be mentioned.
  • a solvent the solvent which may be contained in the composition for organic layer formation mentioned later is mentioned.
  • ⁇ -ray blocking agent is an inorganic substance (eg, metal particles or metal oxide particles)
  • a composition containing the ⁇ -ray blocking agent and a solvent is dispersed to enhance the dispersibility of the inorganic ⁇ -ray blocking agent It may further contain an agent.
  • the composition contains a dispersant
  • the formed coating film is subjected to a baking treatment, The dispersant may be decomposed and removed.
  • the optimum conditions are selected depending on the type of dispersant used, but the conditions of heating at a temperature of 300 ° C. or more for 30 minutes or more are preferable.
  • a specific layer is formed on one main surface of a glass substrate. The thickness of the specific layer is adjusted to 15.0 ⁇ 0.1 ⁇ m.
  • EAGLE XG 0.7 mm As a glass substrate contained in the said laminated body, EAGLE XG 0.7 mm (made by Corning) is used.
  • the ⁇ dose A1 on the specific layer side of the laminate and the ⁇ dose A0 of the glass substrate on which the specific layer is not disposed are calculated.
  • LACS-4000M manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
  • the detector of an alpha ray measuring apparatus is arrange
  • the ratio (A1 / A0) of the ⁇ dose A1 to the obtained ⁇ dose A0 is calculated as the ⁇ ray shielding ability X.
  • the thickness of the organic layer 20 is not particularly limited, but is preferably 3 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, from the viewpoint that the ⁇ -ray shielding property of the organic layer is more excellent.
  • the upper limit of the thickness is preferably 30 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or less, from the viewpoint of reducing the height of the device.
  • the minimum transmittance in the visible light region of the organic layer 20 is not particularly limited, it is preferably 70% or more, and preferably 80% or more from the viewpoint of the ease of incidence of light on the photoelectric conversion portion in the device. Is more preferably 85% or more, particularly preferably 90% or more, and most preferably 95% or more.
  • the upper limit is not particularly limited, 100% can be mentioned.
  • the lowest transmittance in the visible light region is intended to mean the lowest value (%) of the transmittance in the visible light region (wavelength 400 to 700 nm).
  • the organic layer 20 includes an ⁇ -ray shielding agent having an ⁇ -ray shielding ability X of 0.50 or less (hereinafter, also referred to as “specific ⁇ -ray shielding agent”).
  • the content of the specific ⁇ -ray shielding agent in the organic layer 20 is not particularly limited, but is preferably 30% by mass or more, and 50% by mass with respect to the total mass of the organic layer in that The above is more preferable, and 70 mass% or more is still more preferable. Although the upper limit in particular is not restrict
  • the organic layer 20 contains at least an organic compound and may contain an inorganic compound.
  • the content of the organic compound in the organic layer 20 is preferably 15% by mass or more, more preferably 40% by mass or more, and still more preferably 80% by mass or more, with respect to the total mass of the organic layer.
  • the upper limit in particular is not restrict
  • the organic layer 20 contains an organic compound separately from the specific ⁇ -ray shielding agent.
  • the specific ⁇ -ray shielding agent may be an organic compound or an inorganic compound, and is preferably an organic compound.
  • an organic compound a polymer is preferable at the point which is more excellent in alpha ray shielding ability.
  • the weight-average molecular weight of the polymer is not particularly limited, but is preferably 5,000 to 100,000, more preferably 7,500 to 50,000, from the viewpoint that the balance of solvent resistance and solubility of the specific ⁇ -ray blocking agent is more excellent. preferable.
  • the weight-average molecular weight (Mw) is, for example, HLC-8220 (manufactured by Tosoh Corp.) as a measuring device, and TSKgel Super AWM-H (manufactured by Tosoh Corp., 6.0 mm ID (inner diameter) ⁇ ) as a column. It can be determined by using 15.0 cm) and using a 10 mmol / L lithium bromide NMP (N-methyl pyrrolidinone) solution as an eluent.
  • Mw weight-average molecular weight
  • the density of the specific ⁇ -ray shielding agent is not particularly limited, but is preferably 1.4 g / cm 3 or more, and more preferably 1.5 g / cm 3 or more in that the ⁇ -ray shielding property of the organic layer is more excellent.
  • the upper limit of the density is not particularly limited, but is often 6.0 g / cm 3 or less.
  • the density of the specific ⁇ -ray shielding agent is calculated by a vapor phase replacement method. Specifically, a solid sample of a specific ⁇ -ray blocking agent is prepared and evaluated using Pentapyc 5200e (manufactured by Cantachrome Instruments Japan GK).
  • the specific ⁇ -ray blocking agent preferably contains an atom having a first ionization potential of more than 1000 kJ / mol, and an atom having a first ionization potential of 1,500 kJ / mol or more, in that the ⁇ -ray shielding property of the organic layer is more excellent. More preferably, The upper limit value of the first ionization potential is not particularly limited, but is preferably 2000 kJ / mol or less in terms of the easiness of synthesis of the ⁇ -ray blocking agent.
  • a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom), an oxygen atom, or a nitrogen atom is preferable, and a halogen atom or an oxygen atom is more preferable.
  • the specific ⁇ -ray blocking agent preferably contains an atom having a ratio of the number of electrons to the covalent bond radius of more than 10 ⁇ -1 , and an atom of 15 ⁇ -1 or more, in that the ⁇ -ray blocking properties of the organic layer are more excellent. It is more preferable to include, and it is further preferable to include an atom in which the ratio of the number of electrons to the covalent bond radius is 20 ⁇ ⁇ 1 or more.
  • the upper limit of the ratio of the number of electrons to the covalent bond radius is not particularly limited, but is preferably 50 ⁇ ⁇ 1 or less in terms of the easiness of synthesis of the specific ⁇ -ray blocking agent.
  • a fluorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a titanium atom, a gallium atom, a germanium atom, a nickel atom, or a zinc atom is preferable.
  • the ionization potential parameter (hereinafter also referred to as “IPP”) of the specific ⁇ -ray blocking agent is preferably 7000 kJ / mol ⁇ (kJ / (mol ⁇ ⁇ )) or more, and 9000 kJ in that the ⁇ -ray blocking property of the organic layer is more excellent. / Mol ⁇ or more is more preferable.
  • the upper limit of IPP is not particularly limited, but is often 25000 kJ / mol ⁇ or less.
  • the IPP of the specific alpha ray blocking agent is the sum of the IPP of each atom contained in the specific alpha ray blocking agent and the calculated molar ratio of the content molar ratio of each atom. It is.
  • the IPP of the above atom is the value obtained by multiplying the first ionization potential (kJ / mol) of the atom and the ratio of the number of electrons to the covalent bond radius ( ⁇ ) of the atom ((first ionization potential of atom) ⁇ (ratio of the number of electrons to the covalent bond radius of the atom)
  • the specific ⁇ -ray blocking agent contains a carbon atom, an oxygen atom, and an iodine atom, and the content molar ratio to the total number of moles of all atoms of each atom (number of moles of specific atom / total number of moles of total atoms In the case where) is 0.8, 0.1 and 0.1, the ionization potential parameter of the specific ⁇ -ray blocking agent is calculated by the following equation.
  • IPP of specific ⁇ -ray blocking agent ⁇ (IPP of carbon atom ⁇ 0.8) + (IPP of oxygen atom ⁇ 0.1) + (IPP of oxygen atom ⁇ 0.1) ⁇
  • the numerical value described in Chemical Handbook the numerical value described in Chemical Handbook (Basic edition, Maruzen) is used.
  • the covalent bond radius of the above atom the numerical value described in RT Sanderson in Chemical Periodicity, Reinhold, New York, USA, 1962. is used.
  • the covalent bond radius in the case of a single bond is used as a covalent bond radius of an atom. Normally, alpha rays collide with electrons in atoms and decay by repelling them (ionizing the atoms).
  • the first ionization potential of the atom in calculating the IPP represents the energy necessary for repelling the electron (the difficulty of ionizing the atom), and the ratio of the number of electrons to the covalent bond radius ( ⁇ ) of the atom is the electron and The collision frequency of is expressed, and the larger the IPP which is the multiplication of the two, the easier the .alpha.
  • the specific ⁇ -ray shielding agent is a polymer
  • the IPP of each repeating unit is calculated, and the calculated value obtained by multiplying the IPP of each repeating unit with the content molar ratio of all repeating units to all units is repeated. It is the value which was calculated for every unit and totaled them.
  • the specific ⁇ -ray blocking agent is a polymer containing units A and B
  • the content molar ratio of units A and B (number of moles of each unit / total number of moles of all units) is 0.4 and 0.
  • IPP of the said specific alpha ray shielding agent is calculated by the following formula
  • IPP of the specific ⁇ -ray blocking agent ⁇ (IPA of unit A ⁇ 0.4) + (IPP of unit B ⁇ 0.6) ⁇
  • IPP of the unit A and the unit B is a value obtained by calculating a calculated value obtained by multiplying the IPP of each atom constituting each unit and the content molar ratio of each atom and summing them. .
  • the refractive index of the specific ⁇ -ray blocking agent at a wavelength of 589.3 nm is not particularly limited, but is preferably 1.7 or more, more preferably 1.8 or more, from the viewpoint of electron density.
  • the upper limit is not particularly limited, but is often 3.0 or less.
  • a layer consisting of a 100 nm ⁇ -ray blocking agent is formed on a silicon substrate by the same method as the ⁇ -ray blocking ability X calculation method, and ellipsometry (Lambda Ace RE-3300 (trade name), Dai Nippon)
  • the refractive index of the obtained layer is measured using Screen Manufacturing Co., Ltd.), and is used as the refractive index of the specific ⁇ -ray blocking agent.
  • the specific ⁇ -ray shielding agent is preferably a polymer exhibiting a predetermined ⁇ -ray shielding ability X (hereinafter, also simply referred to as “specific polymer”), and the density, IPP and refractive index of the specific polymer Is preferred.
  • the specific polymer preferably contains an atom having a first ionization potential of more than 1000 kJ / mol. Further, the specific polymer preferably contains an atom having a ratio of the number of electrons to the above-mentioned covalent bond radius of 10 ⁇ ⁇ 1 or more.
  • the specific ⁇ -ray shielding agent preferably contains a halogen atom.
  • a halogen atom a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned.
  • the content of the halogen atom in the specific ⁇ -ray shielding agent is not particularly limited, but is preferably 10 mol% or more with respect to the total molar amount of the specific ⁇ -ray shielding agent in that the ⁇ -ray shielding property of the organic layer is more excellent. 15 mol% or more is more preferable.
  • the upper limit is not particularly limited, but is preferably 75 mol% or less.
  • the specific ⁇ -ray blocking agent is a specific polymer
  • the specific polymer preferably contains a repeating unit containing a halogen atom (hereinafter, also simply referred to as a “specific unit”).
  • a specific unit a repeating unit containing a halogen atom
  • the structure in particular of a specific unit is not restrict
  • R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
  • L represents a single bond or a divalent linking group.
  • the divalent linking group include an ether group (-O-), a carbonyl group (-CO-), an ester group (-COO-), an amido group (-CONH-), and a thioether group (-S-), -SO 2- , -NR A- (where R A represents a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent hydrocarbon group (for example, an alkylene group, an alkenylene group, an alkynylene group and an arylene group), And the group which combined these is mentioned.
  • X represents a hydrocarbon group having a halogen atom or a group represented by the formula (2).
  • * represents a bonding position.
  • each R 2 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.
  • the carbon number of the alkyl group is preferably 1 to 10, and more preferably 1 to 4.
  • a - represents an anion containing a halogen atom.
  • the anion may contain a halogen atom, and may be a halogen anion (F ⁇ , Cl ⁇ , Br ⁇ , and I ⁇ ).
  • the content of the specific unit in the specific polymer is not particularly limited, but is preferably 25% by mass or more, and 50% by mass or more based on all units in the specific polymer in that the ⁇ -ray shielding property of the organic layer is more excellent. More preferable.
  • the upper limit is not particularly limited, but is often 100% by mass or less.
  • the specific polymer may contain other units other than the above-mentioned specific unit, and may contain a unit which does not contain a halogen atom.
  • the specific ⁇ -ray shielding agent is an inorganic compound
  • metal particles or metal oxide particles hereinafter collectively referred to as “specific particles” having a density of 4.0 g / cm 3 or more preferable.
  • the density of the specific particles is more preferably 4.0 to 6.0 g / cm 3 .
  • the density of the specific particles is calculated by the above-described gas phase replacement method.
  • the diameter of the specific particles is not particularly limited, and is preferably 50 nm or less.
  • the type of metal atom contained in the specific particle is not particularly limited, but a metal atom having a ratio of the number of electrons to the covalent bond radius of 10 ⁇ ⁇ 1 or more is preferable.
  • the IPP of the specific particle is preferably 7000 kJ / mol ⁇ or more, and the more preferable range is as described above.
  • the organic layer 20 may contain other components other than the specific ⁇ -ray shielding agent described above.
  • Other components include binder resins, surfactants, colorants, UV absorbers, antioxidants, and fillers.
  • binder resin it is resin which the alpha ray shielding ability X mentioned above exceeds 0.50, Comprising: A well-known resin is mentioned.
  • the binder resin may be a resin formed by polymerizing a polymerizable compound contained in the composition for forming an organic layer used when forming the organic layer 20 described later.
  • the binder resin include (meth) acrylic resin, (meth) acrylamide resin, (meth) acrylic / (meth) acrylamide copolymer resin, epoxy resin, polystyrene resin, and polyimide resin.
  • the binder resin may be an alkali soluble resin.
  • alkali soluble resin is intended a resin that dissolves in an alkaline solution.
  • paragraphs 0146 to 0162 of WO 2016/190162 pamphlet can be referred to, and the contents thereof are incorporated herein.
  • surfactant a well-known surfactant is mentioned, For example, a fluorochemical surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, and a silicone surfactant are mentioned. And fluorinated surfactants are preferred.
  • the content of fluorine in the fluorine-based surfactant is preferably 3 to 40% by mass, and more preferably 5 to 30% by mass.
  • paragraphs 0261 to 0265 of WO 2016/190162 pamphlet can be referred to, and the contents thereof are incorporated herein.
  • the colorant includes known colorants, and examples thereof include white colorants, black colorants, and chromatic colorants.
  • a chromatic coloring agent means coloring agents other than a white coloring agent and a black coloring agent.
  • the colorant may be a pigment or a dye.
  • the white colorant includes titanium oxide.
  • Black colorants include carbon black and titanium black.
  • UV absorber a well-known ultraviolet absorber is mentioned,
  • a conjugated diene type compound is preferable.
  • paragraphs 0222 to 0225 of WO 2016/186050 pamphlet can be referred to, the contents of which are incorporated herein.
  • antioxidants examples include known antioxidants, and examples include phenol compounds, phosphite compounds, thioether compounds, and hindered amine compounds.
  • paragraphs 0228 to 0235 of WO 2016/186050 pamphlet can be referred to, the contents of which are incorporated herein.
  • the formation method in particular of the organic layer 20 is not restrict
  • the composition for organic layer formation containing a specific alpha ray blocking agent is made to contact with a predetermined
  • the procedure of the above method will be described in detail.
  • the form of the specific ⁇ -ray blocking agent contained in the composition for forming an organic layer is as described above.
