JPS6211508B2 - - Google Patents
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- JPS6211508B2 JPS6211508B2 JP56190294A JP19029481A JPS6211508B2 JP S6211508 B2 JPS6211508 B2 JP S6211508B2 JP 56190294 A JP56190294 A JP 56190294A JP 19029481 A JP19029481 A JP 19029481A JP S6211508 B2 JPS6211508 B2 JP S6211508B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はα線による半導体装置のソフトエラー
を阻止するための構造を有する半導体装置の製造
方法に関する。
を阻止するための構造を有する半導体装置の製造
方法に関する。
半導体装置、中でも超LSIのように微細加工を
施した半導体装置は、メモリ用ICを例にとると
年率２倍の割合で集積密度が増大しており、微細
度が進展している。一方、半導体装置を封止して
いるパツケージあるいはモールド材料中に、微量
ではあるが含まれている放射性元素の自然崩壊で
放出されるα線により、半導体メモリICが誤動
作を起す、いわゆるα線によるソフトエラーの問
題は、前記微細加工化が進み、電源電圧が下がれ
ば下がる程、記憶用コンデンサーや配線容量に蓄
積される電荷量が少なくなるので、α線の影響を
受け易くなり、大きな問題となつて来ることはよ
く知られている。そこで高密度化を実現するため
には何らかのソフトエラー率低減対策が必要とな
る。
施した半導体装置は、メモリ用ICを例にとると
年率２倍の割合で集積密度が増大しており、微細
度が進展している。一方、半導体装置を封止して
いるパツケージあるいはモールド材料中に、微量
ではあるが含まれている放射性元素の自然崩壊で
放出されるα線により、半導体メモリICが誤動
作を起す、いわゆるα線によるソフトエラーの問
題は、前記微細加工化が進み、電源電圧が下がれ
ば下がる程、記憶用コンデンサーや配線容量に蓄
積される電荷量が少なくなるので、α線の影響を
受け易くなり、大きな問題となつて来ることはよ
く知られている。そこで高密度化を実現するため
には何らかのソフトエラー率低減対策が必要とな
る。
従来この種のソフトエラー率低減方策として
は、例えばα線を放出する放射性元素の含有率の
少ない材料を用いるとか、あるいは半導体個片表
面を、例えばポリイミド系の有機高分子で覆うと
か、その他デバイス面あるいは回路面での対策が
検討されている。
は、例えばα線を放出する放射性元素の含有率の
少ない材料を用いるとか、あるいは半導体個片表
面を、例えばポリイミド系の有機高分子で覆うと
か、その他デバイス面あるいは回路面での対策が
検討されている。
然し乍ら、ポリイミド系の有機高分子で覆う場
合、ボンデイング線を接続したボンデイングパツ
ド部迄このようなポリイミド系の有機高分子で覆
うと、その上を熱膨張の異なるモールド材で封止
した場合、温度サイクル試験でボンデイング線の
接続部が機械的に離れてしまうという欠点があ
る。そのためモールド封止を行う場合は、この種
のポリイミド樹脂やα線阻止材がボンデイング接
続部を覆わないようにする必要がある。半導体チ
ツプ上、電気的活性部のみ70〜90μｍの厚さのポ
リイミドを塗布するのは従来かなり困難な技術で
あつた。箔状にして粘付する方法もあるが、粘付
剤に適する耐熱性のある物質が見当らない。又印
刷法にしても位置合わせ、にじみ出しにまだ難点
が残されている。
合、ボンデイング線を接続したボンデイングパツ
ド部迄このようなポリイミド系の有機高分子で覆
うと、その上を熱膨張の異なるモールド材で封止
した場合、温度サイクル試験でボンデイング線の
接続部が機械的に離れてしまうという欠点があ
る。そのためモールド封止を行う場合は、この種
のポリイミド樹脂やα線阻止材がボンデイング接
続部を覆わないようにする必要がある。半導体チ
ツプ上、電気的活性部のみ70〜90μｍの厚さのポ
リイミドを塗布するのは従来かなり困難な技術で
あつた。箔状にして粘付する方法もあるが、粘付
剤に適する耐熱性のある物質が見当らない。又印
刷法にしても位置合わせ、にじみ出しにまだ難点
が残されている。
本発明の目的はα線阻止材料を滴下し硬化させ
る方法で、かつボンデイングパツドに於けるボン
デイング接続部を該α線阻止材で被覆しない技術
を提供することにある。
る方法で、かつボンデイングパツドに於けるボン
デイング接続部を該α線阻止材で被覆しない技術
を提供することにある。
本発明は半導体チツプの絶縁物上でα線阻止材
料液が滴下される部分の周囲を予めプラズマ加工
することによつて滴下されたα線阻止材料液がプ
ラズマ加工された部分の内側に集約されるように
したことを特徴とするものである。
料液が滴下される部分の周囲を予めプラズマ加工
することによつて滴下されたα線阻止材料液がプ
ラズマ加工された部分の内側に集約されるように
したことを特徴とするものである。
このようにして、滴下された液状のα線阻止材
