JPS6028139Y2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6028139Y2
JPS6028139Y2 JP1983026177U JP2617783U JPS6028139Y2 JP S6028139 Y2 JPS6028139 Y2 JP S6028139Y2 JP 1983026177 U JP1983026177 U JP 1983026177U JP 2617783 U JP2617783 U JP 2617783U JP S6028139 Y2 JPS6028139 Y2 JP S6028139Y2
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JP
Japan
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semiconductor element
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semiconductor
semiconductor device
resin film
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JP1983026177U
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JPS58166040U (ja
Inventor
昌吉 清水
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
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    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 ａ 考案の技術分野 本考案は半導体装置に関し、特にその外囲器（パッケー
ジ）の構造に関する。
ｂ 技術の背景 一般に半導体装置は、例えばセラミックあるいはコパー
ルなどの支持台上に半導体素子を固着しその半導体素子
をセラミックなどの壁部材及び蓋部材などを用いて封入
している。
Ｃ従来技術の問題点 かかる封入されるべき半導体素子が高集積度の集積回路
、特にＭＯＳデバイスや電荷転送デバイスなどで構成さ
れる場合、外囲器構成部材からの一致射線照射、特にα
線照射により半導体素子に於て例えば記憶情報の破壊等
を生ずる恐れがある。
これは自然界に存在し放射性崩壊する際にα線を生ずる
ウラニウムＵあるいはトリウムＴｈ等の放射性同位元素
が、前記外囲器を構成するセラミック材の中にも微量（
ｐ、ｐ、ｎオーダ）ではあるが含まれていることによる
。
前記外囲器構成部材から発生されたα線は半導体素子に
侵入すると、正孔と電子との対を発生し前記正孔あるい
は電子のいずれかが半導体素子内の活性領域に注入され
て、例えば前述の如く記憶情報の破壊を招く。
従って、半導体素子に於て活性領域が形成されている半
導体基板表面領域へのα線照射、侵入の防止を図ること
が重要であり、前記外囲器を構成し、半導体素子の表面
に対向して位置する蓋部材から発生するα線の抑制が必
要となる。
ｄ 考案の目的 本考案は前述の点に鑑みてなされたもので、その目的は
半導体素子表面への放射線照射、動にα線を遮蔽して、
α線照射による半導体装置の誤動作を防止しうる構造を
提供することにある。
ｅ 考案の構成 上記の目的は半導体素子と、該半導体素子の収容容器と
、該半導体素子を該収容容器内に封止材を介して気密封
止する蓋部材とを備えた半導体装置に於て、前記蓋部材
の内側表面に放射線遮蔽用樹脂膜が接着され、且つ前記
樹脂膜の端部は前記収容容器と前記蓋部材との境界面接
触していることを特徴とする半導体装置によって達成さ
れる。
ｆ 考案の実施例 以下図面を参照して本考案の一実施例につき説明する。
図は本考案による半導体装置の概略構造を示す断面図で
あって、セラミック製素子収容容器１上には周知の方法
で半導体素子２が収容固着され、且つコバールなどから
なる外部接続端子３及びセラミックの壁部材４がそれぞ
れ適当な温度で固定され、半導体素子２と外部接続端子
３の間は例えばアルミニウム線５でワイヤボンディング
されている。
そして、本考案における特徴として半導体素子２を気密
封止するセラミックの蓋部材６の内側表面にはα線遮蔽
用の、それ自体放射線放射の少ない樹脂膜が、蓋部材６
と壁部材４とを接着する低融点ガラスなどの封止材８が
素子収容容器１内へ流れ込むのを防ぐ様に接着されてい
る。
この様に放射線照射による影響を最も受は易い半導体素
子表面と対向する蓋部材の内側表面に封止工程での温度
に耐え、且つそれ自体放射線放射の少ない樹脂膜、例え
ばポリイミド（硬化材、充填材を含まないもの）等の膜
を接着することにより、外囲器部材からの半導体素子表
面へのα線照射を遮蔽することができ、また封止工程に
於て、封止材が素子収容容器内へ流れ込むのを防止する
こともできるので低融点ガラスなどの封止材から放射さ
れるα線の影響も防ぐことが可能である。
尚、前記ポリイミド膜は例えば５０Ｐ程度のものを用い
ればよく、ポリイミド膜の蓋部材への接着は純ポリマー
系接着剤、例えばポリイミド系接着剤を用いればよい。
ｇ 考案の効果 以上の様に本案によれば、従来のバラケージング工程に
何等変更を加えることなく容易に半導体装置の製造に適
用することができる、外囲器構成部材からの半導体素子
表面へのα線照射を遮蔽して、半導体素子の誤動作表面
への防止が可能となり、さらに封止工程に於ける封止材
の流れ込みも抑える効果があり、半導体装置の信頼性向
上に極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
図は本考案による半導体装置の概略構造を示す断面図で
ある。 １；半導体素子収容容器、２；半導体素子、３；外部接
続端子、４；壁部材、５：ボンディングワイヤ、６；蓋
部材、７；α線遮蔽用樹脂膜、８；封止材。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子と、該半導体素子の収容容器と、該半導体素
    子を該収容容器内に封止材を介して気密封止する蓋部前
    とを備えた半導体装置に於て、前記蓋部材の内側表面に
    放射線遮蔽用樹脂膜が接着され、且つ前記樹脂膜の端部
    は前記収容容器と前記蓋部材との境界面接触しているこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP1983026177U 1983-02-24 1983-02-24 半導体装置 Expired JPS6028139Y2 (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1983026177U JPS6028139Y2 (ja) 1983-02-24 1983-02-24 半導体装置

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JP1983026177U JPS6028139Y2 (ja) 1983-02-24 1983-02-24 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58166040U JPS58166040U (ja) 1983-11-05
JPS6028139Y2 true JPS6028139Y2 (ja) 1985-08-26

Family

ID=30038135

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JP1983026177U Expired JPS6028139Y2 (ja) 1983-02-24 1983-02-24 半導体装置

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JPS58166040U (ja) 1983-11-05

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