JPH05226691A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPH05226691A
JPH05226691A JP715792A JP715792A JPH05226691A JP H05226691 A JPH05226691 A JP H05226691A JP 715792 A JP715792 A JP 715792A JP 715792 A JP715792 A JP 715792A JP H05226691 A JPH05226691 A JP H05226691A
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JP
Japan
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light
resin
resolution
optical semiconductor
light emitting
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP715792A
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English (en)
Inventor
Hideshi Tamai
秀史 玉井
Masaya Fukaura
正也 深浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KYUSHU DENSHI KK
NEC Corp
Original Assignee
KYUSHU DENSHI KK
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH05226691A publication Critical patent/JPH05226691A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
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    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements

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  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】光半導体装置において、高分解能であり、かつ
優れた耐粉塵性を備えることを目的とする。 【構成】光透過性樹脂4内に、スリットとなる遮光物1
と光半導体チップ2を有するリードフレーム3を同時に
封止した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体装置に関し、特
に分解能を必要とする光センサー用光半導体装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の光半導体装置は、図7に示すよう
に発光及び受光素子を光透過性樹脂により封止し、スリ
ット6を有する遮光性樹脂より成るハウジングケース5
に挿入する構造が一般的であった。そのため光の出入射
を行なうスリット部は大型の構造となっていた。また分
解能を変化させるためには、スリット幅の異なる別のハ
ウジングケースを作製する必要があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来の光半導体装
置では、光の出入射を行うスリット部は凹型の構造とな
っているので、このスリットへの異物付着頻度が高く、
発光出力及び受光感度が低下し、誤動作や非動作状態に
なるという問題点があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、発光素子または受光素子を封止した光透過性樹脂の
内部に選択的に光を遮へいする遮光性スリットを内蔵
し、かつ光の入出射経路上の光透過性樹脂表面に凹部の
ない構造となっている。
【0005】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0006】図1は本発明の一実施例の斜視図である。
【0007】1は遮光物、2は発光または受光素子、3
は素子2がマウントまたはボンディングされているリー
ドフレーム、4は遮光物及びリードフレームを固定する
封止樹脂である。
【0008】発光または受光素子2をマウント及びボン
ディングされたリードフレームの投光または入光方向に
2枚の遮光物1を配置してスリットを形成した状態で樹
脂封止を行い半導体装置を形成する。これによってある
特定の分解能を有し、かつ投光または受光面が平滑な光
半導体装置を作成することが可能である。
【0009】また、遮光物1の間隔または形状を変更す
ることにより、図1と同一封止形状にて分解能を変更し
た光半導体装置を容易に作成することが可能である。
【0010】図2は本発明の実施例2の斜視図である。
遮光物1の間隔を変更することにより、投光角または受
光角を変えることができ、分解能を調整することができ
る。この実施例は、遮光物の間隔を図1の光半導体装置
よりも狭くしてある。この他は図1と同じである。
【0011】図1及び図2における投光角または受光角
の違いを図4(a),(b)に示す。(a)は図1の投
・入光角を示し、(b)は図2の投・入光角を示してい
る。
【0012】図3は本発明の実施例3の斜視図である。
遮光物1に格子状の窓を形成することにより、従来の技
術では容易に成し得なかった2次元の分解能向上が可能
である。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、発光また
は受光素子をマウント,ボンディングしたリードフレー
ムと、ある間隔を有する遮光物を同一樹脂にて封止し、
かつ投・受光面を平滑にしたことにより、粉塵等の多い
環境中にて使用される光半導体装置の発光出力または受
光感度もしくは伝達効率の低下を防止し、かつ高分解能
化が可能であるという効果を有する。
【0014】図6は本発明をフォトインタラプタに適用
した場合の斜視図である。この装置と同分解能を有する
従来技術の装置(図7)では、出力の経過変化は図5の
ように大きな違いが見られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の斜視図。
【図2】実施例2の斜視図。
【図3】実施例3の斜視図。
【図4】図1,図2の投・受光角の横断面図。
【図5】本実施例と従来例の比較図。
【図6】本発明の応用装置の斜視図。
【図7】従来の装置の斜視図。
【符号の説明】
1 遮光物 2 光半導体チップ 3 リードフレーム 4 封止樹脂 5 ハウジングケース 6 スリット

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも発光素子または受光素子を光
    透過性樹脂で封止した光半導体装置において、該光透過
    性樹脂内に選択的に光を遮へいする遮光性スリットを内
    蔵し、かつ光の出入射経路上の光透過性樹脂表面に凹部
    のないことを特徴とする光半導体装置。
JP715792A 1992-01-20 1992-01-20 光半導体装置 Withdrawn JPH05226691A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8258527B2 (en) 2008-06-09 2012-09-04 Stanley Electric Co., Ltd. Lighting device and semiconductor light source device

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US7484872B2 (en) 2003-10-24 2009-02-03 Stanley Electric Co., Ltd. Vehicle lamp
US7950837B2 (en) 2003-10-24 2011-05-31 Stanley Electric Co., Ltd. Vehicle lamp
US8258527B2 (en) 2008-06-09 2012-09-04 Stanley Electric Co., Ltd. Lighting device and semiconductor light source device

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