JPS60134424A - 半導体装置の保護膜 - Google Patents

半導体装置の保護膜

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JPS60134424A
JPS60134424A JP58242121A JP24212183A JPS60134424A JP S60134424 A JPS60134424 A JP S60134424A JP 58242121 A JP58242121 A JP 58242121A JP 24212183 A JP24212183 A JP 24212183A JP S60134424 A JPS60134424 A JP S60134424A
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glass
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Hitoshi Nagano
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野〕 本発明は半導体装置の保護膜にかかわり、特に・α線、
ｒ線等の放射線による半導体装置の誤動作・特性変化等
を防止することができる保護膜に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置は、外部からのナトリウム等の不純物
による汚染を防止し、その特性を安定に保つため、これ
をシリコン酸化膜（５ｉ０２　）、リン・シリケートガ
ラス（ＰＳＧ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ　）等の絶縁
膜で被覆するのが一般的であった。一方最近は、半導体
内部の構成が大集積化し、かつ微細化してきたため、半
導体構成材料中にわずかに含まれる同位元素からの放射
線（特にα線）あるいは外部からの放射線等の影響を受
けやす（なってきた。しかし、上記した従来の絶縁膜は
、放射線に対する遮へい効果をほとんどもたないため、
半導体装置が誤動作したり、電気的特性が変化したりす
る欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除去し、放
射線を有効的に遮へいすることができる半導体装置の保
護膜を提供することにある。
〔発明の構成および作用〕
本発明は、上記目的を達成するため、半導体装置の表面
または側面を被覆する保護膜が、Ｐｂ、ＡｕＨｆ、　Ｉ
ｒ、　Ｍｏ、　Ｏｓ、　Ｐｄ、　Ｐｔ、　Ｒｅ、　Ｔａ
、　Ｔｂ、　Ｔｔ、　Ｗ、　Ｕのうちの少なくとも１種
類の元素を重量比で０．５％以上含むガラスまたは有機
物からなることを特徴とする紅のである。
一般に、放射線を遮へいする効果は、その物質の密度に
関係しており、密度が高いほど遮へい効果は大である。
本発明は、このような知見に基づいてなされたもので、
比較的密度の高い上記元素を含んだガラスまたは有機物
で保護膜を形成することにより、放射線を遮へいする効
果をもたせたものである。
また、これらの元素の含有量は、過少であれば十分な放
射線速へい効果が得られず、重量比で０．５％以上であ
ることが必要である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図によって説明する。第
１図は該実施例１面を示したもので、１は半導体装置、
２は従来から使用されてきている例えば５ｉ０２からな
る保護膜、３は半導体装置１の電気信号を取り出す例え
ば金（Ａｕ）からなる金属細線である。また、４は本発
明による保護膜であり、例えば鉛（ｐｂ）を多量に含む
５ｉ０２　（いわゆる鉛ガラス）の膜である。
従来の不純物に対する保護膜に用いられた５ｉ０２ある
いはＳｉＮの密度は２〜３　ｇ／ｃｍ３である。これに
対し、鉛ガラスでは、密度が５．５　ｇ／ｃｍ３以上の
ものも容易に形成することが可能であり、これらは大き
な遮へい効果を有している。例えば、１Ｍｅｖのγ線に
対する線吸収係数は、密度６．４　ｇ／ｃｍ３の鉛ガラ
スでは０．４３９　ｃｍ　＋であるが、これに対し、金
属のアルミニウム（Ａｔ）の場合は０．１６６　ｃｍ　
＋であり、アルミニウムに対しても船方ラスは２６５倍
以上の遮へい効果を有している。
従って、第１図に示すように・、鉛ガラスを保護膜とし
て用いることにより、α線、γ線等の放射線は効果的に
遮へいされ、半導体装置の誤動作や特性変化を防止する
ことが可能となる。
また、本発明による保護膜は、電気的に絶縁物であり、
かつ１μｍ以上に厚く形成することが容易であるから、
従来の保護膜、すなわち外部からの不純物による汚染防
止の意味での保護膜としての効果も有している。
なお、本発明による保護膜を形成するには、例えば上記
鉛ガラスの場合、それぞれ鉛（Ｐｂ）と５ｉ０２からな
る２つのターゲットから同時にスパッタする公知の技術
を適用すればよ（、半導体装置のウェハ状態で、容易に
、かつ大量に形成できるものである。また、第１図に示
す金属細線３の接続個所は、通常のホトリソグラフィの
技術により容易に形成できる。
上記実施例では、保護膜が鉛カラス、すなわち鉛（ｐｂ
）を含むガラスの場合について説明したが、混入する元
素が鉛板外の他の元素の場合、およびこれらの元素を混
入する物質がカラスでなく有機物である場合にも、同様
な効果が得られることは明らかである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明による保護膜を形成するこ
とにより、α線、γ線等の放射線が効果的に遮へいされ
るので、放射線による半導体装置の誤動作、特性変化−
を防止することが可能となり半導体装置の信頼性を高め
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による半導体装置の保護膜の一実施例を
示す断面図である。 符号の説明 １・・・半導体装置　２・・・５ｉ０２保護膜３・・・
金属細線　４・・・鉛ガラス保護膜特許出願人　日本電
信電話公社 代理人弁理士　中村純之助

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体装置の表面または側面を被覆する保護膜□であッ
    テ、該保護膜が、Ｐｂ、　Ａｕ、　Ｈｆ１１ｒ、　Ｍｏ
    、　Ｏｓ、Ｐｄ、　Ｐｔ、　Ｒｅ、　Ｔａ、　Ｔｈ、　
    Ｔｌ、　Ｗ、　Ｕのうちの少なくとも１種類の元素を重
    量比で０．５％以上含むガラスまたは有機物からなるこ
    とを特徴とする半導体装置の保護膜。
JP58242121A 1983-12-23 1983-12-23 半導体装置の保護膜 Expired - Lifetime JPH0685389B2 (ja)

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JP58242121A JPH0685389B2 (ja) 1983-12-23 1983-12-23 半導体装置の保護膜

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JP58242121A JPH0685389B2 (ja) 1983-12-23 1983-12-23 半導体装置の保護膜

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JPS60134424A true JPS60134424A (ja) 1985-07-17
JPH0685389B2 JPH0685389B2 (ja) 1994-10-26

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5696704A (en) * 1979-12-17 1981-08-05 Hughes Aircraft Co Oxide layer optical gas phase cladding method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5696704A (en) * 1979-12-17 1981-08-05 Hughes Aircraft Co Oxide layer optical gas phase cladding method

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