料と絶縁物との接触角がプラズマ加工された絶縁
物表面と異なるようにして、α線を防ぐ膜を形成
することができる。
料と絶縁物との接触角がプラズマ加工された絶縁
物表面と異なるようにして、α線を防ぐ膜を形成
することができる。
尚ここで云う接触角とは例えば岩波書店発行
「岩波理化学辞典第３版」第727頁で定義されてい
る通り、「静止液体の自由表面が固体壁に接する
場所で液面と固体面とのなす角を云う」ものとす
る。普通、液体が固体をぬらす場合には鋭角、ぬ
らさない時は鈍角である。
「岩波理化学辞典第３版」第727頁で定義されてい
る通り、「静止液体の自由表面が固体壁に接する
場所で液面と固体面とのなす角を云う」ものとす
る。普通、液体が固体をぬらす場合には鋭角、ぬ
らさない時は鈍角である。
本発明の原理は、二酸化硅素上に接触角が他と
異なる領域をプラズマ加工により作り、そこへ液
状の樹脂を滴下すると接触角が異なる境界線の所
で該液状の樹脂の横方向拡がりを止め得るという
発見に基づく。
異なる領域をプラズマ加工により作り、そこへ液
状の樹脂を滴下すると接触角が異なる境界線の所
で該液状の樹脂の横方向拡がりを止め得るという
発見に基づく。
本発明により、チツプ上でボンデイング接続部
にかかること無く、活性領域にのみα線阻止材料
を30μｍから200μｍ程度厚く付着構成できる。
にかかること無く、活性領域にのみα線阻止材料
を30μｍから200μｍ程度厚く付着構成できる。
次に本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。第１図は比較のため先ず従来の技術を示す断
面図である。即ち、従来例えばシリコン半導体装
置の場合、ウエハ加工工程を終了し、シリコン基
板１０１上に絶縁膜１０２を介して配線金属、例
えばアルミニウム配線１０３が施され、その上を
絶縁保護膜１０４で保護したチツプをセラミツク
ケース１０５に金シリコン共晶材１０６で接着し
金属細線、例えば直径30μｍの金線１０７をボン
デイング接続して、その上にα線阻止材料、例え
ばシリコーン樹脂１０８を滴下し、セラミツクケ
ースの金属キヤツプをシームウエルドして封止し
ていた。セラミツクケース中に気密封止して用い
る場合はこの形でよいが、モールド樹脂で封止す
る場合、シリコーン樹脂１０８をこのように滴下
してその上をモールド樹脂で固めると、モールド
材料とシリコーン樹脂との熱膨張係数の差によ
り、温度サイクル試験でボンデイング接続部１０
９がはずれ、電気的に良好な導通状態を得ること
ができなくなるという事故が生ずる。
る。第１図は比較のため先ず従来の技術を示す断
面図である。即ち、従来例えばシリコン半導体装
置の場合、ウエハ加工工程を終了し、シリコン基
板１０１上に絶縁膜１０２を介して配線金属、例
えばアルミニウム配線１０３が施され、その上を
絶縁保護膜１０４で保護したチツプをセラミツク
ケース１０５に金シリコン共晶材１０６で接着し
金属細線、例えば直径30μｍの金線１０７をボン
デイング接続して、その上にα線阻止材料、例え
ばシリコーン樹脂１０８を滴下し、セラミツクケ
ースの金属キヤツプをシームウエルドして封止し
ていた。セラミツクケース中に気密封止して用い
る場合はこの形でよいが、モールド樹脂で封止す
る場合、シリコーン樹脂１０８をこのように滴下
してその上をモールド樹脂で固めると、モールド
材料とシリコーン樹脂との熱膨張係数の差によ
り、温度サイクル試験でボンデイング接続部１０
９がはずれ、電気的に良好な導通状態を得ること
ができなくなるという事故が生ずる。
本発明は何ら補助材料を使わずに、半導体ウエ
ハ上の絶縁膜そのもののα線阻止材料に対する接
触角を選択的に変えてやることにより、α線阻止
材料を所望の位置のみに選択的に厚く形成するも
のである。
ハ上の絶縁膜そのもののα線阻止材料に対する接
触角を選択的に変えてやることにより、α線阻止
材料を所望の位置のみに選択的に厚く形成するも
のである。
第５図は本発明の一実施例を示す断面図で、こ
れは半導体ウエハ５０１上の二酸化シリコン膜５
０２上に通常のホトレジスト膜を選択的に形成
し、弗素系のガスのプラズマの中に入れると、二
酸化シリコン５０２とシリコーン樹脂５０３との
接触角を変えることができるという知見に基づ
く。そこで第５図にてα線防止材料としてのシリ
コーン樹脂５０３を付けたくない場所５０４を弗
素系プラズマにさらした後、シリコーン樹脂液を
滴下すると、プラズマにさらされなかつた場所、
即ち、ホトレジスト膜で覆つておいた場所５０５
にのみシリコーン樹脂液が広がり、それを熱硬化
させると第５図の断面図の如くシリコーン樹脂５
０３を選択的に厚く付けることができる。その後
モールド材料で封止を行えばよい。
れは半導体ウエハ５０１上の二酸化シリコン膜５
０２上に通常のホトレジスト膜を選択的に形成
し、弗素系のガスのプラズマの中に入れると、二
酸化シリコン５０２とシリコーン樹脂５０３との
接触角を変えることができるという知見に基づ
く。そこで第５図にてα線防止材料としてのシリ
コーン樹脂５０３を付けたくない場所５０４を弗
素系プラズマにさらした後、シリコーン樹脂液を
滴下すると、プラズマにさらされなかつた場所、
即ち、ホトレジスト膜で覆つておいた場所５０５