  • the content of the specific ⁇ -ray shielding agent in the composition for forming an organic layer is not particularly limited, but relative to the total solid content in the composition for forming an organic layer, from the viewpoint that the ⁇ -ray shielding property of the organic layer is more excellent. 30 mass% or more is preferable, 50 mass% or more is more preferable, and 70 mass% or more is still more preferable. Although the upper limit in particular is not restrict
  • the composition for forming an organic layer may contain other components other than the specific ⁇ -ray shielding agent.
  • Other components include, as described above, binder resins, surfactants, colorants, UV absorbers, antioxidants, and fillers. Besides these, polymerizable compounds, polymerization initiators, polymerization inhibitors, substrate adhesion agents, and solvents may be mentioned.
  • a polymeric compound a well-known polymeric compound is mentioned,
  • the compound which has a group which has an ethylenically unsaturated bond, the compound which has an epoxy group, and the compound which has an alkoxy silyl group are mentioned.
  • the group having an ethylenically unsaturated bond include a vinyl group, a (meth) allyl group, and a (meth) acryloyl group.
  • a polymerizable compound a radically polymerizable compound is preferable.
  • the polyfunctional polymerizable compound which has two or more polymeric groups is preferable.
  • polymerizable compound examples include dipentaerythritol triacrylate (commercially available as KAYARAD D-330; manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), dipentaerythritol tetraacrylate (commercially available as KAYARAD D-320; Nippon Kayaku Co., Ltd.) (Manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), dipentaerythritol hexa (meth) acrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., commercially available product; KAYARAD DPHA; manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • A-DPH-12E (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), and structures in which these (meth) acryloyl groups are mediated by an ethylene glycol residue or a propylene glycol residue (eg, commercially available from Sartomer, SR 454, SR 499).
  • NK ester A-TMMT penentaerythritol tetraacrylate, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
  • KAYARAD RP-1040 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) can also be mentioned.
  • paragraphs 0043 to 0071 of JP-A-2015-151467 can be referred to, the contents of which are incorporated herein.
  • paragraphs 0139 to 0141 of WO 2016/158819 pamphlet can be referred to, and the contents thereof are incorporated herein.
  • paragraphs 0168 to 0194 of WO 2016/190162 pamphlet can be referred to, and the contents thereof are incorporated herein.
  • the content of the polymerizable compound in the composition for forming an organic layer is preferably 0 to 50% by mass, and more preferably 5 to 45% by mass, with respect to the total solid content in the composition for forming an organic layer.
  • a polymerization initiator As a polymerization initiator, a well-known polymerization initiator is mentioned and a photoinitiator is preferable.
  • the photopolymerization initiator preferably has photosensitivity to light in any of the ultraviolet light region to the visible light region.
  • an optimum compound is selected according to the polymerization type of the polymerizable compound, and examples thereof include a photopolymerization initiator which initiates radical polymerization and a photopolymerization initiator which initiates cationic polymerization.
  • oxime ester type polymerization initiator oxime compound
  • oxime compound is preferable at a point with higher sensitivity.
  • the oxime ester polymerization initiator examples include IRGACURE-OXE01 (manufactured by BASF), IRGACURE-OXE02 (manufactured by BASF), IRGACURE-OXE03 (manufactured by BASF), and IRGACURE-OXE04 (manufactured by BASF) It can be mentioned.
  • paragraphs 0206 to 0237 of WO 2016/190162 pamphlet can be referred to, the contents of which are incorporated herein.
  • the content of the polymerization initiator in the composition for forming an organic layer is preferably 0 to 10% by mass, and more preferably 0.5 to 8% by mass, with respect to the total solid content in the composition for forming an organic layer.
  • polymerization inhibitor examples include known polymerization inhibitors, and examples thereof include phenolic hydroxyl group-containing compounds, N-oxide compounds, and piperidine 1-oxyl free radical compounds.
  • polymerization inhibitor reference can be made to paragraph 0197 of WO 2016/186050 pamphlet, the contents of which are incorporated herein.
  • the substrate adhesion agent examples include known substrate adhesion agents.
  • silane coupling agents, titanate coupling agents, and aluminum coupling agents are preferable.
  • paragraphs 0199 to 0208 of WO 2016/186050 pamphlet can be referred to, the contents of which are incorporated herein.
  • a solvent a well-known solvent is mentioned, An organic solvent is preferable.
  • the organic solvent include esters, ethers, ketones, and aromatic hydrocarbons.
  • paragraphs 0190 to 0191 of WO 2016/186050 pamphlet can be referred to, the contents of which are incorporated herein.
  • the solvent with few metal contents is preferable, and it is preferable that the metal content of a solvent is 10 mass ppb (parts per billion) or less, for example. If necessary, a solvent at a mass ppt (parts per trillion) level may be used, and such a high purity solvent is provided by, for example, Toyo Gosei Co., Ltd. (Chemical Industry Daily, November 13, 2015).
  • the content of the surfactant is preferably 0.01 to 0.1% by mass with respect to the total amount in the composition for forming an organic layer.
  • 15 mass% or more is preferable with respect to a total solid, as for content of the organic substance in the composition for organic layer formation, 40 mass% or more is more preferable, and 80 mass% or more is more preferable.
  • the upper limit in particular is not restrict
  • the method for preparing the composition for forming an organic layer is not particularly limited, and the components described above may be mixed at one time or may be divided and mixed.
  • the filter is not particularly limited as long as it is a filter conventionally used for filtration applications.
  • fluorocarbon resin for example, polytetrafluoroethylene
  • polyamide resin for example, nylon, more specifically, nylon-6 and nylon-6,6
  • polyolefin resin for example, polyethylene and polypropylene
  • the pore size of the filter is preferably 0.01 to 7.0 ⁇ m, more preferably 0.01 to 3.0 ⁇ m, and still more preferably 0.05 to 0.5 ⁇ m. If the pore diameter of the filter is in the above range, fine foreign particles can be reliably removed. It is also preferred to use a fibrous filter medium. Examples of fibrous filter media include polypropylene fibers, nylon fibers, and glass fibers.
  • filters When using filters, different filters (e.g., a first filter and a second filter) may be combined. In that case, filtration with each filter may be performed only once or may be performed twice or more. Moreover, you may combine the filter of a different hole diameter within the range mentioned above.
  • the pore size here can refer to the nominal value of the filter manufacturer.
  • filters for example, select from various filters provided by Nippon Pall Co., Ltd. (DFA 4201 NXEY), Advantech Toyo Co., Ltd., Nippon Entegris Co., Ltd. (formerly Japan Microlith Co., Ltd.), and Kitz Micro Filter Co., Ltd. it can.
  • the glass substrate mentioned later is mentioned, for example. That is, an organic layer can be directly formed on a glass substrate using the composition for organic layer formation.
  • the method for contacting the composition for forming an organic layer and the substrate is not particularly limited.
  • a method for applying the composition for forming an organic layer on a substrate, and immersing the substrate in the composition for forming an organic layer Methods are included.
  • the coating formed on the substrate may be subjected to a curing treatment, if necessary.
  • a curing treatment to the coating film to polymerize the polymerizable compound.
  • the curing treatment include light curing treatment and heat curing treatment. The conditions for these treatments are selected optimally depending on the types of components in the composition for forming an organic layer to be used.
  • the solid-state imaging device 12 is an element that receives light by the photoelectric conversion unit, performs photoelectric conversion, and outputs an image signal.
  • a known solid-state image sensor can be used as the solid-state image sensor 12.
  • the solid-state imaging device 12 usually, a plurality of photoelectric conversion units are two-dimensionally arranged, and a color filter 14 and a microlens 16 described later are provided corresponding to the respective photoelectric conversion units.
  • a photoelectric conversion part is not restrict
  • the solid-state imaging device 12 a semiconductor substrate on which an image conversion unit, a control circuit that controls the image conversion unit, and the like are formed can be given.
  • the semiconductor substrate include a silicon substrate made of silicon.
  • Specific examples of the solid-state imaging device include the solid-state imaging device described in FIG. 2 of JP-A-2016-102211 and the solid-state imaging device described in FIG. 9 of JP-A-2016-1681, This content is incorporated herein.
  • the color filter 14 is a layer disposed between the solid-state imaging device 12 and the microlens 16.
  • the color filter 14 includes a red color filter 14R, a green color filter 14G, and a blue color filter 14B.
  • the color filters of each color are separated by a black matrix (not shown).
  • Examples of the color filter 14 include known color filters.
  • known colorants are also used as colorants contained in color filters.
  • the specific form of the color filter 14 can be referred to the description in paragraphs 0214 to 0263 of JP-A-2014-043556, the contents of which are incorporated herein.
  • the solid-state imaging device 10A of FIG. 1 has three color filters of red color filter 14R, green color filter 14G, and blue color filter 14B, the present invention is not limited to this embodiment. , And may have color filters of other colors.
  • the microlens 16 is disposed on the color filter 14 and has a function of condensing light incident into the solid-state imaging device 10A.
  • the refractive index of the microlens 16 is not particularly limited, but the refractive index at a wavelength of 589.3 nm is preferably 1.70 or more in that the light collection effect is more excellent.
  • the upper limit is not particularly limited, but is often 3.00 or less.
  • the kind in particular of resin which comprises the micro lens 16 is not restrict
  • the transparent resin layer 18 is a layer disposed on the microlens 16 so as to cover the microlens 16, and the surface thereof is planarized. That is, the transparent resin layer 18 also has a function as a so-called planarization layer.
  • the refractive index of the transparent resin layer 18 is not particularly limited, but the refractive index at a wavelength of 589.3 nm is preferably 1.50 or less in that the light collecting effect is more excellent.
  • the lower limit is not particularly limited, but is often 1.00 or more.
  • the kind in particular of resin which comprises the transparent resin layer 18 is not restrict
  • the type of the glass substrate 22 is not particularly limited as long as it functions as a cover glass.
  • quartz glass and borosilicate glass are mentioned, for example.
  • an adhesive layer may be disposed between the transparent resin layer 18 and the organic layer 20 in order to enhance the adhesion between the two. Good. Further, in FIG. 1, although the organic layer 20 and the glass substrate 22 are in contact with each other, an adhesive layer is disposed between the organic layer 20 and the glass substrate 22 in order to enhance the adhesion between the two. It is also good. A well-known adhesion layer is mentioned as said adhesion layer. In addition, the organic layer 20 itself mentioned above may have adhesiveness. In this case, the organic layer 20 functions as a layer having an alpha ray shielding property and also functions as an adhesive layer.
  • the solid-state imaging device 10A of FIG. 1 includes the microlens 16, the microlens 16 and the transparent resin layer 18 may be removed depending on the application. Further, in the solid-state imaging device 10A of FIG. 1, the transparent resin layer 18 and the organic layer 20 are in contact with each other, but the transparent resin layer 18 and the organic layer 20 are separated by using a predetermined fixing jig. It may be arranged. Also in this embodiment, the microlens 16 and the transparent resin layer 18 may be removed depending on the application.
  • the solid-state imaging device 10A has the organic layer 20 containing the specific ⁇ -ray blocking agent, but the present invention is not limited to this embodiment, and in the solid-state imaging device, a glass substrate which is an ⁇ -ray source As long as the specific ⁇ -ray shielding agent is located between the and the solid-state imaging device which is the electronic circuit, it may be in another form.
  • a solid-state imaging device 10B includes a solid-state imaging device 12 having a photoelectric conversion unit (not shown), a color filter 14, a microlens 16, and a transparent resin layer 18A containing a specific .alpha. , And the glass substrate 22 in this order.
  • the transparent resin layer 18A includes a specific ⁇ -ray blocking agent.
  • the transparent resin layer 18A containing the specific ⁇ -ray blocking agent corresponds to the organic layer of the present invention. That is, the transparent resin layer 18A in FIG. 2 has two functions of the organic layer and the planarization layer.
  • the transparent resin layer 18A includes the specific ⁇ -ray blocking agent, but the present invention is not limited to this embodiment.
  • at least one of the microlens and the color filter It may be in a form containing a specific ⁇ -ray shielding agent.
  • the solid-state imaging device of the present invention may have an infrared cut filter and an infrared transmission filter.
  • the infrared cut filter 24 and the infrared transmission filter 26 are disposed on the solid-state imaging device 12 having a photoelectric conversion unit (not shown).
  • a color filter 14 is disposed on the infrared cut filter 24.
  • the microlens 16, the transparent resin layer 18, the organic layer 20 containing the specific ⁇ -ray blocking agent, and the glass substrate 22 are disposed in this order.
  • the same components as those in the embodiment of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
  • the difference between the solid-state imaging device 10A and the solid-state imaging device 10C is that the solid-state imaging device 10C includes the infrared cut filter 24 and the infrared transmission filter 26.
  • the solid-state imaging device 10C can sense infrared rays.
  • the positions of the infrared cut filter 24 and the color filter 14 may be reversed.
  • paragraphs 0011 to 0285 of WO 2016/186050 pamphlet, and paragraphs 0015 to 0293 and 0297 of WO 2016/190162 pamphlet can be referred to, the contents of which are incorporated herein.
  • paragraphs 0291 to 0303 of WO 2016/186050 pamphlet can be referred to, and the contents thereof are incorporated herein.
  • the electronic module is a member in which electronic circuits such as a logic circuit, a memory circuit, and a communication circuit described later are packaged. That is, when the electronic circuit is configured by a semiconductor chip or the like, the electronic module corresponds to a so-called semiconductor package.
  • Embodiment A One form of a second embodiment of the device according to the invention is shown in FIG.
  • the apparatus shown in FIG. 4 is an electronic module 30A, and the electronic module 30A includes an electronic circuit 32A, an organic layer 34A containing a specific ⁇ -ray blocking agent, a wiring board 36, an adhesive layer 38, and a bonding wire 40; A mold 42 and solder balls 44 are provided.
  • the electronic module 30A has a so-called wire bonding structure.
  • the mold 42 may contain a filler.
  • the filler that can be contained in the solder ball 44 and the mold 42 can be an alpha ray source.
  • the electronic module 30A is mounted on a printed wiring board or the like through the solder balls 44.
  • each member which comprises the electronic module 30A is explained in full detail.
  • the electronic circuit 32A corresponds to a so-called integrated circuit, and can be formed using a plurality of elements such as a transistor, a resistor, and a capacitor.
  • a semiconductor element is used as the element.
  • An electronic circuit formed using a plurality of semiconductor elements is also referred to as a semiconductor chip.
  • the type of the electronic circuit 32A is not particularly limited, and examples thereof include a logic circuit, a memory circuit, and a communication circuit. The configuration of these circuits is not particularly limited, and may be known circuits.
  • the electronic circuit 32A generally has an electrode (not shown in FIG. 1) for electrically connecting to the outside. In FIG. 4, the electronic circuit 32A has an electrode (not shown) on the surface opposite to the wiring substrate 36, and the electrode is connected to a bonding wire 40 described later.
  • the organic layer 34A is a layer disposed to cover the electronic circuit 32A. By arranging the organic layer 34A, it is possible to suppress that the alpha rays emitted from the alpha ray source reach the electronic circuit 32A. However, in FIG. 4, the organic layer 34A is not disposed on the not-shown electrode portion of the electronic circuit 32A, and as described above, the electrode portion and the bonding wire 40 described later contact and electrically connect Do.
