JPS59110174A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS59110174A JPS59110174A JP57218377A JP21837782A JPS59110174A JP S59110174 A JPS59110174 A JP S59110174A JP 57218377 A JP57218377 A JP 57218377A JP 21837782 A JP21837782 A JP 21837782A JP S59110174 A JPS59110174 A JP S59110174A
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は固体4kj、像装請、特に固体撮像素子を低価
格でかつIWj略化して配設可能にしたパッケージング
構造にiシJするものである。
格でかつIWj略化して配設可能にしたパッケージング
構造にiシJするものである。
一般にCCL、lやfvi08タイプ等の固体撮像素子
は所定の特性を発揮しかつ信頼性確保のために外昇雰囲
気から遮断して保賎することが必要である。
は所定の特性を発揮しかつ信頼性確保のために外昇雰囲
気から遮断して保賎することが必要である。
棟た、固1′+撮像素子は外部からの元情報を検知する
ものであるから光4#報が一体撮像素子の受光部に正確
に入射されなければならない。
ものであるから光4#報が一体撮像素子の受光部に正確
に入射されなければならない。
このような条件を満たすため、従来では第1図に像部断
面図で示すような無槓材相を用いた気密シール方式のパ
ッケージング構造を有する固体撮像素子が提案されてい
る。すなわち同図において、lはセラミック成形枠体1
a、 lbを棋層配置して構成されたセラミック基板、
2はセラミック基板lの背面に接5ν配置されて該セラ
ミック基板lとで後述する固体撮像素子を収容するノく
ツケージを構成するコバール金属板、3はn1JNシく
ツケージ内に接備して固定り彊にされた光情報検知用の
固体撮像素子、今はセラミック成形枠体1a、 lb相
互間に配設されかつ固体撮像素子3と外部回路とを電気
的に接続する導電性リード、5は固体撮像素子3上のポ
ンディングパッド3aと募%、性リード4の先端部とを
電気的に接続するボンディングワイヤ、6はセラミック
基板lの開口端に図示しないAgロー拐を介して4&
’42 hl tFi−されたコバールリングであシ、
これらのセラミック基板1.コバール金属板2、感′屯
1勺ニリード4およυコバールリンク6とでバック゛−
ジ部7をイh成している。8は固・体蕪像索子3を外界
の勿eh気から採板する透光性ガラス板、9はガラス板
8の周辺部に図示しない低融点ガラスを介して接着配置
されたセラミックリング、10はセラミックリング9の
外面に図示しないAgロー材を介して接着配置されたコ
バール゛金属枠体であり、これらの透光性ガラス板8と
、セラミックリング9と、コバール金属枠体loとで前
記パッケージに対応するガラスキャップ11を構成し、
このガラスキャップ11は前記パッケージ部7内に固体
撮像集子3を固定配置し、ボンディングワイヤ5をワイ
ヤボンドした後、このパッケージ部7のコバールリンク
6上にAu/8nロー材12を介tt サセてシームウ
ェルド法にょシ気密封止されている。そして、ガラスキ
ャップ11とパッケージ部7とで囲まれて形成される中
空:部分にはボンディングワイヤ5等の酸化防止や水分
、湿気の浸入による腐蝕を防止する窒素ガス等の不活性
ガスが充填されている。
面図で示すような無槓材相を用いた気密シール方式のパ
ッケージング構造を有する固体撮像素子が提案されてい
る。すなわち同図において、lはセラミック成形枠体1
a、 lbを棋層配置して構成されたセラミック基板、
2はセラミック基板lの背面に接5ν配置されて該セラ
ミック基板lとで後述する固体撮像素子を収容するノく
ツケージを構成するコバール金属板、3はn1JNシく
ツケージ内に接備して固定り彊にされた光情報検知用の
固体撮像素子、今はセラミック成形枠体1a、 lb相
互間に配設されかつ固体撮像素子3と外部回路とを電気
的に接続する導電性リード、5は固体撮像素子3上のポ
ンディングパッド3aと募%、性リード4の先端部とを
電気的に接続するボンディングワイヤ、6はセラミック
基板lの開口端に図示しないAgロー拐を介して4&
’42 hl tFi−されたコバールリングであシ、
これらのセラミック基板1.コバール金属板2、感′屯
1勺ニリード4およυコバールリンク6とでバック゛−
ジ部7をイh成している。8は固・体蕪像索子3を外界
の勿eh気から採板する透光性ガラス板、9はガラス板
8の周辺部に図示しない低融点ガラスを介して接着配置
されたセラミックリング、10はセラミックリング9の
外面に図示しないAgロー材を介して接着配置されたコ
バール゛金属枠体であり、これらの透光性ガラス板8と
