JPS58106851A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58106851A JPS58106851A JP56204812A JP20481281A JPS58106851A JP S58106851 A JPS58106851 A JP S58106851A JP 56204812 A JP56204812 A JP 56204812A JP 20481281 A JP20481281 A JP 20481281A JP S58106851 A JPS58106851 A JP S58106851A
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- rays
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は,樹脂刺止形の半導体i!甑に関するものであ
る。
る。
半導体装−の封止容器として,樹脂刺止形は気!!I封
止形に比べ,経済性,量産性にすぐれていることから,
最も広く利用されてきた。
止形に比べ,経済性,量産性にすぐれていることから,
最も広く利用されてきた。
しかしながら、この樹脂刺止形半導体装置の欠点のひと
つとして,封止樹脂中に含まれる不純物イオンが、半導
体素子特性の経時変化、及び耐湿性低下の要因になると
いう問題かあった。
つとして,封止樹脂中に含まれる不純物イオンが、半導
体素子特性の経時変化、及び耐湿性低下の要因になると
いう問題かあった。
さらに、不純物イオンのみならず、微量に含まれゐウラ
ン,トリウムが放出するa線が半導体素子を誤動作させ
るという問題が近年明らかにされていゐ。
ン,トリウムが放出するa線が半導体素子を誤動作させ
るという問題が近年明らかにされていゐ。
一方,半導体素子の中でもUV−FROMと呼けれゐ紫
外線消去形の記憶素子(以下UV−FROMと記す)K
ついては、素子面に紫外碧を照射する必要上、樹脂封止
容儀は適用できなかった。
外線消去形の記憶素子(以下UV−FROMと記す)K
ついては、素子面に紫外碧を照射する必要上、樹脂封止
容儀は適用できなかった。
本発明は,上記のような不純物イオン及びα線κよる悪
影勢が半導体素子に及ばないような樹脂刺止1鴫並びに
UV−FROMに適用可能な樹脂封止容儀を提供するこ
とを目的とする。
影勢が半導体素子に及ばないような樹脂刺止1鴫並びに
UV−FROMに適用可能な樹脂封止容儀を提供するこ
とを目的とする。
本発明の4I像は,樹脂封止形半導体装置の、チップ周
囲を覆う樹脂において、特に半導体チップ上部を覆う樹
脂全体が、他の部分の樹脂と異なラ九樹詣で構成されて
いる半導体装置にある。
囲を覆う樹脂において、特に半導体チップ上部を覆う樹
脂全体が、他の部分の樹脂と異なラ九樹詣で構成されて
いる半導体装置にある。
次κ本発明の構成を図κ従って説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例を示す断面図である。
図において、lで示される部分は従来のエポキシ尋の樹
脂がその11使用されているが、4で示されるところの
チップ周囲と上部分が、1と異な)、イオン性不純物及
び放射縁を放出するウラン・トリウムを取多除いた高純
度樹脂で形成されたものである。この高純度樹脂が素子
と通常樹脂の間に存在して両者を分離しているため、素
子への不純物イオンやa線の侵入が遮断されることにな
る。
脂がその11使用されているが、4で示されるところの
チップ周囲と上部分が、1と異な)、イオン性不純物及
び放射縁を放出するウラン・トリウムを取多除いた高純
度樹脂で形成されたものである。この高純度樹脂が素子
と通常樹脂の間に存在して両者を分離しているため、素
子への不純物イオンやa線の侵入が遮断されることにな
る。
次に第2図は本発明の第2の実施例を示す断面図である
。第1図と同様に1で示される部分は通常樹脂であるの
に対し、5で示されるチップ上部分が充分な透wA度を
有する樹脂になった構造をしている@この[2の実施例
において社、装置外部の紫外線は素子面まで達すること
ができ、UV−PROMの封止容器として利用できる。
。第1図と同様に1で示される部分は通常樹脂であるの
に対し、5で示されるチップ上部分が充分な透wA度を
有する樹脂になった構造をしている@この[2の実施例
において社、装置外部の紫外線は素子面まで達すること
ができ、UV−PROMの封止容器として利用できる。
以上説明してきたように、本発明によれば、従来の樹脂
封止形容番の欠点であった不純物イオンによる半導体素
子特性の経時変化及び耐湿性低下と−11による一動作
が解消されるとともに、従来の樹脂刺止容儀では実現で
ti危かったUV−PROMの封止が可能となる。
封止形容番の欠点であった不純物イオンによる半導体素
子特性の経時変化及び耐湿性低下と−11による一動作
が解消されるとともに、従来の樹脂刺止容儀では実現で
ti危かったUV−PROMの封止が可能となる。
館1図は本発明の第10寮施例を示す断面図であ夛、第
2図は第2の実施例を示す断面図である。 尚、図において、1は従来の封止樹脂、2けリード、3
は半導体案子、4は高lR,f樹脂、5は透明な樹脂で
ある。
2図は第2の実施例を示す断面図である。 尚、図において、1は従来の封止樹脂、2けリード、3
は半導体案子、4は高lR,f樹脂、5は透明な樹脂で
ある。
Claims (1)
- 樹脂刺止形半導体装置の半導体チップ上部を覆う樹脂全
体が他の部分の樹脂と異な−)た樹脂で構成されている
ことを轡像とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56204812A JPS58106851A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56204812A JPS58106851A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58106851A true JPS58106851A (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=16496776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56204812A Pending JPS58106851A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58106851A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0175488A2 (en) * | 1984-08-20 | 1986-03-26 | Oki Electric Industry Company, Limited | EPROM device |
EP0175489A2 (en) * | 1984-08-20 | 1986-03-26 | Oki Electric Industry Company, Limited | An eprom device and method of manufacturing same |
JPS6177992A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Kyodo Printing Co Ltd | Icカ−ド |
US4707725A (en) * | 1985-09-30 | 1987-11-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Fluorescent coating for uv sensitive semiconductor device |
US5863810A (en) * | 1994-05-09 | 1999-01-26 | Euratec B.V. | Method for encapsulating an integrated circuit having a window |
US6093576A (en) * | 1995-08-29 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor sensor and manufacturing method thereof |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56204812A patent/JPS58106851A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0175488A2 (en) * | 1984-08-20 | 1986-03-26 | Oki Electric Industry Company, Limited | EPROM device |
EP0175489A2 (en) * | 1984-08-20 | 1986-03-26 | Oki Electric Industry Company, Limited | An eprom device and method of manufacturing same |
US4723156A (en) * | 1984-08-20 | 1988-02-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | EPROM device and a manufacturing method thereof |
US4801998A (en) * | 1984-08-20 | 1989-01-31 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | EPROM device |
JPS6177992A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Kyodo Printing Co Ltd | Icカ−ド |
JPH0426157B2 (ja) * | 1984-09-25 | 1992-05-06 | Kyodo Printing Co Ltd | |
US4707725A (en) * | 1985-09-30 | 1987-11-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Fluorescent coating for uv sensitive semiconductor device |
US5863810A (en) * | 1994-05-09 | 1999-01-26 | Euratec B.V. | Method for encapsulating an integrated circuit having a window |
US6093576A (en) * | 1995-08-29 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor sensor and manufacturing method thereof |
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