  • the organic layer 34A contains a specific ⁇ -ray blocking agent. The form of the specific ⁇ -ray shielding agent is as described above.
  • the content of the specific ⁇ -ray shielding agent in the organic layer 34A is not particularly limited, but is preferably 30% by mass or more, and 50% by mass with respect to the total mass of the organic layer in that the ⁇ -ray shielding property of the organic layer is more excellent.
  • the above is more preferable, and 70 mass% or more is still more preferable. Although the upper limit in particular is not restrict
  • the organic layer 34A contains at least an organic compound, and may contain an inorganic compound.
  • the content of the organic compound in the organic layer 34A is preferably 15% by mass or more, more preferably 40% by mass or more, and still more preferably 80% by mass or more based on the total mass of the organic layer from the viewpoint of handleability.
  • the organic layer 34A contains an organic compound separately from the specific ⁇ -ray shielding agent.
  • the thickness of the organic layer 34A is preferably 5 ⁇ m or more, and more preferably 10 ⁇ m or more from the viewpoint that ⁇ -ray shielding properties of the organic layer are more excellent.
  • the upper limit of the thickness is preferably 30 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or less, from the viewpoint of heat dissipation.
  • the method for forming the organic layer 34A is not particularly limited, and a known method may be mentioned.
  • the method of making the electronic circuit 32A and the composition for organic layer formation mentioned above contact, and performing a hardening process as needed is mentioned.
  • an electrode portion connected to the bonding wire of the electronic circuit 32A after contacting the composition for forming an organic layer and the electronic circuit 32A is mentioned.
  • There is a method of removing the upper organic layer As a removal method, a method using a laser may be mentioned.
  • the wiring substrate 36 is a substrate electrically connected to the electronic circuit 32A via a bonding wire 40 described later.
  • the wiring board 36 generally includes at least an electrode portion electrically connected to the electronic circuit 32A, an electrode portion electrically connected to a solder ball 44 described later, and a circuit pattern.
  • the circuit pattern is usually formed of a laminated structure of an insulating layer made of a resin, glass, a semiconductor material, and a composite material of these, and a wiring pattern made of a metal such as copper, gold, silver, and aluminum.
  • a metal such as copper, gold, silver, and aluminum.
  • the adhesive layer 38 is disposed between the electronic circuit 32A and the wiring board 36, and is a layer for improving the adhesion between the two.
  • the adhesive layer 38 may be a known adhesive layer.
  • the bonding wire 40 is a wire for electrically connecting the electronic circuit 32A and the wiring board 36.
  • the material of the bonding wire 40 is not particularly limited, and, for example, gold can be mentioned.
  • the method of forming the bonding wire 40 may be a known method.
  • the mold 42 is a member disposed to cover the electronic circuit 32A.
  • the mold 42 is usually made of resin.
  • the type of resin used to make the mold 42 is not particularly limited, and an epoxy resin may be mentioned.
  • the mold 42 may contain a filler, and examples of the filler include silica. As mentioned above, silica can be an alpha source.
  • the solder balls 44 are electrically connected to the wiring substrate 36 and disposed on the surface of the wiring substrate 36 opposite to the surface on the electronic circuit 32A side.
  • the solder ball 44 contacts and electrically connects with an electrode portion (not shown in FIG. 4) disposed on the surface of the wiring substrate 36 opposite to the surface on the electronic circuit 32A side. That is, the solder balls 44 are electrically connected to the electronic circuit 32A through the wiring substrate 36 and the bonding wires 40.
  • the configuration of the solder ball 44 is not particularly limited, and a known solder ball can be mentioned, for example, a solder ball containing tin, silver, copper or the like. As described above, the solder balls 44 can be an alpha ray source. As a method of installing the solder ball 44, a known method may be mentioned. For example, after applying a flux or the like on an electrode (not shown) of the wiring substrate 36, a method of placing the solder ball and heating may be mentioned.
  • the organic layer 34A is disposed to cover substantially the entire surface of the electronic circuit 32A (a region other than the connection region with the bonding wire), but the present invention is not limited to this embodiment. It should just be arrange
  • the organic layer is preferably disposed so as to cover at least a portion of the surface of the electronic circuit other than the electrode portion, and disposed so as to entirely cover the surface other than the electrode portion of the electronic circuit. It is more preferable that
  • the electronic module 30A of FIG. 4 at least one of the adhesive layer 38 and the mold 42 may further include a specific ⁇ -ray shielding agent.
  • the electronic module 30A of FIG. 4 has the organic layer 34 containing a specific alpha ray shielding agent, if the organic layer containing a specific alpha ray shielding agent is included in an electronic module, it will not restrict
  • the electronic module 130A includes an electronic circuit 32A, a wiring board 36, an adhesive layer 38, a bonding wire 40, a mold 42A, and a solder ball 44.
  • the difference between the electronic module 30A and the electronic module 130A is that the electronic module 130A does not include the organic layer 34A, and the mold 42A includes a specific ⁇ -ray blocking agent.
  • the mold 42A containing the specific ⁇ -ray shielding agent corresponds to the organic layer of the present invention.
  • mold 42A is a form containing a specific alpha ray shielding agent, this invention is not limited to this form, For example, even if it is a form which the contact bonding layer 38 contains a specific alpha ray shielding agent Good.
  • Embodiment B Another form of the second embodiment of the device of the invention is shown in FIG.
  • the apparatus shown in FIG. 6 is an electronic module 30B, and the electronic module 30B includes an electronic circuit 32B, an organic layer 34B containing a specific alpha ray shielding agent, a wiring board 36, a mold 42, a solder ball 44, and a barrier. It has a metal portion 46, a bump 48 and an underfill 50.
  • the electronic module 30B has a so-called flip chip structure.
  • the solder balls 44, the bumps 48, and the filler that can be contained in the mold 42 can be an alpha ray source.
  • the electronic module 30B is mounted on a printed wiring board or the like through the solder balls 44.
  • the electronic circuit 32B has substantially the same configuration as the electronic circuit 32A of the electronic module 30A, and the electronic circuit 32B differs from the electronic circuit 32A in that it has an electrode portion (not shown) on the surface on the wiring substrate 36 side.
  • the electrode portion is in contact with a barrier metal portion 46 described later.
  • the organic layer 34B is a layer covering the electronic circuit 32B.
  • the organic layer 34B is not disposed on an electrode portion (not shown) in contact with the barrier metal portion of the electronic circuit 32B in FIG. 6, and differs from the organic layer 34A in the disposition position.
  • the organic layer 34B has the same configuration as the organic layer 34A except for the point of coordination position.
  • the barrier metal portion 46 is a member disposed between the electronic circuit 32B and the bump 48 described later.
  • the type of metal atoms constituting the barrier metal portion 46 is not particularly limited, and examples thereof include Ti, Ni, Au, Cu, and W.
  • the bumps 48 are disposed between the electronic circuit 32B and the wiring board 36, and are electrode members for electrically connecting the two.
  • the method for forming the bumps 48 is not particularly limited, but a method using solder balls is preferable.
  • the type of metal atoms constituting the bumps 48 is not particularly limited, and examples thereof include tin, silver, and copper.
  • the method of forming the bumps 48 is not particularly limited, and a known method may be mentioned.
  • the bumps 48 can be an alpha ray source as described above. In particular, when the bumps 48 are solder bumps formed by using solder balls, the bumps 48 easily act as an ⁇ -ray source.
  • the underfill 50 is a member disposed between the electronic circuit 32B and the wiring board 36 to improve the adhesion between the two.
  • Underfill 50 is usually made of resin.
  • the type of resin used to make the underfill is not particularly limited, and an epoxy resin may be mentioned.
  • the organic layer 34B is disposed to cover substantially the entire surface of the electronic circuit 32B (the area other than the connection area with the barrier metal portion 46), but the present invention is not limited to this form. It should just be arrange
  • at least one of the mold 42 and the underfill 50 may further include a specific ⁇ -ray shielding agent.
  • the electronic module 30B of FIG. 6 has the organic layer 34B containing a specific alpha ray shielding agent, if the organic layer containing a specific alpha ray shielding agent is included in an electronic module, it will not restrict
  • the electronic module 130B includes the electronic circuit 32B, the wiring board 36, the mold 42B, the solder balls 44, the barrier metal portion 46, the bumps 48, and the underfill 50.
  • the difference between the electronic module 30B and the electronic module 130B is that the electronic module 130B does not include the organic layer 34B, and the mold 42B includes a specific ⁇ -ray blocking agent.
  • the mold 42B containing the specific ⁇ -ray shielding agent corresponds to the organic layer of the present invention.
  • mold 42B is a form containing a specific alpha ray shielding agent, this invention is not limited to this form, For example, the form where an underfill contains a specific alpha ray shielding agent may be sufficient. .
  • Embodiment C Another form of the second embodiment of the device of the invention is shown in FIG.
  • the apparatus shown in FIG. 8 is an electronic module 30C, and the electronic module 30C has an electronic circuit 32C, an organic layer 34C containing a specific ⁇ ray blocking agent, a solder ball 44, and an electromagnetic wave shielding layer 52.
  • the electronic module 30C has a so-called fan-in wafer level package structure.
  • the solder balls 44 can be an alpha ray source.
  • the electronic module 30C is mounted on a printed wiring board or the like through the solder balls 44.
  • each member which comprises the electronic module 30C is explained in full detail.
  • symbol is attached
  • the electronic circuit 32C has substantially the same configuration as the electronic circuit 32A of the electronic module 30A, and the electronic circuit 32C differs from the electronic circuit 32A in that it has an electrode portion (not shown) on the surface on the solder ball 44 side.
  • the electrode portion is in contact with a solder ball 44 described later.
  • the present invention is not limited to this configuration, and other members may be connected if both are electrically connected. It may be included. For example, so-called rewiring layers may be disposed between the two.
  • the rewiring layer may be disposed on the surface of the electronic circuit 32C, and the electronic circuit 32C and the solder ball 44 may be electrically connected via the rewiring layer.
  • the rewiring layer plays a role of rewiring the electrode portion of the electronic circuit.
  • Examples of the material for forming the redistribution layer include conductive materials such as copper, aluminum, silver, tin, and gold.
  • the rewiring layer may be disposed in a manner to be embedded on the insulating layer disposed on the electronic circuit.
  • the organic layer 34C is a layer covering the electronic circuit 32C.
  • the organic layer 34C is not disposed on an electrode portion (not shown) in contact with the solder ball 44 of the electronic circuit 32C in FIG. 8, and differs from the organic layer 34A in the disposition position.
  • the organic layer 34C has the same configuration as the organic layer 34A except for the point of coordination position.
  • the electromagnetic wave shielding layer 52 is a layer having a function of shielding an electromagnetic wave, and is disposed to cover the electronic circuit 32C. In order to secure the contact between the solder ball 44 and the printed wiring board, the electromagnetic wave shield layer 52 is not usually disposed on the solder ball 44.
  • the material of the electromagnetic wave shielding layer 52 is not particularly limited, and examples thereof include metals such as copper, aluminum, nickel, and stainless steel.
  • the electronic module 30C of FIG. 8 has the electromagnetic wave shielding layer 52
  • the present invention is not limited to this form, and the electromagnetic wave shielding layer may not be disposed in the electronic module. Further, in FIG. 8, the stacking order of the electromagnetic wave shielding layer 52 and the organic layer 34C may be reversed.
  • the electronic module 30C of FIG. 8 has the organic layer 34C containing a specific alpha ray shielding agent, if the organic layer containing a specific alpha ray shielding agent is included in an electronic module, it will not restrict
  • the electronic module may have a form in which the electronic circuit is covered with an organic layer containing a specific ⁇ -ray shielding agent and an electromagnetic wave shielding agent. In this case, the organic layer plays the role of both of the ⁇ ray shielding layer and the electromagnetic wave shielding layer.
  • Embodiment D Another form of the second embodiment of the device of the present invention is shown in FIG.
  • the apparatus shown in FIG. 9 is an electronic module 30D, and the electronic module 30D includes an electronic circuit 32D, an organic layer 34D containing a specific ⁇ -ray blocking agent, a mold 42, a solder ball 44, and a rewiring layer 54.
  • the electronic module 30D has a so-called fan-out wafer level package structure.
  • the solder balls 44 can be arranged at positions other than the surface of the electronic circuit 32D by arranging the mold 42D and arranging the rewiring layer 54 also on the mold 42D.
  • each member which comprises electronic module 30D is explained in full detail.
  • symbol is attached
  • the electronic circuit 32D has substantially the same configuration as the electronic circuit 32A of the electronic module 30A, and the electronic circuit 32D differs from the electronic circuit 32A in that it has an electrode portion (not shown) on the surface on the solder ball 44 side. The electrode portion is electrically connected to the solder ball 44 through the redistribution layer 54.
  • the organic layer 34D is a layer covering the electronic circuit 32D.
  • the organic layer 34D is not disposed on an electrode portion (not shown) in contact with the redistribution layer 54 of the electronic circuit 32D, and differs from the organic layer 34A in the arrangement position.
  • the organic layer 34D has the same configuration as the organic layer 34A except for the point of coordination position.
  • the rewiring layer 54 plays a role of rewiring an electrode portion (not shown) of the electronic circuit 32D. That is, the not-shown electrode portion of the electronic circuit 32D and the solder ball 44 are electrically connected through the redistribution layer 54.
  • Examples of the material for forming the redistribution layer 54 include conductive materials such as copper, aluminum, silver, tin, and gold.
  • the rewiring layer 54 may be disposed so as to be embedded on the insulating layer disposed on the electronic circuit.
  • the mold 42 is disposed so as to cover the surface other than the surface on the rewiring layer 54 side of the electronic circuit 32D, but the present invention is not limited to this form, and it may be other than on the surface of the electronic circuit. Other forms may be used as long as the rewiring layer can be formed in the region.
  • the mold 42 is disposed to cover the surface other than the surface on the rewiring layer 54 side of the electronic circuit 32D and the surface on the opposite side to the rewiring layer 54 side. It is also good.
  • FIG. 10 the mold 42 is disposed so as to cover the surface other than the surface on the rewiring layer 54 side of the electronic circuit 32D, but the present invention is not limited to this form, and it may be other than on the surface of the electronic circuit. Other forms may be used as long as the rewiring layer can be formed in the region.
  • the mold 42 is disposed to cover the surface other than the surface on the rewiring layer 54 side of the electronic circuit 32D and the surface on the opposite side to the
  • the organic layer 34D is disposed so as to cover substantially the entire surface of the electronic circuit 32D (a region other than the electrode portion for electrically connecting to the rewiring layer 54). It may be arranged to cover at least a part of the electronic circuit 32D. In addition, the organic layer may be further disposed at a position other than covering the electronic circuit (for example, between the mold and the rewiring layer). Further, in the electronic module 30D of FIG. 9, the mold 42 may further include a specific ⁇ -ray shielding agent. Furthermore, although electronic module 30D of FIG. 9 has organic layer 34D containing a specific alpha ray shielding agent, if the organic layer containing a specific alpha ray shielding agent is included in an electronic module, it will not restrict
  • the electronic module 230D includes an electronic circuit 32D, a mold 42D, a solder ball 44, and a rewiring layer 54.
  • the difference between the electronic module 230D and the electronic module 30D is that the electronic module 230D does not include the organic layer 34D, and the mold 42D includes a specific ⁇ -ray blocking agent.