にのみシリコーン樹脂液が広がり、それを熱硬化
させると第５図の断面図の如くシリコーン樹脂５
０３を選択的に厚く付けることができる。その後
モールド材料で封止を行えばよい。
なお、シリコーン樹脂のかわりにポリイミド樹
脂を用いてもよい。
脂を用いてもよい。
尚ここで云う接触角は前述の通り自由端と壁面
とのなす角度であるが、本実施例では表面張力、
重力が重畳しているので必ずしも自由端のような
角度で熱硬化しているわけではないことを付記し
ておく。
とのなす角度であるが、本実施例では表面張力、
重力が重畳しているので必ずしも自由端のような
角度で熱硬化しているわけではないことを付記し
ておく。
第１図は比較のために示す従来の構造を説明す
る断面図であり、第２図は本発明の一実施例を示
す断面図である。 １０１…シリコン基板、１０２…絶縁膜、１０
３…アルミニウム配線、１０４…絶縁保護膜、１
０５…セラミツクケース、１０６…金シリコン共
晶材、１０７…金線、１０８…シリコーン樹脂、
１０９…ボンデイング接続部、５０１…ウエハ、
５０３…シリコーン樹脂、５０２…二酸化シリコ
ーン、５０４…シリコーン樹脂をつけたくない場
所（プラズマ加工部）。５０５…ホトレジストで
覆つておいた場所。
る断面図であり、第２図は本発明の一実施例を示
す断面図である。 １０１…シリコン基板、１０２…絶縁膜、１０
３…アルミニウム配線、１０４…絶縁保護膜、１
０５…セラミツクケース、１０６…金シリコン共
晶材、１０７…金線、１０８…シリコーン樹脂、
１０９…ボンデイング接続部、５０１…ウエハ、
５０３…シリコーン樹脂、５０２…二酸化シリコ
ーン、５０４…シリコーン樹脂をつけたくない場
所（プラズマ加工部）。５０５…ホトレジストで
覆つておいた場所。
Claims (1)
- １ 絶縁物で覆われた半導体チツプ上の少なくと
も一部にα線阻止材料を滴下し、硬化する方法に
於て、前記絶縁物の前記α線阻止材料液が滴下さ
れる部分の周囲をプラズマ加工する工程と、該プ
ラズマ加工された部分の内側に前記α線阻止材料
液を滴下し硬化する工程とを有する事を特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190294A JPS5891662A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190294A JPS5891662A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891662A JPS5891662A (ja) | 1983-05-31 |
| JPS6211508B2 true JPS6211508B2 (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16255770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190294A Granted JPS5891662A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891662A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5171716A (en) * | 1986-12-19 | 1992-12-15 | North American Philips Corp. | Method of manufacturing semiconductor device with reduced packaging stress |
| JP2649157B2 (ja) * | 1987-03-10 | 1997-09-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| AU2002351024A1 (en) * | 2001-11-23 | 2003-06-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device and method of enveloping an integrated circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860545A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5942133Y2 (ja) * | 1980-10-29 | 1984-12-07 | 大建工業株式会社 | 高粘度液の塗布装置 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56190294A patent/JPS5891662A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860545A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5891662A (ja) | 1983-05-31 |
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