、セラミックリング9と、コバール金属枠体loとで前
記パッケージに対応するガラスキャップ11を構成し、
このガラスキャップ11は前記パッケージ部7内に固体
撮像集子3を固定配置し、ボンディングワイヤ5をワイ
ヤボンドした後、このパッケージ部7のコバールリンク
6上にAu/8nロー材12を介tt サセてシームウ
ェルド法にょシ気密封止されている。そして、ガラスキ
ャップ11とパッケージ部7とで囲まれて形成される中
空:部分にはボンディングワイヤ5等の酸化防止や水分
、湿気の浸入による腐蝕を防止する窒素ガス等の不活性
ガスが充填されている。
しかしながら、前記構成による固体撮像装置のパンケー
ジング構造によれば、固体撮像素子2は完全に気密シー
ルされる構成となるため、外界雰囲気からの水分や各池
ガスの侵入を確実に蓬断することができるので、長府命
でかつ信頼性の高い固体撮像装置を得ることができる;
出−出反面・−゛ガラスキャップ11とパッケージ部7
とのシー′列。
ジング構造によれば、固体撮像素子2は完全に気密シー
ルされる構成となるため、外界雰囲気からの水分や各池
ガスの侵入を確実に蓬断することができるので、長府命
でかつ信頼性の高い固体撮像装置を得ることができる;
出−出反面・−゛ガラスキャップ11とパッケージ部7
とのシー′列。
部分の構造が極めて複雑であるため、シール作茶の工程
が大幅に長くなり、作第性を著しく低下させるとともに
、シール材としてのコバールリング6、コバール金属枠
体10およびA−u / S p、ロー材12等の材料
費が罷いので、パッケージングコストが極めて高価とな
る欠点があった。
が大幅に長くなり、作第性を著しく低下させるとともに
、シール材としてのコバールリング6、コバール金属枠
体10およびA−u / S p、ロー材12等の材料
費が罷いので、パッケージングコストが極めて高価とな
る欠点があった。
このような欠点を改善したものとしては、前述したガラ
スキャップ11とパッケージ)lδ7とを弔機系接漸剤
でシールし、さらに、この中空部分には前述したと同様
に不活性ガス舌ブC填したバック−ランl4鵞迄が提案
されているが、このような構成によると、シール構造が
簡素化されるので、シール作染が容易となり、したがっ
てパッケージングコストが極めて安価となる反面、長期
間の使用に対してこのシール部としての有イ冶系接着剤
を透過して中空部分に水分等が浸入し、透光性ガラス板
8の内面および固体撮像素子3の表面に結露が発生し、
’Iu &4性が著しく低下するという欠点があった。
スキャップ11とパッケージ)lδ7とを弔機系接漸剤
でシールし、さらに、この中空部分には前述したと同様
に不活性ガス舌ブC填したバック−ランl4鵞迄が提案
されているが、このような構成によると、シール構造が
簡素化されるので、シール作染が容易となり、したがっ
てパッケージングコストが極めて安価となる反面、長期
間の使用に対してこのシール部としての有イ冶系接着剤
を透過して中空部分に水分等が浸入し、透光性ガラス板
8の内面および固体撮像素子3の表面に結露が発生し、
’Iu &4性が著しく低下するという欠点があった。
したがって、本発明は前述した従来の欠点に鑑みてなさ
れたものであシ、その目的とするところは4代コストで
かつ信頼性の胃、いパッケージング構造をo]′北にし
た1体会像装(gを提供することにある。
れたものであシ、その目的とするところは4代コストで
かつ信頼性の胃、いパッケージング構造をo]′北にし
た1体会像装(gを提供することにある。
このため本発明では、固体撮像集子にリードフレームを
配設するとともに、この固体撮像素子を透光性ガラス板
に迭明接丞剤を用いて接着配置させ、かつその背面部分
を樹脂モールドして中空部分の形成を除去することによ
って従来にないパッケージング構造にすることを主眼と
している。
配設するとともに、この固体撮像素子を透光性ガラス板
に迭明接丞剤を用いて接着配置させ、かつその背面部分
を樹脂モールドして中空部分の形成を除去することによ
って従来にないパッケージング構造にすることを主眼と
している。
以下、図面を用いて本発明の実農例を詳んjに説明する
。
。
第2図(a) 、 (b) 、 (C)は本発明による
固体撮像装置の一例を示す要部断面構成図であシ、第1
図と同記号は同−要素となるのでその説明は省略する。
固体撮像装置の一例を示す要部断面構成図であシ、第1
図と同記号は同−要素となるのでその説明は省略する。
まず同図(a)において、固体撮像素子3のボンディン
グバンド3aにはCCH法により半田バンプ13を介し
てインナーリード14の先端部が接続され、このインナ
ーリード14の先端部側はリードフレーム15の先端部
に溶接などにより接続されて固体撮像集子3はリードフ
レーム15に支持固定されている。この場合、固体撮像
素子3の受光部辰面からインナーリード14の表面まで
の高さを可能な眠シ小さくする必要性から、半田バンプ
13の高さは約80μm以下、インナーリード14の厚