  • the mold 42D containing the specific ⁇ -ray shielding agent corresponds to the organic layer of the present invention.
  • the electronic module 30D of FIG. 9 may further include an electromagnetic wave shield layer.
  • the arrangement position of the electromagnetic wave shielding layer is not particularly limited, it is preferable that the electromagnetic wave shielding layer be disposed at the outermost side so as to cover the mold.
  • ⁇ ray blocking agent The materials described in Table 1 were used in the examples described below. Each polymer was synthesized by a known method.
  • “type of atom” in the “first ionization potential” column indicates an atom having the largest value of the first ionization potential in the ⁇ -ray blocking agent.
  • “electron number / covalent bond radius” indicates an atom having the largest electron number / covalent bond radius value in the ⁇ -ray blocking agent.
  • the alpha ray blocking agent in Table 1 calculated alpha ray blocking ability X according to the following method, and was evaluated according to the following criteria. First, a method for producing a film-coated glass substrate using ⁇ -ray shielding agents 1 to 7 will be shown below.
  • each alpha ray blocking agent was dissolved in PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) to prepare an alpha ray blocking agent solution having a concentration of 40% by mass.
  • PGMEA propylene glycol monomethyl ether acetate
  • each alpha ray blocking agent solution is applied by spin coating on a glass substrate (EAGLE XG 0.7 mm: manufactured by Corning) so that the film thickness of the film after heating described later becomes 15.0 ⁇ m. , Formed a coating.
  • the coating film was heated at 100 ° C. for 30 minutes using a hot plate to obtain a film-coated glass substrate.
  • ⁇ ray shielding agent 5 The ⁇ -ray shielding agent solution was prepared by mixing the ⁇ -ray shielding agent 5, Solsperse 36000, which is a dispersing agent, and PGMEA at a mass ratio of 30: 18: 62, respectively, and dispersing with a paint shaker.
  • An ⁇ ray blocking agent dispersion solution is applied by spin coating on a glass substrate (EAGLE XG 0.7 mm: manufactured by Corning) so that the film thickness of the film after heating described later becomes 15.0 ⁇ m. Formed. Next, the coating was heated at 350 ° C. for 30 minutes using a hot plate to obtain a film-coated glass substrate.
  • the ⁇ -dose was measured for the obtained film-coated substrate and the uncoated glass substrate using a low-level ⁇ -ray measurement apparatus (LACS-4000M: manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.).
  • a detector was placed at a position facing the film to measure the ⁇ dose. That is, the alpha dose was measured when alpha rays emitted from the glass substrate permeated through the film.
  • the ratio (A1 / A0) which is the ⁇ ray shielding ability X was calculated using the ⁇ dose A1 of the film-coated substrate and the ⁇ dose A0 of the non-coated glass substrate, and evaluated according to the following criteria.
  • A1 / A0 is 0.01 or less 4: A1 / A0 is more than 0.01 and 0.25 or less 3: A1 / A0 is more than 0.25 and 0.50 or less 2: A1 / A0 is more than 0.50 and 0. 75 or less 1: A1 / A0 exceeds 0.75
  • Example A Each component is mixed according to the following composition using the ⁇ -ray shielding agent described in Table 1, and then filtered through a nylon filter (made by Nippon Pall Co., Ltd.) having a pore diameter of 0.45 ⁇ m to obtain compositions 1 to 7 Were produced respectively.
  • a nylon filter made by Nippon Pall Co., Ltd.
  • the number of a composition is attached.
  • a composition formed using ⁇ -ray shielding agent 1 is referred to as Composition 1.
  • ⁇ -ray blocking agent described in Table 1 32 parts by mass Polymerizable compound: A-TMMT (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 10 parts by mass Photopolymerization initiator: IRGACURE-OXE01 3 parts by mass Surfactant: Megafac F-781F 0 .03 parts by mass Solvent: 44.97 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate
  • each composition produced above was apply
  • the coating was heated at 100 ° C. for 2 minutes using a hot plate.
  • using a UV (ultraviolet) Cure device manufactured by Ushio Inc.
  • the entire coating film was exposed at an exposure dose of 20 J / cm 2 to obtain a glass substrate with an organic layer.
  • the obtained glass substrate with an organic layer was combined with a known solid-state imaging device to produce a solid-state imaging device shown in FIG. About the obtained solid-state imaging device, the image taking-in test was done and the influence of the noise by alpha ray was evaluated.
  • compositions 1 to 5 containing ⁇ ray shielding agents 1 to 5 exhibiting a predetermined ⁇ ray shielding ability X are used, and the ⁇ ray shielding agents 6 to 7 not exhibiting a predetermined ⁇ ray shielding ability X are respectively contained
  • the noise due to the ⁇ ray is reduced when the compositions 1 to 5 are used.
  • minimum transmittance of 400 to 700 nm is greater than 95%
  • minimum transmittance of 400 to 700 nm is less than 95%
  • greater than 90% 3 minimum transmittance of 400 to 700 nm is less than 90%
  • greater than 70% 2 The minimum transmittance of 400 to 700 nm is 70% or less, and is greater than 50% 1: the minimum transmittance of 400 to 700 nm is 50% or less
  • Example B The organic layer 34A shown in FIG. 4 was formed using each of the compositions 1 to 7 described above to produce an electronic module.
  • the soft error was evaluated using the obtained electronic module, and the compositions 1 to 5 were compared with the compositions 6 to 7 in comparison with the compositions 6 to 7. When used, soft errors were clearly reduced.

Abstract

本発明は、α線の影響が低減された新たな装置、および、有機層形成用組成物を提供する。本発明の装置は、α線源と、α線により影響を受ける電子回路と、α線遮蔽剤を含む有機層と、を有し、α線遮蔽剤のα線遮蔽能Ｘが０．５０以下である。

Description

装置、有機層形成用組成物
　本発明は、装置、および、有機層形成用組成物に関する。
　電子回路を含む装置は、種々の用途に適用されている。例えば、装置の一例として、固体撮像素子（電子回路の該当）を含む固体撮像装置が挙げられる。
　一方で、電子回路を含む装置においては、装置中のα線源から放出されるα線の影響を受けてソフトエラーを起こす場合がある。例えば、固体撮像装置においては、カバーガラスがα線放出性原子を含む場合があり、電子回路である固体撮像素子が一過性の誤作動を引き起こす場合がある。
　それに対して、特許文献１では、ＵおよびＴｈの含有量を一定以下とする近赤外線吸収ガラスを提案されている。
特開平７－２８１０２１号公報
　近年、各種装置において、α線による影響をより抑制することが求められている。
　しかし、特許文献１のような形態では、更なる不純物の除去が技術的に難しく、所定の部材（例えば、カバーガラス）からのα線の放出性のより一層の低減が困難である。また、このような方法は、精製コストの増加を引き起こすため、工業的には劣っている。
　本発明は、上記実情を鑑みて、α線の影響が低減された新たな装置を提供することを目的とする。
　また、本発明は、有機層形成用組成物を提供することも目的とする。
　本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記目的を達成できることを見出した。
（１）　α線源と、
　α線により影響を受ける電子回路と、
　α線遮蔽剤を含む有機層と、を有し、
　後述する方法で算出されるα線遮蔽剤のα線遮蔽能Ｘが０．５０以下である、装置。
（２）　α線源がガラス基板であり、
　電子回路が光電変換部を含む固体撮像素子であり、
　α線源と電子回路との間に有機層が配置され、
　固体撮像装置として機能する、（１）に記載の装置。
（３）　有機層の厚みが２０μｍ以下である、（２）に記載の装置。
（４）　有機層の可視光領域における最低透過率が７０％以上である、（２）または（３）に記載の装置。
（５）　電子回路が、論理回路、記憶回路、および、通信回路からなる群から選択される１種であり、
　電子モジュールとして機能する、（１）に記載の装置。
（６）　電子回路と電気的に接続された半田ボール、
　電子回路と電気的に接続された半田バンプ、および、
　電子回路の少なくとも一部を覆う、フィラーを含むモールド、からなる群から選択される少なくとも１つをさらに有し、
　α線源が、半田ボール、半田バンプ、および、フィラーの少なくとも１つである、（５）に記載の装置。
（７）　α線遮蔽剤が、ポリマーである、（１）～（６）のいずれかに記載の装置。
（８）　α線遮蔽剤の密度が、１．４ｇ／ｃｍ３以上である、（１）～（７）のいずれかに記載の装置。
（９）　α線遮蔽剤のイオン化ポテンシャルパラメータが７０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以上である、（１）～（８）のいずれかに記載の装置。
（１０）　α線遮蔽剤の波長５８９．３ｎｍにおける屈折率が１．７以上である、（１）～（９）のいずれかに記載の装置。
（１１）　α線遮蔽剤がハロゲン原子を含む、（１）～（１０）のいずれかに記載の装置。
（１２）　α線遮蔽剤が、密度４．０ｇ／ｃｍ３以上の、金属粒子または金属酸化物粒子である、（１）～（６）のいずれかに記載の装置。
（１３）　全固形分中における有機物の含有量が１５質量％以上であり、
　有機物が、後述する方法で算出されるα線遮蔽能Ｘが０．５０以下のα線遮蔽剤を含む、有機層形成用組成物。
　本発明によれば、α線の影響が低減された新たな装置を提供できる。
　また、本発明によれば、有機層形成用組成物を提供することもできる。
本発明の装置である固体撮像装置の一実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である固体撮像装置の他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である固体撮像装置の他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの一実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。
　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されるものではない。
　なお、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
　また、本発明において、１Å（オングストローム）は、０．１ｎｍに相当する。
＜第１実施形態＞
　本発明の装置の第１実施形態を、図１に示す。
　図１に示す装置は、固体撮像装置１０Ａであり、固体撮像装置１０Ａは、図示しない光電変換部を有する固体撮像素子１２と、カラーフィルタ１４と、マイクロレンズ１６と、透明樹脂層１８と、後述する所定のα線遮蔽剤を含む有機層２０と、ガラス基板２２とをこの順で有する。
　ガラス基板２２は本発明の装置中のα線源に該当し、光電変換部を有する固体撮像素子１２が本発明の装置中のα線により影響を受ける電子回路に該当する。図１に示すように、ガラス基板２２より放出されるα線が固体撮像素子１２に到達しないように、有機層２０はガラス基板２２と固体撮像素子１２との間に配置されている。
　以下、固体撮像装置１０Ａを構成する各部材について詳述する。まず、以下では、本発明の特徴点である有機層２０について詳述する。
（有機層）
　有機層２０は、α線遮蔽能Ｘが０．５０以下であるα線遮蔽剤を含む。
　α線遮蔽剤のα線遮蔽能は、以下の方法により算出される。
α線遮蔽能Ｘ算出方法：ガラス基板とガラス基板表面上に配置されたα線遮蔽剤からなる層とを有する積層体、および、α線遮蔽剤からなる層が配置されていないガラス基板を準備して、α線測定装置を用いて、積層体のα線遮蔽剤からなる層側におけるα線量Ａ１と、α線遮蔽剤からなる層が配置されていないガラス基板のα線量Ａ０とを算出して、α線量Ａ０に対するα線量Ａ１の比であるα線遮蔽能Ｘを算出する。
　以下、上記算出方法について詳述する。
　まず、ガラス基板とガラス基板表面上に配置されたα線遮蔽剤からなる層（以後、「特定層」ともいう）とを有する積層体、および、特定層が配置されていないガラス基板（未処理のガラス基板に該当）を準備する。
