JPS63213373A - 光半導体デバイス - Google Patents

光半導体デバイス

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Publication number
JPS63213373A
JPS63213373A JP62045839A JP4583987A JPS63213373A JP S63213373 A JPS63213373 A JP S63213373A JP 62045839 A JP62045839 A JP 62045839A JP 4583987 A JP4583987 A JP 4583987A JP S63213373 A JPS63213373 A JP S63213373A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical filter
semiconductor device
package
light
chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP62045839A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Sato
貴雄 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP62045839A priority Critical patent/JPS63213373A/ja
Publication of JPS63213373A publication Critical patent/JPS63213373A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は光半導体デバイスに係り、特にその光フィル
タの構成の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
電荷移送装置(COD)やシリコンフォトダイオード等
の受光素子を有するデバイスには、透明樹脂によるパッ
ケージや、最近では中空パッケージに光透過窓を設けて
外光を受光面に入射するパッケージがよく使われる。
第2図は1元透過窓を有する中空パッケージを使った従
来の半導体デバイスを示した断面図である。@2図にお
いて、(1)は半導体チップ、(2)はり−ドフレーム
、(3)はチップ(1)を保持するダイバンド、(4)
はチップ(1)とリードフレーム(2)とを接読するボ
ンディングワイヤ、(5)はチップf1)を封止する封
止樹脂、(6)はチップ(1)の受光面の外周に形成さ
れた壁、(7)はチップ+11の受光面上の部分の封止
樹脂中に埋め込まれガラス透明樹脂などからなる光ア 透過窓、(8)は壁(7)と透過窓(8)とでチップ(
1)の受光面の上を凹んで形成された空間(9)は透過
窓(7)の外側に所定距離へた゛てて光フィルタ0Qを
保持する留め具である。
上記のような構成により、外光は光フィルタαqを通り
、更に光透過窓を通過して、チップ(1)の受光面に入
射する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の光半導体デバイスでは、光フィルタは以上のよう
にパッケージの光透過窓の外部fこ一定距離隔てて設[
gれるので、光フィルタを保持する留め具のために全体
的に大きくなり、また光フィルタが外部に露出するので
、汚れや傷がつき易いなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、デバイス全体の形状を小さくでき、また光フ
ィルタが外的接触による汚れ、傷のできにくい光半導体
デバイスを得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕 この発明ζこ係る光フィルタを有する光半導体デバイス
は光フィルタの部材を中空バクケージの中空部に封入し
たものである。
〔作用〕
この発明(こおいては、光フィルタをパッケージの外に
設置する必要がないのでデバイス全体の形状を小さくで
きるとともに、構造が簡単になり。
また光フィルタ自体は外部に露出せず汚れ、傷が出来な
い。
〔発明の実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図である。笛1
図に3いて、(1)〜(7)は第2図の従来の光半導体
デバイスと同一のものである。α0はパッケージに封入
された光フィルタ部材である。元フィルタの材質として
は染料を含んだゼラチンを用いている。
上記のように構成された光フィルタを有する半導体デバ
イスでは、外光は光透過窓(7)を通過した後に光フィ
ルタαQを通り、チップ(1)の受光面(こ入射する。
な3.上記の実施例では封入した光フィルタの材料とし
て染料を含んだゼラチンを用いたが、パッケージの内部
に封入できる材料であればどのような材料でも良い。
また、上記実施例では樹脂(5)1こよるパッケージの
例で示したが、パッケージの構造がどのようなものであ
っても、中空であり光透過窓(7)を有するすべてのパ
ッケージで適用できる。
〔発明の効果〕
以上のよう擾こ、この発明曇こよれば光フィルタを半導
体デバイスのパッケージの中空部に封入するので、デバ
イス全体の形状を小さくすることができ、また光フィル
タが外部に露出しないので、光フィルタが汚染されない
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図は従
来の外光を光フィルタを通してチップに入射させる光半
導体デバイスの断面図である。 図に8いて、(1)は半導体チップ、(5)は封止樹脂
。 (7)は光透過窓、αqは光フィルタである。 なお1図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)受光面を有する半導体チップを内部に収容し、上
    記受光面上に中空部を隔てて光透過窓を有するパッケー
    ジの上記中空部に光フィルタ部材を封入してなる光半導
    体デバイス。
  2. (2)光フィルタ部材は着色された固体からなることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光半導体デバイ
    ス。
  3. (3)光フィルタ部材は着色されたゼラチンからなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光半導体デ
    バイス。
  4. (4)光フィルタ部材は着色された液体からなることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光半導体デバイ
    ス。
JP62045839A 1987-02-27 1987-02-27 光半導体デバイス Pending JPS63213373A (ja)

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JP62045839A JPS63213373A (ja) 1987-02-27 1987-02-27 光半導体デバイス

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JP62045839A JPS63213373A (ja) 1987-02-27 1987-02-27 光半導体デバイス

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Publication Number Publication Date
JPS63213373A true JPS63213373A (ja) 1988-09-06

Family

ID=12730390

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JP62045839A Pending JPS63213373A (ja) 1987-02-27 1987-02-27 光半導体デバイス

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JP (1) JPS63213373A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5534725A (en) * 1992-06-16 1996-07-09 Goldstar Electron Co., Ltd. Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof
US5863810A (en) * 1994-05-09 1999-01-26 Euratec B.V. Method for encapsulating an integrated circuit having a window
US6368898B1 (en) 1996-01-17 2002-04-09 Sony Corporation Solid-state image sensing device
JP2003318376A (ja) * 2002-04-23 2003-11-07 Matsushita Electric Works Ltd 固体撮像装置

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