JPS60134448A - 半導体装置用パツケ−ジ - Google Patents

半導体装置用パツケ−ジ

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JPS60134448A
JPS60134448A JP58242122A JP24212283A JPS60134448A JP S60134448 A JPS60134448 A JP S60134448A JP 58242122 A JP58242122 A JP 58242122A JP 24212283 A JP24212283 A JP 24212283A JP S60134448 A JPS60134448 A JP S60134448A
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semiconductor device
radiation
present
ceramics
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Hitoshi Nagano
永野　仁
Tadashi Matsumoto
忠 松本
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野〕 本発明は半導体装置の封入に用いられるパッケージにか
かわり、特に、α線、γ線等の放射線による半導体装置
の誤動作、特性変化等を防止する１ことができる半導体
装置用パッケージに関するものである。
〔従来の技術〕
半導体装置は、取扱いの容易さ、および外部か。
らの湿気の侵入やすｌ−１Ｊウム等の不純物による汚・
染を防止して、その特性を安定に保つため、通常セラミ
ックあるいは樹脂等の絶縁物でパッケージングして用い
るのが一般的である。
しかし、これらのパッケージは、不純物による汚染の防
止には有効であるが、α線、γ線等の放射線に対する遮
へい効果はほとんど期待できないそのため、特に宇宙あ
るいは原子炉の近傍で半導体装置を使用すると、放射線
の影響によって半導体装置が誤動作したり、電気的特性
が変化したりする欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除去し、放
射線を有効的に遮へいすることができる半導体装置用パ
ッケージを提供することにある。
〔発明の構成および作用〕
本発明は、上記目的を達成するため、半導体装置用パッ
ケージの材料として、Ｐｂ、　Ａｕ、　Ｈｆ、　Ｉｒ。
Ｍｏ、　Ｏｓ、　Ｐｄ１Ｐｔ、　Ｒｅ、　Ｔａ、　Ｔｈ
５Ｔ２．　ＷＳＵのうちの少なくとも１種類の元素を重
量比で１％以上含むセラミックまたは樹脂を用いること
を特徴とするものである。
一般に、放射線を遮へいする効果は、その物質の密度に
関係しており、密度が高いほど遮へい効果は大である。
本発明は、このような知見に基づいてなされたもので、
比較的密度の高い上記元素を含んだセラミックまたは樹
脂を用いてパッケージを形成することにより、放射線を
遮へいする効果を得ることができる。
また、これらの元素の含有量は、過少であれば十分な放
射線速へい効果が得られず、重量比で１％以上であるこ
とが必要である。
なお、これらの元素は、酸化物、窒化物のかたちで用い
られるが、これをセラミックや樹脂に焼結や硬化の前の
段階で混入することにより、パッケージを任意の形態で
形成することができる。
〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面を示したもので、１は
半導体装置、２は半導体装置１の電気信号を取り出す端
子である。また、３は本発明によるパッケージであり、
例えば酸化鉛（ｐｂｏ　）を多量に含むエポキシ樹脂か
らなるものである。
従来のパッケージ材料であるセラミックあるいはエポキ
シ樹脂の密度は２〜４ｇ／ｃｍ３である。これに対し、
酸化鉛の密度−は９．５　ｇ／ｃｍ３であり、これは大
きな遮へい効果を有している。例えば、１ＭｅＶのγ線
に対する線吸収係数は、酸化鉛を含む密度５．４ｇ／ｃ
ｍ３の鉛ガラスでは０．４３９　ｃｍ−１であるが、こ
れに対し、金属のアルミニウム（Ａｔ）の場合は０．１
６６　ｃｒｒｒｌであり、酸化鉛は大きな遮へい効果を
有している。
従って、第１図に示すように、酸化鉛を含むエポキシ樹
脂をパッケージ材料として用いることにより、α線、γ
線等の放射線を効果的に遮へいし、半導体装置の誤動作
や特性変化を防止することが可能となる。
また、本実施例のパッケージ材料は、電気的に絶縁物で
あり、かつ酸化鉛の混入割合および厚さを自由に変化す
ることが容易であるから、従来のパッケージのもつ不純
物侵入防止等の効果も十分果たし得るものである。
なお、本実施例のパッケージを形成するには、従来の樹
脂によるパッケージの工程において、樹脂材料中に適量
の酸化鉛を混入するのみでよく、きわめて容易に、その
形成が可能である。
第２図も本発明の他の実施例の断面を示したもので、１
は半導体装置、２は端子である。また、３′は本発明に
よるパッケージであり、例えば酸化タングステン（ＷＯ
３）を多量に含むセラミックからなるものである。酸化
タングステンは密度が１２１ｇ／ｃｍ３であり、放射線
を遮へいする効果は太きい。
また、本実施例のパッケージを形成するためには、従来
のセラミックを形成する過程において、酸化タングステ
ンをセラミック材料中に混入すればよく、大量にかつ容
易に形成できる。
上記２つの実施例では、パッケージ材料が酸化鉛（ｐｂ
ｏ）を含むエポキシ樹脂の場合、および酸化タングステ
ン（ＷＯ３）を含むセラミックの場合について説明した
が、混入する物質が他の元素の酸化物、窒化物等の化合
物の場合にも、同様な効果が得られることは明らかであ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、従来の技術を適
用して容易に形成できる半導体装置用パッケージを用い
ることにより、放射線が効果的に遮へいされるので、放
射線による半導体装置の誤動作、特性変化を防止するこ
とが可能となり、半導体装置の信頼性を高めることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による半導体装置用パッケージの一実施
例の断面図、第２図は他の実施例の断面図である。 符号の説明 １・・・半導体装置　２・・・端子 ３．３′・・・パッケージ 特許出願人　日本電信電話公社 代理人弁理士　中利純之助

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体装置の封入に用いられるパッケージであって、該
    パッケージの材料として、Ｐｂ、　Ａｕ、　Ｈｆ。 Ｉｒ、　Ｍｏ、　Ｏｓ、　Ｐｄ、　Ｐｔ１Ｒｅ、　Ｔａ
    、　Ｔｈ、　ＴＬｌＷ、　Ｕのうちの少な（とも１種類
    の元素を重量比で１％以上含むセラミックまたは樹脂を
    用いたことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
JP58242122A 1983-12-23 1983-12-23 半導体装置用パツケ−ジ Pending JPS60134448A (ja)

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