　上記積層体中の特定層は、α線遮蔽剤からなる。言い換えれば、特定層は、実質的にα線遮蔽剤のみから構成される層である。上記「実質的にα線遮蔽剤のみから構成される」とは、特定層全質量に対して、α線遮蔽剤の含有量が９９質量％以上である形態を意図し、微量の不純物（例えば、溶媒）は含まれていてもよい。
　上記特定層の形成方法は特に制限されず、使用されるα線遮蔽剤および溶媒を含む組成物とガラス基板とを接触させて、ガラス基板上に特定層を形成する方法が挙げられる。上記接触させる方法としては、ガラス基板上に組成物を塗布する方法が挙げられる。溶媒としては、後述する有機層形成用組成物中に含まれていてもよい溶媒が挙げられる。
　また、必要に応じて、ガラス基板と組成物とを接触させた後、特定層が配置されたガラス基板に対して乾燥処理を施してもよい。
　また、α線遮蔽剤が無機物（例えば、金属粒子または金属酸化物粒子）である場合、α線遮蔽剤および溶媒を含む組成物が、無機物であるα線遮蔽剤の分散性を高めるための分散剤をさらに含んでいてもよい。組成物が分散剤を含む場合、形成される特定層中に分散剤が残存しないように、ガラス基板と組成物とを接触させた後、形成された塗膜に対して焼成処理を施して、分散剤を分解させて除去してもよい。焼成処理の条件は使用される分散剤の種類によって、最適な条件が選択されるが、３００℃以上の温度で３０分間以上加熱する条件が好ましい。
　なお、ガラス基板の一方の主面上に、特定層が形成される。
　特定層の厚みは、１５．０±０．１μｍに調整する。
　上記積層体に含まれるガラス基板としては、ＥＡＧＬＥ　ＸＧ ０．７ｍｍ（コーニング社製）が用いられる。
　次に、α線測定装置を用いて、積層体の特定層側におけるα線量Ａ１と、特定層が配置されていないガラス基板のα線量Ａ０とを算出する。
　上記α線測定装置としては、ＬＡＣＳ－４０００Ｍ（住友化学社製）を用いる。なお、測定条件は、印加電圧１．９ｋＶ、ＰＲ－１０ガス（アルゴン：メタン＝９：１）２５０ｍＬ／分、有効計数時間２０ｈ、試料面積６００ｃｍ２、係数効率０．８０である。
　なお、積層体の特定層側におけるα線量Ａ１を測定する際には、α線測定装置の検出器を特定層と対向する位置に配置して測定する。つまり、α線源であるガラス基板と検出器との間に特定層が位置するようにして、α線量Ａ１の測定を行う。
　得られたα線量Ａ０に対するα線量Ａ１の比（Ａ１／Ａ０）を算出して、α線遮蔽能Ｘとする。このα線遮蔽能Ｘの数値が小さいほど、α線遮蔽剤のα線遮蔽性に優れる。
　有機層２０の厚みは特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点から、３μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましい。厚みの上限に関しては、装置の低背化の点で、３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。
　有機層２０の可視光領域における最低透過率は特に制限されないが、装置中の光電変換部への光の入射しやすさの点から、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましく、９０％以上であることが特に好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。上限は特に制限されないが、１００％が挙げられる。
　なお、上記可視光領域における最低透過率とは、可視光領域（波長４００～７００ｎｍ）における透過率の最低値（％）を意図する。
　有機層２０は、上述したように、α線遮蔽能Ｘが０．５０以下であるα線遮蔽剤（以下、「特定α線遮蔽剤」ともいう）を含む。
　有機層２０中における特定α線遮蔽剤の含有量は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、有機層全質量に対して、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
　有機層２０は、少なくとも有機化合物を含み、無機化合物を含んでいてもよい。有機層２０中における有機化合物の含有量は、取り扱い性の点から、有機層全質量に対して、１５質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
　なお、後述するように、特定α線遮蔽剤が無機化合物である場合、上記有機層２０には特定α線遮蔽剤とは別に有機化合物が含まれる。
　特定α線遮蔽剤は、有機化合物であっても無機化合物であってもよく、有機化合物が好ましい。
　有機化合物としては、α線遮蔽能がより優れる点で、ポリマーが好ましい。
　ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、特定α線遮蔽剤の耐溶剤性および溶解性のバランスがより優れる点で、５，０００～１００，０００が好ましく、７，５００～５０，０００がより好ましい。
　本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、測定装置としてＨＬＣ－８２２０（東ソー株式会社製）を用い、カラムとしてＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＡＷＭ―Ｈ（東ソー株式会社製、６．０ｍｍＩＤ（内径）×１５．０ｃｍ）を用い、溶離液として１０ｍｍｏｌ／Ｌ　リチウムブロミドＮＭＰ（Ｎ－メチルピロリジノン）溶液を用いることによって求めることができる。
　特定α線遮蔽剤の密度は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、１．４ｇ／ｃｍ３以上が好ましく、１．５ｇ／ｃｍ３以上がより好ましい。密度の上限は特に制限されないが、６．０ｇ／ｃｍ３以下の場合が多い。
　特定α線遮蔽剤の密度は、気相置換法により算出する。具体的には、特定α線遮蔽剤の固体サンプルを用意し、Ｐｅｎｔａｐｙｃ ５２００ｅ（カンタクローム・インスツルメンツ・ジャパン合同会社製）を用いて評価する。
　有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、特定α線遮蔽剤は、第１イオン化ポテンシャルが１０００ｋＪ／ｍｏｌ超である原子を含むことが好ましく、第１イオン化ポテンシャルが１５００ｋＪ／ｍｏｌ以上である原子を含むことがより好ましい。上記第１イオン化ポテンシャルの上限値は特に制限されないが、α線遮蔽剤の合成のしやすさの点で、２０００ｋＪ／ｍｏｌ以下が好ましい。
　上記原子としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子）、酸素原子、または、窒素原子が好ましく、ハロゲン原子、または、酸素原子がより好ましい。
　有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、特定α線遮蔽剤は、共有結合半径に対する電子数の比が１０Å－１超である原子を含むことが好ましく、１５Å－１以上である原子を含むことがより好ましく、共有結合半径に対する電子数の比が２０Å－１以上である原子を含むことがさらに好ましい。上記共有結合半径に対する電子数の比の上限値は特に制限されないが、特定α線遮蔽剤の合成のしやすさの点で、５０Å－１以下が好ましい。
　上記原子としては、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、チタン原子、ガリウム原子、ゲルマニウム原子、ニッケル原子、または、亜鉛原子が好ましい。
　有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、特定α線遮蔽剤のイオン化ポテンシャルパラメータ（以下、「ＩＰＰ」ともいう）は、７０００ｋＪ／ｍｏｌÅ（ｋＪ／（ｍｏｌ・Å））以上が好ましく、９０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以上がより好ましい。ＩＰＰの上限は特に制限されないが、２５０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以下の場合が多い。
　特定α線遮蔽剤のＩＰＰとは、特定α線遮蔽剤に含まれる各原子のＩＰＰと、各原子の含有モル比とを掛け合わせた計算値を原子毎に算出して、それらを合計した値である。上記原子のＩＰＰとは、原子の第１イオン化ポテンシャル（ｋＪ／ｍｏｌ）と、原子の共有結合半径（Å）に対する電子数の比とを掛け合わせて得られる値（（原子の第１イオン化ポテンシャル）×（原子の共有結合半径に対する電子数の比）である。
　例えば、特定α線遮蔽剤に炭素原子、酸素原子、および、ヨウ素原子が含まれ、それぞれの原子の全原子の合計モル数に対する含有モル比（特定の原子のモル数／全原子の合計モル数）が、０．８、０．１および０．１である場合、上記特定α線遮蔽剤のイオン化ポテンシャルパラメータは以下の式により算出される。
特定α線遮蔽剤のＩＰＰ＝｛（炭素原子のＩＰＰ×０．８）＋（酸素原子のＩＰＰ×０．１）＋（ヨウ素原子のＩＰＰ×０．１）｝
　なお、上記原子の第１イオン化ポテンシャルは、化学便覧（基礎編、丸善）の記載の数値を用いる。また、上記原子の共有結合半径は、R.T. Sanderson in Chemical Periodicity, Reinhold, New York, USA, 1962.に記載の数値を用いる。なお、原子の共有結合半径としては、単結合の場合の共有結合半径を用いる。
　通常、α線は原子中の電子と衝突して、これを弾き飛ばす（原子をイオン化させる）ことで減衰する。上記ＩＰＰを算出する際の原子の第１イオン化ポテンシャルは電子を弾き飛ばすために必要なエネルギー（原子のイオン化しにくさ）を表し、原子の共有結合半径（Å）に対する電子数の比は電子との衝突頻度を表し、両者の掛け算であるＩＰＰが大きいほど、α線が減衰しやすいことを表す。
　なお、特定α線遮蔽剤がポリマーである場合は、各繰り返し単位のＩＰＰを算出して、各繰り返し単位のＩＰＰと、各繰り返し単位の全単位に対する含有モル比とを掛け合わせた計算値を繰り返し単位毎に算出して、それらを合計した値である。
　例えば、特定α線遮蔽剤が単位Ａおよび単位Ｂを含むポリマーであり、単位Ａおよび単位Ｂの含有モル比（各単位のモル数／全単位の合計モル数）がそれぞれ０．４および０．６である場合、上記特定α線遮蔽剤のＩＰＰは以下の式により算出される。
特定α線遮蔽剤のＩＰＰ＝｛（単位ＡのＩＰＰ×０．４）＋（単位ＢのＩＰＰ×０．６）｝
　なお、単位Ａおよび単位ＢのＩＰＰは、各単位を構成する各原子のＩＰＰと、各原子の含有モル比とを掛け合わせた計算値を原子毎に算出して、それらを合計した値である。
　特定α線遮蔽剤の波長５８９．３ｎｍにおける屈折率は特に制限されないが、電子密度の観点で、１．７以上が好ましく、１．８以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０以下の場合が多い。
　特定α線遮蔽剤の上記屈折率の測定方法としては、シリコン基板上に特定α線遮蔽剤からなる単膜を形成し、エリプソメーターで測定を行う方法が挙げられる。具体的には、α線遮蔽能Ｘ算出方法と同様の方法で、シリコン基板上に１００ｎｍのα線遮蔽剤からなる層を形成し、エリプソメトリー（ラムダエースＲＥ－３３００（商品名）、大日本スクリーン製造（株））を用いて、得られた層の屈折率を測定し、特定α線遮蔽剤の屈折率とする。
　特定α線遮蔽剤は、上述したように、所定のα線遮蔽能Ｘを示すポリマー（以下、単に「特定ポリマー」ともいう）が好ましく、特定ポリマーの密度、ＩＰＰおよび屈折率は、上記好適範囲であることが好ましい。
　また、特定ポリマーは、第１イオン化ポテンシャルが１０００ｋＪ／ｍｏｌ超である原子を含むことが好ましい。
　また、特定ポリマーは、上述した共有結合半径に対する電子数の比が１０Å－１以上である原子を含むことが好ましい。
　特定α線遮蔽剤は、ハロゲン原子を含むことが好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子が挙げられる。
　特定α線遮蔽剤中におけるハロゲン原子の含有量は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、特定α線遮蔽剤全モル量に対して、１０モル％以上が好ましく、１５モル％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが７５モル％以下が好ましい。
　特定α線遮蔽剤が特定ポリマーである場合、特定ポリマーはハロゲン原子を含む繰り返し単位（以下、単に「特定単位」ともいう）を含むことが好ましい。
　特定単位の構造は特に制限されないが、式（１）で表される単位が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　式（１）中、Ｒ１は、水素原子またはアルキル基を表す。
　Ｌは、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、エーテル基（－Ｏ－）、カルボニル基（－ＣＯ－）、エステル基（－ＣＯＯ－）、アミド基（－ＣＯＮＨ－）、チオエーテル基（－Ｓ－）、－ＳＯ２－、－ＮＲＡ－（ＲＡは、水素原子、または、アルキル基を表す。）、２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、および、アリーレン基）、および、これらを組み合わせた基が挙げられる。
　Ｘは、ハロゲン原子を有する炭化水素基、または、式（２）で表される基を表す。式（２）中、＊は結合位置を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　ハロゲン原子を有する炭化水素基としては、例えば、ハロゲン原子を有するアルキル基、ハロゲン原子を有するアルケニル基、ハロゲン原子を有するアルキニル基、ハロゲン原子を有するアリール基、および、これらを組み合わせた基が挙げられる。なかでも、特定ポリマーの合成のしやすさの点で、ハロゲン原子を有するアリール基が好ましい。
　Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～４がより好ましい。
　Ａ－は、ハロゲン原子を含むアニオンを表す。アニオンにはハロゲン原子が含まれていればよく、ハロゲンアニオン（Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、およびＩ－）であってもよい。Ａ－で表されるアニオンとしては、例えば、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－、過ハロゲン化ルイス酸のアニオン（例えば、ＰＦ６ －、ＳｂＦ６ －、ＢＦ４ －、ＡｓＦ６ －、および、ＦｅＣｌ４ －）、および、過ハロゲン酸のアニオン（例えば、ＣｌＯ４ －、ＢｒＯ４ －、および、ＩＯ４ －）が挙げられる。
　特定ポリマー中における特定単位の含有量は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、特定ポリマー中の全単位に対して、２５質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％以下の場合が多い。
　特定ポリマーは上記特定単位以外の他の単位を含んでいてもよく、ハロゲン原子を含まない単位を含んでいてもよい。
　特定α線遮蔽剤が無機化合物である場合、無機化合物としては、密度４．０ｇ／ｃｍ３以上の、金属粒子または金属酸化物粒子（以下、これらを総称して「特定粒子」ともいう）が好ましい。
　特定粒子の密度は、４．０～６．０ｇ／ｃｍ３より好ましい。
　特定粒子の密度は、上述した気相置換法により算出する。
　特定粒子の直径は特に制限されず、５０ｎｍ以下が好ましい。
　特定粒子に含まれる金属原子の種類は特に制限されないが、共有結合半径に対する電子数の比が１０Å－１以上である金属原子が好ましい。
　特定粒子のＩＰＰは、７０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以上が好ましく、より好適な範囲は上述した通りである。
　有機層２０は、上述した特定α線遮蔽剤以外の他の成分を含んでいてもよい。
　他の成分としては、バインダー樹脂、界面活性剤、着色剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、および、充填剤などが挙げられる。
　バインダー樹脂としては、上述したα線遮蔽能Ｘが０．５０超の樹脂であって、公知の樹脂が挙げられる。なお、バインダー樹脂は、後述する有機層２０を形成する際に用いられる有機層形成用組成物中に含まれる重合性化合物が重合して形成される樹脂であってもよい。
　バインダー樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル樹脂、（メタ）アクリルアミド樹脂、（メタ）アクリル／（メタ）アクリルアミド共重合体樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、および、ポリイミド樹脂が挙げられる。
　バインダー樹脂は、アルカリ可溶性樹脂であってもよい。アルカリ可溶性樹脂とは、アルカリ溶液に溶解する樹脂を意図する。
　アルカリ可溶性樹脂の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落０１４６～０１６２を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　界面活性剤としては、公知の界面活性剤が挙げられ、例えば、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、および、シリコーン系界面活性剤が挙げられ、フッ素系界面活性剤が好ましい。
　フッ素系界面活性剤中のフッ素含有率は、３～４０質量％が好ましく、５～３０質量％がより好ましい。
　界面活性剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落０２６１～０２６５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　着色剤としては、公知の着色剤が挙げられ、例えば、白色着色剤、黒色着色剤、および、有彩色着色剤が挙げられる。なお、有彩色着色剤とは、白色着色剤および黒色着色剤以外の着色剤を意味する。
　着色剤は、顔料であっても、染料であってもよい。
　白色着色剤としては、酸化チタンが挙げられる。
　黒色着色剤としては、カーボンブラックおよびチタンブラックが挙げられる。
　有彩色着色剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落００６２～００６７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　紫外線吸収剤としては、公知の紫外線吸収剤が挙げられ、例えば、共役ジエン系化合物が好ましい。
　紫外線吸収剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２２２～０２２５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤が挙げられ、例えば、フェノール化合物、亜リン酸エステル化合物、チオエーテル化合物、および、ヒンダードアミン化合物が挙げられる。
　酸化防止剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２２８～０２３５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　充填剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２２７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　有機層２０の形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