さは約50μm以下の寸法で形成されている。そして、
固体撮像素子3を装着したリードフレーム■5は、同図
(b)に示ずように透光性ガラス板8の所定位煮にうi
明接充i−炸」16、例えは紫外線硬化形エボキシイ”
j J!hセメダイン1665を用いて接着配栖されて
いる。このu:J合、固体撮像素子3の受光部と遮光性
ガラス板8との曲には気泡、異物等の欠陥が生じないよ
うに十分に配應、され、まだ透明接着剤16の厚さは可
能な限り小さくし、約90μm以下とすることが望まし
い。次にこの透明接着剤16に紫外光を所定量照射して
硬化させた後、同図(C)に示すように遮光性ガラス&
8の背面、固体撮像素子3の背面およびリードフレーム
15の一部がモールド樹脂17で一体的にモールドされ
ている。
グバンド3aにはCCH法により半田バンプ13を介し
てインナーリード14の先端部が接続され、このインナ
ーリード14の先端部側はリードフレーム15の先端部
に溶接などにより接続されて固体撮像集子3はリードフ
レーム15に支持固定されている。この場合、固体撮像
素子3の受光部辰面からインナーリード14の表面まで
の高さを可能な眠シ小さくする必要性から、半田バンプ
13の高さは約80μm以下、インナーリード14の厚
さは約50μm以下の寸法で形成されている。そして、
固体撮像素子3を装着したリードフレーム■5は、同図
(b)に示ずように透光性ガラス板8の所定位煮にうi
明接充i−炸」16、例えは紫外線硬化形エボキシイ”
j J!hセメダイン1665を用いて接着配栖されて
いる。このu:J合、固体撮像素子3の受光部と遮光性
ガラス板8との曲には気泡、異物等の欠陥が生じないよ
うに十分に配應、され、まだ透明接着剤16の厚さは可
能な限り小さくし、約90μm以下とすることが望まし
い。次にこの透明接着剤16に紫外光を所定量照射して
硬化させた後、同図(C)に示すように遮光性ガラス&
8の背面、固体撮像素子3の背面およびリードフレーム
15の一部がモールド樹脂17で一体的にモールドされ
ている。
このような構成によれば、固体撮像素子3の受光面およ
び透光性ガラス板8の内面側は透明接着剤I6およびモ
ールド樹脂17の2重構造で密閉されるので、外界芥囲
Zと完全かつ確実に遮断することができるとともに、構
造および製作が簡単となるので、低コストで災現可能と
なる。
び透光性ガラス板8の内面側は透明接着剤I6およびモ
ールド樹脂17の2重構造で密閉されるので、外界芥囲
Zと完全かつ確実に遮断することができるとともに、構
造および製作が簡単となるので、低コストで災現可能と
なる。
また、前述した実施β・lにおいて、透明接着剤16社
エポキシ系樹脂の他にシリコン系のゲルを用い、半田バ
ンプ13が接着剤の熱膨張の際に受ける応力を軽:威し
、信G性番さらに向上させることも可能である。まだ、
前記モールド梱脂17に遮光性の充填材を混入するかも
しくはモールド後、遮光性のコーティングをモールド樹
Bu17の表面に施し、固体撮像素子3の背面からの迷
光の侵入を防止し、入射光が小さい場合のS/N比の改
善をはかることができる。
エポキシ系樹脂の他にシリコン系のゲルを用い、半田バ
ンプ13が接着剤の熱膨張の際に受ける応力を軽:威し
、信G性番さらに向上させることも可能である。まだ、
前記モールド梱脂17に遮光性の充填材を混入するかも
しくはモールド後、遮光性のコーティングをモールド樹
Bu17の表面に施し、固体撮像素子3の背面からの迷
光の侵入を防止し、入射光が小さい場合のS/N比の改
善をはかることができる。
以上説明したように本発明によれば、固体−球体素子を
収容する高価なセラミック、コ・く−ル金属材からなる
パンケージが王女となるので、161体義像装置の形状
が従来のパッケージに比べて約1/3に小形化でき、材
料費および作業工数の大幅なコストダウンが可能となる
。まだ、遮光性ガラス板と固体撮像素子との間が透明接
フ3剤およびモールド樹脂でモールドされるので、中空
部分が形成されず、したがって、水分等の透過による結
露の発生を防止でき、高い信頼性を得ることができるな
どの極めて優れた効果を有する。
収容する高価なセラミック、コ・く−ル金属材からなる
パンケージが王女となるので、161体義像装置の形状
が従来のパッケージに比べて約1/3に小形化でき、材
料費および作業工数の大幅なコストダウンが可能となる
。まだ、遮光性ガラス板と固体撮像素子との間が透明接
フ3剤およびモールド樹脂でモールドされるので、中空
部分が形成されず、したがって、水分等の透過による結
露の発生を防止でき、高い信頼性を得ることができるな
どの極めて優れた効果を有する。
舅] !9は従来の固体撮像装置の一例を示す要部Li
ji gz ’rFr成ト、第2図(a) 、 (b)
、 (C)は不’i6 ’Jjによる固゛ 体i九i
I象装置の一例を示す要部断面構成図である。 3・・・・固体撮像素子、3a・・・・ポンプイングツ
