JPS5942983B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5942983B2
JPS5942983B2 JP54047434A JP4743479A JPS5942983B2 JP S5942983 B2 JPS5942983 B2 JP S5942983B2 JP 54047434 A JP54047434 A JP 54047434A JP 4743479 A JP4743479 A JP 4743479A JP S5942983 B2 JPS5942983 B2 JP S5942983B2
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陸郎 薗
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関し、特にその外囲器（パッケー
ジ）の構造に関するものである。
一般に半導体装置は、たとえばセラミックあるいはコパ
ールなどの支持台上に半導体素子を固着し、その半導体
素子を、たとえばセラミックなどの壁部材および蓋部材
などを用いて封入している。この封入されるべき半導体
素子が高密度の集積回路、特にＭＯＳデバイスや電荷転
送デバイスなどで構成される場合、外囲器構成部材特に
封止材からのα線照射により半導体素子に例えば記憶情
報の破壊等の特性劣化を生ずる恐れがある。これは自然
界に存在し放射性崩壊する際にα線を生ずるウラニウム
０あるいはトリウム（Ｔｈ）等の放射性同位元素が、前
記封止材としての低融点ガラスや鉛と錫等から成るソル
ダーの中に含まれていることによる。なお上記同位元素
は外囲器を構成するセラミック材の中にも含まれている
が極めて微量であり実質的な影響は及ぼさない。発生さ
れたα線は半導体素子内に侵入すると、正孔と電子の対
を発生し、該正孔あるいは電子のいずれかが該半導体素
子内の活性領域に注入されて、例えば前述のごとく記憶
情報の破壊を招く。
従つて、該半導体素子において活性領域が形成されてい
る半導体基板表面領域へのα線の照射、侵入の防止を図
ることが重要であり、前記外囲器にあつて一般に該半導
体素子の表面付近に位置する封止材から発生するα線の
抑制が必要となる。本発明は前述の点に鑑みなされたも
ので、その目的は半導体素子表面への放射線照射、特に
α線照射を遮蔽して、α線照射による半導体素子の特性
劣化を防止する構造を有して成る半導体装置を提供する
ことであり、その特徴は半導体素子と、該半導体素子の
収容容器と該収容容器に封止材により固着され該半導体
素子を該収容容器内に気密封止する蓋部材とを備えた半
導体装置において、該収容容器内に該封止材より発生す
るα線から該半導体素子を遮蔽するための、脚部を有す
る遮蔽板を配設して成ることにある。以下図面を参照し
て本発明の１実施例につき説明する。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例の概略構造
を示す断面図であつて、セラミック製素子収容容器本体
１の凹部底面上には周知の方法で半導体素子２が収容固
着され、且つコバールからなる外部接続端子３が収容容
器を構成するセラミツクの壁部材４と収容容器本体１と
に接して内部配線９に接続されて固定される。
半導体素子２の上表面は図示の如く内部配線９より下方
に位置しており、該半導体素子２と内部配線９との間は
たとえばアルミニウム線５でワイヤボンデイングされて
いる。さらに蓋部材６が壁部材４と低融点ガラスなどの
封止材８により接着されている。
そして本発明の特徴として封止材８からのα線を遮断す
るために脚部７′を有する遮蔽板７を収容容器の収容容
器本体１上に壁部材４と接してはめ込まれている。
このような構造とすることにより、封止材８から放出さ
れ下方に位置した半導体素子２の上表面に対し斜め方向
の入射α線は遮蔽板７により遮断されて、収容容器内の
半導体素子２に影響を及ぼさないようにすることができ
る。
この遮蔽板７はアルミニウム箔あるいはポリエチレンや
ポリイミド等の樹脂フイルムなどが製造工程における耐
熱性等の観点から適しており、厚さは１００μｍ程度と
することにより、α線の透過を充分防止することができ
る。
第２図は本発明における遮蔽板の一実施例を示す外観斜
視図である。
図に明らかなように遮蔽板７には脚部γが設けられてお
り、これによつて第１図に示すように収容容器本体１上
に配設した場合のワイヤ５との接触を回避している。
また脚部ｒは平板状としてもよいが、遮蔽板をアルミニ
ウム箔で形成した場合には第１図に示す内部配線９との
接触を避けるために、収容容器本体上で内部配線が存在
しない、四隅で収容容器本体と接するように、図の如く
中間を打抜いた形状とすることが好ましい。
また第１図に示した実施例は、遮蔽板７を収容容器の壁
部材４と接してはめ込むことにより固定する構造となつ
ているが、遮蔽板７の固定をより確実なものとするには
、はんだ付けを行つてもよい。
ただし、半田からもα線は照射されるので、半田が遮蔽
板の内側に入り込まないように注意を払うことが必要で
ある。以上説明したように本発明によれば、極めて簡単
な構造の遮蔽板を配設するだけで封止材から半導体素子
へのα線を遮断することができるので、半導体素子の記
憶情報の破壊等を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を説明する
ための断面図、第２図は本発明における遮蔽板の一実施
例を示す図である。 １；半導体素子収容容器本体、２；半導体素子、３；外
部接続端子、４；壁部材、５；ボンデイングワイヤ、６
；蓋部材、７；遮蔽板、８；封止材、９；内部配線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体素子と、該半導体素子を収容する凹部を備え
    た収容容器本体と、該収容容器本体に封止材により固着
    され且つ前記半導体素子を該収容容器本体内に気密封止
    する蓋部材とを具備して構成され、前記半導体素子の上
    表面が前記収容容器本体表面の内部配線より下方に位置
    した半導体装置において、該収容容器本体表面に前記封
    止材より発生するα線から前記半導体素子を被つて遮蔽
    する遮蔽板を配設して成ることを特徴とする半導体素子
    。
JP54047434A 1979-04-18 1979-04-18 半導体装置 Expired JPS5942983B2 (ja)

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JPS55140250A JPS55140250A (en) 1980-11-01
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JPS56100463A (en) * 1980-01-14 1981-08-12 Toshiba Corp Semiconductor memory device
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133557A (en) * 1979-04-04 1980-10-17 Hitachi Ltd Semiconductor device

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