JPH01191481A - 受光素子 - Google Patents

受光素子

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JPH01191481A
JPH01191481A JP63016242A JP1624288A JPH01191481A JP H01191481 A JPH01191481 A JP H01191481A JP 63016242 A JP63016242 A JP 63016242A JP 1624288 A JP1624288 A JP 1624288A JP H01191481 A JPH01191481 A JP H01191481A
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JP
Japan
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light
film
receiving element
light receiving
chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP63016242A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshikiyo Usui
吉清 臼井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Publication of JPH01191481A publication Critical patent/JPH01191481A/ja
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ホトダイオード、ホトトランジスタ等の樹
脂パッケージ形受光素子に関する。
〔従来の技術〕
まず第３図に本発明の実施対象となる樹脂パッケージ形
受光素子の一般構成を示す０図において１は半導体のチ
ップ素子として成る受光素子、２は受光素子１をマウン
トしたダイパッド、３はリードフレーム、４は受光素子
１とリードフレーム３との間を接続したボンディングワ
イヤ、５が透明樹脂パッケージであり、ここで従来構成
では特に前記受光素子１の受光面側の表面に光信号が入
射するセンサ部、電極パッド部を除いてチップ表面に成
膜されているシリコン酸化膜等のチップ保！膜上にＡＩ
を材料とする遮光膜６が膜付けされている。
かかる構成で受光素子１のセンサ部に符号７で示す光信
号が入射すると、この光信号に対応してところで上記し
た従来の構成では次記のような問題点が残る。すなわち
第３図の符号８で示すように周囲から受光素子１に入光
して先記したＡＩの遮光膜６で反射した迷光は、樹脂パ
フケージ５の表面で全反射して受光素子１のセンサ部に
入射するようになる。しかもこうようなセンサ部への迷
光８の入射があると受光素子１が誤動作したり感度が低
下すると言った問題が発生する。さらに加えて遮光膜６
としてのＡ７！ｌ’Ｊが寄生コンデンサを形成して受光
素子１の動作速度を低下させると言った問題点も派生す
る。
この発明は上の点にかんがみ成されたものであり、その
目的は遮光膜の材料を変えることによりセンサ部への迷
光の入射を抑え、併せて寄生コンデンサの成形も防止で
きるようにした受光素子を上記問題点を解決するために
、この発明によれば、透明な樹脂モールドパッケージで
封止されるチップ素子として成る受光素子において、前
記チップの受光面側の表面にセンサ部、を極パッド部を
除いて黒色絶縁樹脂の遮光膜を膜付けして構成するもの
とする。
〔作用〕
上記の構成で遮光膜としては例えば黒色ポリイミドの樹
脂を用い、センサ部、電極パッド部を除いて受光素子の
保護膜上にパターンニングして被膜形成したものである
。
かかる構成により遮光膜上での光の反射が殆ど無くなり
、従来構造で問題となっていたＡ１遮光膜の反射に起因
するセンサ部への迷光の入射を防止することができると
とも、併せて遮光膜が絶縁膜であることから寄生コンデ
ンサの形成が無（、これにより受光素子の動作特性を大
幅に改善することができる。
〔実施例〕
第１図、第２図は本発明実施例による受光素子を示すも
のであり、第３図に対応する同一部材には同じ符号が付
しである。すなわちこの考案により、受光素子１におけ
る受光面側の表面にはセンサ部１ａ、　？！補極８７１
１ｂを除いてチップ本体側の表面に成膜されている保護
膜上に遮光膜６として黒色ポリイミド樹脂の薄膜が適宜
なパターンユング法で膜付は成形されている。
なお、上記の構成に成る受光素子１は第３図と同様にダ
イパッド２にマウントし、リードフレーム３との間でワ
イヤ接続した上で透明な樹脂パッケージ５で封止される
。
かかる構成により、遮光膜６上に入射した光は遮光膜６
自身が黒色であるので殆ど反射することがなく、したが
って第３図の符号８で示すようなセンサ部への迷光の入
射を防止できる。また遮光膜６は絶縁膜であることから
受光素子１に対する寄生コンデンサを形成することもな
い。
〔発明の効果〕
以上述べたようにこの発明によれば、透明な樹脂モール
ドパッケージで封止されるチップ素子として成る受光素
子において、前記チップの受光面側の表面にセンサ部、
電極パッド部を除いて黒色絶縁樹脂の遮光膜を膜付けし
て構成したことにより、センサ部への迷光の入射を抑制
するとともに、寄生コンデンサの形成を防止して受光素
子の動作特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明実施例による受光素子の平面図、第２図
は第１図における矢視■−■断面図、第３図は樹脂パッ
ケージで封止された受光素子の組立構造図である。各図
において、 １：受光素子、１ａ：センサ部、１ｂ：′ｒＬ極バッド
第１図 ｋ。 第２図 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）透明な樹脂モールドパッケージで封止されるチップ
    素子として成る受光素子において、前記チップの受光面
    側の表面にセンサ部、電極パッド部を除いて黒色絶縁樹
    脂の遮光膜を膜付けしたことを特徴とする受光素子。
JP63016242A 1988-01-27 1988-01-27 受光素子 Pending JPH01191481A (ja)

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JP63016242A JPH01191481A (ja) 1988-01-27 1988-01-27 受光素子

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JP63016242A JPH01191481A (ja) 1988-01-27 1988-01-27 受光素子

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JPH01191481A true JPH01191481A (ja) 1989-08-01

Family

ID=11911086

Family Applications (1)

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JP63016242A Pending JPH01191481A (ja) 1988-01-27 1988-01-27 受光素子

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0489904U (ja) * 1990-11-08 1992-08-05
US5146303A (en) * 1990-04-05 1992-09-08 General Electric Company Compact, thermally efficient focal plane array and testing and repair thereof
US5157255A (en) * 1990-04-05 1992-10-20 General Electric Company Compact, thermally efficient focal plane array and testing and repair thereof
JPH0677456A (ja) * 1992-04-22 1994-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 完全密着型イメージセンサ及びユニット
US8242548B2 (en) 2008-03-11 2012-08-14 Sony Corporation Solid-state imaging device, manufacturing method for the same, and imaging apparatus

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