　例えば、特定α線遮蔽剤を含む有機層形成用組成物を所定の基材と接触させて、塗膜を形成し、必要に応じて、硬化処理を施す方法が挙げられる。
　以下、上記方法の手順について詳述する。
　有機層形成用組成物に含まれる特定α線遮蔽剤の形態は、上述した通りである。
　有機層形成用組成物中における特定α線遮蔽剤の含有量は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点から、有機層形成用組成物中の全固形分に対して、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
　なお、全固形分とは、有機層を形成する成分を意図し、溶媒は含まれない。
　有機層形成用組成物は、特定α線遮蔽剤以外の他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、上述したように、バインダー樹脂、界面活性剤、着色剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、および、充填剤が挙げられる。
　これら以外にも、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、基板密着剤、および、溶媒が挙げられる。
　重合性化合物としては、公知の重合性化合物が挙げられ、例えば、エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物、エポキシ基を有する化合物、および、アルコキシシリル基を有する化合物が挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、（メタ）アリル基、および、（メタ）アクリロイル基が挙げられる。
　重合性化合物としては、ラジカル重合性化合物が好ましい。
　重合性化合物としては、重合性基を複数有する多官能重合性化合物が好ましい。
　重合性化合物の具体例としては、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３３０；日本化薬社製）、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３２０；日本化薬社製）、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３１０；日本化薬社製）、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＨＡ；日本化薬社製、Ａ－ＤＰＨ－１２Ｅ；新中村化学社製）、および、これらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール残基またはプロピレングリコール残基を介している構造（例えば、サートマー社から市販されている、ＳＲ４５４、ＳＲ４９９）が挙げられる。また、ＮＫエステルＡ－ＴＭＭＴ（ペンタエリスリトールテトラアクリレート、新中村化学社製）、および、ＫＡＹＡＲＡＤ　ＲＰ－１０４０（日本化薬社製）も挙げられる。
　エポキシ基を有する化合物の具体的な形態としては、特開２０１５－１５１４６７号公報の段落００４３～００７１を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　アルコキシシリル基を有する化合物の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１５８８１９号パンフレットの段落０１３９～０１４１を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　上記以外にも重合性化合物の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落０１６８～０１９４を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　有機層形成用組成物中における重合性化合物の含有量は、有機層形成用組成物中の全固形分に対して、０～５０質量％が好ましく、５～４５質量％がより好ましい。
　重合開始剤としては、公知の重合開始剤が挙げられ、光重合開始剤が好ましい。
　光重合開始剤は、紫外光領域から可視光領域のいずれかの光に対して感光性を有するのが好ましい。
　光重合開始剤の種類は、重合性化合物の重合形式によって最適な化合物が選択され、例えば、ラジカル重合を開始する光重合開始剤、および、カチオン重合を開始する光重合開始剤が挙げられる。
　光重合開始剤としては、感度がより高い点で、オキシムエステル系重合開始剤（オキシム化合物）が好ましい。オキシムエステル系重合開始剤の市販品としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０３（ＢＡＳＦ社製）、および、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０４（ＢＡＳＦ社製）が挙げられる。
　重合開始剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落０２０６～０２３７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　有機層形成用組成物中における重合開始剤の含有量は、有機層形成用組成物中の全固形分に対して、０～１０質量％が好ましく、０．５～８質量％がより好ましい。
　重合禁止剤としては、公知の重合禁止剤が挙げられ、例えば、フェノール系ヒドロキシル基含有化合物、Ｎ－オキシド化合物、および、ピペリジン１－オキシルフリーラジカル化合物が挙げられる。
　重合禁止剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０１９７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　基板密着剤としては、公知の基板密着剤が挙げられ、例えば、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、および、アルミニウム系カップリング剤が好ましい。
　基板密着剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０１９９～０２０８を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　溶媒としては、公知の溶媒が挙げられ、有機溶媒が好ましい。
　有機溶媒としては、例えば、エステル類、エーテル類、ケトン類、および、芳香族炭化水素類が挙げられる。
　有機溶媒の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０１９０～０１９１を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　なお、溶媒としては、金属含有量の少ない溶媒が好ましく、溶媒の金属含有量は、例えば１０質量ｐｐｂ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｂｉｌｌｉｏｎ）以下であるのが好ましい。必要に応じて質量ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｔｒｉｌｌｉｏｎ）レベルの溶媒を用いてもよく、そのような高純度溶媒は例えば東洋合成社が提供している（化学工業日報、２０１５年１１月１３日）。
　有機層形成用組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、有機層形成用組成物中の全量に対して、０．０１～０．１質量％が好ましい。
　有機層形成用組成物における有機物の含有量は、全固形分に対して、１５質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
　有機層形成用組成物の調製方法は特に制限されず、上述した成分を一括で混合してもよいし、分割して混合してもよい。
　なお、上記組成物の調製にあたり、異物の除去および有機層中の欠陥の低減などの目的で、有機層形成用組成物をフィルタでろ過することが好ましい。フィルタとしては、従来からろ過用途に用いられているフィルタであれば特に制限されない。例えば、フッ素樹脂（例えば、ポリテトラフルオロエチレン）、ポリアミド系樹脂（例えば、ナイロン、より具体的には、ナイロン－６およびナイロン－６，６）、および、ポリオレフィン樹脂（例えば、ポリエチレンおよびポリプロピレン）などの素材を用いたフィルタが挙げられる。これら素材の中でも、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）またはナイロンが好ましい。
　フィルタの孔径は、０．０１～７．０μｍが好ましく、０．０１～３．０μｍがより好ましく、０．０５～０．５μｍがさらに好ましい。フィルタの孔径が上記範囲であれば、微細な異物を確実に除去できる。ファイバ状のろ材を用いることも好ましい。ファイバ状のろ材としては、例えば、ポリプロピレンファイバ、ナイロンファイバ、および、グラスファイバが挙げられる。
　フィルタを使用する際、異なるフィルタ（例えば、第１のフィルタと第２のフィルタ）を組み合わせてもよい。その際、各フィルタでのろ過は、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。また、上述した範囲内で異なる孔径のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社（ＤＦＡ４２０１ＮＸＥＹ）、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）、および、株式会社キッツマイクロフィルタが提供する各種フィルタの中から選択できる。
　有機層形成用組成物と接触する基材としては、例えば、後述するガラス基板が挙げられる。つまり、有機層形成用組成物を用いて、ガラス基板上に有機層を直接形成できる。
　なお、基材としていわゆる剥離基材を用いてもよい。
　有機層形成用組成物と基材との接触方法は特に制限されず、例えば、基材上に有機層形成用組成物を塗布する方法、および、有機層形成用組成物中に基材を浸漬する方法が挙げられる。
　有機層形成用組成物と基材とを接触させた後、必要に応じて、基材上に形成された塗膜に対して、硬化処理を施してもよい。特に、有機層形成用組成物中に重合性化合物が含まれる場合、硬化処理を塗膜に施して、重合性化合物を重合させることが好ましい。
　硬化処理としては、例えば、光硬化処理および熱硬化処理が挙げられる。これらの処理の条件は、使用される有機層形成用組成物中の成分の種類に応じて最適な条件が選択される。
　また、有機層形成用組成物と基材とを接触させた後、または、硬化処理の後、必要に応じて、塗膜を乾燥する乾燥処理を実施してもよい。
（固体撮像素子）
　固体撮像素子１２は、光電変換部で受光して、光電変換を行い、画像信号を出力する素子である。
　固体撮像素子１２としては、公知の固体撮像素子を使用できる。固体撮像素子１２においては、通常、光電変換部が複数２次元的に配置されており、後述するカラーフィルタ１４およびマイクロレンズ１６がそれぞれの光電変換部に対応して設けられる。
　光電変換部の構成は特に制限されないが、ｐｎ接合により形成された光電変換部が挙げられる。
　また、固体撮像素子１２の代表例としては、画像変換部、および、画像変換部の制御を行う制御回路などが形成された半導体基板が挙げられる。半導体基板としては、シリコンで構成されたシリコン基板が挙げられる。
　固体撮像素子の具体的な形態としては、特開２０１６－１０２２１１号公報の図２に記載の固体撮像素子、および、特開２０１６－１６８１号公報の図９に記載の固体撮像素子が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
（カラーフィルタ）
　カラーフィルタ１４は、固体撮像素子１２とマイクロレンズ１６との間に配置される層である。
　図１においては、カラーフィルタ１４は、赤色カラーフィルタ１４Ｒ、緑色カラーフィルタ１４Ｇ、および、青色カラーフィルタ１４Ｂを含む。なお、各色のカラーフィルタは、図示しないブラックマトリックスによって仕切られている。
　カラーフィルタ１４としては、公知のカラーフィルタが挙げられる。また、カラーフィルタに含まれる着色剤としても、公知の着色剤が用いられる。
　カラーフィルタ１４の具体的な形態としては、特開２０１４－０４３５５６号公報の段落０２１４～０２６３の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　なお、図１の固体撮像装置１０Ａは、赤色カラーフィルタ１４Ｒ、緑色カラーフィルタ１４Ｇ、および、青色カラーフィルタ１４Ｂの３色のカラーフィルタを有しているが、本発明はこの形態には制限されず、他の色のカラーフィルタを有していてもよい。
（マイクロレンズ）
　マイクロレンズ１６は、カラーフィルタ１４上に配置され、固体撮像装置１０Ａ内に入射した光を集光する機能を有する。
　マイクロレンズ１６の屈折率は特に制限されないが、集光効果がより優れる点で、波長５８９．３ｎｍにおける屈折率は１．７０以上が好ましい。上限は特に制限されないが、３．００以下の場合が多い。
　マイクロレンズ１６を構成する樹脂の種類は特に制限されず、公知の樹脂が挙げられる。
（透明樹脂層）
　透明樹脂層１８は、マイクロレンズ１６を覆うようにマイクロレンズ１６上に配置される層であり、その表面が平坦化されている。つまり、透明樹脂層１８は、いわゆる平坦化層としての機能も有する。
　透明樹脂層１８の屈折率は特に制限されないが、集光効果がより優れる点で、波長５８９．３ｎｍにおける屈折率は１．５０以下が好ましい。下限は特に制限されないが、１．００以上の場合が多い。
　透明樹脂層１８を構成する樹脂の種類は特に制限されず、公知の樹脂が挙げられる。
（ガラス基板）
　ガラス基板２２は、カバーガラスとして機能する基板であれば、その種類は特に制限されない。
　ガラス基板２２を構成する材料としては、例えば、石英ガラスおよびホウ珪酸ガラスが挙げられる。
　図１において、透明樹脂層１８と有機層２０とは接触しているが、透明樹脂層１８と有機層２０との間には両者の密着性を高めるために、接着層が配置されていてもよい。
　また、図１においては、有機層２０とガラス基板２２とは接触しているが、有機層２０とガラス基板２２との間には両者の密着性を高めるために、接着層が配置されていてもよい。
　上記接着層としては、公知の接着層が挙げられる。
　なお、上述した有機層２０自体が接着性を有していてもよい。この場合、有機層２０は、α線遮蔽性を有する層として機能すると共に、接着層としても機能する。
　また、図１の固体撮像装置１０Ａはマイクロレンズ１６を有しているが、用途に応じて、マイクロレンズ１６および透明樹脂層１８を取り除いてもよい。
　また、図１の固体撮像装置１０Ａにおいては、透明樹脂層１８と有機層２０とが接触しているが、所定の固定治具を用いることにより、透明樹脂層１８と有機層２０とを離間させて配置してもよい。この形態においても、用途に応じて、マイクロレンズ１６および透明樹脂層１８を取り除いてもよい。
　図１においては、固体撮像装置１０Ａが特定α線遮蔽剤を含む有機層２０を有しているが、本発明はこの形態に制限されず、固体撮像装置中において、α線源であるガラス基板と電子回路である固体撮像素子との間に特定α線遮蔽剤が位置していれば他の形態であってもよい。
　例えば、図２に示すように、固体撮像装置１０Ｂは、図示しない光電変換部を有する固体撮像素子１２と、カラーフィルタ１４と、マイクロレンズ１６と、特定α線遮蔽剤を含む透明樹脂層１８Ａと、ガラス基板２２とをこの順で有する。
　なお、上記形態において、図１の形態と同様の構成部材には同一の符号を付す。
　固体撮像装置１０Ａと固体撮像装置１０Ｂとの違いは、固体撮像装置１０Ｂには有機層２０が含まれておらず、透明樹脂層１８Ａ中に特定α線遮蔽剤が含まれる点が挙げられる。
　この形態においては、特定α線遮蔽剤を含む透明樹脂層１８Ａが、本発明の有機層に該当する。つまり、図２における透明樹脂層１８Ａは、有機層および平坦化層の２つの機能を有する。
　なお、図２に示す固体撮像装置１０Ｂにおいて、透明樹脂層１８Ａが特定α線遮蔽剤を含む形態であるが、本発明はこの形態に制限されず、例えば、マイクロレンズおよびカラーフィルタの少なくとも一方が特定α線遮蔽剤を含む形態であってもよい。
　さらに、本発明の固体撮像装置は、赤外線カットフィルタ、および、赤外線透過フィルタを有する形態であってもよい。
　具体的には、図３に示すように、固体撮像装置１０Ｃにおいては、図示しない光電変換部を有する固体撮像素子１２上において、赤外線カットフィルタ２４および赤外線透過フィルタ２６が配置されている。なお、赤外線カットフィルタ２４上にはカラーフィルタ１４が配置されている。さらに、カラーフィルタ１４および赤外線透過フィルタ２６上には、マイクロレンズ１６と、透明樹脂層１８と、特定α線遮蔽剤を含む有機層２０と、ガラス基板２２とがこの順で配置される。
　なお、上記形態において、図１の形態と同様の構成部材には同一の符号を付す。
　固体撮像装置１０Ａと固体撮像装置１０Ｃとの違いは、固体撮像装置１０Ｃが赤外線カットフィルタ２４および赤外線透過フィルタ２６を有する点が挙げられる。固体撮像装置１０Ｃが赤外線カットフィルタ２４および赤外線透過フィルタ２６を有することにより、固体撮像装置１０Ｃは赤外線に対してもセンシング可能となる。
　なお、図３の形態において、赤外線カットフィルタ２４とカラーフィルタ１４との位置が逆に配置されていてもよい。
　赤外線カットフィルタ２４の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落００１１～０２８５、および、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落００１５～０２９３、０２９７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　赤外線透過フィルタ２６の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２９１～０３０３を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
＜第２実施形態＞
　本発明の装置の他の形態としては、電子モジュール（電子部品モジュール）が挙げられる。電子モジュールとは、後述する論理回路、記憶回路、および、通信回路などの電子回路をパッケージ化した部材である。つまり、電子回路が半導体チップなどで構成される場合、電子モジュールは、いわゆる半導体パッケージに該当する。
（実施形態Ａ）
　本発明の装置の第２実施形態の一形態を、図４に示す。
　図４に示す装置は、電子モジュール３０Ａであり、電子モジュール３０Ａは、電子回路３２Ａと、特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ａと、配線基板３６と、接着層３８と、ボンディングワイヤ４０と、モールド４２と、半田ボール４４とを有する。
　電子モジュール３０Ａは、いわゆるワイヤーボンディング構造を有する。
　後述するように、モールド４２中にはフィラーが含まれていてもよい。
　上記電子モジュール３０Ａにおいては、半田ボール４４およびモールド４２中に含まれ得るフィラーがα線源になり得る。
　電子モジュール３０Ａは、半田ボール４４を介して、プリント配線板などに実装される。