くラド、4・・・・導電性リード、8・・・・透光性ガ
ラス板、13・・・・半田バンプ、14・・・・インナ
ーリード、I5・・・・リードフレーム、16・・・・
透明接着剤、17・・・・モールド樹脂。 第1冒
ji gz ’rFr成ト、第2図(a) 、 (b)
、 (C)は不’i6 ’Jjによる固゛ 体i九i
I象装置の一例を示す要部断面構成図である。 3・・・・固体撮像素子、3a・・・・ポンプイングツ
くラド、4・・・・導電性リード、8・・・・透光性ガ
ラス板、13・・・・半田バンプ、14・・・・インナ
ーリード、I5・・・・リードフレーム、16・・・・
透明接着剤、17・・・・モールド樹脂。 第1冒
Claims (1)
- 光情報を検知する固体撮像素子と、前記固体撮像素子の
ボンディングバットに接続されたインナーリードと、前
記インナーリードの一端に接わ1、されたリードフレー
ムと、前記固体撮像素子の受光面に対向配置F′、1.
された透光性ガラス板と、前記固体撮像素子とピサ光住
ガラス版曲に介在されかつ両省を接光し」足する透明接
着剤と、前記固体撮像素子および透光性力ラス板背面に
一体的に充填されたモールド樹脂とを具備してなること
を特徴とした固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57218377A JPS59110174A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57218377A JPS59110174A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59110174A true JPS59110174A (ja) | 1984-06-26 |
Family
ID=16718936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57218377A Pending JPS59110174A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59110174A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6432682A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | Optoelectronic semiconductor |
JPH01161775A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US4853761A (en) * | 1986-03-14 | 1989-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
US5098630A (en) * | 1985-03-08 | 1992-03-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Method of molding a solid state image pickup device |
JPH04139768A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-13 | Fuji Electric Co Ltd | 受光半導体装置およびその組立方法 |
-
1982
- 1982-12-15 JP JP57218377A patent/JPS59110174A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5098630A (en) * | 1985-03-08 | 1992-03-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Method of molding a solid state image pickup device |
US4853761A (en) * | 1986-03-14 | 1989-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
JPS6432682A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | Optoelectronic semiconductor |
JPH01161775A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH04139768A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-13 | Fuji Electric Co Ltd | 受光半導体装置およびその組立方法 |
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