JPH05226691A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH05226691A JPH05226691A JP715792A JP715792A JPH05226691A JP H05226691 A JPH05226691 A JP H05226691A JP 715792 A JP715792 A JP 715792A JP 715792 A JP715792 A JP 715792A JP H05226691 A JPH05226691 A JP H05226691A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 6
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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Abstract
(57)【要約】
【目的】光半導体装置において、高分解能であり、かつ
優れた耐粉塵性を備えることを目的とする。 【構成】光透過性樹脂4内に、スリットとなる遮光物1
と光半導体チップ2を有するリードフレーム3を同時に
封止した。
優れた耐粉塵性を備えることを目的とする。 【構成】光透過性樹脂4内に、スリットとなる遮光物1
と光半導体チップ2を有するリードフレーム3を同時に
封止した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体装置に関し、特
に分解能を必要とする光センサー用光半導体装置に関す
る。
に分解能を必要とする光センサー用光半導体装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の光半導体装置は、図7に示すよう
に発光及び受光素子を光透過性樹脂により封止し、スリ
ット6を有する遮光性樹脂より成るハウジングケース5
に挿入する構造が一般的であった。そのため光の出入射
を行なうスリット部は大型の構造となっていた。また分
解能を変化させるためには、スリット幅の異なる別のハ
ウジングケースを作製する必要があった。
に発光及び受光素子を光透過性樹脂により封止し、スリ
ット6を有する遮光性樹脂より成るハウジングケース5
に挿入する構造が一般的であった。そのため光の出入射
を行なうスリット部は大型の構造となっていた。また分
解能を変化させるためには、スリット幅の異なる別のハ
ウジングケースを作製する必要があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来の光半導体装
置では、光の出入射を行うスリット部は凹型の構造とな
っているので、このスリットへの異物付着頻度が高く、
発光出力及び受光感度が低下し、誤動作や非動作状態に
なるという問題点があった。
置では、光の出入射を行うスリット部は凹型の構造とな
っているので、このスリットへの異物付着頻度が高く、
発光出力及び受光感度が低下し、誤動作や非動作状態に
なるという問題点があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、発光素子または受光素子を封止した光透過性樹脂の
内部に選択的に光を遮へいする遮光性スリットを内蔵
し、かつ光の入出射経路上の光透過性樹脂表面に凹部の
ない構造となっている。
は、発光素子または受光素子を封止した光透過性樹脂の
内部に選択的に光を遮へいする遮光性スリットを内蔵
し、かつ光の入出射経路上の光透過性樹脂表面に凹部の
ない構造となっている。
【0005】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0006】図1は本発明の一実施例の斜視図である。
【0007】1は遮光物、2は発光または受光素子、3
は素子2がマウントまたはボンディングされているリー
ドフレーム、4は遮光物及びリードフレームを固定する
封止樹脂である。
は素子2がマウントまたはボンディングされているリー
ドフレーム、4は遮光物及びリードフレームを固定する
封止樹脂である。
【0008】発光または受光素子2をマウント及びボン
ディングされたリードフレームの投光または入光方向に
2枚の遮光物1を配置してスリットを形成した状態で樹
脂封止を行い半導体装置を形成する。これによってある
特定の分解能を有し、かつ投光または受光面が平滑な光
半導体装置を作成することが可能である。
ディングされたリードフレームの投光または入光方向に
2枚の遮光物1を配置してスリットを形成した状態で樹
脂封止を行い半導体装置を形成する。これによってある
特定の分解能を有し、かつ投光または受光面が平滑な光
半導体装置を作成することが可能である。
【0009】また、遮光物1の間隔または形状を変更す
ることにより、図1と同一封止形状にて分解能を変更し
た光半導体装置を容易に作成することが可能である。
ることにより、図1と同一封止形状にて分解能を変更し
た光半導体装置を容易に作成することが可能である。
【0010】図2は本発明の実施例2の斜視図である。
遮光物1の間隔を変更することにより、投光角または受
光角を変えることができ、分解能を調整することができ
る。この実施例は、遮光物の間隔を図1の光半導体装置
よりも狭くしてある。この他は図1と同じである。
遮光物1の間隔を変更することにより、投光角または受
光角を変えることができ、分解能を調整することができ
る。この実施例は、遮光物の間隔を図1の光半導体装置
よりも狭くしてある。この他は図1と同じである。
【0011】図1及び図2における投光角または受光角
の違いを図4(a),(b)に示す。(a)は図1の投
・入光角を示し、(b)は図2の投・入光角を示してい
る。
の違いを図4(a),(b)に示す。(a)は図1の投
・入光角を示し、(b)は図2の投・入光角を示してい
る。
【0012】図3は本発明の実施例3の斜視図である。
遮光物1に格子状の窓を形成することにより、従来の技
術では容易に成し得なかった2次元の分解能向上が可能
である。
遮光物1に格子状の窓を形成することにより、従来の技
術では容易に成し得なかった2次元の分解能向上が可能
である。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、発光また
は受光素子をマウント,ボンディングしたリードフレー
ムと、ある間隔を有する遮光物を同一樹脂にて封止し、
かつ投・受光面を平滑にしたことにより、粉塵等の多い