　以下、電子モジュール３０Ａを構成する各部材について詳述する。
　電子回路３２Ａは、いわゆる集積回路に該当し、トランジスタ、抵抗、および、コンデンサなどの複数の素子を用いて形成できる。素子としては、例えば、半導体素子が用いられる。複数の半導体素子を用いて形成された電子回路は、半導体チップとも呼ばれる。
　電子回路３２Ａの種類は特に制限されず、例えば、論理回路、記憶回路、および、通信回路が挙げられる。これらの回路の構成も特に制限されず、公知の回路が挙げられる。
　電子回路３２Ａには、通常、外部と電気的に接続するための電極（図１中では図示しない）を有する。なお、図４においては、電子回路３２Ａは配線基板３６側とは反対側の表面上に図示しない電極を有し、この電極と後述するボンディングワイヤ４０とが接続する。
　有機層３４Ａは、電子回路３２Ａを覆うように配置される層である。有機層３４Ａが配置されることにより、α線源から放出されるα線が電子回路３２Ａに到達することを抑制できる。
　ただし、図４においては、電子回路３２Ａの図示しない電極部上には有機層３４Ａは配置されておらず、上述したように、電極部と後述するボンディングワイヤ４０とが接触し、電気的に接続する。
　有機層３４Ａは、特定α線遮蔽剤を含む。特定α線遮蔽剤の形態は、上述した通りである。
　有機層３４Ａ中における特定α線遮蔽剤の含有量は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、有機層全質量に対して、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
　有機層３４Ａは、少なくとも有機化合物を含み、無機化合物を含んでいてもよい。有機層３４Ａ中における有機化合物の含有量は、取り扱い性の点から、有機層全質量に対して、１５質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
　なお、特定α線遮蔽剤が無機化合物である場合、上記有機層３４Ａには特定α線遮蔽剤とは別に有機化合物が含まれる。
　有機層３４Ａの厚みは、有機層のα線遮蔽性がより優れる点から、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましい。厚みの上限に関しては、放熱性の点で、３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。
　有機層３４Ａの形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、電子回路３２Ａと上述した有機層形成用組成物とを接触させて、必要に応じて硬化処理を施す方法が挙げられる。
　なお、電子回路３２Ａと後述するボンディングワイヤ４０との接続性を担保する方法としては、有機層形成用組成物と電子回路３２Ａとを接触させた後に、電子回路３２Ａのボンディングワイヤと接続する電極部上の有機層を除去する方法が挙げられる。除去の方法としては、レーザーを用いる方法が挙げられる。
　配線基板３６は、電子回路３２Ａと後述するボンディングワイヤ４０を介して電気的に接続された基板である。
　配線基板３６は、通常、電子回路３２Ａと電気的に接続する電極部、後述する半田ボール４４と電気的に接続する電極部、および、回路パターンを少なくとも有する。
　回路パターンは、通常、樹脂、ガラス、半導体材料、および、これらの複合材からなる絶縁層と、銅、金、銀、および、アルミニウムなどの金属からなる配線パターンとの積層構造によって構成される。
　配線基板３６の構成は、用途に応じて、適宜最適な構成が選択される。
　接着層３８は、電子回路３２Ａと配線基板３６との間に配置され、両者の密着性を向上させるための層である。
　接着層３８としては、公知の接着層が挙げられる。
　ボンディングワイヤ４０は、電子回路３２Ａと配線基板３６とを電気的に接続するためのワイヤである。
　ボンディングワイヤ４０を構成する材料は特に制限されず、例えば、金が挙げられる。
　ボンディングワイヤ４０の形成方法としては、公知の方法が挙げられる。
　モールド４２は、電子回路３２Ａを覆うように配置される部材である。
　モールド４２は、通常、樹脂で構成される。モールド４２を作製するために用いられる樹脂の種類は特に制限されないが、エポキシ樹脂が挙げられる。
　モールド４２中には、フィラーが含まれていてもよく、フィラーとしてはシリカが挙げられる。上述したように、シリカはα線源となり得る。
　半田ボール４４は、配線基板３６と電気的に接続され、配線基板３６の電子回路３２Ａ側の表面とは反対側の表面上に配置される。
　半田ボール４４は、配線基板３６の電子回路３２Ａ側の表面とは反対側の表面に配置される電極部（図４においては図示しない）と接触し、電気的に接続する。つまり、半田ボール４４は、配線基板３６およびボンディングワイヤ４０を介して、電子回路３２Ａと電気的に接続している。
　半田ボール４４の構成は特に制限されず、公知の半田ボールが挙げられ、例えば、錫、銀、または、銅などを含む半田ボールが挙げられる。上述したように、半田ボール４４は、α線源となり得る。
　半田ボール４４の設置方法としては、公知の方法が挙げられ、例えば、配線基板３６の図示しない電極上にフラックスなどを塗布してから、半田ボールを設置して、加熱する方法が挙げられる。
　図４においては有機層３４Ａが電子回路３２Ａの略全面（ボンディングワイヤとの接続領域以外の領域）を覆うように配置されているが、本発明はこの形態に制限されず、電子回路の少なくとも一部を覆うように配置されていればよい。
　なお、本発明においては、有機層は、電子回路の電極部以外の表面上の少なくとも一部を覆うように配置されることが好ましく、電子回路の電極部以外の表面上全部を覆うように配置されることがより好ましい。
　また、図４の電子モジュール３０Ａにおいては、接着層３８およびモールド４２の少なくとも一方がさらに特定α線遮蔽剤を含んでいてもよい。
　さらに、図４の電子モジュール３０Ａは特定α線遮蔽剤を含む有機層３４を有するが、電子モジュール中に特定α線遮蔽剤を含む有機層が含まれていればこの形態には制限されない。
　例えば、図５に示すように、電子モジュール１３０Ａは、電子回路３２Ａと、配線基板３６と、接着層３８と、ボンディングワイヤ４０と、モールド４２Ａと、半田ボール４４とを有する。電子モジュール３０Ａと電子モジュール１３０Ａとの違いは、電子モジュール１３０Ａには有機層３４Ａが含まれておらず、モールド４２Ａ中に特定α線遮蔽剤が含まれる点が挙げられる。
　この形態においては、特定α線遮蔽剤を含むモールド４２Ａが、本発明の有機層に該当する。
　なお、図５においては、モールド４２Ａが特定α線遮蔽剤を含む形態であるが、本発明はこの形態に制限されず、例えば、接着層３８が特定α線遮蔽剤を含む形態であってもよい。
（実施形態Ｂ）
　本発明の装置の第２実施形態の他の形態を、図６に示す。
　図６に示す装置は、電子モジュール３０Ｂであり、電子モジュール３０Ｂは、電子回路３２Ｂと、特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｂと、配線基板３６と、モールド４２と、半田ボール４４と、バリアメタル部４６と、バンプ４８と、アンダーフィル５０とを有する。
　電子モジュール３０Ｂは、いわゆるフリップチップ構造を有する。
　上記電子モジュール３０Ｂにおいては、半田ボール４４、バンプ４８、および、モールド４２中に含まれ得るフィラーがα線源になり得る。
　電子モジュール３０Ｂは、半田ボール４４を介して、プリント配線板などに実装される。
　以下、電子モジュール３０Ｂを構成する各部材について詳述する。なお、電子モジュール３０Ｂ中の部材に関して、電子モジュール３０Ａ中の部材と同一のものに関しては、同一の符号を付して説明を省略する。
　電子回路３２Ｂは、電子モジュール３０Ａの電子回路３２Ａと略同様の構成であり、電子回路３２Ｂは配線基板３６側の表面上に図示しない電極部を有する点で電子回路３２Ａとは異なる。なお、その電極部が、後述するバリアメタル部４６と接触している。
　有機層３４Ｂは、電子回路３２Ｂを覆う層である。なお、有機層３４Ｂは、図６中、電子回路３２Ｂのバリアメタル部と接触する図示しない電極部上には配置されておらず、配置位置の点で有機層３４Ａと異なる。
　有機層３４Ｂは、配位位置の点以外は、有機層３４Ａと同様の構成である。
　バリアメタル部４６は、電子回路３２Ｂと後述するバンプ４８との間に配置される部材である。
　バリアメタル部４６を構成する金属原子の種類は特に制限されないが、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、および、Ｗが挙げられる。
　バンプ４８は、電子回路３２Ｂと配線基板３６との間に配置され、両者を電気的に接続するための電極部材である。
　バンプ４８の形成方法は特に制限されないが、半田ボールを用いる方法が好ましい。
　バンプ４８を構成する金属原子の種類は特に制限されないが、例えば、錫、銀、および、銅が挙げられる。
　バンプ４８の形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
　なお、バンプ４８は、上述したように、α線源となり得る。特に、バンプ４８が半田ボールを用いて形成された半田バンプの場合、バンプ４８はα線源として作用しやすい。
　アンダーフィル５０は、電子回路３２Ｂと配線基板３６との間に配置され、両者の密着性を向上させる部材である。
　アンダーフィル５０は、通常、樹脂で構成される。アンダーフィルを作製するために用いられる樹脂の種類は特に制限されないが、エポキシ樹脂が挙げられる。
　図６においては有機層３４Ｂが電子回路３２Ｂの略全面（バリアメタル部４６との接続領域以外の領域）を覆うように配置されているが、本発明はこの形態に制限されず、電子回路３２Ｂの少なくとも一部を覆うように配置されていればよい。
　また、図６の電子モジュール３０Ｂにおいては、モールド４２およびアンダーフィル５０の少なくとも一方がさらに特定α線遮蔽剤を含んでいてもよい。
　さらに、図６の電子モジュール３０Ｂは特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｂを有するが、電子モジュール中に特定α線遮蔽剤を含む有機層が含まれていればこの形態には制限されない。
　例えば、図７に示すように、電子モジュール１３０Ｂは、電子回路３２Ｂと、配線基板３６と、モールド４２Ｂと、半田ボール４４と、バリアメタル部４６と、バンプ４８と、アンダーフィル５０とを有する。電子モジュール３０Ｂと電子モジュール１３０Ｂとの違いは、電子モジュール１３０Ｂには有機層３４Ｂが含まれておらず、モールド４２Ｂ中に特定α線遮蔽剤が含まれる点が挙げられる。
　この形態においては、特定α線遮蔽剤を含むモールド４２Ｂが、本発明の有機層に該当する。
　なお、図７においては、モールド４２Ｂが特定α線遮蔽剤を含む形態であるが、本発明はこの形態に制限されず、例えば、アンダーフィルが特定α線遮蔽剤を含む形態であってもよい。
（実施形態Ｃ）
　本発明の装置の第２実施形態の他の形態を、図８に示す。
　図８に示す装置は、電子モジュール３０Ｃであり、電子モジュール３０Ｃは、電子回路３２Ｃと、特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｃと、半田ボール４４と、電磁波シールド層５２とを有する。
　電子モジュール３０Ｃは、いわゆるファンインウエハレベルパッケージ構造を有する。
　上記電子モジュール３０Ｃにおいては、半田ボール４４がα線源になり得る。
　電子モジュール３０Ｃは、半田ボール４４を介して、プリント配線板などに実装される。
　以下、電子モジュール３０Ｃを構成する各部材について詳述する。なお、電子モジュール３０Ｃ中の部材に関して、電子モジュール３０Ａ中の部材と同一のものに関しては、同一の符号を付して説明を省略する。
　電子回路３２Ｃは、電子モジュール３０Ａの電子回路３２Ａと略同様の構成であり、電子回路３２Ｃは半田ボール４４側の表面上に図示しない電極部を有する点で電子回路３２Ａとは異なる。なお、その電極部で後述する半田ボール４４と接触している。
　なお、図８においては、電子回路３２Ｃ中の図示しない電極部と半田ボール４４とが接触しているが、この形態に制限されず、両者が電気的に接続されていれば、他の部材が含まれていてもよい。例えば、両者の間には、いわゆる再配線層が配置されていてもよい。つまり、電子回路３２Ｃの表面上には再配線層が配置され、再配線層を介して電子回路３２Ｃと半田ボール４４とが電気的に接続していてもよい。
　なお、再配線層は、電子回路の電極部を再配線する役割を果たす。再配線層を形成する材料としては、銅、アルミニウム、銀、錫、および、金などの導電性物質が挙げられる。なお、再配線層は、電子回路上に配置された絶縁層上に埋め込まれる形で配置されていてもよい。
　有機層３４Ｃは、電子回路３２Ｃを覆う層である。なお、有機層３４Ｃは、図８中、電子回路３２Ｃの半田ボール４４と接触する図示しない電極部上には配置されておらず、配置位置の点で有機層３４Ａと異なる。
　有機層３４Ｃは、配位位置の点以外は、有機層３４Ａと同様の構成である。
　電磁波シールド層５２は、電磁波を遮蔽する機能を有する層であり、電子回路３２Ｃを覆うように配置されている。なお、半田ボール４４のプリント配線板との接触性を担保するため、通常、電磁波シールド層５２は、半田ボール４４上には配置されない。
　電磁波シールド層５２を構成する材料は特に制限されず、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、および、ステンレス鋼などの金属が挙げられる。
　図８の電子モジュール３０Ｃは電磁波シールド層５２を有するが、本発明はこの形態に制限されず、電磁波シールド層は電子モジュール中に配置されていなくてもよい。
　また、図８において、電磁波シールド層５２と、有機層３４Ｃとの積層順は逆でもよい。
　さらに、図８の電子モジュール３０Ｃは特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｃを有するが、電子モジュール中に特定α線遮蔽剤を含む有機層が含まれていればこの形態には制限されない。例えば、電子モジュールが、特定α線遮蔽剤と電磁波シールド剤とを含む有機層で電子回路を覆う形態を有していてもよい。この場合、有機層が、α線遮蔽層および電磁波シールド層の両者の役割を果たす。
（実施形態Ｄ）
　本発明の装置の第２実施形態の他の形態を、図９に示す。
　図９に示す装置は、電子モジュール３０Ｄであり、電子モジュール３０Ｄは、電子回路３２Ｄと、特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｄと、モールド４２と、半田ボール４４と、再配線層５４とを有する。
　電子モジュール３０Ｄは、いわゆるファンアウトウエハレベルパッケージ構造を有する。なお、ファンアウトウエハレベルパッケージ構造においては、モールド４２Ｄを配置して、再配線層５４をモールド４２Ｄ上にも配置することにより、半田ボール４４を電子回路３２Ｄの面上以外の位置に配置できる。
　以下、電子モジュール３０Ｄを構成する各部材について詳述する。なお、電子モジュール３０Ｄ中の部材に関して、電子モジュール３０Ａ中の部材と同一のものに関しては、同一の符号を付して説明を省略する。
　電子回路３２Ｄは、電子モジュール３０Ａの電子回路３２Ａと略同様の構成であり、電子回路３２Ｄは半田ボール４４側の表面上に図示しない電極部を有する点で電子回路３２Ａとは異なる。なお、その電極部が、再配線層５４を介して半田ボール４４と電気的に接続している。
　有機層３４Ｄは、電子回路３２Ｄを覆う層である。なお、有機層３４Ｄは、電子回路３２Ｄの再配線層５４と接触する図示しない電極部上には配置されておらず、配置位置の点で有機層３４Ａと異なる。
　有機層３４Ｄは、配位位置の点以外は、有機層３４Ａと同様の構成である。
　再配線層５４は、電子回路３２Ｄの図示しない電極部を再配線する役割を果たす。つまり、電子回路３２Ｄの図示しない電極部と半田ボール４４とは再配線層５４を介して電気的に接続する。
　再配線層５４を形成する材料としては、銅、アルミニウム、銀、錫、および、金などの導電性物質が挙げられる。
　なお、再配線層５４は、電子回路上に配置された絶縁層上に埋め込まれる形で配置されていてもよい。
　図９においては、モールド４２が電子回路３２Ｄの再配線層５４側の表面以外の面を覆うように配置されているが、本発明はこの形態に制限されず、電子回路の面上に以外の領域に再配線層を形成できれば他の形態であってもよい。例えば、図１０に示す電子モジュール１３０Ｄのように、電子回路３２Ｄの再配線層５４側の表面および再配線層５４側とは反対側の表面以外の面を覆うようにモールド４２が配置されていてもよい。
　また、図９においては有機層３４Ｄが電子回路３２Ｄの略全面（再配線層５４と電気的に接続するための電極部以外の領域）を覆うように配置されているが、本発明はこの形態に制限されず、電子回路３２Ｄの少なくとも一部を覆うように配置されていればよい。また、有機層は、電子回路を覆う以外の位置（例えば、モールドと再配線層との間）に、さらに配置されていてもよい。
　また、図９の電子モジュール３０Ｄにおいては、モールド４２がさらに特定α線遮蔽剤を含んでいてもよい。
　さらに、図９の電子モジュール３０Ｄは特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｄを有するが、電子モジュール中に特定α線遮蔽剤を含む有機層が含まれていればこの形態には制限されない。
　例えば、図１１に示すように、電子モジュール２３０Ｄは、電子回路３２Ｄと、モールド４２Ｄと、半田ボール４４と、再配線層５４とを有する。電子モジュール２３０Ｄと電子モジュール３０Ｄとの違いは、電子モジュール２３０Ｄには有機層３４Ｄが含まれておらず、モールド４２Ｄ中に特定α線遮蔽剤が含まれる点が挙げられる。
　この形態においては、特定α線遮蔽剤を含むモールド４２Ｄが、本発明の有機層に該当する。
　また、図９の電子モジュール３０Ｄにおいては、さらに、電磁波シールド層を有していてもよい。電磁波シールド層の配置位置は特に制限されないが、モールドを覆うように最外側に配置されている形態が好ましい。
　以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例により制限的に解釈されるべきものではない。
＜α線遮蔽剤＞
　後述する実施例においては、表１に記載の材料を用いた。なお、各ポリマーは、公知の方法により合成した。
　なお、表１中、「第１イオン化ポテンシャル」欄の「原子の種類」は、α線遮蔽剤中の最も第１イオン化ポテンシャルの値が大きい原子を示す。
　また、表１中、「電子数／共有結合半径」は、α線遮蔽剤中の最も電子数／共有結合半径の値が大きい原子を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表１中のα線遮蔽剤は、以下の方法に従ってα線遮蔽能Ｘを算出して、以下基準に従って評価した。
　まず、α線遮蔽剤１～７を用いた、膜付きガラス基板の作製方法を以下に示す。
（α線遮蔽剤１～４、６～７）
　各α線遮蔽剤をＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）にそれぞれ溶解させて、濃度４０質量％のα線遮蔽剤溶液をそれぞれ作製した。
　次に、後述する加熱後の膜の膜厚が１５．０μｍになるように、ガラス基板（ＥＡＧＬＥ　ＸＧ ０．７ｍｍ：コーニング社製）上に各α線遮蔽剤溶液をスピンコート法で塗布して、塗膜を形成した。
　次に、ホットプレートを用いて、１００℃にて３０分間塗膜を加熱し、膜付きガラス基板を得た。
（α線遮蔽剤５）
　α線遮蔽剤５と、分散剤であるＳｏｌｓｐｅｒｓｅ３６０００と、ＰＧＭＥＡとを、それぞれ３０：１８：６２の質量比で混合し、ペイントシェーカーにより分散することで、α線遮蔽剤溶液を作製した。
　後述する加熱後の膜の膜厚が１５．０μｍになるように、ガラス基板（ＥＡＧＬＥ　ＸＧ ０．７ｍｍ：コーニング社製）上にα線遮蔽剤分散溶液をスピンコート法で塗布して、塗膜を形成した。
　次に、ホットプレートを用いて、３５０℃にて３０分間塗膜を加熱し、膜付きガラス基板を得た。
　得られた膜付き基板および未塗布のガラス基板について、低レベルα線測定装置（ＬＡＣＳ－４０００Ｍ：住友化学社製）を用いてα線量を測定した。なお、膜付き基板に関しては、膜と対向する位置に検出器を配置してα線量を測定した。つまり、ガラス基板より放出されるα線が膜を透過した際のα線量を測定した。
　膜付き基板のα線量Ａ１と、未塗布のガラス基板のα線量Ａ０とを用いて、α線遮蔽能Ｘである比（Ａ１／Ａ０）を算出して、以下の基準で評価した。
　５：Ａ１／Ａ０が０．０１以下
　４：Ａ１／Ａ０が０．０１超０．２５以下
　３：Ａ１／Ａ０が０．２５超０．５０以下
　２：Ａ１／Ａ０が０．５０超０．７５以下
　１：Ａ１／Ａ０が０．７５超
＜実施例Ａ＞
　表１に記載のα線遮蔽剤を用いて、以下の組成に従って各成分を混合した後、孔径０．４５μｍのナイロン製フィルタ（日本ポール（株）製）でろ過して、組成物１～７をそれぞれ作製した。なお、各α線遮蔽剤の番号に合わせて、組成物の番号を付す。例えば、α線遮蔽剤１を用いて形成された組成物を組成物１と称する。
　表１に記載のα線遮蔽剤　　　　　　　　　　　　　　　　　３２質量部
　重合性化合物：Ａ－ＴＭＭＴ（新中村化学社製）　　　　　　１０質量部
　光重合開始剤：ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０１　　　　　　　　３質量部
　界面活性剤：メガファックＦ－７８１Ｆ　　　　　　　　０．０３質量部
　溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート　　４４．９７質量部
　製膜後の膜厚が１５．０μｍになるように、ガラス基板上に上記で作製した各組成物をスピンコート法で塗布して、塗膜を形成した。
　次に、ホットプレートを用いて、１００℃にて２分間塗膜を加熱した。次に、ＵＶ（ultraviolet）　Ｃｕｒｅ装置（ウシオ電機製）を用いて２０Ｊ／ｃｍ２の露光量で塗膜を全面露光し、有機層付きガラス基板を得た。
　得られた有機層付きガラス基板を用いて、公知の固体撮像素子と組み合わせて、図１に示す固体撮像装置を作製した。
　得られた固体撮像装置について、画像の取り込み試験を行い、α線によるノイズの影響を評価した。
　所定のα線遮蔽能Ｘを示すα線遮蔽剤１～５をそれぞれ含む組成物１～５を用いた場合と、所定のα線遮蔽能Ｘを示さないα線遮蔽剤６～７をそれぞれ含む組成物６～７を用いた場合とを比較すると、組成物１～５を用いた場合に、α線に起因するノイズが低減されていた。
（可視光透過性）
　分光測定機（ＭＣＰＤ３７００：大塚電子製）を用いて、未塗布のガラス基板をリファレンスとして、得られた膜付き基板について４００～７００ｎｍの最低透過率を測定して、膜付き基板中の膜の最低透過率を求めて、以下の基準に沿って評価した。
　５：４００～７００ｎｍの最低透過率が９５％より大きい
　４：４００～７００ｎｍの最低透過率が９５％以下、９０％より大きい
　３：４００～７００ｎｍの最低透過率が９０％以下、７０％より大きい
　２：４００～７００ｎｍの最低透過率が７０％以下、５０％より大きい
　１：４００～７００ｎｍの最低透過率が５０％以下
＜実施例Ｂ＞
　上述した組成物１～７をそれぞれ用いて、図４に示す有機層３４Ａを形成し、電子モジュールを作製した。
　得られた電子モジュールを用いて、ソフトエラーの評価を実施ししたところ、組成物１～５を用いた場合と、組成物６～７を用いた場合とを比較すると、組成物１～５を用いた場合に、ソフトエラーが明らかに低減されていた。
　１０Ａ，１０Ｂ、１０Ｃ　　固体撮像装置
　１２　　固体撮像素子
　１４　　カラーフィルタ
　１４Ｒ　　赤色カラーフィルタ
　１４Ｇ　　緑色カラーフィルタ
　１４Ｂ　　青色カラーフィルタ
　１６　　マイクロレンズ
　１８，１８Ａ　　透明樹脂層
　２０　　α線遮蔽層
　２２　　ガラス基板
　２４　　赤外線カットフィルタ
　２６　　赤外線透過フィルタ
　３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｄ，２３０Ｄ　　電子モジュール
　３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ　　電子回路
　３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ　　有機層
　３６　　配線基板
　４０　　ボンディングワイヤ
　４２，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｄ　　モールド
　４４　　半田ボール
　４６　　バリアメタル部
　４８　　バンプ
　５０　　アンダーフィル
　５２　　電磁波シールド層
　５４　　再配線層
 

Claims (13)

  1. 　α線源と、
    　α線により影響を受ける電子回路と、
    　α線遮蔽剤を含む有機層と、を有し、
    　以下の方法で算出される前記α線遮蔽剤のα線遮蔽能Ｘが０．５０以下である、装置。
    α線遮蔽能Ｘ算出方法：ガラス基板と前記ガラス基板表面上に配置された前記α線遮蔽剤からなる層とを有する積層体、および、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板を準備して、α線測定装置を用いて、前記積層体の前記α線遮蔽剤からなる層側におけるα線量Ａ１と、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板のα線量Ａ０とを算出して、前記α線量Ａ０に対する前記α線量Ａ１の比であるα線遮蔽能Ｘを算出する。
  2. 　前記α線源がガラス基板であり、
    　前記電子回路が光電変換部を含む固体撮像素子であり、
    　前記α線源と前記電子回路との間に前記有機層が配置され、
    　固体撮像装置として機能する、請求項１に記載の装置。
  3. 　前記有機層の膜厚が２０μｍ以下である、請求項２に記載の装置。
  4. 　前記有機層の可視光領域における最低透過率が７０％以上である、請求項２または３に記載の装置。
  5. 　前記電子回路が、論理回路、記憶回路、および、通信回路からなる群から選択される１種であり、
    　電子モジュールとして機能する、請求項１に記載の装置。
  6. 　前記電子回路と電気的に接続された半田ボール、
    　前記電子回路と電気的に接続された半田バンプ、および、
    　前記電子回路の少なくとも一部を覆う、フィラーを含むモールド、からなる群から選択される少なくとも１つをさらに有し、
    　前記α線源が、前記半田ボール、前記半田バンプ、および、前記フィラーの少なくとも１つである、請求項５に記載の装置。
  7. 　前記α線遮蔽剤が、ポリマーである、請求項１～６のいずれか１項に記載の装置。
  8. 　前記α線遮蔽剤の密度が、１．４ｇ／ｃｍ３以上である、請求項１～７のいずれか１項に記載の装置。
  9. 　前記α線遮蔽剤のイオン化ポテンシャルパラメータが７０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以上である、請求項１～８のいずれか１項に記載の装置。
  10. 　前記α線遮蔽剤の波長５８９．３ｎｍにおける屈折率が１．７以上である、請求項１～９のいずれか１項に記載の装置。
  11. 　前記α線遮蔽剤がハロゲン原子を含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の装置。
  12. 　前記α線遮蔽剤が、密度４．０ｇ／ｃｍ３以上の、金属粒子または金属酸化物粒子である、請求項１～６のいずれか１項に記載の装置。
  13. 　全固形分中における有機物の含有量が１５質量％以上であり、
    　前記有機物が、以下の方法で算出されるα線遮蔽能Ｘが０．５０以下のα線遮蔽剤を含む、有機層形成用組成物。
    α線遮蔽能Ｘ算出方法：ガラス基板と前記ガラス基板表面上に配置された前記α線遮蔽剤からなる層とを有する積層体、および、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板を準備して、α線測定装置を用いて、前記積層体の前記α線遮蔽剤からなる層側におけるα線量Ａ１と、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板のα線量Ａ０とを算出して、前記α線量Ａ０に対する前記α線量Ａ１の比であるα線遮蔽能Ｘを算出する。
     
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021153558A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05
JPWO2021153588A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05
JP2022111005A (ja) * 2021-01-18 2022-07-29 朗色林科技股▲フン▼有限公司 ピコスコピックスケール／ナノスコピックスケールの回路パターンを作製する方法
CN115210328B (zh) * 2020-01-30 2024-05-14 富士胶片株式会社 α射线屏蔽膜形成用组合物、α射线屏蔽膜、层叠体、半导体装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60134448A (ja) * 1983-12-23 1985-07-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置用パツケ−ジ
JPS63239977A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Sony Corp 半導体記憶装置
JPH0536865A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Fujitsu Ltd 半導体装置
WO2011055726A1 (ja) * 2009-11-04 2011-05-12 旭硝子株式会社 近赤外線カットフィルタ

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3161142B2 (ja) * 1993-03-26 2001-04-25 ソニー株式会社 半導体装置
JP2989739B2 (ja) 1994-04-12 1999-12-13 ホーヤ株式会社 近赤外線吸収ガラス、このガラスを用いた固体撮像素子保護用フィルター及びこのフィルターを用いた固体撮像素子
JP2002261346A (ja) * 2000-12-28 2002-09-13 Denso Corp 積層一体焼成型の電気機械変換素子
SG120889A1 (en) * 2001-09-28 2006-04-26 Semiconductor Energy Lab A light emitting device and electronic apparatus using the same
JP2005056998A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
US7492023B2 (en) * 2004-03-26 2009-02-17 Fujifilm Corporation Solid state imaging device
JP4476764B2 (ja) * 2004-03-26 2010-06-09 富士フイルム株式会社 基板接合装置及び方法
JP2005284147A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像装置
JP2006100763A (ja) * 2004-09-06 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置の製造方法及び接合装置
KR100608420B1 (ko) * 2004-11-01 2006-08-02 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 칩 패키지 및 그 제조방법
TW200714636A (en) * 2005-09-05 2007-04-16 Fuji Photo Film Co Ltd Composition, film and producing method therefor
JP4596323B2 (ja) * 2005-09-20 2010-12-08 富士フイルム株式会社 スペーサ付カバーガラスの洗浄方法
DE102005052421A1 (de) * 2005-11-03 2007-05-16 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von Abdeckgläsern für strahlungsempfindliche Sensoren und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
WO2011071052A1 (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 旭硝子株式会社 光学部材、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、撮像装置用レンズ、およびそれらを用いた撮像・表示装置
JP5753749B2 (ja) * 2010-09-27 2015-07-22 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物の製造方法
US9136293B2 (en) * 2012-09-07 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for sensor module
WO2014046097A1 (ja) * 2012-09-21 2014-03-27 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び酸発生剤
JP2014175465A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Sony Corp 半導体装置、製造方法、電子機器
JP6279571B2 (ja) * 2013-06-27 2018-02-14 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機ｅｌ表示装置
TW201520695A (zh) * 2013-09-25 2015-06-01 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、硬化膜的製造方法、硬化膜、液晶顯示裝置及有機ｅｌ顯示裝置
WO2015064601A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機ｅｌ表示装置
WO2016114362A1 (ja) * 2015-01-14 2016-07-21 旭硝子株式会社 近赤外線カットフィルタおよび固体撮像装置
CN107683526A (zh) * 2015-06-23 2018-02-09 索尼公司 图像传感器和电子装置
JP2017022200A (ja) * 2015-07-08 2017-01-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 イメージセンサ、および電子機器
WO2017122528A1 (ja) * 2016-01-13 2017-07-20 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び酸拡散制御剤
JP2018046040A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに、電子機器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60134448A (ja) * 1983-12-23 1985-07-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置用パツケ−ジ
JPS63239977A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Sony Corp 半導体記憶装置
JPH0536865A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Fujitsu Ltd 半導体装置
WO2011055726A1 (ja) * 2009-11-04 2011-05-12 旭硝子株式会社 近赤外線カットフィルタ

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021153558A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05
JPWO2021153588A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05
WO2021153558A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05 富士フイルム株式会社 α線遮蔽膜形成用組成物、α線遮蔽膜、積層体、半導体装置
WO2021153588A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05 富士フイルム株式会社 α線遮蔽膜形成用組成物、α線遮蔽膜、積層体、半導体装置
KR20220121858A (ko) 2020-01-30 2022-09-01 후지필름 가부시키가이샤 α선 차폐막 형성용 조성물, α선 차폐막, 적층체, 반도체 장치
CN115023475A (zh) * 2020-01-30 2022-09-06 富士胶片株式会社 α射线屏蔽膜形成用组合物、α射线屏蔽膜、层叠体、半导体装置
CN115210328A (zh) * 2020-01-30 2022-10-18 富士胶片株式会社 α射线屏蔽膜形成用组合物、α射线屏蔽膜、层叠体、半导体装置
CN115210328B (zh) * 2020-01-30 2024-05-14 富士胶片株式会社 α射线屏蔽膜形成用组合物、α射线屏蔽膜、层叠体、半导体装置
JP2022111005A (ja) * 2021-01-18 2022-07-29 朗色林科技股▲フン▼有限公司 ピコスコピックスケール／ナノスコピックスケールの回路パターンを作製する方法
TWI790045B (zh) * 2021-01-18 2023-01-11 朗色林科技股份有限公司 皮米/奈米級線路圖案的製備方法
US11953828B2 (en) 2021-01-18 2024-04-09 Longserving Technology Co., Ltd Method of making a picoscopic scale/ nanoscopic scale circuit pattern

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