環境中にて使用される光半導体装置の発光出力または受
光感度もしくは伝達効率の低下を防止し、かつ高分解能
化が可能であるという効果を有する。
は受光素子をマウント,ボンディングしたリードフレー
ムと、ある間隔を有する遮光物を同一樹脂にて封止し、
かつ投・受光面を平滑にしたことにより、粉塵等の多い
環境中にて使用される光半導体装置の発光出力または受
光感度もしくは伝達効率の低下を防止し、かつ高分解能
化が可能であるという効果を有する。
【0014】図6は本発明をフォトインタラプタに適用
した場合の斜視図である。この装置と同分解能を有する
従来技術の装置(図7)では、出力の経過変化は図5の
ように大きな違いが見られる。
した場合の斜視図である。この装置と同分解能を有する
従来技術の装置(図7)では、出力の経過変化は図5の
ように大きな違いが見られる。
【図1】本発明の一実施例の斜視図。
【図2】実施例2の斜視図。
【図3】実施例3の斜視図。
【図4】図1,図2の投・受光角の横断面図。
【図5】本実施例と従来例の比較図。
【図6】本発明の応用装置の斜視図。
【図7】従来の装置の斜視図。
1 遮光物 2 光半導体チップ 3 リードフレーム 4 封止樹脂 5 ハウジングケース 6 スリット
Claims (1)
- 【請求項1】 少なくとも発光素子または受光素子を光
透過性樹脂で封止した光半導体装置において、該光透過
性樹脂内に選択的に光を遮へいする遮光性スリットを内
蔵し、かつ光の出入射経路上の光透過性樹脂表面に凹部
のないことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP715792A JPH05226691A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP715792A JPH05226691A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05226691A true JPH05226691A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=11658239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP715792A Withdrawn JPH05226691A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05226691A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1526580A3 (en) * | 2003-09-17 | 2006-03-08 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
US7312477B2 (en) | 2003-06-13 | 2007-12-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Led lamp for light source |
US7484872B2 (en) | 2003-10-24 | 2009-02-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
US8258527B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-09-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Lighting device and semiconductor light source device |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP715792A patent/JPH05226691A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7312477B2 (en) | 2003-06-13 | 2007-12-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Led lamp for light source |
US7622748B2 (en) | 2003-06-13 | 2009-11-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source and method |
US8093613B2 (en) | 2003-06-13 | 2012-01-10 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source |
EP1526580A3 (en) * | 2003-09-17 | 2006-03-08 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
US7246930B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-07-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
US7753573B2 (en) | 2003-09-17 | 2010-07-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
US7484872B2 (en) | 2003-10-24 | 2009-02-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
US7950837B2 (en) | 2003-10-24 | 2011-05-31 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
US8258527B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-09-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Lighting device and semiconductor light source device |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |